专利名称：：用于获得纯化的氢氟烷的方法用于获得纯化的氢氟烷的方法本发明涉及用于获得一种纯化的氢氟烷的一种方法，该氢氟烷具体是选自l，l，l，2-四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷；并且涉及LED和0LED作为辐射源在特定的化学方法中的使用。氢氟烷类如1，1，1，2_四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷可以作为对(氢)氯氟烷类的替代物使用，例如作为发泡剂类、作为制冷剂类或作为溶剂类。这些氢氟烷典型地是通过使一种氯代的或氯氟代的前体与氟化氢起反应而制造的。在该反应中获得的粗制氢氟烷类经常包含杂质，如未转化的试剂、氯化氢以及烯属杂质，特别是含2、3或4个碳原子的氯氟烯烃类。专利申请W0-A-00/14040描述了一种用于纯化1，1，1，3，3_五氟丁烷的方法。根据这种已知的方法，有可能在FeCl3的存在下通过离子的氯化作用、在活性炭上Pd/Rh的存在下通过氢化作用、或者(特别是)通过与氟的反应，可以减小氟三氯乙烯在l，l，l，3，3-五氟丁烷中的含量。专利申请W0-A-97/37955描述了用于将1，1，1，3，3_五氟丙烷纯化去除1_氯_3，3，3-三氟丙烯的一种方法，其中进行了用波长从300nm到400nm的UV光引发的光氯化作用。根据专利申请WO2002/12153，氢氟烯烃类(S卩，仅仅由碳、氢和氟组成)当作为杂质在一种氢氟烷中存在时是特别难以去除的，特别是包含从3到5个碳原子的那些、最特别的是对应于经验式C4H4F4的那些作为杂质在1，1，1，3，3-五氟丁烷中存在时。所述国际专利申请披露了用于纯化氢氟烷的几种方法，例如，通过用具有小于270nm的波长的光使不饱和的杂质进行光氯化作用。其他方法涉及一种与HF的反应、吸附剂的应用以及特定方法的蒸馏。由于该杂质中的一些具有非常低的化学反应性，通过一种化学处理去除氢氟烷中的氢氟烯烃倾向于需要延长的反应时间，这在用于制造氢氟烷的工业方法中是不希望的。在一种极端情况下，在一个特定的氢氟烯烃含量以下将不可能进行。因此希望拥有一种可供使用的方法用于纯化氢氟烷类，特别是1，1，1，2_四氟乙烷、1，1，1，3，3-五氟丙烷或1，1，1，3，3-五氟丁烷，该方法允许烯属杂质并且特别是氢氟烯烃含量的有效减小而同时使用可以简单实现的技术方法。因此本发明涉及用于获得纯化去除了不饱和的有机杂质的包含至少两个碳原子的一种氢氟烷的方法，根据该方法使含有机杂质(包括(氯)氟烯烃)的氢氟烷经受至少一个使用溴或BrCl的纯化处理。术语"氢氟烷"是指由碳原子、氢原子以及氟原子组成的饱和的脂肪族化合物。因此，必需存在至少一个氢原子。根据本发明，优选被纯化的是包含至少与氢原子一样多的氟原子的氢氟烷类。被认为非常出乎意料的是，溴和BrCl是以适当的速度加成至不饱和的杂质而并不在有待纯化的氢氟烷分子中进行所不希望的氢_溴交换。根据本发明的方法特别适用于包含2个到6个碳原子的氢氟烷类。例如，可以纯4化1，1，1，3，3，3-六氟丙烷(HFC-236fa)、1，1，1，2，3，3，3-七氟丙烷(HFC-227ea)和l，l，1，2，3，4，4，5，5，5-十氟戊烷(HFC-43-10mee)、1，1，1，2-四氟乙烷、1，1，1，3，3-五氟丙烷或1，1，1，3，3-五氟丁烷。该方法特别适合于对1，1，1，2-四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷或1，1，1，3，3-五氟丁烷的纯化，并且最特别地，是用于纯化1，1，1，2-四氟乙烷。已经出人意料地发现根据本发明的方法允许氢氟烷中有机杂质的含量的有效减小。特别是，l，l，l，2-四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷和1，1，1，3，3-五氟丁烷在根据本发明的方法的条件下具有物理和化学的稳定性。根据本发明的方法可以容易地进行。其含量可以利用根据本发明的方法得到降低的有机杂质总体是包含2个到6个碳原子，有时甚至更多。如果所处理的是l，l，l，2-四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丁烷和1，1，1，3，3-五氟丙烷，它们总体上是包括2、3或4个碳原子。术语"(氯)氟烯烃"在本发明中是指被氢原子、氯原子、和/或氟原子取代的烯烃，其前体条件是至少一个取代基是一个氯或氟原子。例如，该术语包括氯烯烃类、氢氯烯烃类、氟烯烃类、氢氟烯烃类、氯氟烯类以及氢氯氟烯烃类。有待纯化的氢氟烷类可以包括一种或多种此类的(氯)氟烯烃。杂质可以包括被至少一个氯原子取代的乙烯、丙烯和/或丁烯。特别地它们是包含2、3或4个碳原子的(氯)氟烯烃。作为可被去除的烯烃类的实例，提及氯氟乙烯类、氯二氟乙烯类(例如，HFC-1122)、氯二氟丙烯类以及氯氟丁烯类。根据本发明的方法对于有效去除在有待纯化的氢氟烷中作为污染物存在的氢氟烯烃和氢氟氯烯烃是特别适合的。根据本发明的方法允许尤其是存在于1，1，1，2_四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷或l，l，l，3，3-五氟丁烷中的烯属杂质的含量的有效减小。使用溴的处理起到将氢氟烷中的烯属杂质溴化的作用。值得注意地这些是包含2、3或4个碳原子的(氯)氟烯烃或者特别是以上提到的氢氟烯烃类、氢氟氯烯烃类以及氯烯烃类。可以通过本发明的方法去除的杂质的具体例子是2，3，3，3_四氟丙烯、1，1，3，3，3-五氟丙烯、l，2，3，3，3-五氟丙烯、3，3，3-三氟丙烯、l，3，3，3-四氟丙烯、l，l-二氟氯乙烯(HCFC-1122)、1，2-二氟氯乙烯(HCFC-1122a)、反式-1-氯_2_氟乙烯，它们可以尤其是存在于1，1，1，2-四氟乙烷、或1，1，1，3，3-五氟丁烷中的一氯-三氟丁烯的异构体中。该反应可在热致地进行，但是它优选是在一种引发剂的存在下进行。该引发剂通过裂解起到分解溴或BrCl分子的作用。根据本发明的方法的三个变体是优选的。在根据本发明的方法的一个第一变体中，该引发剂是选自一种有机的或无机的引发剂化合物的一种自由基引发剂。为了促进含烯属杂质的氢氟烷与该引发剂化合物的混合，根据本发明的方法的第一方面的第一变体优选是在液相中进行。根据本发明，该自由基引发剂经常是一种有机化合物。在这些有机化合物之中，通常使用的是过氧化物或重氮化合物。