一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，通过将48对棒多晶硅还原炉的硅芯负载分为6组，每组8对棒，每台还原炉只需配置1台还原主变压器，还原电源只需配置6个功率柜以对6组硅芯负载进行加热。从而使得设备的投入成本得到降低，并且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积也减小，需要修建的厂房面积也就随之变小。在还原炉数量较多时，可配置两套启动系统，通过母联柜开关互为备用。这样进一步缩短了还原炉启动时间，并且2套所述互为备用的启动系统可以在一套启动系统出现故障时,开启另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动，从而提升了设备运行的可靠性，提高了生产效率。
【专利说明】
-种48对棒多晶硅还原炉的启动系统
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种多晶硅生产系统，特别是一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统。
【背景技术】
[0002]在多晶硅的生长过程中，首先需要启动击穿，然后再进行还原生长。由于硅在常温时电阻率很高，不易导通，业内部分多晶硅生产厂家采用石墨加热、等离子加热、卤素灯等外加热的方式，但存在操作麻烦、启动时间长，效率低，启动成功率低，影响硅纯度，还原设备复杂等弊端。
[0003]而高压启动采用几千伏高压的电启动方式，让硅芯自身发热，从而使其内外上下发热均匀、快速，可有效解决上述弊端:可以缩短启动时间、提高启动效率和成功率、减小还原电气设备的复杂程度。因此，高压启动方式具有先天的优势，对于高品质的多晶硅生产是目前的一种最优选择。
[0004]而现有技术中采用的48对棒多晶硅还原炉，其硅芯负载一共分为9组，包括3组4对棒和6组6对棒，且每台还原炉需要配置2台还原主变压器，同时还原电源需配置9个功率柜以对9组硅芯负载进行加热。这样就造成了现有的48对棒多晶硅还原炉具有以下缺点:
[0005]1、投入成本较高；
[0006]2、单套48对棒多晶硅电气设备占地面积较大，增大了需要修建的厂房面积。【实用新型内容】
[0007]本实用新型的发明目的在于:针对传统的48对棒多晶硅还原炉投入成本较高，且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积较大的问题，提供一种设备投入成本低，占地面积小的48对棒多晶硅还原炉的启动系统。
[0008]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为:
[0009]一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，还原炉内设置有48对硅芯，所述48对硅芯分为6组，每组8对硅芯，即Al组、A2组、BI组、B2组、Cl组、C2组;其中，
[0010]所述Al组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第一优先击穿组和第一次后击穿组；
[0011]所述A2组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第二优先击穿组和第二次后击穿组；
[0012 ]所述启动系统包括:高压启动电源组、维持电源、第一切换柜和第二切换柜；
[0013]所述第一切换柜连接所述Al组、A2组中的硅芯，所述第一切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述第一切换柜依次击穿所述第一优先击穿组、第二优先击穿组、第一次后击穿组和第二次后击穿组中的硅芯；
[0014]所述第一优先击穿组和第二优先击穿组中的硅芯还分别连接所述维持电源，所述维持电源用于在所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中被击穿的硅芯中通过的电流达到设定值时，对其进行维持加热；
[0015]在所述Al组、A2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源；
[0016]所述第二切换柜连接所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯，所述第二切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述切换柜依次击穿所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯;在所述BI组、B2组、Cl组和C2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源；
[0017]所述功率柜通过一台还原主变压器进行供电。
[0018]作为本实用新型的优选方案，所述高压启动电源组包括4台高压启动电源;所述4台高压启动电源分别与所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对硅芯一一对应的并联连接。
[0019]作为本实用新型的优选方案，所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的8对硅芯均分为4个倍芯组，每个倍芯组包括相邻的两对硅芯，所述4台高压启动电源分别与一个所述倍芯组并联连接。
[0020]作为本实用新型的优选方案，所述第一切换柜包括:
[0021]4个第一五极真空接触器，所述4个第一五极真空接触器分别与所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组和第二次后击穿组对应连接，每一个所述第一五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接一对硅芯；
[0022]2个二极真空接触器，所述2个二极真空接触器分别与所述第一优先击穿组和第二优先击穿组对应连接，每一个所述二极真空接触器的2个输出端分别与一组硅芯中首尾两个硅芯并联连接。
