玻璃陶瓷组合物以及线圈电子部件的制作方法

玻璃陶瓷组合物以及线圈电子部件的制作方法
【专利摘要】本发明的玻璃陶瓷组合物其特征在于，具有由第1玻璃、第2玻璃、Al2O3以及SiO2构成的主成分，所述第1玻璃为SiO2?K2O?B2O3系玻璃，所述第2玻璃为MO?SiO2?Al2O3?B2O3系玻璃(M为碱土金属)和/或CaO?SiO2?Al2O3?ZnO?ZrO2?B2O3系玻璃，所述主成分在将其总量作为100重量％时，含有所述第2玻璃12～30重量％，合计含有所述第1玻璃以及所述第2玻璃40～56重量％，进一步含有Al2O3 7～18重量％。
【专利说明】
玻璃陶瓷组合物以及线圈电子部件
技术领域
[0001] 本发明涉及能够低温烧成，并且具有极低的介电常数和足够强度的玻璃陶瓷组合 物、以及使用其的线圈电子部件。
【背景技术】
[0002] 近年来，伴随着手机等通信设备的高频化，在这些设备的发射部以及接收部中，大 量采用对应于IGHz以上的高频的陶瓷线圈。特别地，为了对应于高频，这些陶瓷线圈追求低 介电常数，另外，为了将低电阻、低损耗的Ag系适用于内部导体，需要950Γ以下的低温烧 结。
[0003] 因此，作为这样的陶瓷线圈的材料，通常广泛地使用低介电常数的玻璃系材料。然 而，玻璃系材料在用作陶瓷线圈等线圈电子部件的素体的情况下，存在在素体表面产生的 损伤等成为裂纹的起点，只能发挥远远低于本来期待的强度的强度的问题。
[0004] 为了解决这样的问题，在专利文献1和2中，提出有提高玻璃系材料自身的机械强 度的技术。专利文献1的玻璃系材料在作为线圈电子部件的素体使用的情况下，虽然能够确 保充分的机械强度，但是由于需要煅烧原材料，因此存在制作到具有能够适用于层叠部件 的粒度分布的陶瓷粉体的制造工序复杂，并且工序负担大的问题。另外，专利文献2的玻璃 系材料在作为素体使用的情况下也能够确保机械强度，但是存在烧成之后生成大量的结晶 颗粒，这样在内部电极层形成凹凸，在高频区域中Q值降低的问题。
[0005] 另外，从其它观点出发，在专利文献3中提出有将线圈部的上下用保形性高的玻璃 系材料夹持，从而提高作为线圈电子部件整体的机械强度的技术。通过这样的技术，在线圈 部的上下配置保形层，这样能够确保强度，因此对于其内侧的线圈部无需担心其强度，能够 使用在提高Q值上优选的，结晶颗粒少且相对介电常数低的玻璃系材料。然而，用于保形层 的高强度的玻璃系材料相比于用于线圈部的玻璃系材料，由于相对介电常数高，因此，即便 在线圈部选择性地使用多么容易提高Q值的玻璃系材料，也会存在作为线圈电子部件整体Q 值降低的问题。
[0006] 专利文献1:日本专利第4239534号公报 [0007] 专利文献2:日本特开2005-15239号公报 [0008] 专利文献3:日本特开2013-58538号公报

【发明内容】

[0009]本发明是鉴于这样的实际情况完成的，其目的在于提供一种能够低温烧成，并且 具有极低的介电常数和充分的弯曲强度的玻璃陶瓷组合物、以及使用其的线圈电子部件。 [0010]用于解决技术问题的手段
[0011]本
【发明人】们重复专门研究，其结果发现作为高频线圈用的玻璃陶瓷组合物，优选 能够低温烧成，并且低介电常数，进一步结晶质少得能够维持高强度的程度，至此完成了本 发明。
[0012]即，本发明的要点如下所示。