特别使用的是过氧化物化合物。在这些之中，更特别选择的是二酰基过氧化物类、过氧二碳酸盐类、烷基过酸酯类、过縮醛类(peracetals)、酮类过氧化物、烷基过氧化氢类以及二烷基过氧化物类。优先选择的是二酰基过氧化物类或过氧二碳酸盐类。使用过氧化二月桂酰、过氧化二苯酰或联十六烷基过氧二碳酸盐已经获得了优异的结果。该自由基引发剂也可以是一种无机化合物。在这种情况下，它经常是选自过氧化氢、过碳酸盐类(如特别是过碳酸钠)、以及过硼酸盐类(如过硼酸钠)。该引发剂化合物优先选自在使用溴处理的温度下具有的半衰期为从O.1到3小时，优选从0.5到1.5小时并且通常是约1小时的化合物。该引发剂化合物总体上是以相对于含烯属杂质的氢氟烷按重量计至少约10ppm的比例使用。特别地，使用按重量计至少约20卯m的引发剂化合物，甚至更特别的是按重量计至少约30卯m。最时常地，使用相对于有烯属杂质的氢氟烷按重量计不超过约10000ppm的引发剂化合物。优选地，有机引发剂化合物的量不超过按重量计约1000ppm并且甚至更优选地它不超过按重量计约300卯m。在根据本发明的方法的第一变体中，溴可以在气相或液相中使用。它是以相对于所有在含烯属杂质的氢氟烷中有待溴化的烯属杂质过量的量引入。总体而言，溴所使用的比例为大于3摩尔每摩尔烯属杂质，并且优选地是至少约4摩尔每摩尔烯属杂质。总体而言，不希望的是超过约40摩尔溴每摩尔烯属杂质。优选将所使用的量限制为使得实际上所有的溴都可以起反应并且在当前的纯化处理之后不发现有未变化的形式。优选地，该量不超过约15摩尔每摩尔烯属杂质，并且甚至更优选的是该比率不超过约12。在根据本发明的方法的第一个变体中，使用溴的处理可以在一个宽的温度范围上进行。特别地，使用溴的处理是在至少约4(TC且甚至更特别的是至少6(TC的温度下进行。较高的温度允许这些不饱和化合物的更快的转化。然而，这引起相关的压力上的增加，这一增加需要考虑在内。优选地，该处理温度不超过约15(TC并且甚至更优选的是它不超过约IO(TC。当使用溴的处理在6(TC到IO(TC的区域内进行时已经获得了优异的结果。在根据本发明的方法的第一变体中，使用溴的处理可以在自生压力或更高压力下(例如通过引入一种惰性气体而产生)进行。总体而言，该处理是在不超过约5MPa且优选是2MPa的压力下进行。从约0.2MPa到约2.OMPa的压力是非常适合使用的。在使用溴的处理中所允许的这些相关的高温和高压条件有助于烯属杂质的快速并且有效的去除。在根据本发明的方法的第一变体中，用溴处理的持续时间可以是从约1分钟到约120分钟。优选地，用氯处理的持续时间为不超过约60分钟。根据本发明的方法的第一变体的一个有利的实施方案，将该引发剂化合物在加入溴之前引入含烯属杂质的氢氟烷中。在本发明的这个实施方案的一个优选的实现方式变体中，将溴在接近于该处理温度的温度下引入氢氟烷中。在本发明的这个实施方案的一个特别优选的实现方式变体中，也将该引发剂化合物在接近于该处理温度的温度下引入氢氟烷中。在本发明的方法的第二变体中，该引发剂(它是一种自由基引发剂)是一种电磁辐射。波长在320nm到540nm之间的光对于溴的应用是有效的。在此，可以应用发出的辐射覆盖从320nm到540nm的完整范围的光源，或发出的光仅在一个或多个子范围内的光源。甚至可以应用发出的辐射仅在一个窄的范围内的光源以及发出的辐射具有一个单一波长的光源，如激光源。这并不排除发出的辐射在320nm到540nm范围之外的光源的应用。然而，必须注意的是，在此，辐射到反应混合物中的一部分能量有所损失。当然，如果希望的话，可以将多种不同光源进行组合。鉴于BrCl的应用，应该提及的是在300nm和520nm之间的范围内的辐射是适合的。使用溴的处理是优选的并且将对其进行更详细的解释。6例如，可见光(例如由太阳或由常见的人造光源发出)可以作为引发剂应用。例如，电灯泡、卤素灯或荧光灯或荧光管可以作为光源使用。可替代地，UV可以作为引发剂应用。波长在360nm和520nm之间的范围内的光是非常有效的。波长在380nm到500nm范围内的光是特别有效的。优选应用其辐射包括至少波长在380nm到500nm范围内的辐射的部分的光源。在根据本发明的方法的该变体的一个实施方案中，波长大于360nm的部分的能量优选是大于该电磁辐射的总能量的5X。在另一个实施方案中，波长小于520nm的部分的能量是该电磁辐射的总能量的至少95%。适合于本发明的典型的光源是发出UV-A光(在320nm到400nm左右)和/或可见光的那些。例如，可以应用低压、中压或高压Hg灯，例如用碘化镓、碘化镉或碘化铊掺杂的那些。荧光管也是合适的。已经发现发光二极管类(LED)以及有机发光二极管类(OLED)对于促使溴基的引发也是非常适合的。LED的优点在于它们发出非常窄的光谱的一种光。因此，可以选择发出的光在最佳范围内、接近于最大消光度的LED(或OLED)。例如，发出的光在390nm到460nm范围内的二极管是非常适合的，因为溴的最大消光系数是在410nm到420nm左右。发出蓝光的LED(或OLED)是高度适合的。那些LED是可商购的。已经出人意料地发现，根据本发明的方法的该第二变体对于使可能包含在一种氢氟烷内的(氯)氟烯烃，例如，氢氟烯烃、氯氟烯烃以及氢氯氟烯烃的量减小至一个可接受的水平是特别有效的，是迅速地且没有该氢氟烷的实质性的降解。根据本发明的方法的这一变体允许溴在广谱波长的存在下使用并且允许快速的纯化操作、不饱和的杂质的有效减少以及改善的能量使用。为保护灯或燃烧炉，可以应用冷却。在一个灯、多个灯或燃烧炉与反应介质(纯化反应在其中进行)之间的分离总体上是用一种半透膜的物质获得，该物质允许所希望的波长通过。例如，辐射可以通过石英玻璃或硼硅玻璃。虽然已知硼硅玻璃吸收波长小于280nm左右的辐射，但这并不负面地影响本发明的方法。还有可能应用对于辐射而言可透过的(透明的)防腐涂层，例如，如US6489510中描述的防护涂料或收縮管(shrinktube)。防护涂料可以遍及装置或在所选择的部分(辐射通过它而穿过)上涂覆。根据本发明的光化学纯化方法对于纯化1，1，1，2_四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷以去除氢氟烯烃类以及氢氯氟烯烃类是特别适合的。例如，该变体，像本发明的方法的其他变体一样，可以成功地应用于对包含l-氯-3，3，3-三氟丙烯(R-1233zd))作为一种杂质的1，1，1，3，3-五氟丙烷的纯化。