一种温度梯度晶体生长上保温屏的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种人工晶体生长高温设备，属于晶体生长温场设计技术领域，具体是一种温度梯度晶体生长上保温屏。
【背景技术】
[0002]随着人工晶体科学技术的发展，对晶体材料的要求越来越高，这也意味着对晶体材料的生长工艺和生长设备的要求越来越高。晶体生长工艺的关键在于高温设备下对晶体温场的控制。
[0003]大尺寸和优质的晶体的生长，要解决温度控制和温度在熔体和固相中的梯度问题，所以最重要的是冷坩祸中温度场的分布。但在冷坩祸内生长晶体时，熔体的高温度导致从其表面发生很大的热损失，使晶体系统的平衡变得不稳定，因此，对晶体生长有不利的影响。传统设备上保温屏采用未进行梯度分层的多层结构，此结构由于未进行梯度分层在热辐射过程中对晶体生长上部不能进行有效的温度梯度控制，使晶体在坩祸中生长时的纵横向温度梯度未有效形成，不能实现对温度梯度的精确控制从而无法达到生长出优良品质晶体的效果。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足之处，提供了一种结构设计简单，并能获得晶体稳定生长的温度梯度晶体生长上保温屏。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006]—种温度梯度晶体生长上保温屏，包括若干圆环形的钼保温片和圆环形的悬挂支撑片，该若干钼保温片上下平行间隔层叠布置且圆心位于同一直线上；该若干钼保温片外径相同且内径由上层到下层依次由大变小；该悬挂支撑片位于最上层的钼保温片之上且与该若干钼保温片平行间隔层叠布置，悬挂支撑片的外径大于各钼保温片的外径;还包括第一组支撑钼杆和第二组支撑钼杆，该第一组支撑钼杆穿过各钼保温片且通过第一组钼螺母与各钼保温片固接;该第二组支撑钼杆穿过悬挂支撑片和各钼保温片且通过第二组钼螺母与悬挂支撑片和各钼保温片固接。
[0007]—实施例中:所述若干钼保温片为14?16个。
[0008]—实施例中:相邻两层的所述钼保温片的内径之差为4?6mm。
[0009]—实施例中:所述悬挂支撑片的内径大于最上层钼保温片的内径。
[0010]—实施例中:所述若干钼保温片的间距相等。
[0011]—实施例中:所述悬挂支撑片与最上层的钼保温片的距离大于各层钼保温片的间距。
[0012]—实施例中:该第一组支撑钼杆为3?5个，该3?5个第一组支撑钼杆周向间隔布置;该第二组支撑钼杆为43?5个，该3?5个第二组支撑钼杆周向间隔布置。
[0013]—实施例中:所述第一组支撑钼杆位于第二组支撑钼杆内侧。
[0014]一实施例中:所述钼保温片上均设有位置相互对应的第一组安装孔，所述悬挂支撑片和钼保温片上均设有位置相互对应的第二组安装孔;所述第一组支撑钼杆穿过第一组安装孔且通过第一组钼螺母与各钼保温片固接;所述第二组支撑钼杆穿过第二组安装孔且通过第二组钼螺母与悬挂支撑片和各钼保温片固接。
[0015]本技术方案与【背景技术】相比，它具有如下优点:
[0016]1.本实用新型采用温度梯度多层圆环形钼保温片的结构，均衡了冷坩祸内的保温性，利用了钼材质熔点高、热传导性能好的特点，进一步保证了晶体生长的高温环境且成本更低。
[0017]2.温度梯度多层圆环形钼保温片的间距组合，保证了冷坩祸内晶体生长热辐射时产生的纵向与横向间的温度梯度差，以能更准确的把握晶体在控径时的精确度，从而解决了晶体生长过程中温度偏差不均匀而导致的偏心生长且无法确保晶体品质的稳定。
[0018]3.各层钼保温片间、钼保温片与悬挂支撑片间采用支撑钼杆和钼螺母固接，钼杆和钼螺母刚性好，能够有力地支撑各保温片和悬挂支撑片并使其相互之间的间距得以固定，在晶体生长的高温环境中支撑钼杆和钼螺母也不会发生形变、脆化或裂开，能够有效避免各层钼保温片塌陷堆积，防止失去温度梯度，从而进一步保障晶体生长过程中品质的稳定;且造价低，制作容易，有利于大规模生产。
【附图说明】
[0019]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
[0020]图1为本实用新型的温度梯度晶体生长上保温屏俯视示意图。
[0021]图2为本实用新型的温度梯度晶体生长上保温屏纵剖面示意图，其中圆环形的钼保温片和悬挂支撑片中央缺失部分用虚线表示。
[0022]附图标记:钼保温片I，悬挂支撑片2，第一组支撑钼杆3，第一组钼螺母4，第二组支撑钼杆5，第二组钼螺母6。
【具体实施方式】
[0023]下面通过实施例具体说明本实用新型的内容:
[0024]请查阅图1和图2，为本实用新型的一种温度梯度晶体生长上保温屏，包括通过两组支撑钼杆和两组钼螺母固定在一起的15个圆环形的钼保温片I和I个圆环形的悬挂支撑片2，该15个钼保温片I上下平行间隔层叠布置且圆心位于同一直线上;该15个钼保温片I夕卜径相同且内径由上层到下层依次由大变小，相邻两层的钼保温片I的内径之差为5mm;该悬挂支撑片2位于最上层的钼保温片I之上且与该15个钼保温片I平行间隔层叠布置，悬挂支撑片2的外径大于各钼保温片I的外径，悬挂支撑片2的内径大于最上层钼保温片I的内径；