[0013] [ 1 ] -种玻璃陶瓷组合物，其特征在于，上述玻璃陶瓷组合物具有由第1玻璃、第2 玻璃、Al2O3以及SiO 2构成的主成分，
[0014] 上述第1玻璃为SiO2-K2O-B2O3系玻璃，
[0015]上述第 2 玻璃为 MO-SiO2-Al2O3-B2O3 系玻璃(M 为碱土金属）和/SCaO-SiO2-Al2O3-ZnO-ZrO 2-B2O3 系玻璃，
[0016]上述主成分在将其总量作为100重量％时，含有上述第2玻璃12~30重量％，合计 含有上述第1玻璃以及上述第2玻璃40~56重量％，进一步含有Al2〇37~18重量％。
[0017] [2]如上述[1]所述的玻璃陶瓷组合物，其中，进一步相对于100重量％的所述主成 分，含有5重量％以下的第3玻璃作为添加物，
[0018] 上述第3玻璃为SrO-SiO2-B2O3系玻璃。
[0019] [3]如上述[1]或[2]所述的玻璃陶瓷组合物，其特征在于，上述SiO2为石英和/或 石英玻璃。
[0020] [4]-种线圈元件，其中，具备上述[1]~[3]中任一项所述的玻璃陶瓷组合物。
[0021] [5]-种烧结体，其中，由上述[1]~[3]中任一项所述的玻璃陶瓷组合物构成。
[0022] [6]-种线圈电子部件，其中，具备由上述[5]所述的烧结体构成的陶瓷层。
[0023] [7]-种电子部件，其中，所述电子部件由线圈导体以及陶瓷层层叠而构成，
[0024]上述线圈导体含有Ag，
[0025] 上述陶瓷层由上述[5]所述的烧结体构成。
[0026] [8]-种高频线圈用层间组合物，其特征在于，所述高频线圈用层间组合物具有由 第1玻璃、第2玻璃、Al2O3以及SiO2构成的主成分，
[0027] 上述第1玻璃为SiO2-K2O-B2O3系玻璃，
[0028]上述第 2 玻璃为 MO-SiO2-Al2O3-B2O3 系玻璃(M 为碱土金属）和/SCaO-SiO2-Al2O3-ZnO-ZrO 2-B2O3 系玻璃，
[0029]上述主成分在将其总量作为100重量％时，含有上述第2玻璃12~30重量％，合计 含有上述第1玻璃以及上述第2玻璃40~56重量％，进一步含有Al2〇37~18重量％。
[0030] 发明的效果
[0031] 根据本发明，可以提供一种玻璃陶瓷组合物以及使用其的线圈电子部件，所述玻 璃陶瓷组合物能够低温烧成、介电常数极低、高密度且绝缘电阻高，进一步在电子部件化时 能够实现充分的弯曲强度。
【附图说明】
[0032] [图1]图1是作为本发明的一个实施方式所涉及的线圈电子部件的层叠芯片线圈 的截面图。
[0033] 符号的说明
[0034] 1……层叠芯片线圈2……陶瓷层
[0035] 3……内部电极层3a、3b……引出电极30……线圈导体
[0036] 4……芯片素体5……端子电极
【具体实施方式】
[0037]对于用于实施本发明的方式(实施方式），参照附图并详细地进行说明，不过本发 明不仅限定于以下说明的实施方式。另外，以下记载的构成要素中，包含本领域技术人员能 够容易地想到的要素、实质上相同的要素。进一步，以下记载的构成要素可以进行适当组 合。
[0038](线圈电子部件）
[0039] 图1中，作为本发明的一个实施方式所涉及的线圈电子部件，示例了层叠芯片线圈 1。层叠芯片线圈1具有陶瓷层2和内部电极层3在Z轴方向上交替层叠的芯片素体4。