它对于纯化1，1，1，3，3-五氟丁烷以去除具有经验式C4H4F4的氢氟烯烃类、特别是E-CF3-CH=CF-CH3、Z_CF3-CH=CF_CH3、E_CF3-CH=CH_CH2F、Z_CF3-CH=CH_CH2F、E-CF3-CH2-CH=CHF、Z-CH3-CH2-CH=CHF和/或CF3-CH2_CF=CH2也是特别适合的。该方法对于纯化1，1，1，3，3-五氟丁烷以去除选自E-CF3-CH=CF-CH3、Z-CF3-CH=CF_CH3以及CF3-CH2-CF=CH2的一种或多种氢氟烯烃是特别适合的。它还可以纯化去除QC1F34、四氯乙烯或氟三氯乙烯。它对于纯化1，1，1，2_四氟乙烷(HFC-134a)是非常特别适合的。例如，可以处理包括一种或多种以下杂质的HFC-134a:1，2-二氟乙烯(HFC-1132a/HFC_l132)、三氟乙烯(HFC-1123)、八氟-2-丁烯(FC-1318my)、2，3，3，3-四氟丙烯(HFC-1234yf)、71，1，3，3，3-五氟丙烯(HFC-1225zc)、1，2，3，3，3-五氟丙烯(HFC-1225ye)、3，3，3-三氟丙烯(HFC-1243zf)、l，3，3，3-四氟丙烯(HFC-1234ze)、1，1，1，4，4，4-六氟_2_丁烯(HFC-1336mzz)、1，1_二氟氯乙烯(HFC-1122)、1，2-二氟氯乙烯(HFC-1122a)、反式-1-氯-2-氟乙烯(HCFC-1131)、1，1-二氯-2，2-二氟乙烯(CFC-1112a)、反式-1，2-二氯氟乙烯(HCFC-1121)、三氯乙烯(HCC-1120)、氯三氟乙烯(CFC-1113)、以及氯乙烯(HCC-1140)。优选地，处理包括一种或多种以下杂质的冊(>134￡1:2，3，3，3-四氟丙烯(HFC-1234yf)、1，1，3，3，3_五氟丙烯(HFC-1225zc)、1，2，3，3，3-五氟丙烯(HFC-1225ye)、3，3，3-三氟丙烯(HFC-1243zf)、1，3，3，3-四氟丙烯(HFC-1234ze)、1，1，1，4，4，4_六氟-2-丁烯(HFC-1336mzz)、l，l-二氟氯乙烯(HFC-1122)、1，2-二氟氯乙烯(HFC-1122a)、反式-l-氯_2-氟乙烯(HCFC-1131)。尤其优选地，根据本发明的方法处理HFC-134a以去除或至少减小选自下组的杂质的含量，该组包括1，3，3，3-四氟丙烯(HFC-1234ze)、1，1-二氟氯乙烯(HFC-1122)和反式-l-氯-2-氟乙烯(HCFC-1131)以及氯三氟乙烯。该电磁辐射的强度总体上为至少0.01Wh每千克含杂质的氢氟烷，优选为至少0.02Whkg—1或甚至至少0.05Whkg—、电磁辐射的强度总体上是不大于5Wh每千克含杂质的氢氟烷并且优选不超过3Whkg—1或甚至不超过2Whkg—、在根据本发明的方法的第二变体中，溴可以在气相或液相中使用。它优选是在液相中使用。例如，根据本发明的方法的第一方面的第二变体可以在一个降膜式光反应器或一个浸没炉式光反应器中进行。在根据本发明的方法的第一方面的第二变体的第一实施方案中，将溴以相对于有待溴化的全部烯属杂质而言化学计量或过量的量引入含杂质的氢氟烷中。在该实施方案中，所使用的溴的量是大于或等于约l摩尔每摩尔烯属杂质。在该实施方案中，溴的量总体上为小于或等于约IO摩尔溴每摩尔烯属杂质。优选地，该量不超过约5摩尔溴每摩尔烯属杂质，并且甚至更优选的是该比率不超过大约2。在根据本发明的方法的第二变体的第二实施方案中，将溴以小于有待溴化的全部烯属杂质的量引入含杂质的氢氟烷中。在该变体中，所使用的溴的量是小于l摩尔每摩尔烯属杂质，优选的量为小于约0.9摩尔每摩尔烯属杂质。在该实施方案中，溴的量总体上为大于或等于约0.01摩尔溴每摩尔烯属杂质。优选地，该量为大于或等于约0.1摩尔溴每摩尔烯属杂质。最特别优选的量为大于或等于约0.5摩尔溴每摩尔烯属杂质。在根据本发明的方法的第二变体中，使用溴的处理总体上在大于或等于-3(TC的温度下进行。在如此低的温度下，用于纯化1，1，1，2-四氟乙烷的光化学反应可以在液态下无压地进行。该温度经常大于或等于(TC。优选地，该温度大于或等于约l(TC。在该变体中，使用溴的处理总体上在小于或等于15(TC的温度下进行。该温度经常小于或等于IO(TC。优选地，该温度小于或等于约80°C。一个非常优选的范围是3(TC到75°C。根据本发明的方法的第二变体中，使用溴的处理所进行的压力总体上是大于或等于约1巴。使用溴的处理进行的压力总体上小于或等于约40巴。本领域的熟练的专家知道，在一个特定温度下一种特定化合物的蒸气压越高，则这一化合物的沸点越低。相应地，当根据本发明来处理1，1，1，2-四氟乙烷时，压力通常等于或大于5巴(绝对)。它经常等于或低于15巴。如果根据本发明对l，l，l，3，3-五氟丁烷进行处理，则压力经常是等于或8大于l巴(绝对)。它通常是等于或低于5巴(绝对)。如果根据本发明对l，l，l，3，3-五氟丙烷进行处理，则压力经常是等于或大于2巴(绝对)。它经常是等于或小于10巴(绝对)。在根据本发明的方法的第二变体中，用溴处理的持续时间是可变的。该持续时间经常依赖于反应条件、依赖于杂质与溴反应的速度并且当然还依赖于所希望的杂质去除的程度。例如，相对于使用具有更低的能量输出或发出的辐射与高消光度的范围接近程度更低的灯或燃烧炉，使用具有高的能量输出或发出的辐射高消光度的范围相接近的灯或燃烧炉经常允许实现一个特定程度的纯度所需要的处理时间更短。通常，该持续时间大于或等于O.1分钟。用溴处理的持续时间通经常是大于或等于1分钟。优选地，用溴处理的持续时间是大于或等于2分钟。在根据本发明的方法的第一方面的第二变体中，用溴处理的持续时间总体上是小于或等于10小时。用溴处理的持续时间通经常是小于或等于5小时。优选地，用溴处理的持续时间是小于或等于约1小时。以一种特别适合的方式，它不超过30分钟。在本发明的第一方面的第三变体中，该引发剂是一定量的金属离子。该第三变体优选是在自由基引发剂的实质性缺乏时进行。它特别优选是在波长在320nm到540nm范围内的电磁辐射的实质性缺乏时进行。根据该变体，可以实现氢氟烯烃类、氯氟烯烃类以及氢氯氟烯烃类(如以上提到的)的有效清除，而没有所希望的氢氟烷的实质性降解。在该变体中，不需要特别的分离操作来从氢氟烷中分离出该引发剂。可替代地，该引发剂通过一种任选的蒸馏被容易地分离出。该金属离子优选是一种路易斯(Lewis)酸。