[0023]作为本实用新型的优选方案，每一个所述第一五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源，所述4台高压启动电源同时为所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对硅芯加载电压；
[0024]所述2个二极真空接触器的输入端均连接至所述维持电源，所述维持电源同时为所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中的4对硅芯提供维持电源。
[0025]作为本实用新型的优选方案，所述第二切换柜包括:
[0026]4个第二五极真空接触器，所述4个第二五极真空接触器分别与所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯对应连接，每一个所述第二五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接I个所述倍芯组。
[0027]作为本实用新型的优选方案，每一个第二五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源，所述4台高压启动电源同时为所述BI组、B2组、CI组或C2组中8对硅芯加载电压。
[0028]作为本实用新型的优选方案，所述4个第一五极真空接触器和4个第二五极真空接触器通过5根高压母线分别连接至所述4台高压启动电源，所述2个二极真空接触器通过2根维持母线分别连接至所述维持电源。
[0029]作为本实用新型的优选方案，所述高压启动电源和维持电源均包括:可控型器件和单相升压变压器，所述可控型器件的输入为交流380V，通过恒定变压器二次侧电流限制变压器二次侧电压的方式进行控制，并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电，所述高压启动电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出O?12KV高压交流电，所述维持电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出O?4KV高压交流电，所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源和维持电源的输出端。
[0030]作为本实用新型的优选方案，包括2套所述的启动系统，2套所述的启动系统通过母联柜连接，互为备用，用于当一套启动系统出现故障时，开起另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动。
[0031]综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是:
[0032]1、将48对棒多晶硅还原炉的硅芯负载分为6组，每组8对棒，每台还原炉只需配置I台还原主变压器，还原电源只需配置6个功率柜以对6组硅芯负载进行加热。从而使得设备的投入成本得到降低，并且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积也减小，需要修建的厂房面积也就随之变小。
[0033]2、在还原炉数量较多时，可配置两套启动系统，通过母联柜开关互为备用。这样进一步缩短了还原炉启动时间，并且2套所述互为备用的启动系统可以在一套启动系统出现故障时，开启另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动，从而提升了设备运行的可靠性，提高了生产效率。
【附图说明】
[0034]图1是本实用新型一种48对棒多晶娃还原炉的启动系统结构不意图。
[0035]图2为本本实用新型实施例1中启动方式一的第一步原理图。
[0036]图3为本本实用新型实施例1中启动方式一的第二步原理图。
[0037]图4为本本实用新型实施例1中启动方式二的原理图。
[0038]图5为本申请实施例2提供的两套启动系统互为备用的示意图。
【具体实施方式】
[0039]下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
[0040]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0041 ] 实施例1
[0042]一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，参看图1，其还原炉内设置有48对硅芯，所述48对硅芯对应还原主变压器的A、B、C三相，所述48对硅芯分为6组，每组8对硅芯，即每相分为2组，具体为Al组、A2组、BI组、B2组、Cl组、C2组;其中，
[0043]所述Al组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第一优先击穿组的4对硅芯和第一次后击穿组的4对硅芯。
[0044]所述A2组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第二优先击穿组的4对硅芯和第二次后击穿组的4对硅芯。
[0045]所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的8对硅芯均分为4个倍芯组，每个倍芯组包括相邻的两对硅芯。
[0046]所述启动系统包括:
[0047]高压启动电源组及维持电源WCG，所述高压启动电源组包括4台高压启动电源，SPHVGl?HVG4。
[0048]所述维持电源WCG和4台高压启动电源(HVG1?HVG4)均包括:可控型器件和单相升压变压器，所述可控型器件的输入为交流380V，通过恒定变压器二次侧电流限制变压器二次侧电压的方式进行控制，并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电，所述单相升压变压器将低压交流电升压并输出高压交流电，所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源和维持电源的输出端。
[0049]具体的，所述高压启动电源提供O?12KV的交流电压，所述维持电源提供O?4KV的交流电压。