[0040] 各内部电极层3具有四角状环或者C字形状或者"二"字形状，通过贯通邻接的陶瓷 层2的内部电极连接用通孔电极（图示省略)或者阶梯状电极以螺旋状连接并且构成线圈导 体30。
[0041] 在芯片素体4的Y轴方向的两端部分别形成有端子电极5。在各端子电极5上连接有 位于Z轴方向的上下的引出电极3a、3b的端部，并且各端子电极5连接于构成闭合磁路线圈 (绕线图案）的线圈导体30的两端。
[0042] 在本实施方式中，陶瓷层2以及内部电极层3的层叠方向与Z轴一致，端子电极5的 表面平行于X轴和Y轴。另外，X轴、Y轴以及Z轴互相垂直。图1所示的层叠芯片线圈1中，线圈 导体30的卷绕轴与Z轴大致一致。
[0043] 芯片素体4的外形或尺寸不特别限制，可以根据用途来适当设定，通常外形做成大 致长方体形状，例如X轴尺寸为〇. 1~〇. 8mm，Y轴尺寸为0.2~1.6mm，Z轴尺寸为0.1~1.0 mm。
[0044] 另外，陶瓷层2的电极间厚度以及基体(base)厚度不特别限制，电极间厚度（内部 电极层3、3的间隔）可以设定为3~50μπι左右，基体厚度(Y轴方向上的从引出电极3a、3b到芯 片素体4的端部的距离)可以设定为5~300μηι左右。
[0045] 在本实施方式中，作为端子电极5,不特别限定，可以通过在素体4的外表面上附着 将Ag或Pd等作为主成分的导电性膏体之后进行烧结，进一步实施电镀来形成。电镀可以使 用 Cu、Ni、Sn 等。
[0046]线圈导体30优选含有Ag(含Ag的合金），可以由例如Ag单体、Ag-Pd合金等构成。另 外，作为线圈导体的副成分，可以包含Zr、Fe、Mn、T i以及它们的氧化物。
[0047]陶瓷层2由本发明的一个实施方式所涉及的玻璃陶瓷组合物构成的烧结体构成。 以下，针对玻璃陶瓷组合物进行详细地说明。
[0048]本实施方式的玻璃陶瓷组合物具有由第1玻璃、第2玻璃、Al2O3以及SiO 2构成的主 成分。在此，第1玻璃为SiO2-K2O-B2O3系玻璃，第2玻璃为MO-SiO 2-Al2O3-B2O3系玻璃(M为碱土 金属)或CaO-SiO 2-Al2O3-ZnO-ZrO2-B2O 3系玻璃。进一步，主成分在将其总量作为100重量％ 时，含有第2玻璃12~30重量％，合计含有第1玻璃以及第2玻璃40~56重量％，含有Al 2〇37~ 18重量％，优选由SiO2构成剩余部分。
[0049] 这样的本实施方式所涉及的玻璃陶瓷组合物能够低温烧成，介电常数极低并且高 密度且绝缘电阻高，进一步，在电子部件化时能够实现充分的弯曲强度和高Q值。
[0050] 如上所述，第1玻璃为SiO2-K2O-B2O 3系玻璃。SiO2-K2O-B2O3系玻璃不特别限制，可以 使用市售的玻璃。该玻璃优选玻璃化转变点为480~520 °C。另外，玻璃化转变点可以通过热 机械分析装置(TM)进行测定（以下相同）。
[0051 ] 另外，SiO2-K2O-B2O 3系玻璃主要由SiO2、K20以及B2O3构成，优选该玻璃含有Si0 277 ~83重量％，含有K2O 1.6~2.4重量％，剩余部分由B2O3构成。另外，该玻璃可以在不妨碍本 发明的效果的范围内含有1种以上的其它成分，其它成分的含量的合计在该玻璃中优选为 0.5重量％以下。作为其它成分，例如可以列举Al 2O3等。