它优先选自元素周期表(IUPAC1970)中IIIa、IVa和b、Va和b、VIb以及VIII族金属的离子。以一种特别适合的方式，它是选自铁、镍、铝、硼、钛、铬、锆、钽、锡或锑的离子。特别优选的是铁离子。卤化铁化合物是非常适合的，例如，FeCl2、FeCl3、FeBr2以及FeBiv金属离子在使用溴的处理中存在的量相对于包含有机杂质的氢氟烷而言总体上是按重量计最多10，000卯m，经常是最多5000卯m并且优选是最多1000卯m。金属离子的量最时常是最多100ppm。该量优选是最多50卯m。金属离子的量为最多30ppm是特别优选的。金属离子在使用溴的处理中存在的量相对于含有机杂质的氢氟烷而言总体上是按重量计至少0.Ol卯m。金属离子的量更时常是至少0.l卯m。该量优选是至少0.5卯m。可以将该金属离子例如通过添加一种合适的金属化合物来引入反应介质中。在一个特定的实施方案中，使用溴的处理是在用含有以上所描述的合适金属的一种材料制成的一个反应器中、在足以释放出至少痕量的金属离子的条件下进行的。在根据本发明的方法的第三变体中，使用溴的处理总体上在大于或等于ot:的温度下进行。该温度经常大于或等于2(TC。优选地，该温度大于或等于约4(TC。在该变体中，使用溴的处理总体上在小于或等于20(TC的温度下进行。该温度经常小于或等于150°C。优选地，该温度小于或等于约IO(TC。在根据本发明的方法的第一方面的第三变体中，用溴处理的持续时间总体上是大于或等于l小时。用溴处理的持续时间经常是大于或等于3小时。在根据本发明的方法的第一方面的第三变体中，用溴处理的持续时间总体上是小于或等于20小时。优选地，用溴处理的持续时间是小于或等于约10小时。在根据本发明的方法的第三变体中的合适的压力与根据本发明的方法的第二变体相同。在根据本发明的方法的第三变体中，氢氟烷适当地是选自下组，其构成为l，l，l，2-四氟乙烷、l，l，l，2，3，3，3-七氟丙烷、l，l，l，3，3，3-六氟丙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷。它优先选自1，1，1，2-四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及l，l，1，3，3-五氟丁烷。最优选地，该氢氟烷是1，1，1，2-四氟乙烷或1，1，1，3，3-五氟乙烷。在另一个实施方案中，根据本发明的方法的第三变体还可以有利地用于对批量的氯(氟)烯烃类(如以上描述的)或包含大量的此类氯(氟)烯烃类的部分进行溴化。根据本发明的方法可以按一种分批、半连续或连续的方式进行。优选的是连续的方式。在根据本发明的方法中，该溴化反应器以及蒸馏装置优选是用耐腐蚀的材料，诸如，特别是多种合金如蒙乃尔合金(M0NEL)、铬镍铁合金(INCONEL)或哈斯特镍基合金(HASTELLOY)类型制成的。在根据本发明的方法中，有利地是小心确保溴中的氧含量是按体积计小于1000卯m并且优选地是它按体积计不超过50卯m。为做到这点，可以首先通过喷射一种惰性气体(例如氮气)来对含烯属杂质的氢氟烷进行脱气。通常，在起始材料中的氧含量将实现这些条件，或者该起始材料将甚至不含氧气。在根据本发明的方法中，在使用溴的处理后总体上跟随一个分离操作，其作用主要是从具有更高沸点的氢氟烷化合物中分离出特别是残留的溴(若包括的话)，以及之前的不饱和杂质(在它们已经被溴化之后)。该分离操作优选是一种蒸馏作用。第二变体，使用溴(或BrCl)在辐射作为引发剂的存在下的处理是优选的变体。若希望的话，本发明的方法可以结合其他本领域内已知的方法而进行。例如，它可以在一个或多个选自下组的附加的处理步骤之前或之后进行，该组的构成为(a)使用氯或溴在一种引发剂的存在下的处理(b)与氟化氢的一个反应(c)—种蒸馏作用，其中纯化的氢氟烷从蒸馏柱的顶部或从侧面去除(d)—种提取蒸馏(e)在一种固体吸附剂上的一种吸附(f)与一种含氧化合物的一个反应，以及(g)与至少能与有机杂质中的一些起反应的一种试剂进行的一个气相反应，与元素氯的反应除外。以下对这些附加的处理步骤进行了详细说明。利用这些附加的步骤，可以对该氢氟烷进行预处理以去除杂质，或用来去除不能通过使用溴、或具有过慢的反应速度的处理而去除的杂质。可代替地，使已经用溴处理过的氢氟烷经受一个随后的附加处理步骤，例如，用来去除通过使用溴的处理未被去除或未被去除到一个满意程度的杂质，或用来去除所生成的溴化产物。在一个附加的处理步骤中，用元素氯或再一次用溴在一种引发剂的存在下处理该氢氟烷。该引发剂起到通过裂解来分解氯或溴分子的作用。该自由基引发剂经常是一种有机化合物。在这些有机化合物之中通常使用的是过氧化物或重氮化合物。特别使用的是过10氧化物化合物。该引发剂可以是可见光或UV光。该引发剂还可以是一种金属离子，它优选是一种路易斯酸。它优先选自元素周期表(IUPAC1970)中11Ia、IVa和b、Va和b、VIb以及VIII族金属的离子。以一种特别适合的方式，它是选自铁、镍、铝、硼、钛、铬、锆、钽、锡或锑的离子。特别优选的是铁离子。在另一个附加处理步骤中，使含有机杂质的氢氟烷经受与氟化氢的一个反应。这使之有可能特别是通过使用氟化氢来有效减小有机杂质在氢氟烷中存在的含量。后者的化合物在通过氢氟化作用对一种氢氟烷进行合成所使用的试剂之中。该转化的产物是饱和的(氢)氟烷类，它们在毒性上以及环境上是比烯属的或氯氟代的有机杂质更可接受的。另外，对于特定的有机杂质，与氟化氢的反应将导致所希望的氢氟烷，即特别是1，1，1，2-四氟乙烷、1，1，1，3，3-五氟丙烷或1，1，1，3，3-五氟丁烷的生成。该附加步骤可以容易地通过使用针对通过通过氢氟化作用而合成氢氟烷的反应来发展的技术手段来进行。其含量可以特别地通过该附加步骤减小的有机杂质包含至少一个氯原子，诸如氯氟乙烯类、氯二氟丙烷类以及氯氟丁烷类或丁烯类。它们具体地是包含2、3或4个碳原子的(氯)氟烯烃类，诸如氯二氟乙烯或一氯三氟丁烯的异构体。附加的氢氟化步骤对于以上提及的(氯)氟烯烃(可任选地包含一个或多个氢原子)的清除也是特别有用的。氢氟烯烃与氟化氢的反应优选是在一种氟化催化剂的存在下进行的。它也可以在催化剂不存在时进行。当(氯)氟烯烃(任选包含一个或多个氢原子)与氟化氢的反应在一种催化剂的存在下进行时，可以使用能促进HF加入一种烯烃中、和/或促进用一个氟原子对一个氯原子进行置换的催化剂类。在可以使用的这些催化剂之中，可以提及金属的衍生物类以及它们的混合物，这些金属是选自元素周期表(IUPAC，1970)中11Ia、IVa和b、Va和b以及VIb族金属。