用于多晶硅还原炉的底盘组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘组件。
【背景技术】
[0002]多晶硅还原炉是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备，也是决定系统产能、能耗的关键环节。小型多晶硅还原炉(如12对棒、18对棒还原炉等)生产单位重量产品普遍能耗较高，单炉产量相对低，已经越来越不适应目前的市场要求.随着多晶硅设备水平的不断发展和提高，大型还原炉得到不断开发，出现了 36对棒、48对棒甚至60对棒还原炉。
[0003]相关技术中的大型多晶硅还原炉，虽然解决了一些产量和能耗的问题，但伴随着设备的大型化和复杂化，其底盘中的冷却液流动阻力增大，导致冷却效果较差，且由于冷却液的流程较长，底盘径向温度分布不均，致使底盘产生温差应力和变形。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题之一。为此，本实用新型提出一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，该用于多晶硅还原炉的底盘组件具有冷却液流动阻力小、冷却效果好、径向温度分布均匀、不易产生温差应力和变形等优点。
[0005]为实现上述目的，根据本实用新型提出一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述用于多晶硅还原炉的底盘组件包括:底盘本体，所述底盘本体内限定有从所述底盘本体的中心处旋向所述底盘本体的边缘处的四个螺旋流道，所述底盘本体上设有分别与四个所述螺旋流道连通的至少四个冷却液进口和至少四个冷却液出口，所述至少四个冷却液进口的圆心与所述底盘本体的圆心距离相等；多个电极座，多个所述电极座设置在所述底盘本体上；多个进气管和多个排气管，多个所述进气管和多个所述排气管设置在所述底盘本体上。
[0006]根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的底盘组件具有冷却液流动阻力小、冷却效果好、径向温度分布均匀、不易产生温差应力和变形等优点。
[0007]另外，根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的底盘组件还可以具有如下附加的技术特征:
[0008]四个所述螺旋流道的长度相等。
[0009]四个所述螺旋流道沿所述底盘本体的径向盘绕成六层。
[0010]所述底盘本体包括:底盘法兰；上底板，所述上底板设在所述底盘法兰内；下底板，所述下底板设在所述底盘法兰内且位于所述上底板下方，所述下底板与所述上底板和所述底盘法兰限定出冷却腔；四个导流板，四个所述导流板设在所述冷却腔内且在所述冷却腔内限定出四个所述螺旋流道。
[0011 ] 四个所述导流板焊接在所述下底板上。
[0012]所述导流板的邻近所述进气管、所述排气管和所述电极座处分别设有弧形段。
[0013]每个所述导流板上设有若干连通孔。
[0014]所述用于多晶硅还原炉的底盘组件还包括设在所述底盘本体上的四个冷却液进管和至少四个冷却液出管，所述冷却液进管设置在所述底盘本体的内周缘处且分别与对应的所述螺旋流道的所有所述冷却液进口连通，所述冷却液出管设置在所述底盘本体的外周缘处且分别与对应的所述冷却液出口连通。
[0015]任一个所述冷却液出管的最高点高于任一个所述冷却液进管的最高点。
[0016]多个所述进气管位于所述底盘本体的内周缘和外周缘之间，所述排气管为四个且设置所述底盘本体的内周缘处并分别嵌套在四个所述冷却液进管内。
【附图说明】
[0017]图1是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的轴向剖视图。
[0018]图2是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的径向剖视图。
[0019]附图标记:用于多晶硅还原炉的底盘组件10、底盘本体100、螺旋流道110、冷却液进口 120、冷却液出口 130、底盘法兰140、上底板150、下底板160、冷却腔180、导流板190、弧形段191、电极座200、进气管300、排气管400、冷却液进管500、冷却液出管600。
【具体实施方式】
[0020]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0021]下面参考附图描述根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。
[0022]如图1和图2所示，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极座200、多个进气管300和多个排气管400。
[0023]底盘本体100内限定有四个螺旋流道110，四个螺旋流道110从底盘本体100的中心处旋向底盘本体100的外周缘处，底盘本体100上设有分别与四个螺旋流道110连通的至少四个冷却液进口 120和至少四个冷却液出口 130，即每个螺旋流道110与至少一个冷却液进口 120和至少一个冷却液出口 130连通，其中，冷却液进口 120的圆心与底盘本体100的圆心距离相等。多个电极座200设置在底盘本体100上。多个进气管300和多个排气管400设置在底盘本体100上且沿上下方向贯穿底盘本体100(上下方向如附图中的箭头A所示)。
[0024]根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10，通过在底盘本体100内设置从底盘本体100的中心旋向底盘本体100的外周缘的四个螺旋流道110，且在底盘本体100上设置分别与四个螺旋流道110连通且与底盘本体100的圆心距离相等的至少四个冷却液进口 120，这样冷却液可以通过冷却液进口 120分别进入四个螺旋流道110，对底盘本体100的上表面、多个进气管300、多个排气管400和多个电极座200进行强制冷却。由于在底盘本体100内设置四个螺旋流道110，使得每个螺旋流道110的流程较短，减少了冷却液的流动阻力，提高了冷却效果，且避免了底盘本体100径向温差过大，有利于防止底盘本体100产生温差应力和变形。因此，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10具有冷却液流动阻力小、冷却效果好、径向温度分布均匀、不易产生温差应力和变形等优点。
[0025]下面参考附图描述根据本实用新型具体实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。
[0026]在本实用新型的一些具体实施例中，如图1和图2所示，根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极座200、多个进气管300和多个排气管400。
[0027]进一步地，四个螺旋流道110的长度相等，且四个螺旋流道110的相同长度处的宽度相等。由此可以进一步提高底盘本体100径向温度的均匀性，从而进一步防止底盘本体100产生温差应力和变形。
[0028]可选地，如图1所示，四个螺旋流道110沿底盘本体100的径向盘绕成六层，冷却液出口 130设置在底盘本体100的外周缘处，冷却液由底盘本体100中心经螺旋流道110
后排出。
[0029]在本实用新型的一些具体示例中，如图1和图2所示，底盘本体100包括底盘法兰140、上底板150、下底板160。底盘法兰140用于连接炉体。上底板150和下底板160均设在底盘法兰140内，下底板160位于上底板150下方，下底板160与上底板150和底盘法兰140限定出冷却腔180。进气管300和排气管400贯穿上底板150和下底板160。由此可以减少炉体下部进气管数量，简化设备安装和管路布置。
[0030]为了在上述底盘本体100上设置螺旋流道110，可以将四个导流板190设在冷却腔180内且在冷却腔180内限定出四个螺旋流道110，即冷却腔180可以由四个螺旋流道110共同组成。为提高导流板190在冷却腔180内的稳定性，四个导流板190可以焊接在下底板160的上表面上。
[0031]进一步地，如图1所示，每个导流板190的邻近进气管300、排气管400和电极座200处分别设有弧形段191，由此一方面可以保持螺旋流道110的横