利用单一连续炉的石墨膜制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及利用单一连续炉的石墨膜制造方法。
【背景技术】
[0002]因电子产品的薄型化、轻量化、大面化、柔韧化等趋势，内部回路及部件也逐渐变成小型化及薄型化。因此，产品运转时部件产生的热量可能会导致产品的热化和破损。因此，关于作为电子产品发热源的部件的有效热放射结构的研究在不断持续。
[0003]因此，增大了对高性能散热片的需求，由此开发出热传导性及热放射性优秀的石墨板。
[0004]石墨膜作为具有突出的高热传导性的元件而被广泛使用，包括用于电子部件等。一般能够获得的高热传导性的石墨膜制造方法包括压制膨胀的石墨而扩大为片状的方法或闻分子热分解法。
[0005]尤其，使用高分子膜热分解法时，因作为原材料的高分子膜在制造工艺中的收缩，可能会产生皱褶。因此，传统技术中切割高分子膜后(例如A4尺寸)，形成多层，通过热分解法制造出石墨膜。这时，需要热处理后按张分开而在薄膜上重新层压的固定作业，因此需要容量大的设备，分开作业需要很多作业者，还增加了生产时间。
【发明内容】
[0006](要解决的技术问题)
[0007]本发明提供一种石墨膜制造方法，采用辊式而能够连续制作，从而能够显著减少生产时间及人工费。
[0008](解决问题的手段)
[0009]为了解决所述问题点而发明的本发明的一实施例，即利用单一连续炉的石墨膜制造方法，包括:碳化步骤，把高分子膜引入具有第I温度区间的第I加热器内而碳化所述高分子膜并变换成碳质膜；及石墨步骤，把所述碳质膜引入具有第2温度区间的第2加热器内而使其变换成石墨膜，所述第2温度区间为温度以线型上升的区间。
[0010]此处，所述第I温度区间为以500±50°C?1000°C顺次上升的区间，所述第2温度区间为，以1000°c?2800°C顺次上升的区间。
[0011]此处，所述第2加热器具有4000?6000mm的长度；所述第2温度区间包括1000 V?1500 °C的第2-1温度区间、1500 V?2200 V的第2-2温度区间、及2600 V?2800°C的第2-3温度区间；所述石墨步骤，包括:在所述第2-1温度区间内，使所述碳质膜以0.33?1.33mm/秒的速度横向移动，使所述第2加热器的内部温度每分钟上升I?5°C而在I?4小时内对所述碳质膜进行热处理的步骤。
[0012]此处，所述石墨步骤，包括:为了防止所述碳质膜产生粉尘，在所述2-2温度区间，使所述第2加热器的内部温度每分钟升温5°C以下而在I?3小时内，对所述碳质膜进行热处理的步骤。
[0013]此处，所述石墨步骤，包括:为加强所述石墨膜的柔韧性并使水平热传导度达到1000w/mk以上，在所述第2-3温度区间进行热处理的步骤。
[0014]此处，所述石墨步骤，包括:对引入所述碳质膜的部分，提供第I氮气帘的步骤 '及对所述石墨膜流出的部分，提供第2氮气帘的步骤。
[0015]此处,所述第2加热器内，惰性气体具有2kgf/cm2?6kgf/cm2的压力环境。
[0016]此处，所述惰性气体可包括氩气体。
[0017]此处，为了操作时不破坏所述石墨膜，所述高分子膜具有25 μ m以上的厚度。
[0018]此处，所述高分子膜，为了在所述碳化步骤中不形成多个皱褶而具有1.4g/cm3以上的密度。
[0019]此处，所述高分子膜，热膨胀系数为25ppm/°C以下，抗张力为300Mpa以上。
[0020]此处，所述第2加热器，包括:石墨加热器，以横向设置于内侧，所述石墨加热器的厚度沿着所述移动方向而逐渐变薄而所述加热器内的温度逐渐上升。
[0021]此处，所述石墨加热器，沿着所述移动方向而以梯形逐渐变薄。
[0022]此处，所述碳化步骤，包括:所述碳质膜以缠绕到夹具的状态，被引入所述第2加热器的步骤。
[0023]此处，所述夹具，包括:芯体，设置于中心轴；外筒，设置于所述芯体的外部；及固定筒，设置于所述外筒与固定筒之间且具有规定间隔，从而固定所述高分子膜；所述高分子膜，可缠绕到所述芯体与固定筒之间的第I空间及所述固定筒与所述外筒之间的第2空间。
[0024]此处，所述固定筒，包括:多个子固定筒，具有同轴及规定间隔。
[0025]此处，所述固定筒，包括:间隙，使所述高分子膜连续缠绕到所述第2空间及第I空间。
[0026]此处，所述夹具为石墨材质。
[0027](发明的效果)
[0028]根据具有所述结构的本发明的一实施例，能够通过连续性的工艺制造滚轴形状的石墨膜，从而显著降低制造单价。
[0029]并且，根据本发明的一实施例，显著防止了高分子膜在热分解过程中产生的皱褶现象，能够以滚轴方式生产高品质的石墨膜。
【附图说明】
[0030]图1呈现本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法中第2加热器引进已缠绕到夹具的碳质膜的例子。
[0031]图2是用于说明本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法的顺序图。
[0032]图3是呈现本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法中第I加热器内的第I温度区间的温度变化的图表。
[0033]图4是呈现本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法中第2加热器内的第2温度区间的温度变化的图表。
[0034]图5是用于说明适用于本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法的第2加热器的内部结构的概念图。
[0035]图6呈现本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法中第2加热器引进已缠绕到夹具的碳质膜的另一例子。
[0036]图7是适用于本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法的夹具的分解立体图。
[0037]图8是图7中图示的夹具的纵截面图。
[0038]图9是呈现适用于本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法的夹具的另一例的横截面图。
[0039]符号说明
[0040]100:夹具
[0041]110:芯体
[0042]120:外筒
[0043]121:(外筒)外壳
[0044]123:盖子
[0045]130:固定筒
[0046]130’、130〃:子固定筒
[0047]131、131’、13Γ:间隙
[0048]200:第2加热器
[0049]210:(加热器)外壳
[0050]220:石墨加热器
[0051]A:第I空间
[0052]B:第2空间
【具体实施方式】
[0053]以下，参照附图详细说明根据本发明的一实施例的利用单一连续炉的石墨膜制造方法。本说明书的不同实施例中，对相同?类似的构成赋予相同?类似的参照编号，对其说明用首次说明代替。
[0054]图1是呈现本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法中第2加热器引进已缠绕到夹具的碳质膜的例子的图。如图1所图示，根据本发明的一实施例即利用单一连续炉的石墨膜制造方法，缠绕到夹具100的碳质膜以竖立的状态，被连续引入第2加热器200而变换成石墨膜。夹具100以一定间隔连续地竖立在移动板上，该移动板以规定的速度移动，据此，夹具100被引入第2加热器200内。
[0055]第2加热器200内的温度呈现以线型上升的温度梯度。对此，参照图4进行更详细的说明。
[0056]如上述结构，缠绕高分子膜的状态下不会产生皱褶或融合，从而能够制造出柔韧且高品质的石墨膜，能够显著降低制造成本且简化制造工艺。
[0057]以下参照图2，详细说明本发明的一实施例即利用单一连续炉的石