[0052]另外，在本实施方式中，第2玻璃为MO-SiO2-Al2O3-B 2O3系玻璃(M为碱土金属)和/或 CaO-SiO2-Al2O3-ZnO-ZrO2-B 2O3系玻璃。即，第2玻璃可以为上述2种玻璃的混合物，也可以仅 由上述2种玻璃中的任一种构成。另外，第2玻璃优选至少为MO-SiO 2-Al2O3-B2O3系玻璃。 [0053] MO-SiO2-Al2O3-B2O3系玻璃不特别限定，可以使用市售的玻璃。M可以为选自碱土金 属(Mg、Ca、Sr以及Ba)中的1种以上，优选包含全部Mg、Ca、Sr以及Ba。另外，该玻璃优选玻璃 化转变点为690~730°C。
[0054] 另外，MO-SiO2-Al2O3-B 2O3系玻璃主要由M0、Si02、Al203以及B 2O3构成，优选该玻璃 含有Si0245~55重量％，含有Al2O3IO~12重量％，含有MO 28~43重量％，剩余部分由B2O3构 成。另外，该玻璃中，作为MO进一步优选含有MgO 1~2.5重量％、CaO 3~4重量％、SrO 24~ 35重量％、BaO 0.1~1重量％。另外，该玻璃在不妨碍本发明的效果的范围内可以含有一种 以上的其它成分，其它成分的含量的合计在该玻璃中优选为0.5重量％以下。作为其它成 分，例如可以列举Na 2O等。
[0055] CaO-SiO2-Al2O3-ZnO-ZrO2-B 2O3系玻璃不特别限定，可以使用市售的玻璃。该玻璃 优选玻璃化转变点为650~700°C。
[0056]另外，CaO-SiO2-Al2O3-ZnO-ZrO 2-B2O3 系玻璃主要由 CaO、Si〇2、Al2〇3、ZnO、Zr〇2&& B2O3构成，优选该玻璃含有Si0240~45重量％、Α12〇 328~32重量％、CaO 9~11重量％、ZnO 0.5~1.3重量％、Zr02l~2重量％，剩余部分由B2O3构成。另外，该玻璃可以在不妨碍本发明 的效果的范围内含有一种以上的其它成分，其它成分的含量的合计在该玻璃中优选为0.5 重量％以下。作为其它成分，例如可以列举TiO 2等。
[0057]进一步，在主成分中第2玻璃的含量为12~30重量％，优选为12~22重量％，进一 步优选为14~20重量％。第2玻璃如果过多则有相对介电常数升高(例如，超过5.0)的倾向， 如果过少则有不能充分地确保弯曲强度的倾向。
[0058]另外，主成分中的第1玻璃和第2玻璃的含量的合计为40~56重量％，优选为45~ 56重量％，进一步优选为50~55重量％。第1玻璃和第2玻璃的合计量如果过多则有不能充 分地确保弯曲强度的倾向，如果过少则有不能得到充分的烧结的倾向。
[0059]在本实施方式中，使用Al2〇3(氧化铝）作为填料。主成分中的Al2O3的含量为7~18 重量％，优选为7~15重量％，进一步优选为7.5~12重量％ ^l2O3如果过多则有相对介电常 数升高(例如，超过5.0)的倾向，如果过少则有不能充分地确保弯曲强度的倾向。
[0060] 另外，构成填料的颗粒的形状不特别限定，例如可以列举球状、针状、板状等，从提 高强度、特别是电子部件化时的弯曲强度的观点出发，优选为板状的填料成分。
[0061] 另外，在本实施方式中，SiO2不特别限定，例如可以以作为填料的石英（晶体二氧 化硅)或者石英玻璃(无定形二氧化硅)的形态使用，也可以根据需要并用它们。
[0062] 本实施方式中的主成分优选如上所述含有规定量的第1玻璃、第2玻璃以及Al2O3, 并且作为剩余部分含有Si0 2。另外，进一步优选剩余部分仅由SiO2构成，不过可以在不妨碍 本发明的效果的范围内含有其它成分。