更特别的是选择钛、钽、钼、硼、锡以及锑的衍生物。优选地，使用钛或锡的衍生物。可以提及的金属衍生物是盐类并且更具体地说是卤化物。优选地，从氯化物、氟化物以及氯氟化物中作出选择。在用于制备氢氟烷的根据本发明的方法中特别优选的催化剂是钛的和锡的氯化物、氟化物和氯氟化物，以及它们的混合物。四氯化钛和四氯化锡是特别适合使用的。氟化氢与存在于该氢氟烷中的有机杂质之间的摩尔比总体上是至少lmol/mol。优选地，该方法是以至少1.5mol/mo1的摩尔比进行。氟化氢与所使用的有机化合物之间的摩尔比总体上不超过1000mol/mo1。优选的是该摩尔比不超过10mol/mo1。在该附加处理步骤中，经常维持氟化氢与烯属杂质之间的摩尔比不大于3。与HF的反应可以按分批的或连续的方式进行。当该反应以分批的方式进行时，含烯属杂质的氢氟烷与氟化氢的反应的持续时间范围总体上是从10分钟到5小时。优选地，该持续时间为至少0.5小时。有利地，该持续时间为至少l小时。总体而言，该持续时间不超过4小时。优选地，该持续时间不超过2.5小时。当该反应以连续的方式进行时，试剂在反应器中的停留时间总体上为至少0.5小时。通常，它不超过30小时。典型地，它的范围是从5小时到25小时。优选地，它的范围是从10h到20h。表述"试剂在反应器中的停留时间"旨在是指反应介质的体积与反应介质在反应器出口处按体积计的流速之间的比率。11在一个第一变体(该变体是优选的)中，含有机杂质的氢氟烷与氟化氢的反应是在液相中进行。在该变体中，含有机杂质的氢氟烷与氟化氢的反应进行的温度总体上为至少6(TC。优选地，该温度是至少8(TC。总体而言，该温度不超过160°C。优选地，它不超过140°C。在该变体中，压力被选择为使得将反应介质保持在液体形式。所使用的压力作为该反应介质的温度的函数而变化。它总体上是小于或等于40巴。优选地，它小于或等于约35巴。以一种特别有利的方式，该压力小于或等于25巴。总体而言，该压力等于或大于5巴。在一个第二变体中，使用HF的处理是在气相中进行。该变体对于纯化1，1，1，2-四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷是特别适合的。确切地说，l，l，l，2-四氟乙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及l，l，l，3，3-五氟丁烷显示了出人意料的热稳定性，这允许它们在气相中得到纯化。在该第二变体中，经常使用的是基于一种金属氧化物的氟化催化剂，该金属氧化物是选自氧化铬、氧化锆和氧化铝，以及它们的混合物。通常，该金属氧化物具有根据BET方法测定为至少100m7g并且优选为至少150m7g的比表面积。总体而言，该比表面积不大于400m7g。该金属氧化物优选是非晶相的。在该第二变体中，与氟化氢反应的温度总体上是至少50°C。优选地，该温度是至少IO(TC。总体而言，该温度不大于400°C。优选地，该温度不大于300°C。使用HF的附加处理找到了一个有利的应用，以对通过氢氟化作用、特别是通过对一种氯(氟)碳的氢氟化作用所进行的合成作用而获得的氢氟烷进行纯化。在后者的情况下，可能有利的是在含有机杂质的氢氟烷在根据本发明的方法的第二个方面中使用之前减小它的氯化氢含量。使用HF的处理经常跟随至少一个旨在回收氢氟烷的处理步骤。可以使用的处理步骤的实例是，除其他之外，可以用来从氢氟烷中分离出残留的氟化氢的处理，例如像在一种固体(例如KF、NaF或铝)上的吸附作用、用水洗涤、一种提取操作、利用一种适合的膜的一种分离作用、一种提取蒸馏或一种蒸馏。根据本发明的另一个实施方案，使含有机杂质的氢氟烷另外经受一种蒸馏并且将纯化的氢氟烷从该蒸馏柱的顶部或从侧面去除。已经出人意料地发现，存在于氢氟烷中特别是包含2、3或4个碳原子的(氢)(氯)氟烷中的有机杂质并不具有生成与氢氟烷的共沸化合物的趋势并且因此可以被分离。该处理步骤可以容易地进行。其含量可以通过根据本发明的方法的附加的纯化步骤减小的有机杂质总体上包含2、3或4个碳原子。它们特别是溴化反应产物，通常，它们是被溴以及氯和氟中的至少一种取代的烃类；它们可以进一步包括氢。通常，它们包含2、3或4个碳原子。蒸馏的压力总体上是小于40巴(绝对)，通常，它小于25巴(绝对)。总体而言，该蒸馏压力是至少0.5巴。它通常是至少l巴。优选地，它是至少1.5巴。所应用的具体压力依赖于有待蒸馏的基础产物。如果该基础产物是l，l，l，3，3-五氟丁烷，则该压力优选是在以上给出的范围的更下部的区域。如果该基础产物是l，l，l，2-四氟乙烷，则该压力优选是在以上给出的范围的中至上部区域内。在对该附加步骤的本描述中，任何提及的压力都与在蒸馏柱顶部测量的绝对压力相对应。蒸馏进行的温度总体上与在所选压力下的氢氟烷的沸点近似地对应。当该氢氟烷是1，1，1，3，3-五氟丁烷时，在大约1.5到3巴的压力下以及大约50°C到7(TC的温度下获得了良好的结果，当该氢氟烷是1，1，1，2-四氟乙烷时，在大约5巴到25巴以及大约2(TC到75t:的温度下获得良好的结果。蒸馏可以在一个或多个蒸馏柱中进行。优选地，将仅使用一个柱。可以使用的蒸馏柱本身是已知的。例如，可以使用常规的板式柱或"双流"板式柱或具有松散或规整填充的柱。蒸馏中的理论塔板数总体上是至少10。它通常是至少15。至少为20的数目给出良好的结果。在该附加处理步骤中含有机杂质的氢氟烷的进料总体上在柱的理论塔板数的50%以下的水平上进行，它应理解为该柱的顶部对应100%的理论塔板数。该水平总体上不超过该柱的理论塔板数的45%。总体而言，进料是在柱的理论塔板数的至少5%的水平上进行。该水平通常为柱的理论塔板数的至少10%。如果进行侧面去除，则它总体上在与蒸馏的理论塔板数的至少50%相对应的水平上进行。侧面去除总体上是在与蒸馏的理论塔板数的不超过80%相对应的水平上进行。在该附加处理步骤中，纯化的氢氟烷总体上是以进料的至少50%的量去除。该量通常为进料的至少70%。该量优选为进料的至少80%。总体而言，纯化的氢氟烷去除的量为不超过进料的99%。该量通常是不超过进料的97%。该量优选不超过进料的95%。在蒸馏中的摩尔回流度总体上不大于20。该度数通常不大于IO。不大于7的回流度已经给出了良好的结果。可以在根据本发明的纯化处理中进行的另一个附加步骤是一种提取蒸馏。