一种三氯氢硅合成装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种三氯氢硅合成装置，包括反应装置，所述反应装置的上方安装有清水储备槽，所述反应装置的内部设置有保温装置，且保温装置与清水储备槽通过导管连接所述智能控制闭水阀的下方安装有三氯氢硅储备装置，所述三氯氢硅储备装置内部的左右两侧设置有三氯氢硅浓度感应器，所述三氯氢硅储备装置的底部设置有出料口，本实用新型，可以控制反应装置内的温度，使其保持均衡，装置的左侧设置有氯气缓存装置，且其上安装有控制面板，可以精确的控制氯气的通入量，从而很好的控制三氯氢硅的生成量，大大增大了精确度。
【专利说明】
一种三氯氢娃合成装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及合成装置技术领域，具体为一种三氯氢硅合成装置。
【背景技术】
[0002]又称硅氯仿，甲硅烷的三氯代物，为一种易流动的无色液体，密度1.34克/厘米3;能溶于苯、氯仿和二硫化碳，液体用玻璃瓶或金属桶盛装，容器要存放在室外阴凉干燥通风良好之处或在易燃液体专用库内，要与氧化剂、碱类、酸类隔开，远离火种、热源，避光，库温不宜超过25 °C，可用氨水探漏。
[0003]三氯氢硅合成装置的出现大大增加了三氯氢硅的合成时的安全，和合成效率，但是目前阶段的三氯氢硅合成装置存在诸多的不足之处，例如，三氯氢硅的提纯比较繁琐，且效果不好，装置内无法控制温度，使其保持均衡，装置的内硅粉无法和氯气充分迅速反应。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种三氯氢硅合成装置，以解决上述【背景技术】中提出的三氯氢硅的提纯比较繁琐，且效果不好和装置的内硅粉无法和氯气充分迅速反应问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种三氯氢硅合成装置，包括反应装置，所述反应装置的上方安装有清水储备槽，所述反应装置的内部设置有保温装置，且保温装置与清水储备槽通过导管连接，所述保温装置的内部安装有加热装置，所述反应装置的左侧安装有氯气缓存装置，所述氯气缓存装置的上设置有控制面板，所述反应装置的右侧安装有硅粉储备装置，所述硅粉储备装置的上方安装有密封盖，所述密封盖与硅粉储备装置通过铰链转动连接，所述硅粉储备装置的左侧安装有吸尘器，所述吸尘器的左侧安装有粉尘输送管道，所述粉尘输送管道的内部设置有双向风扇，所述粉尘输送管道的下方安装有喷孔式连接转动管，所述喷孔式连接转动管的下方设置有转动控制器，所述转动控制器的内部安装有双向风扇，所述反应装置的底部安装有三氯氢硅吸收沉淀装置，三氯氢硅吸收沉淀装置上设置有三氯氢硅吸附装置，所述三氯氢硅吸收沉淀装置的下方安装有智能控制闭水阀，所述智能控制闭水阀的下方安装有三氯氢硅储备装置，所述三氯氢硅储备装置内部的左右两侧设置有三氯氢硅浓度感应器，所述三氯氢硅储备装置的底部设置有出料口。
[0006]优选的，所述反应装置为圆柱形结构。
[0007]优选的，所述保温装置共设置有三个，且三个保温装置分别安装在反应装置的内部的左右两侧和顶部位置。
[0008]优选的，所述三氯氢硅吸收沉淀装置共设置有两个，且两个三氯氢硅吸收沉淀装置分别安装在反应装置的底部的左右两侧。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:该一种三氯氢硅合成装置的内部安装有保温装置，通过其可以控制反应装置内的温度，使其保持均衡，且装置的左侧设置有氯气缓存装置，且其上安装有控制面板，可以精确的控制氯气的通入量，从而很好的控制三氯氢硅的生成量，大大增大了精确度，且装置右侧的设置有硅粉储备装置，硅粉储备装置的安装有吸尘器，可以将硅粉吸入装置内，且吸尘器的左侧安装有粉尘输送管道和其下方安装有喷孔式连接转动管，使硅粉可以在转动的情况下均匀分散的喷洒出去，使其可以和通入的氯气充分接触，大大增加了反应速率，且增加了生成效果，在装置内部的底部还安装有三氯氢硅吸附装置，可以直接将反应生成的三氯氢硅直接吸附到三氯氢硅吸收沉淀装置内，解决了提纯比较麻烦的难题。
【附图说明】
[0010]图1为本实用一种三氯氢硅合成装置的结构示意图。