[0050]参看图1，所述高压启动电源和维持电源的输入电压为AC380V，高压启动电源HVGl输入端LI接A相，1^2接8相;高压启动电源HVG2输入LI接B相，L2接A相;高压启动电源HVG3输入LI接A相，1^接財目，高压启动电源HVG4输入LI接B相，L2接A相。维持电源WCG输入LI接A相，12接財目;所述高压启动电源HVGl输出端A2与HVG2输出端Al短接，HVG2输出端A2与HVG3输出端Al短接，HVG3输出端A2与HVG^Ii出端Al短接。
[0051 ] 以及，第一切换柜QHGl和第二切换柜QHG2。
[0052]所述4台高压启动电源(HVG1?HVG4)输出有5根高压母线接入到所述第一切换柜QHGl的输入端;I台维持电源WCG输出有2根维持母线接入到所述第一切换柜QHGl的输入端；
[0053]所述4台高压启动电源(HVG1?HVG4)输出有5根高压母线接入到所述第二切换柜QHG2的输入端。
[0054]具体的:
[0055]所述第一切换柜QHGl包括:
[0056]4个第一五极真空接触器(KM11、KMM12、KM21、KM22)，所述4个第一五极真空接触器分别与所述第一优先击穿组(A15?A18)、第一次后击穿组(All?A14)、第二优先击穿组(A25?A28)和第二次后击穿组(A21?A24)对应连接，每一个所述第一五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接一对硅芯。详细连接关系如图1:第一切换柜QHGl的第一五极真空接触器KMl I输出端连接到还原炉Al组中第一次后击穿组硅芯Al I?A14，第一切换柜QHGl的第一五极真空接触器KM12输出端连接到还原炉Al组中第一优先击穿组硅芯A15?A18;第一切换柜QHGl第一五极真空接触器KM21的输出端连接到还原炉A2组中第二次后击穿组硅芯A21?A24，第一切换柜QHGl的第一五极真空接触器KM22的输出端连接到还原炉A2组中第二优先击穿组硅芯A25?A28。
[0057]具体的，每一个所述第一五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源输出端的5根高压母线，从而所述4台高压启动电源分别与所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对硅芯一一对应的并联连接，用于同时为所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对硅芯加载电压，并可依次击穿所述第一优先击穿组、第二优先击穿组、第一次后击穿组和第二次后击穿组中的硅芯。
[0058]2个二极真空接触器(K13、K23)，所述2个二极真空接触器分别与所述第一优先击穿组和第二优先击穿组对应连接，每一个所述二极真空接触器的2个输出端分别与一组硅芯中首尾两个硅芯并联连接，参看图1，所述二极真空接触器ΚΜ13的输出端与第一五极真空接触器KM12输出端的第一极、第五极相并连接，二极真空接触器KM23的输出端与第一五极真空接触器KM22输出端的第一极、第五极相并连接。
[0059]具体的，所述2个二极真空接触器的输入端均连接至所述维持电源的2根维持母线，实现将所述第一优先击穿组和第二优先击穿组中的硅芯还分别与所述维持电源连接，所述维持电源用于在所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中被击穿的硅芯中通过的电流达到设定值时，即高阻抗的硅芯被击穿后通过的电流达到激活维持电源的条件时，同时为所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中的4对硅芯提供维持电源，对其进行维持加热。
[0060]在所述Al组、A2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于当高压启动电源和维持电源的输出电压电流均达到激活还原的电压电流条件时，向该组中的硅芯提供还原电源，继续后续的加热。
[0061 ]所述第二切换柜包括:
[0062]4个第二五极真空接触器(謂31、珊41、謂41、謂51)，所述4个第二五极真空接触器分别与所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯对应连接，每一个所述第二五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接2对硅芯。参看图1，第二切换柜QHG2的第二五极真空接触器KM31的输出端连接到还原炉BI组硅芯B11?B18;第二切换柜QHG2的第二五极真空接触器KM41的输出端连接到还原炉B2组硅芯B21?B28;第二切换柜QHG2的第二五极真空接触器KM51的输出端连接到还原炉Cl组硅芯Cll?C18;第二切换柜QHG2的第二五极真空接触器KM61的输出端连接到还原炉C2组硅芯C21?C28。
[0063]具体的，每一个第二五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源的5根高压母线，从而所述4台高压启动电源分别与一个所述倍芯组并联连接，所述4台高压启动电源同时为所述BI组、B2组、CI组或C2组中8对硅芯加载电压，所述4台高压启动电源可依次击穿所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯。
[0064]在所述BI组、B2组、Cl组和C2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于当高压启动电源的输出电压电流均达到激活还原电源的电压电流条件时，向该组中的硅芯提供还原电源。
[0065]所述4个第一五极真空接触器和4个第二五极真空接触器通过5根高压母线分别连接至所述4台高压启动电源，所述2个二极真空接触器通过2根维持母线分别连接至所述维持电源。
[0066]上述所有功率柜通过一台还原主变压器进行供电。
[0067]为了清楚说明本实用新型的技术方案，以下结合图2-4，对本实用新型所述启动系统的启动过程进行详细说明。