提取蒸馏是在至少一种提取剂的存在下进行的，该提取剂总体上是选自(氢)氯烃类、(氢)氟烷类、氢氯氟烃类、烃类、酮类、醇类、醚类、酯类、腈类、氯化氢以及二氧化碳。可以作为提取剂使用的氢氟烷类典型地包含从1到6个碳原子，优选从1到4个碳原子。优选的具体的氢氟烷提取剂是氢氟烷提取剂类，例如选自二氟甲烷、l，l，l，2-四氟乙烷、l，l，l-三氟乙烷、五氟乙烷、1，1，1，2，3，3，3-七氟丙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷。应理解的是，在根据本发明的方法的第四方面的氢氟烷提取剂类总体而言与含有机杂质的氢氟烷不同。可以使用的其他提取剂是，例如选自二氯甲烷、四氯乙烯、正戊烷、正己烷、甲醇、乙醇、异丙醇、二乙醚、丙酮、2-丁酮、乙酸乙酯以及乙腈。在另一个实施方案中，该提取剂是选自适合用于通过氢氟化作用合成氢氟烷的氯化的前体类或选自通过一种所述氯化的前体(诸如氯氟乙烷类、氯氟丙烷类以及氯氟丁烷类)的氢氟化作用可获得的氯(氟)中间体。优选地，该提取剂是选自1，1，1，3，3-五氯丁烷、1，1-二氯-1，3，3-三氟丁烷、1，3-二氯-1，1，3-三氟丁烷、3，3-二氯-1，1，1-三氟丁烷、1-氯-1，3，3，3-四氟丁烷以及3-氯-1，1，3，3—四氟丁烷或这些提取剂的混合物。这种蒸馏总体上是在一定的压力和温度下进行的，这使得它本质上有可能避免(在适当时)在提取剂与氢氟烷之间形成共沸混合物。13这种蒸馏可以在一个或多个蒸馏柱中进行。优选地，将仅使用一个柱。可以用于根据本发明的方法的蒸馏柱本身是已知的。例如，有可能使用常规的板式塔或"穿流"板式塔或具有松散或规整填充的柱。本发明的纯化方法中的一个附加处理步骤的另一个替代方案是在一种固体吸附剂上的吸附。该固体吸附剂可以是，例如选自氧化铝、硅酸盐、氧化铁化合物、沸石以及活性炭。此类吸附剂是可商购的。该吸附剂可任选地在用于吸附处理之前被活化。一种热处理或旨在提高该固体吸附剂的路易斯酸度的一种处理是合适的。优选的固体吸附剂类是已经经受旨在提高其路易斯酸度的一个处理(例如用盐酸或用硝酸洗涤)的那些固体吸附剂。含有机杂质的氢氟烷与固体吸附剂之间的接触可以根据不同技术来进行。该方法可以在一个流化床中进行，但总体上优选的是将该固体吸附剂以一个颗粒固定床的形式放置，含有机杂质的氢氟烷的一个流通过该床而穿过。这种流可以是液态或气态的。在一个变体中，该吸附作用是在气相中进行的。当该附加处理步骤是在气相中进行时，在含有机杂质与固体吸附剂之间的接触时间是进行至少l秒。优选地，该方法是以大于2秒的接触时间而进行。接触时间大于或等于3秒时已经获得了良好的结果。原则上，该方法可以使用非常长的接触时间(例如几分钟)来进行。实际上，出于效率的原因，该方法总体上是以小于l分钟并且优选小于或等于30秒的接触时间而进行。当该附加的处理步骤是在液相中进行时，在含有机杂质与固体吸附剂之间的接触时间是进行至少约2分钟。优选地，该方法是以大于约5分钟的接触时间而进行。原则上，该方法可以使用一个非常长的接触时间(例如120分钟)而进行。实际上，出于效率的原因，该方法总体上是以小于60分钟并且优选小于或等于约30分钟的接触时间而进行。当该处理步骤是在一个固定床中进行时，该接触时间被定义为吸附剂床层的体积与含有机杂质的氢氟烷流按体积计的流速之比。当该处理步骤是在一个流化床中进行时，该接触时间被定义为包含吸附剂的容器的体积与含有机杂质的氢氟烷流体按体积计的流速之比。该固体吸附剂是以颗粒粉末的形式使用，这些颗粒的最佳粒度取决于该方法进行时的条件。总体而言，选择其颗粒直径范围是从大约O.lmm到10mm的固体吸附剂。该方法优选使用具有小于或等于7mm直径的颗粒进行。在一种特别优选的方式中，使用具有小于或等于5mm直径的颗粒。此外，优选使用其颗粒具有大于或等于O.5mm直径的固体吸附剂。该方法优选使用具有大于或等于lmm直径的颗粒进行。在一种特别优选的方式中，使用具有大于或等于2mm直径的颗粒。在该方法之后，可以通过在适度温度(例如IO(TC到250°C)下、在一种气体流下(例如在氮气下)或在减压下加热使该固体吸附剂再生。也可以通过用氧气处理使该固体吸附剂再生。根据本发明的另一个替代性的附加的处理步骤涉及通过与一种含氧化合物的反应而进行的纯化处理。已经发现，含氧的试剂优先与存在于氢氟烷中、特别是1，1，2_四氟乙烷或1，1，1，3，3-五氟丁烷中的有机杂质起反应并且基本上没有降解该氢氟烷。该含氧化合物可以是，例如一种氧合的气体、一种氧合的酸、一种有机或无机的过氧化物、一种过氧化物的盐或一种过酸。此类化合物的具体实例是选自氧气、臭氧、过氧化氢、过氧乙酸、高14锰酸钾、硫酸以及三氧化硫。在该附加的处理步骤的一个实施方案中，该反应在一种碱的存在下进行并且该含氧化合物是一种醇。该碱可以是，例如一种碱金属的氢氧化物，诸如氢氧化钠或氢氧化钾。该醇可以是选自，例如甲醇、乙醇以及异丙醇。与该含氧化合物的反应可以在一种氧合催化剂存在或缺乏时进行。可以使用的氧合催化剂可以选自，例如化合物类，并且特别是选自含铂、锰或钛的络合物。与该含氧混合物的反应可以在气相或液相中进行。它优选在液相中进行。在这种情况下，该反应温度总体上不大于150°C。该温度更经常是不大于120°C。优选地，该温度不大于10(TC。该反应温度总体上是至少-2(TC。该温度更经常是至少0t:。优选地，该温度是至少2(TC。该反应的压力总体上是从1巴至40巴。另一个任选的处理步骤涉及在气相中与一种试剂的反应，该试剂能够与该有机杂质中的至少一些起反应。在此，该试剂原则上可以是能够在气相中与存在于氢氟烷中的有机杂质中的至少一些并且特别是与烯属杂质起反应的任何试剂。该试剂有利地是选自氯化氢、氢气、氟化氢、氧气或臭氧。在一个典型的实例中，该反应是一种催化氢化作用。已经出人意料地发现，催化氢化使之有可能将特别是1，1，1，2_四氟乙烷或l，l，1，3，3-五氟丁烷中的任何的杂质含量减小至接近于、甚至小于5mg/kg的水平，而同时避免氢氟烷的降解。可以根据本发明在气相中的催化氢化中使用的催化剂是，例如包含一种选自元素周期表(IUPAC，1970)中VIII族的金属的催化剂或几种金属的混合物，优选负载在一种载体上，诸如活性炭、一种氟化的铝或三氟化铝。选自VIII族的金属的具体实例是铂、钯以及铑。在这些催化剂之中，优选的是一种包含钯的催化剂。可以使用的负载型催化剂中的金属含量总体上是按重量计至少0.001%。该含量通常是按重量计至少O.1%。负载型催化剂中的金属含量总体上为按重量计不大于20%。