[0011 ]图中:1-清水储备槽;2-保温装置;3-氯气缓存装置;4-控制面板;5-加热装置;6-三氯氢硅吸收沉淀装置;7-智能控制闭水阀；8-三氯氢硅储备装置;9-出料口； 10-反应装置；11 -密封盖；12-铰链；13-硅粉储备装置；14-吸尘器；15-粉尘输送管道；16-双向风扇；17-喷孔式连接转动管；18-转动控制器;19-三氯氢硅浓度感应器;20-三氯氢硅吸附装置。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0013]请参阅图1，本实用新型提供的一种实施例:一种三氯氢硅合成装置，包括反应装置10，反应装置10的上方安装有清水储备槽I，反应装置10的内部设置有保温装置2，且保温装置2与清水储备槽I通过导管连接，保温装置2的内部安装有加热装置5，反应装置10的左侧安装有氯气缓存装置3，氯气缓存装置3的上设置有控制面板4，反应装置10的右侧安装有硅粉储备装置13，硅粉储备装置13的上方安装有密封盖11，密封盖11与硅粉储备装置(13)通过铰链12转动连接，硅粉储备装置13的左侧安装有吸尘器14，吸尘器14的左侧安装有粉尘输送管道15，粉尘输送管道15的内部设置有双向风扇16，粉尘输送管道15的下方安装有喷孔式连接转动管17，喷孔式连接转动管17的下方设置有转动控制器18，转动控制器18的内部安装有双向风扇16，反应装置10的底部安装有三氯氢硅吸收沉淀装置6，三氯氢硅吸收沉淀装置6上设置有三氯氢硅吸附装置20，三氯氢硅吸收沉淀装置6的下方安装有智能控制闭水阀7，智能控制闭水阀7的下方安装有三氯氢硅储备装置8，三氯氢硅储备装置8内部的左右两侧设置有三氯氢硅浓度感应器19，三氯氢硅储备装置8的底部设置有出料口 9，反应装置10为圆柱形结构，保温装置2共设置有三个，且三个保温装置2分别安装在反应装置10的内部的左右两侧和顶部位置，三氯氢硅吸收沉淀装置6共设置有两个，且两个三氯氢硅吸收沉淀装置6分别安装在反应装置10的底部的左右两侧。
[0014]工作原理;该设备在使用时，通过氯气缓存装置3上的控制面板4控制氯气通入发生装置10内，通过吸尘器14将硅粉吸入粉尘输送管道15内，通过双向风扇16将硅粉吸入喷孔式连接转动管17内，通过转动控制器18控制喷孔式连接转动管17转动，打开加热装置5，反应生成的三氯氢硅通过三氯氢硅吸附装置20将其吸附到三氯氢硅吸收沉淀装置6内，通过智能控制闭水阀7控制其进入三氯氢硅储备装置8内，通过三氯氢硅浓度感应器19感应其浓度，从而控制智能控制闭水阀7关闭，将三氯氢硅由出料口 9排出。
[0015]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型，因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
【主权项】
1.一种三氯氢硅合成装置，包括反应装置(10)，其特征在于:所述反应装置(10)的上方安装有清水储备槽(1)，所述反应装置(10)的内部设置有保温装置(2)，且保温装置(2)与清水储备槽(I)通过导管连接，所述保温装置(2)的内部安装有加热装置(5)，所述反应装置(10)的左侧安装有氯气缓存装置(3)，所述氯气缓存装置(3)的上设置有控制面板(4)，所述反应装置(10)的右侧安装有硅粉储备装置(13)，所述硅粉储备装置(13)的上方安装有密封盖(11)，所述密封盖(11)与硅粉储备装置(13)通过铰链(12)转动连接，所述硅粉储备装置(13)的左侧安装有吸尘器(14)，所述吸尘器(14)的左侧安装有粉尘输送管道(15)，所述粉尘输送管道(15)的内部设置有双向风扇(16)，所述粉尘输送管道(15)的下方安装有喷孔式连接转动管(17)，所述喷孔式连接转动管(17 )的下方设置有转动控制器(18),所述转动控制器(18)的内部安装有双向风扇(16)，所述反应装置(10)的底部安装有三氯氢硅吸收沉淀装置(6)，三氯氢硅吸收沉淀装置(6)上设置有三氯氢硅吸附装置(20)，所述三氯氢硅吸收沉淀装置(6)的下方安装有智能控制闭水阀(7)，所述智能控制闭水阀(7)的下方安装有三氯氢硅储备装置(8)，所述三氯氢硅储备装置(8)内部的左右两侧设置有三氯氢硅浓度感应器(19)，所述三氯氢硅储备装置(8)的底部设置有出料口(9)。2.根据权利要求1所述的一种三氯氢硅合成装置，其特征在于:所述反应装置(10)为圆柱形结构。3.根据权利要求1所述的一种三氯氢硅合成装置，其特征在于:所述保温装置(2)共设置有三个，且三个保温装置(2)分别安装在反应装置(10)的内部的左右两侧和顶部位置。4.根据权利要求1所述的一种三氯氢硅合成装置，其特征在于:所述三氯氢硅吸收沉淀装置(6)共设置有两个，且两个三氯氢硅吸收沉淀装置(6)分别安装在反应装置(10)的底部的左右两侧。
【文档编号】C01B33/107GK205634909SQ201620461809
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月20日
【发明人】付海潮, 李龙, 文生雷
【申请人】河南硅烷科技发展股份有限公司