[0068]本实用新型所述的一种48对棒多晶硅还原启动系统单套启动系统的启动过程分为两种方式，Al组和A2组的硅芯启动采用方式一，BI组、B2组、Cl组、C2组的硅芯启动采用方式二。由于硅在常温时电阻率很高，不易导通，所以还原炉启动过程为:首先采用方式一进行启动Al组和A2组的硅芯，待Al组和A2组的硅芯启动完成后，还原炉内温度得到提高，再采用方式二进行启动BI组、B2组、Cl组、C2组的硅芯。
[0069]启动方式一:首先用4台高压启动电源(HVG1?HVG4)和I台维持电源WCG启动Al与A2组的8对硅芯时，分为三步完成，下面以启动Al组硅芯为例进行阐述。
[0070]第一步，参看图2，第一五极真空接触器KM12吸合，所述4台高压启动电源(HVG1?HVG4)分别与Al组硅芯回路中的A15、A16、A17、A18这4对硅芯——对应并联连接，每台所述高压启动电源击穿I对硅芯。
[0071]第二步，参看图3，在击穿A15、A16、A17、A18这4对硅芯之后，4台高压启动电源(HVG1?HVG4)的输出电压电流达到激活维持电源的电压电流条件时，第一五极真空接触器KM12断开，4台高压启动电源(HVG1?HVG4)停止工作，然后二极真空接触器KM13吸合，用维持电源WCG维持这4对硅芯继续发热;然后第一五极真空接触器KMl I吸合，所述4台高压启动电源(HVG1?HVG4)与A11、A12、A13、A14这4对硅芯——对应并联连接，同样的，每台高压启动电源击穿I对硅芯。
[0072]第三步，参看图4，当第二步中4台高压启动电源(HVG1?HVG4)和维持电源WCG的输出电压电流均达到激活还原电源的电压电流条件时，第一五极真空接触器KM11、二极真空接触器KM13均断开，此时，并联接触器KMlO吸合，Al I?A18这8对硅芯连接一功率柜，所述功率柜提供还原电源对这8对硅芯继续后续的加热。
[0073]同样地，采用类似方法可以对A2组的硅芯进行击穿，并且在所述4台高压启动电源(HVG1?HVG4)的输出电压电流达到激活维持电源的电压电流条件时，第一五极真空接触器KM22断开，二极真空接触器KM23吸合，用维持电源WCG维持这4对硅芯继续发热;然后第一五极真空接触器KM21吸合，A2剩余的4对硅芯被击穿；而当4台高压启动电源(HVGI?HVG4)和维持电源WCG的输出电压电流均达到激活还原电源的电压电流条件时，第一五极真空接触器KM21、二极真空接触器KM23均断开，此时，并联接触器吸合，A21?A28这8对硅芯连接一功率柜，所述功率柜提供还原电源对这8对硅芯继续后续的加热。
[0074]启动方式二:在Al组、A2组硅芯采用上述方式启动完后，还原炉内温度得到提高，BI组、B2组、Cl组、C2组的硅芯采用每台高压启动电源对应2对硅棒的方式进行击穿，此时维持电源不工作。以启动BI组硅芯为例，参看图5，第二五极真空接触器KM31吸合，4台高压启动电源(HVG1?HVG)4运行，BI组中的4个倍芯组分别一一对应的与所述4台高压启动电源并联连接，每台高压启动电源击穿2对相邻串接的硅芯。当BI组硅芯被击穿，且高压启动电源(HVGl?HVG4)的输出电压电流均达到激活还原的电压电流条件时，第二五极真空接触器KM31断开，此时，并联接触器KM30吸合，BI I?B18这8对硅芯连接一功率柜，所述功率柜提供还原电源对这8对硅芯继续后续的加热。
[0075]同上，采取类似的方法可以依次击穿B2组、Cl组、C2组中的硅芯，并且在高压启动电源(HVG1?HVG4)的输出电压电流均达到激活还原的电压电流条件时，断开相应的第二五极真空接触器，使相应的并联接触器吸合，从而分别将B2组、Cl组、C2组的8对硅芯连接一功率柜，通过所述功率柜提供还原电源对这8对硅芯继续后续的加热。
[0076]综上，本实施例通过将48对棒多晶硅还原炉的硅芯负载分为6组，每组8对棒，每台还原炉只需配置I台还原主变压器，还原电源只需配置6个功率柜以对6组硅芯负载进行加热。从而使得设备的投入成本得到降低，并且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积也减小，需要修建的厂房面积也就随之变小。
[0077]实施例2
[0078]如图5所示，在还原炉数量较多时，为了进一步缩短启动过程的时间，可配备两套启动系统(即“启动系统A”和“启动系统B” )，所述启动系统A和启动系统B均由4台高压启动电源加I台维持电源组成。每个启动系统通过多个切换柜控制多个还原炉的启动。
[0079]两套启动系统通过母联柜连接，母联柜内配置两个高压隔离开关(包括一个3极开关和一个4极开关，此开关类型为高压刀闸)，互为备用。“启动系统A和“启动系统B”均正常时，将母联柜刀闸断开，“启动系统A”可启动I?N#还原炉，“启动系统B”可启动N+1#?2N#还原炉，并且两套启动系统可同时运行，互不影响;若“启动系统A”出现故障时，可将母联柜刀闸闭合，用“启动系统B”启动所有的还原炉I?2N#;同理，若“启动系统B”出现故障时，可将母联柜刀闸闭合，用“启动系统A”启动所有的还原炉I?2N#。
[0080]图中各条连接线上的数字标记7表示该处包括7条连接线，S卩5条高压母线和2条维持母线。
[0081]综上，通过设置2套所述互为备用的启动系统可以在一套启动系统出现故障时，开启另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动。