[0025]所述15个钼保温片I上在相同位置处均设有4个周向间隔布置的第一组安装孔和4个周向间隔布置的第二组安装孔，均为直径6.5mm的螺丝孔;所述悬挂支撑片2在与钼保温片I的第二组安装孔的相应位置处也设有4个第二组安装孔，同样为直径6.5mm的螺丝孔;第一组支撑钼杆3依次穿过各层钼保温片I的第一组安装孔，且通过第一组钼螺母4与各钼保温片I锁定固接;所述第二组支撑钼杆5依次穿过悬挂支撑片2和各层钼保温片I的第二组安装孔，且通过第二组钼螺母6与悬挂支撑片2和各钼保温片I锁定固接;第一组安装孔位于第二组安装孔的内侧，以使第一组支撑钼杆3位于第二组支撑钼杆5内侧;通过两组支撑钼杆和两组钼螺母固接和支撑各钼保温片I和悬挂支撑片2，并固定其相互之间的距离。
[0026]本实施例之中，所述若干钼保温片I的间距相等;所述悬挂支撑片2与最上层的钼保温片I的距离大于各层钼保温片I的间距。
[0027]本实施例之中，相邻两层的钼保温片I间设有四个第一组钼螺母4和四个第二组钼螺母6，悬挂支撑片2与最上层的钼保温片I间设有4个第一组钼螺母4和8个第二组钼螺母6，悬挂支撑片2上方还设有4个第二组钼螺母6。
[0028]本实用新型的温度梯度晶体生长上保温屏采用多层圆环形钼保温片的结构，均衡了冷坩祸内的保温性，保证了冷坩祸内晶体生长热辐射时产生的纵向与横向间的温度梯度差，以能更准确的把握晶体在控径时的精确度，从而解决了晶体生长过程中温度偏差不均均匀而导致的偏心生长且无法确保晶体品质的稳定。
[0029]以上所述，仅为本实用新型较佳实施例而已，故不能依此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本实用新型涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:包括若干圆环形的钼保温片和圆环形的悬挂支撑片，该若干钼保温片上下平行间隔层叠布置且圆心位于同一直线上；该若干钼保温片外径相同且内径由上层到下层依次由大变小;该悬挂支撑片位于最上层的钼保温片之上且与该若干钼保温片平行间隔层叠布置，悬挂支撑片的外径大于各钼保温片的外径;还包括第一组支撑钼杆和第二组支撑钼杆，该第一组支撑钼杆穿过各钼保温片且通过第一组钼螺母与各钼保温片固接;该第二组支撑钼杆穿过悬挂支撑片和各钼保温片且通过第二组钼螺母与悬挂支撑片和各钼保温片固接。2.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:所述若干钼保温片为14?16个。3.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:相邻两层的所述钼保温片的内径之差为4?6_。4.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:所述悬挂支撑片的内径大于最上层钼保温片的内径。5.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:所述若干钼保温片的间距相等。6.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:所述悬挂支撑片与最上层的钼保温片的距离大于各层钼保温片的间距。7.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:该第一组支撑钼杆为3?5个，该3?5个第一组支撑钼杆周向间隔布置;该第二组支撑钼杆为3?5个，该3?5个第二组支撑钼杆周向间隔布置。8.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:所述第一组支撑钼杆位于第二组支撑钼杆内侧。9.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长上保温屏，其特征在于:所述钼保温片上均设有位置相互对应的第一组安装孔，所述悬挂支撑片和钼保温片上均设有位置相互对应的第二组安装孔;所述第一组支撑钼杆穿过第一组安装孔且通过第一组钼螺母与各钼保温片固接;所述第二组支撑钼杆穿过第二组安装孔且通过第二组钼螺母与悬挂支撑片和各钼保温片固接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种温度梯度晶体生长上保温屏，包括若干圆环形的钼保温片和圆环形的悬挂支撑片，该若干钼保温片上下平行间隔层叠布置且圆心位于同一直线上；该若干钼保温片外径相同且内径由上层到下层依次由大变小；该悬挂支撑片位于最上层的钼保温片之上且与该若干钼保温片平行间隔层叠布置，悬挂支撑片的外径大于各钼保温片的外径；还包括第一组支撑钼杆和第二组支撑钼杆，该第一组支撑钼杆穿过各钼保温片且通过第一组钼螺母与各钼保温片固接；该第二组支撑钼杆穿过悬挂支撑片和各钼保温片且通过第二组钼螺母与悬挂支撑片和各钼保温片固接。本实用新型的温度梯度晶体生长上保温屏结构设计简单，并能获得晶体稳定生长。
【IPC分类】C30B11/00
【公开号】CN205329207
【申请号】CN201521060412
【发明人】黄小卫, 杨敏, 赵慧彬, 柳祝平
【申请人】福建鑫晶精密刚玉科技有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月17日