[0063] 本实施方式所涉及的玻璃陶瓷组合物可以根据需要进一步含有第3玻璃作为添加 剂。在此，第3玻璃为SrO-SiO2-B 2O3系玻璃。进一步，第3玻璃的添加量相对于100重量％的主 成分为5重量％以下。
[0064] 第3玻璃由于与上述主成分的关系而显示良好的烧结性。因此，本实施方式所涉及 的玻璃陶瓷组合物通过在上述范围内含有第3玻璃，从而相对于伴随量产化的烧成条件的 变化或棒材尺寸的变化等能够确保更稳定的烧结性，并且能够大范围地采用适合于量产化 的烧成条件。
[0065] 在本实施方式中，第3玻璃为SrO-SiO2-B2O3系玻璃。SrO-SiO 2-B2O3系玻璃不特别限 定，可以使用市售的玻璃。该玻璃优选玻璃化转变点为640~670°C。本实施方式的玻璃陶瓷 组合物通过含有低软化点的第3玻璃，从而即便是比较低温的烧成也能够确保良好的烧结 性。
[0066] 另外，SrO-SiO2-B2O3系玻璃主要由Si02、Sr0以及B 2O3构成，优选该玻璃含有SiO2IO ~15重量％、SrO 40~45重量％，剩余部分由B2O3构成。另外，该玻璃可以在不妨碍本发明的 效果的范围内含有一种以上的其它成分，其它成分的含量的合计在该玻璃中优选为1.0重 量％以下。作为其它成分，例如可以列举Na 2O或CaO等。
[0067] 另外，第3玻璃的添加量相对于100重量％的主成分为5重量％以下，优选为2~5重 量％，进一步优选为3~4.5重量％。如果增加第3玻璃的添加量，则通过烧成产生的玻璃相 的软化的程度有增大的倾向。特别地，如果通过烧成产生的玻璃相的软化的程度过大，则在 电子部件化时，烧成后的芯片素体4容易熔融粘结于所接触的物体上。
[0068] 图1所示的层叠芯片线圈1可以通过通常的制造方法进行制造。即，通过将本发明 的玻璃陶瓷组合物与粘结剂和溶剂一起混炼得到的玻璃陶瓷膏体与含有Ag等的导体膏体 交替地印刷层叠之后，进行烧成，从而能够形成芯片素体4(印刷法）。
[0069] 或者，也可以使用玻璃陶瓷膏体制作生坯片，在生坯片的表面印刷内部电极膏体， 将它们层叠烧成从而形成芯片素体4(薄片法）。无论如何，可以在形成芯片素体4之后，通过 烧结或者镀层等形成端子电极5。
[0070] 对于玻璃陶瓷膏体中的粘结剂以及溶剂的含量没有限制，例如，粘结剂的含量可 以设定为5~25重量％，溶剂的含量可以设定为30~80重量％左右的范围。另外，在膏体中 可以根据需要在20重量％以下的范围内含有分散剂、增塑剂、介电体、绝缘体等。还可以同 样地制作含有Ag等的导体膏体。另外，烧成条件等不特别限定，在内部电极层中含有Ag等的 情况下，烧成温度优选为950 °C以下，进一步优选为900 °C以下。
[0071 ]另外，由本实施方式的玻璃陶瓷组合物构成的烧结体的相对密度在将理论密度作 为100 %的情况下，优选为80%以上，进一步优选为85%以上，更加优选为90%以上。在此， 在本说明书中，相对密度是指密度的实测值相对于理论密度的比例。另外，该烧结体的理论 密度例如可以将烧结体进行研钵粉碎至不受素体中的气泡的影响的程度的大小之后，用气 相置换法(阿基米德原理)测定真密度，并且采用其作为理论密度。另外，该烧结体的密度的 实测值例如可以通过测定烧结体的尺寸以及重量来计算。该烧结体的相对密度可以通过改 变烧成温度或烧成时间等来调整。
