可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉的制作方法

文档序号:10502716阅读:600来源:国知局
可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉,通过将原有单层炉芯板改为层间距为450mmm的双层炉芯板,选用冶金焦粉与石英砂按照体积比7:3均匀混合成新的第一保温料设于炉芯板间隙内,其余可用一般现有的第二保温料设于外层炉芯板与炉墙之间,这样能有效降低新的第一保温料的使用成本,杜绝大量现有保温料累积造成环境影响。且艾奇逊石墨化炉产生的碳化硅主要集中在靠近产品的保温料处,大约450mm厚,采用新的第一保温料,有效节约成本的同时增加了优质碳化硅的产量。
【专利说明】
可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉
技术领域
[0001]本发明涉及碳素制品石墨化技术领域,特别是指一种可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉,最大的增产增质碳化硅。
【背景技术】
[0002]石墨化炉是生产石墨制品的关键窑炉之一,但能耗高,目前国内石墨化炉节能的有效途径是采用新型的内串石墨化工艺,而对那些直流艾奇逊石墨化炉的能耗应该如何降低则是摆在炭素厂面前的大事,除了装炉工艺、供电和窑炉的配匹等方面要求合理以外,利用石墨化炉捕助原料余热生产副产品碳化硅,增加产值,也是石墨化炉降低单位产值能耗的一大措施。
[0003]因此,有必要设计一种可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉,以解决上述技术问题。