该含量时常是按重量计不大于10%。优先选择的是一种对于可能在催化氢化期间存在的产物(特别是氟化氢)具有抗性的催化剂。例如，使用包括负载在活性炭上的钯的一种催化剂获得了良好的结果。该试剂与存在于氢氟烷中的有机杂质之间的摩尔比总体上是至少lmol/mol。优选地，该方法使用至少1.5mol/mo1的摩尔比进行。该试剂与该有机杂质之间的摩尔比总体上不超过1000mol/mo1。优选的是该摩尔比不超过10mol/mo1。在根据本发明的方法的第七方面中，时常是维持该试剂与该烯属杂质之间的摩尔比为不大于3。然而，当该试剂是氢气时，当氢气与烯属杂质之间的摩尔比被维持在大于或等于5时也获得了良好的结果。氢气与烯属杂质之间的摩尔比有利地是小于或等于20。优选地，该比率小于或等于10。该气相反应的温度总体上是至少5(TC。该温度通常是至少7(TC。优选地，该温度大于或等于10(TC。总体而言，该气相反应的温度不大于40(TC。优选地，该温度不大于300°C。在一种特别优选的方式中，该温度不大于250°C。还更优选地，该温度不大于150°C。在该附加步骤中，经常是必需要进行一个旨在使含有机杂质的氢氟烷成为气态形式的操作。该操作可以包括，例如蒸发。在一个优选的变体中，为了纯化处于气相中的氢氟烷的目的，该操作包括对处于气态形式的包含氢氟烷及有机杂质的馏分进行去除。该馏分可以通过对粗制氢氟烷进行一次或多次蒸馏来获得，该粗制氢氟烷除了有机杂质外还可以包括作为氢氟烷的合成作用的副产物或中间产物出现的试剂。该粗制氢氟烷具体可以包括氟化氢和/或氯化氢，特别是当该氢氟烷是通过氢氟化作用获得时。粗制氢氟烷中的氟化氢和/或氯化氢的含量可以通过蒸馏而减小，这样该馏分具有一个低的氟化氢和/或氯化氢的含量。当进行如上描述的一种催化氢化时，氟化氢和/或氯化氢含量的这种减小是特别有利的。在这种情况下，在纯化处理中使用的是包含有机杂质并且总体上具有不大于1000mmol/kg、优选不大于100mmol/kg的酸度的氢氟烷。使用基本上不含有氟化氢和/或氯化氢的含有机杂质的氢氟烷获得了良好的结果。在旨在使含有机杂质的氢氟烷成为气态形式的操作中，总体而言要小心以确保该氢氟烷的温度不超过气相纯化处理的温度。该气相纯化反应后可以有利地跟随一个或多个处理，该处理旨在从有机杂质和试剂之间的反应的产物中分离出氢氟烷。蒸馏作为一种处理是适合的，特别是当该试剂是氢气时。在根据本发明的方法中，该纯化处理后可以跟随一个或多个最终处理步骤，这些步骤旨在例如去除任何残留酸度，特别是痕量的氟化氢。为此目的的一个合适的最终处理步骤是，例如在一种固体诸如铝、KF、NaF或硅石上的吸附作用。可以使用的其他处理是，例如用水的洗涤、一个提取操作或一种利用适当的薄膜的分离。根据本发明的方法适用于对含烯属杂质的氢氟烷(该氢氟烷是通过任何的合成方法制备的)进行纯化，而不需要预处理。根据本发明的方法也适用于对含有机杂质的氢氟烷的纯化，该氢氟烷基本上由氢氟烷以及有机杂质组成。典型地，有待纯化的氢氟烷包含按重量计不超过10%的有机杂质。杂质的含量可以是按重量计不超过5%。它甚至可以是按重量计不超过1%。根据本发明的方法甚至可以应用于包含按重量计不超过O.1%的有机杂质的氢氟烷。根据本发明的方法在对通过氢氟化作用、特别是通过一种氢氯(氟)烃的氢氟化作用获得的氢氟烷的纯化中找到了一个有利的应用。应理解的是，根据本发明使用溴的处理可以与每个附加的纯化处理相结合以使通过本发明的方法所实现的利益最佳化。在一个特别的实施方案中，根据本发明的方法可以与1、2、3或4个用于去除有机杂质的附加的纯化步骤组合，包括至少一个根据本发明的纯化处理。具体地说，这些组合允许氯(氟)烯烃含量的有效减小而只有所希望的氢氟烷非常小的损失。在以下描述多种纯化处理的优选组合的段落中，使用了以下縮写(al)根据本发明的方法的第一变体使用溴或BrCl的一种处理(自由基引发剂选自一种有机或无机的引发剂化合物)；(a2)根据本发明的方法的第二变体使用溴或BrCl的一种处理(电磁辐射)；(a3)根据本发明的方法的第三变体使用溴或BrCl的一种处理(存在一种金属离16子)；(b)与氟化氢的一个反应；(c)—种蒸馏；(d)—种提取蒸馏；(e)在一种固体吸附剂上的一种吸附作用；(f)与一种含氧化合物的一个反应；(g)—个气相反应，优选是一个氢化反应；(h)使用BrCl的一个光氯化、光溴化、或光化学反应，例如，唯独使用波长>280nm的UV光；(i)不存在氯时的一种光分解；[OH9](j)与氟的反应。除其他之外，适当的、顺序的组合包括("+"是指"后面跟随")(a3)+(al)、(a3)+(a2)、(a2+c)、(c)+(a2)+(c)、(a2)+(c)、(a2)+(e)、(a2)+(e)+(c)、(a3)+(c)、(a3)+(e)、(a3)+(h)、(b)+(a2)、(a2)+(b)+(c)、(c)+(al)、(c)+(a2)、(d)+(al)、(d)+(a2)、(f)+(a2)、(g)+(al)、(g)+(a2)、(i)+(al)、(i)+(a2)、(j)+(a2)。优选的是(a3)+(al)、(a3)+(a2)、(a3)+(c)、(c)+(a2)+(c)、(a2)+(c)、(a2)+(e)、(a2)+(e)+(c)、(a2)+(e)、(a3)+(e)、(a3)+(h)、(c)+(al)、(c)+(a2)、(i)+(al)、(i)+(a2)组合。应理解的是，上述组合特别好地适合于对1，1，1，2-四氟乙烷、1，1，1，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷的纯化。必须注意的是，在以上(h)下，光氯化作为一种可能的附加处理步骤与至少一种根据本发明的处理步骤一起被提及。在该附加处理步骤中，可以应用波长>280nm的光。还有可能应用波长等于或小于280nm的光。甚至已经发现，还可以应用发出的辐射具有基本上在254nm左右的波长的光。这是非常出人意料的，因为考虑到元素氯的吸收范围，预期具有如此短的波长的辐射是无效的。事实上，发现对含有不饱和杂质的氢氟烷的处理可以通过使用电磁辐射(由此，波长小于260nm的部分的能量是电磁辐射总能量的至少90%)与元素氯进行的反应而完成，不仅可以作为附加步骤与如上所述的使用溴或BrCl的处理一起应用；通过使用电磁辐射(由此，波长小于260nm的部分的能量为电磁辐射总能量的至少90%、优选是100%)与元素氯进行反应而对含不饱和杂质的氢氟烷进行的这种处理甚至可以作为一个单独的纯化步骤(没有如上所述的使用溴或BrCl的处理)应用，或任选地与上述的步骤(b)到(g)中的一个或多个以及(i)或(j)组合。