石英埚盖的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及用于直拉单晶硅的石英祸，具体涉及一种石英祸盖。
【背景技术】
[0002]单晶硅生长主要有直拉法和区熔法。直拉单晶硅生长由于其成本较低、品质良好而得到广泛应用，对于单晶硅的氧含量的控制范围也有了更高的要求，为了能更好的满足客户的需求，需要在控氧方面有所新的突破。
[0003]直拉单晶硅的氧进入硅溶液主要是因为石英祸的溶解，一小部分氧会由固液界面进入单晶棒中，大部分的氧则会由硅溶液表面以S1的形态挥发掉。硅溶液内的氧含量实际就等于石英祸的溶解速度与硅溶液表面以S1的形态挥发掉的量之差值，差值越大硅溶液内的氧越多，进入到固液界面的氧也就越多，反之进入硅液界面的氧也就越少。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的是为了控制单晶硅的氧含量，特别设计一种石英祸盖，即采取在石英祸顶部增加石英祸盖的方案来控制直拉单晶硅的氧含量。
[0005]控制单晶硅的氧含量有以下几种方式:
[0006]1.通过改变气流方向、炉压、氩气流量改变硅溶液表面的S1的挥发速度。
[0007]2.改变晶转祸转速度，以增加磁场强度来增强硅溶液内的对流，从而改变硅溶液与石英祸的反应速度，减小石英祸的溶解速度。
[0008]3.通过改变石英祸形态，增大石英祸面积来增加硅溶液表面S1的挥发速度。
[0009]本实用新型采取以上的第一种方式来控制单晶硅的氧含量。
[0010]本实用新型采取的技术方案是:一种石英祸盖，其特征在于:所述的石英祸盖上设有用于单晶硅生长的中心孔，石英祸盖的下沿内表面与石英祸上端外表面紧密配合。
[0011]本实用新型产生的有益效果是:通过对石英祸头部增加石英祸盖，可以有效的减少AR(氩气)进入石英祸内的含量，从而减少液面S1的挥发速度，增加单晶硅的氧含量。常规采用没有石英祸盖制备单晶硅的氧含量为9-llE16atm/cm3(E16是10的负16次方，atm/cm3是单位)，而增加本石英祸盖后，制备单晶硅的氧含量为15-17E16 atm/cm3ο
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型与石英祸整体结构正视图；
[0013]图2是本实用新型结构俯视图。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明:
[0015]参照图1和图2，石英祸盖I上设有用于单晶硅3生长的中心孔1-1，石英祸盖I的下沿1-2内表面与石英祸2上端外表面紧密配合。
[0016]实施例:石英祸盖上的中心孔1-1直径为120mm。石英祸盖的外直径为300mm;内直径为290mm。石英祸盖的下沿1-2的高度为10mm。
【主权项】
1.一种石英祸盖，其特征在于:所述的石英祸盖(I)上设有用于单晶硅生长的中心孔(1-1)，石英祸盖(I)的下沿(1-2)内表面与石英祸(2)上端外表面紧密配合。2.根据权利要求1所述的石英祸盖，其特征在于:所述石英祸盖上的中心孔(1-1)直径为120mmo3.根据权利要求1所述的石英祸盖，其特征在于:所述石英祸盖的外直径为300mm;内直径为290mm。4.根据权利要求1所述的石英祸盖，其特征在于:所述石英祸盖的下沿(1-2)的高度为1mm0
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于直拉单晶硅的石英埚的石英埚盖。石英埚盖上设有用于单晶硅生长的中心孔，石英埚盖的下沿内表面与石英埚上端外表面紧密配合。通过对石英埚头部增加石英埚盖，可以有效的减少AR（氩气）进入石英埚内的含量，从而减少液面SiO的挥发速度，增加单晶硅的氧含量。常规采用没有石英埚盖制备单晶硅的氧含量为9-11E16atm/cm3,而增加本石英埚盖后，制备单晶硅的氧含量为15-17E16？atm/cm3。
【IPC分类】C30B15/10, C30B29/06
【公开号】CN205258653
【申请号】CN201521016983
【发明人】宋都明, 孙毅, 王林, 张颂越
【申请人】天津市环欧半导体材料技术有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月9日