[0072]本实施方式的玻璃陶瓷组合物可以是未烧结的粉末或凝聚物、包含于浆料中的固 体成分等的形态的玻璃陶瓷材料。本实施方式的玻璃陶瓷组合物由于烧结性优异，因此即 使在优选为840~950°C，进一步优选为870~950°C左右的低温下烧成，也可以做成具有充 分高的烧结密度(烧结体的密度）的玻璃陶瓷烧结体。因此，例如优选用作寻求能够在低温 下烧结的将Ag作为导体的层叠芯片线圈等线圈电子部件的陶瓷层。
[0073] 另外，本发明不限定于上述实施方式，可以在本发明的范围内进行各种改变。
[0074] 此外，本实施方式所涉及的玻璃陶瓷组合物可以作为半导体装置的线圈元件等来 使用。作为本发明所涉及的线圈元件，例如，可以列举将本发明所涉及的玻璃陶瓷组合物薄 膜化，并且装入半导体装置等的基板上的线圈部件等。
[0075] 另外，本实施方式所涉及的玻璃陶瓷组合物可以优选作为高频线圈用层间组合物 使用。
[0076] 本实施方式所涉及的玻璃陶瓷组合物能够低温烧成，介电常数极低，并且机械强 度也优异，因此，优选作为构成线圈电子部件的陶瓷层的材料，进一步，由于烧成时的结晶 颗粒的生成极少，因此特别地，更加优选作为构成内部电极层3、3之间的陶瓷层2的层间组 合物。
[0077] 通过本实施方式所涉及的层间组合物，能够抑制烧成后的陶瓷层中结晶颗粒的生 成，从而可以得到凹凸少的平滑的内部电极层，作为线圈电子部件整体，可以实现高频区域 内的高Q值。这样的层间组合物特别优选作为在IGHz以上的频率区域内使用的高频线圈用。
[0078] 在上述本实施方式中，线圈电子部件1的陶瓷层2示出了用相同的材料形成的例 子，不过不需要一定用同样的材料形成。如上所述，本实施方式所涉及的玻璃陶瓷组合物特 别优选作为构成内部电极层3、3间的陶瓷层2的层间组合物，不接触线圈导体30的陶瓷层2 也可以用其它陶瓷材料构成。
[0079] 实施例
[0080] 以下，基于更详细的实施例来说明本发明，不过本发明不限定于这些实施例。
[0081] (实施例1)
[0082] 首先，准备作为第1玻璃的SiO2-K2O-B2O 3系玻璃、作为第2玻璃的MO-SiO2-Al2O3-B 2O3系玻璃、氧化铝(Al2O3)、作为SiO2的石英玻璃(无定形二氧化硅）、作为第3玻璃的SrO-Si〇2_B2〇3系玻璃，并称量各种原材料以成为表1所不的组成。
[0083] 接下来，将预先称量好的原材料和溶剂(99%甲醇改性乙醇）一起使用球磨机(介 质为氧化锆球），进行24小时湿式混合，得到原料浆料。将该原料浆料用干燥机干燥至溶剂 消失，从而得到玻璃陶瓷材料。
[0084] 接下来，相对于得到的玻璃陶瓷材料100重量份添加2.5重量份的丙烯酸树脂类粘 结剂(ELVACITE，Dupont公司制造)作为粘结剂并进行造粒，用20目的筛子进行整粒做成颗 粒。将该颗粒用74MPa(0.75ton/cm 2)的压力进行加压成型，从而得到17Φ圆盘形状(尺寸= 直径17mm、厚度8.5_)的成型体。之后，将得到的成型体在空气中、900 °C下烧成2小时，得到 烧结体(样品1~32)。
[0085] 接下来，对得到的烧结体(样品1~32)以以下所示的条件进行各种特性评价。将结 果示于表1中。
[0086] [相对密度]
[0087] 相对密度（％ )根据得到的烧结体的尺寸以及重量算出烧结体密度，算出烧结体密 度相对于理论密度的比率来求得。
[0088][相对介电常数es ]