【发明内容】

[0004]针对【背景技术】中存在的问题,本发明目的是提供一种可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉,最大限度增加优质碳化硅产量。
[0005]本发明的一技术方案是这样实现的:一种可提高碳化硅质量的方法,包括安装搭建艾奇逊炉的炉体,所述炉体由竖直的炉墙和位于炉墙下方的炉底墙围成;在所述炉体内设置间隙为450mm的双层炉芯板,所述双层炉芯板围设成石墨化区域,产品及电阻料位于所述石墨化区域内,在所述双层炉芯板的间隙内填充第一保温料,所述第一保温料为冶金焦粉与石英砂按照体积比7:3均匀混合成的混合物;在所述炉墙和外层的炉芯板之间填充第二保温料;待炉墙的第二保温料填充完毕,可将所述双层炉芯板缓慢提出。
[0006]本发明的另一技术方案是这样实现的:一种可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,包括炉体,所述炉体设有竖直的炉墙和位于炉墙下方的炉底墙,所述炉体内设有间隙为450_的双层炉芯板,所述双层炉芯板围设成石墨化区域,产品及电阻料位于所述石墨化区域内,所述双层炉芯板的间隙内设有第一保温料,所述第一保温料为冶金焦粉与石英砂的混合物,且所述冶金焦粉与石英砂按照体积比7:3均匀混合,所述炉墙和外层的炉芯板之间设有第二保温料。
[0007]在上述技术方案中,所述冶金焦粉的指标为:粒度为0.5-1 Omm;灰份为< 16 % ;水份为< 15 % ;挥发份为< 25 % ;固定碳2 80 % ;石英砂的指标为:粒度>6mm的含量^ 5 % ;粒度为0-6_的含量>95%;Si02含量>95%。
[0008]在上述技术方案中,所述炉体的顶部设有集气罩。
[0009]在上述技术方案中,所述集气罩的上方设有排气管,所述排气管下方设有与集气罩内表面相连通的集气管。
[0010]在上述技术方案中,所述排气管为两个,对称设置在集气罩中心线的两侧。
[0011]在上述技术方案中,所述炉墙包括板体,板体内部设置钢筋结构。
[0012]在上述技术方案中,所述板体上开有通气孔。
[0013]在上述技术方案中,所述通气孔为45度向上的斜孔。
[0014]在上述技术方案中,所述钢筋结构为双网结构,双网之间互相连接。
[0015]本发明可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉,通过将原有单层炉芯板改为层间距为450mmm的双层炉芯板,选用冶金焦粉与石英砂按照体积比7:3均匀混合成新的第一保温料设于炉芯板间隙内,其余可用一般现有的第二保温料设于外层炉芯板与炉墙之间,这样能有效降低新的第一保温料的使用成本,杜绝大量现有保温料累积造成环境影响。且艾奇逊石墨化炉产生的碳化硅主要集中在靠近产品的保温料处,大约450_厚,采用新的第一保温料,有效节约成本的同时增加了优质碳化硅的产量。
【附图说明】
[0016]图1为本发明中涉及的艾奇逊炉结构示意图;
图2为图1中炉墙结构示意图;
图3为图2侧视不意图。
【具体实施方式】
[0017]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0018]如图1至图3所示,本发明所述的一种可提高碳化硅质量的方法及该方法涉及的艾奇逊炉,包括安装搭建艾奇逊炉的炉体I,所述炉体I设有竖直的炉墙11和位于炉墙11下方的炉底墙12。
[0019]所述炉体I的顶部设有集气罩2,所述集气罩2的上方设有排气管21,在本实例中,优选的,所述排气管21为两个,且对称设置在集气罩2中心线的两侧。所述排气管21的下方设有与集气罩2内表面相连通的集气管22,提高燃烧时废气的收集,避免污染环境。
[0020]所述炉墙11包括板体110,板体110内部设置钢筋结构111,所述板体110上开有通气孔112,在本实施例中,所述通气孔112为45度向上的斜孔,可以使内部的气体很容易排出,外部的气体很难进入。所述钢筋结构111为双网结构,双网之间互相连接,可以增加炉墙11的强度。
[0021]所述炉体I内设有间隙为450mm的双层炉芯板3,所述双层炉芯板3围设成石墨化区域4,产品及电阻料5位于所述石墨化区域4内,所述炉墙11和外层的炉芯板3之间设有第一保温料6,所述第一保温料6为冶金焦粉与石英砂的混合物,且所述冶金焦粉与石英砂按照体积比7: 3均匀混合,所述双层炉芯板3的间隙内填充设有第二保温料7,待炉墙11的第二保温料7填充完毕,可以将所述双层炉芯3板缓慢提出。
[0022]其中,所述第一保温料6中冶金焦粉的指标为:粒度为0.5-10mm;灰份为<16%;水份为< 15 % ;挥发份为< 25 % ;固定碳2 80 % ;石英砂的指标为:粒度>6mm的含量^ 5 % ;粒度为0-6_的含量>95%;Si02含量>95%。
[0023]本发明可提高碳化硅质量的方法及艾奇逊炉,通过将原有单层炉芯板改为层间距为450_的双层炉芯板3,选用冶金焦粉与石英砂按照体积比7:3均匀混合成新的第一保温料7设于双层炉芯板3间隙内,其余可用一般现有的第二保温料7设于外层炉芯板3与炉墙11之间,这样能有效降低新的第一保温料6使用成本,杜绝大量现有保温料累积造成环境影响。且艾奇逊石墨化炉产生的碳化硅主要集中在靠近产品的保温料处,大约450mm厚,采用新的第一保温料6,有效节约成本的同时增加了优质碳化硅的产量。
[0024]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种可提高碳化硅质量的方法,其特征在于:包括 安装搭建艾奇逊炉的炉体,所述炉体由竖直的炉墙和位于炉墙下方的炉底墙围成; 在所述炉体内设置间隙为450mm的双层炉芯板,所述双层炉芯板围设成石墨化区域,产品及电阻料位于所述石墨化区域内, 在所述双层炉芯板的间隙内填充第一保温料,所述第一保温料为冶金焦粉与石英砂按照体积比7:3均匀混合成的混合物; 在所述炉墙和外层的炉芯板之间填充第二保温料; 待炉墙的第二保温料填充完毕,可将所述双层炉芯板缓慢提出。2.一种可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:包括炉体,所述炉体设有竖直的炉墙和位于炉墙下方的炉底墙,所述炉体内设有间隙为450mm的双层炉芯板,所述双层炉芯板围设成石墨化区域,产品及电阻料位于所述石墨化区域内,所述双层炉芯板的间隙内设有第一保温料,所述第一保温料为冶金焦粉与石英砂的混合物,且所述冶金焦粉与石英砂按照体积比7:3均匀混合,所述炉墙和外层的炉芯板之间设有第二保温料。3.根据权利要求2所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述冶金焦粉的指标为:粒度为0.5-10mm;灰份为< 16% ;水份为< 15% ;挥发份为< 25% ;固定碳2 80% ;石英砂的指标为:粒度>6_的含量^ 5% ;粒度为0-6_的含量>95% ;Si02含量>95%。4.根据权利要求2所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述炉体的顶部设有集气罩。5.根据权利要求4所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述集气罩的上方设有排气管,所述排气管下方设有与集气罩内表面相连通的集气管。6.根据权利要求5所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述排气管为两个,对称设置在集气罩中心线的两侧。7.根据权利要求2所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述炉墙包括板体,板体内部设置钢筋结构。8.根据权利要求7所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述板体上开有通气孔。9.根据权利要求8所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述通气孔为45度向上的斜孔。10.根据权利要求7所述的可提高碳化硅质量的艾奇逊炉,其特征在于:所述钢筋结构为双网结构,双网之间互相连接。
【文档编号】C01B31/04GK105858664SQ201610432655
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年6月17日
【发明人】刘进柱
【申请人】大同新成新材料股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1