一种减少bbo晶体包络的生长工艺的制作方法
【专利摘要】一种减少BBO晶体包络的生长工艺。本发明采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，自制熔盐炉和铂金坩埚为生长装置，铂金坩埚底部呈内凸圆弧形，进行低温相BBO晶体熔盐法生长，利用铂金坩埚底部呈内凸圆弧形，加强熔体对流，有效减少BBO晶体包络。
【专利说明】
一种减少BBO晶体包络的生长工艺
技术领域
[0001]本发明涉及晶体生长领域，特别涉及一种减少BBO晶体包络的生长工艺。
【背景技术】
[0002]低温相偏硼酸钡是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于Nd: YAG和Nd: YLF激光的二、
三、四、五倍频，染料激光的倍频，三倍频和混频，T1: Sappire和Alexandrite激光的二、三、四倍频，光学参量放大器(OPA)与光学参量振荡器(OPO)，氩离子、红宝石和Cu蒸汽激光器的倍频等。目前还未见有性能更好的材料取代它。
[0003]熔盐法(助熔剂法)是人工晶体生长中普遍应用的一种生长方法。它通常采用将所需生长晶体的组成物质溶解于助熔剂中，通过缓慢降温来得到所需的晶体。其特点在于适用性广，对于大多数的晶体都可以找到合适的助熔剂。
[0004]偏硼酸钡i3-BaB204普遍采用的是助熔剂法生长，晶体生长至坩祸壁后，停止转动，开始降温生长，熔体主要靠自身温度梯度引起对流，平底坩祸存在底部对流不充分，存在盲区等问题，生长出来的晶体除了中心区，周围也容易带包络，影响晶体质量。
【发明内容】
[0005]本发明采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，自制熔盐炉和铂金坩祸为生长装置，铂金坩祸底部呈内凸圆弧形。利用坩祸底部内凸圆弧形，增加熔体对流，减少晶体包络。
【附图说明】
[0006]
图1是底部呈内凸圆弧形铂金坩祸示意图。
【具体实施方式】
[0007]实施例一:称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠，满足BaB204:NaF=2:1 (摩尔比)于原料桶中混匀。将混好的料于1000°c的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入底部呈内凸圆弧形的铂金坩锅中，然后置于熔盐炉中，升温至980°c，恒温18h，而后在饱和温度以上1 °C下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至恪液表面，4?I Or/min转动，晶体开始生长，当晶体生长快至坩祸壁时，停止晶转，开始以TC/天的速率降温，直至6个月左右，停止生长，获得BBO晶体毛坯。
【主权项】
1.一种高质量BBO晶体生长工艺，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，自制熔盐炉和铂金坩祸为生长装置进行熔盐法生长，其特征在于:铂金坩祸底部呈内凸圆弧形。
【文档编号】C30B29/10GK106048712SQ201610419668
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年6月14日
【发明人】王昌运
【申请人】福建福晶科技股份有限公司