[0089] 相对介电常数(无单位)使用网络分析仪(HEWLETT PACKARD公司制造的851OC)用 共振法(JIS R 1627)来进行测定。另外，在本实施例中，将相对介电常数为5.0以下作为良 好。
[0090] [绝缘电阻p ]
[0091] 绝缘电阻（单位：Ωπι)通过在得到的烧结体的两面上涂布In-Ga电极，并测定直流 电阻值，根据电阻值和尺寸来算出。测定使用绝缘电阻计（HEWLE T T PACKARD公司制造的 43294)在25￥-30秒的条件下进行。另外，在本实施例中，将1\107〇*!!1以上作为良好。
[0092] (实施例2)
[0093] 首先，通过与实施例1同样的方法得到了成为表1的组成的玻璃陶瓷材料。
[0094]接下来，向100重量份的玻璃陶瓷材料中加入丙烯酸树脂类粘结剂(ELVACITE， Dupont公司制造)作为粘结剂进行充分地混合，得到玻璃陶瓷浆料。之后，通过刮刀法将所 得到的玻璃陶瓷浆料成型，得到了厚度为30μπι的生坯片。
[0095] 然后，在所得到的生坯片的规定位置形成通孔(via hole)之后，将另外调制的含 有银粉末、清漆以及有机溶剂的导体膏体丝网印刷于上述生坯片的表面，并且填充于上述 通孔中，从而形成具有规定形状的线圈图案以及通孔的内部电极层。
[0096] 之后，将形成有规定的线圈图案的生坯片进行适当地层叠之后，将它们用没有形 成内部电极层的生坯片来夹持，在60°C的温度下用IOOMPa的压力进行压合，切割为规定的 尺寸，从而得到了层叠体。
[0097]进一步，将得到的层叠体在大气中加热至400°C进行充分地脱脂。接下来，将层叠 体投入到烧成炉中，在大气中在900~930°C的温度区域中保持1~5小时从而进行热处理 (烧成），得到了芯片素体。
[0098] 接下来，准备含有银粉末、玻璃粉、清漆以及有机溶剂的端子电极用导电膏体，将 该端子电极用导电膏体涂布于相对于上述芯片素体的线圈的轴方向的两端使之干燥之后， 在750°C下烧成粘结，形成端子电极，从而得到了层叠芯片线圈（0.6mm X 0.3mm X 0.3mm)。
[0099] 然后，对得到的层叠芯片线圈（样品1~32)在以下所示的条件下进行弯曲强度试 验。将结果示于表1中。
[0100][弯曲强度试验]
[0101 ]弯曲强度试验对样品1~32各使用10个样品，在基板(玻璃环氧基板，大小100_ X 40mm，厚度0.08mm)的中央部焊接上样品之后，从除去焊接有样品的面的另一个面(基板背 面)施加负载(弯曲量=1.3mm下保持5秒），对施加负载之后的样品进行外观以及内部的裂 纹的有无的评价。另外，在本实施例中，对各样品将10个中产生裂纹的为0个的样品作为良 好。
[0102][表 1]
[0104] 第1玻璃为SiO2-K2O-B2O 3系玻璃
[0105] 第 2 玻璃为 MO-SiO2-Al2O3-B2O3 系玻璃
[0106] 第3玻璃为SrO-SiO2-B2O3系玻璃
[0107]由实施例1的结果可以确认，由本发明所涉及的玻璃陶瓷组合物构成的烧结体(样 品2~5、11~14、20~24、27~32)具有高的绝缘电阻、低的相对介电常数。
[0108]进一步，由实施例2的结果可以确认具有由本发明所涉及的玻璃陶瓷组合物构成 的烧结体(样品2~5、11~14、20~24、27~32)的层叠芯片线圈对于弯曲具有优异的强度。 [0109](实施例3和4)