[0082]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，还原炉内设置有48对硅芯，所述48对硅芯分为6组，每组8对硅芯，即Al组、A2组、BI组、B2组、Cl组、C2组;其中， 所述Al组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第一优先击穿组和第一次后击穿组； 所述A2组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第二优先击穿组和第二次后击穿组； 所述启动系统包括:高压启动电源组、维持电源、第一切换柜和第二切换柜； 所述第一切换柜连接所述Al组、A2组中的硅芯，所述第一切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述第一切换柜依次击穿所述第一优先击穿组、第二优先击穿组、第一次后击穿组和第二次后击穿组中的硅芯； 所述第一优先击穿组和第二优先击穿组中的硅芯还分别连接所述维持电源，所述维持电源用于在所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中被击穿的硅芯中通过的电流达到设定值时，对其进行维持加热； 在所述Al组、A2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源； 所述第二切换柜连接所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯，所述第二切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述切换柜依次击穿所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯;在所述BI组、B2组、Cl组和C2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源； 所述功率柜通过一台还原主变压器进行供电。2.根据权利要求1所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，所述高压启动电源组包括4台高压启动电源;所述4台高压启动电源分别与所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对硅芯一一对应的并联连接。3.根据权利要求2所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的8对硅芯均分为4个倍芯组，每个倍芯组包括相邻的两对硅芯，所述4台高压启动电源分别与一个所述倍芯组并联连接。4.根据权利要求3所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，所述第一切换柜包括: 4个第一五极真空接触器，所述4个第一五极真空接触器分别与所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组和第二次后击穿组对应连接，每一个所述第一五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接一对硅芯； 2个二极真空接触器，所述2个二极真空接触器分别与所述第一优先击穿组和第二优先击穿组对应连接，每一个所述二极真空接触器的2个输出端分别与一组硅芯中首尾两个硅芯并联连接。5.根据权利要求4所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，每一个所述第一五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源，所述4台高压启动电源同时为所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对娃芯加载电压； 所述2个二极真空接触器的输入端均连接至所述维持电源，所述维持电源同时为所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中的4对硅芯提供维持电源。6.根据权利要求5所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，所述第二切换柜包括: 4个第二五极真空接触器，所述4个第二五极真空接触器分别与所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯对应连接，每一个所述第二五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接I个所述倍芯组。7.根据权利要求6所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，每一个第二五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源，所述4台高压启动电源同时为所述BI组、B2组、Cl组或C2组中8对硅芯加载电压。8.根据权利要求7所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，所述4个第一五极真空接触器和4个第二五极真空接触器通过5根高压母线分别连接至所述4台高压启动电源，所述2个二极真空接触器通过2根维持母线分别连接至所述维持电源。9.根据权利要求1-8任一项所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，所述高压启动电源和维持电源均包括:可控型器件和单相升压变压器，所述可控型器件的输入为交流380V，通过恒定变压器二次侧电流限制变压器二次侧电压的方式进行控制，并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电，所述高压启动电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出O?12KV高压交流电，所述维持电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出O?4KV高压交流电，所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源和维持电源的输出端。10.根据权利要求9所述的一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，包括2套所述的启动系统，2套所述的启动系统通过母联柜连接，互为备用，用于当一套启动系统出现故障时，开起另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动。
【文档编号】C01B33/021GK205419793SQ201521064698
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年12月17日
【发明人】肖晓刚
【申请人】四川英杰电气股份有限公司