真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺的制作方法
【专利摘要】本发明提供的一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%?5%的K2O、3%?3.5%的Na2O、65%?70%的SiO2、15%?30%的Al2O3、0.05%?0.1%的Fe2O3、0.05%?0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。本发明的产品能够提高绝缘套筒的绝缘性能，且烧制的合格品率更高。
【专利说明】
真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺
技术领域
[0001]本发明涉及一种配方及其制作工艺，特别是一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺。
【背景技术】
[0002]现有的真空断路器绝缘套筒多为陶瓷制品，其绝缘性能是决定一个真空断路器好坏的关键因素，较好的绝缘性能能够有效的提升真空断路器的安全性能和使用寿命，由于需要适应越来越严苛的行业标准，绝缘套筒需要在材料以及工艺上不断的进行创新，才能使其绝缘性能更好，而且现有绝缘套筒的合格品的烧制成功率还是较低，废品较多。
【发明内容】
[0003]鉴于【背景技术】的不足，本发明所要解决的问题是要提供一种能够提高绝缘套筒的绝缘性能，且烧制的合格品率更高的真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺。
[0004]为此，本发明是采用如下方案来实现的:
一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于:由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算:4%_5%的K20、3%-3.5%的Na20、65%-70%的Si02、15%-30%的Α1203、0.05%-0.1%的Fe203、0.05%_0.1%的Ti02;其加工工艺流程从头到尾为:配料研磨一放浆过筛一塑型干燥一上釉烧制一出窑。
[0005]作为优选，具体的加工工艺流程为:
a)将所需比例的材料进行称重配制，放入研磨机中进行研磨；
b)将研磨好的材料粉末过筛，过筛时其材料颗粒细度要小于200目/吋筛，其残余率应在1.5%以内；
c)塑型成功后应放置在阴凉通风处十二个小时使其干燥；
d)上釉烧制时，釉还涂抹需均勾，釉还厚度控制在0.3mm一0.4mm；
e)出窑后需检查釉面是否平整光洁，有无釉滴、真空和气泡。最后静置，直到完全冷却。
[0006]本方案的有益效果为:1、能够有效的提升绝缘套筒的绝缘性能，从而提升真空断路器的安全性能和使用寿命;2、烧制出来的绝缘套筒的合格品率更高，有效的降低成本。
【具体实施方式】
[0007]本发明提供的一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算:4%-5%的K20、3%-3.5%的Na20、65%-70%的Si02、15%-30%的Α1203、0.05%-0.1%的Fe203、0.05%-
0.1%的Ti02;其加工工艺流程从头到尾为:配料研磨一放浆过筛一塑型干燥一上釉烧制一出窑。具体的加工工艺流程为:a)将所需比例的材料进行称重配制，放入研磨机中进行研磨;b)将研磨好的材料粉末过筛，过筛时其材料颗粒细度要小于200目/吋筛，其残余率应在1.5%以内；c)塑型成功后应放置在阴凉通风处十二个小时使其干燥;d)上釉烧制时，釉坯涂抹需均勾，釉还厚度控制在0.3mm—0.4mm;e)出窖后需检查釉面是否平整光洁，有无釉滴、真空和气泡。最后静置，直到完全冷却。
【主权项】
1.一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于:由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算: 4%-5%的K20、3%-3.5%的Na20、65%-70%的Si02、15%-30%的Α1203、0.05%-0.1%的Fe203、0.05%-0.1%的Ti02;其加工工艺流程从头到尾为:配料研磨一放浆过筛一塑型干燥一上釉烧制一出窑。2.根据权利要求1所述的真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于:具体的加工工艺流程为: a)将所需比例的材料进行称重配制，放入研磨机中进行研磨； b)将研磨好的材料粉末过筛，过筛时其材料颗粒细度要小于200目/吋筛，其残余率应在1.5%以内； c)塑型成功后应放置在阴凉通风处十二个小时使其干燥； d)上釉烧制时，釉还涂抹需均勾，釉还厚度控制在0.3mm一0.4mm； e)出窑后需检查釉面是否平整光洁，有无釉滴、真空和气泡，最后静置，直到完全冷却。
【文档编号】H01H33/662GK106083016SQ201610418101
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月15日 公开号201610418101.X, CN 106083016 A, CN 106083016A, CN 201610418101, CN-A-106083016, CN106083016 A, CN106083016A, CN201610418101, CN201610418101.X
【发明人】施成达, 蔡荣, 郭雷
【申请人】西一电气有限公司