[0110] 作为第2玻璃使用CaO-SiO2-Al2O3-ZnO-ZrO 2-B2O3系玻璃，以得到表2所示的组成的 方式得到了玻璃陶瓷材料，除此以外，与实施例1和2同样地制作了烧结体以及层叠芯片线 圈(样品51~82)，在同样的条件下评价了各种特性。将结果示于表2中。
[0111] 「表 2]
[0113] 第1玻璃为Si〇2-K2〇_B2〇3系玻璃
[0114] 第 2 玻璃为 Ca〇-Si〇2-Al2〇3_Zn〇-Zr〇2-B2〇3 系玻璃
[0115] 第3玻璃为Sr〇-Si〇2_B2〇3系玻璃
[0116] 由实施例3的结果可以确认，由本发明所涉及的玻璃陶瓷组合物构成的烧结体(样 品52~55、61~64、70~74、77~82)具有高的绝缘电阻、低的相对介电常数。
[0117] 进一步，由实施例4的结果可以确认，具有由本发明所涉及的玻璃陶瓷组合物构成 的烧结体(样品52~55、61~64、70~74、77~82)的层叠芯片线圈对于弯曲具有优异的强 度。
【主权项】
1. 一种玻璃陶瓷组合物，其特征在于， 所述玻璃陶瓷组合物具有由第1玻璃、第2玻璃、Al2〇3以及Si02构成的主成分， 所述第1玻璃为Si〇2-K2〇-B2〇3系玻璃， 所述第 2 玻璃为 M〇-Si〇2-Al2〇3-B2〇3 系玻璃和 / 或 Ca〇-Si〇2-Al2〇3-Zn〇-Zr〇2-B2〇3 系玻璃， 其中，Μ为碱土金属， 所述主成分在将其总量作为100重量％时，含有所述第2玻璃12~30重量％，合计含有 所述第1玻璃以及所述第2玻璃40~56重量％，进一步含有Al2〇37~18重量％。2. 如权利要求1所述的玻璃陶瓷组合物，其特征在于， 进一步相对于100重量％的所述主成分，含有5重量％以下的第3玻璃作为添加物， 所述第3玻璃为Sr〇-Si02-B2〇3系玻璃。3. 如权利要求1或2所述的玻璃陶瓷组合物，其特征在于， 所述Si02为石英和/或石英玻璃。4. 一种线圈元件，其中， 具备权利要求1~3中任一项所述的玻璃陶瓷组合物。5. -种烧结体，其中， 由权利要求1~3中任一项所述的玻璃陶瓷组合物构成。6. -种线圈电子部件，其中， 具备由权利要求5所述的烧结体构成的陶瓷层。7. -种电子部件，其中， 所述电子部件由线圈导体以及陶瓷层层叠而构成， 所述线圈导体含有Ag， 所述陶瓷层由权利要求5所述的烧结体构成。8. -种高频线圈用层间组合物，其特征在于， 所述高频线圈用层间组合物具有由第1玻璃、第2玻璃、Al2〇3以及Si02构成的主成分， 所述第1玻璃为Si〇2-K2〇-B2〇3系玻璃， 所述第 2 玻璃为 M〇-Si〇2-Al2〇3-B2〇3 系玻璃和 / 或 Ca〇-Si〇2-Al2〇3-Zn〇-Zr〇2-B2〇3 系玻璃， 其中，Μ为碱土金属， 所述主成分在将其总量作为100重量％时，含有所述第2玻璃12~30重量％，合计含有 所述第1玻璃以及所述第2玻璃40~56重量％，进一步含有Al2〇37~18重量％。
【文档编号】C03C10/00GK105859142SQ201610081946
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月5日
【发明人】梅本周作, 铃木孝志, 高桥圣树, 佐藤英和, 秋田由香里, 飞田和哉, 近藤真, 近藤真一
【申请人】Tdk株式会社