本发明的这个方面(使用元素氯处理含不饱和杂质的氢氟烷)甚至可以使用其中波长小于260nm的部分的能量是电磁辐射总能量的至少90%的辐射来进行。术语"氢氟烷"是指以上指出的那些氢氟烷，优选的氢氟烷在这一方面也是优选的。这同样适用于不饱和的杂质。在这一方面HFC-134a是最优选的氢氟烷。优选地，以下杂质中至少一种包含在HFC-134a中并且被去除:2，3，3，3-四氟丙烯(HFC-1234yf)、l，l，3，3，3-五氟丙烯(HFC-1225zc)、1，2，3，3，3-五氟丙烯(HFC-1225ye)、3，3，3-三氟丙烯(HFC-1243zf)、1，3，3，3-四氟丙烯(HFC-1234ze)、1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁烯(HFC-1336mzz)、1，1-二氟氯乙烯(HFC-1122)、1，2-二氟氯乙17烯(HFC-1122a)以及反式_1_氯_2_氟乙烯(HCFC-1131)。本发明的另一方面是用电力运行的LED(发光二极管)以及电力运行的OLED(有机发光二极管)作为辐射源用于以气_气反应、气_液反应、以及液_液反应进行具体的光化学反应的应用。因此，当电流通过时这些二极管发光。因此，本发明的另一个实施方案是一种用于进行气_气、液_液或气_液类型的光化学反应的方法，包括以下步骤提供来自两种或多种起始试剂的一种反应混合物、通过输送该光化学反应(通过LED或OLED)的至少一部分来引发或支持该反应、并且回收一种反应产物，其中该起始材料包括多种有机化合物，并且其中该反应是一种以光化学方式支持的氯化、氯溴化或溴化的反应、或一个光氧化反应，其中该光氧化是在一种光敏剂不存在时、或在氯作为光敏剂存在时进行的。优选地，LED和OLED在制造方法或纯化方法中被应用在以气_气反应、气_液反应、以及液_液反应进行的、所述无机双原子分子与有机试剂之间的反应中。LED是一种半导体装置，它在p-n结的正方向上受到电偏压时发出不相干的窄谱光。这种作用是一种电致发光形式。所发出的辐射的颜色取决于所使用的半导体材料的组成以及状态，并且可以是红外光、可见光或近紫外线。LED是可商购的。例如，可以发出以下颜色红色以及红外的AlGaAs;绿色AlGaP;黄色、绿色、橙色、橙红色AlGalnP;GaAsP:黄色、橙红色和红色；红色、黄色和绿色GaP;绿色、蓝色、白色(如果它具有一个AlGaN量子势垒)GaN;近紫外、蓝绿色和蓝色InGaN;蓝色SiC作为基片；蓝色Si(作为基片)；蓝色蓝宝石作为基片；蓝色ZnSe;UV:金刚石；近到远紫外线A1N或AlGaN。—种OLED是一种有机发光二极管。它在发射性的电致发光层中包括一个有机化合物的薄膜。该层通常包含一种聚合物物质，该物质允许适当的有机化合物通过一种简单的印刷工艺在一个平的层上按行和列沉积。所产生的像素矩阵可以发出不同颜色的光。可以产生大范围的颜色。尽管LED和OLED具有高的效率，它们经常只有相比而言低的能量输出。因此，若希望的话，必须一起应用数目众多的LED或OLED来实现所希望的能量的输出。原则上，LED和OLED可以应用在通过气-气反应、气_液反应、以及液_液反应进行的宽泛种类的所提及的光化学方法中。例如，该方法可以包括以下步骤提供来自两种或多种起始试剂的一种反应混合物、通过输送光化学辐射(通过LED或OLED)的至少一部分来引发或支持该反应、并且回收反应产物。该回收可以包括一个纯化步骤，经常是通过蒸馏。这类反应包括氢-卤素的交换，例如用来向不饱和的碳-碳键提供氯代或溴代的化合物、氯、溴或BrCl，例如，如上所述的用于纯化的目的，但是当然，还旨在合成和制造化合物。例如，它们总体上可以应用于将包含在饱和的氢氟烷或全氟化碳中的不饱和的杂质转化为反应产物，这些反应产物更容易从有待纯化的饱和的氢氟烷或全氟化碳中分离出来。例如，氟乙烷类、氟丙烷类、氟丁烷类、氟戊烷类以及更高的同系物可以通过以这种方式去除不饱和的杂质来进行纯化。在可以被纯化的氢氟烷之中，应该提及四氟乙烷类，例如1，1，1，2-四氟乙烷；氟丙烷类，例如五氟丙烷、l，l，l，3，3-五氟丙烷、l，l，l，2，3，3-六氟丙烷或1，1，1，3，3，3-六氟丙烷；七氟丙烷类，例如1，1，1，2，3，3，3-七氟丙烷；五氟丁烷类，例如1，1，1，3，3五氟丁烷。这种纯化优选是在与氯、BrCl、溴或它们的混合物的光化学接触下进行的。例如，1，1，1，2-四氟乙烷可以通过加入氯、溴或BrCl并且应用LED和0LED作为光源(以支持或促进向不饱和杂质中添加相应的卤素)而纯化去除不饱和的杂质。例如，它们可以作为辐射源应用在如上所述的使用溴或BrCl的光化学运行的纯化方法中。它还可以用在一种纯化方法中，其中以光化学方式随氢氟烷类进行了纯化以去除(氢)(氯)氟烯烃。LED和0LED还可以应用在涉及氧并且在任何敏化剂都不存在或当氯作为一种附加的敏化剂(或"引发剂")存在时的光化学反应中。如果氯作为一种敏化剂使用，它优选是唯一被使用的敏化剂。涉及氧的反应的实例包括从具有一个CHC1基团的化合物来制备包括C-(O)基团的一些化合物。在此类反应的框架中，可以从(^FC1制备碳酰氟、从具有一个CHC12基团的烷类制备羧酸的氯化物、并且从具有一个CHC1F基团的烷类制备羧酸的氟化物。例如，具有化学式R'CFXC(0)C1的化合物可以如US-A5，545，298中所描述的进行制备。在该式中X是指氟或氯并且R'是氟或具有1到10个碳原子的一个全氟化的饱和烷基基团。优选地，该反应从具有化学式R-CHC^的相应的氯氟烃类产生具有化学式RC(0)C1的羧酸氯化物，其中R是被至少一个氟原子以及任选地一个或多个C1原子取代的一个C1到C3的烷基基团，该CHC12基团被氧化为C(0)C1基团。例如，氯二氟乙酰氯可以通过C&C1CHC^与氧气的光化学反应而制备；三氟乙酰氯可以从CF^HCl2制备；并且CFfC&C(0)Cl可以从CF3C&CHCl2制备。在该专利中，卤代烷与氧气之间的反应是在无压下进行，其优点为(例如)可以使用玻璃反应器。该反应还可以在高于环境压力的压力下进行，例如，在一个1到10巴(绝对)之间的压力下，或若希望的话，在一个甚至更高的压力下。没有加入氯。US专利5，569，782披露了一种用于制备聚氟氯烷基羰基氯化物以及全氟烷基羰基氯化物的方法，例如，全氟丙酰氯、三氟乙酰氯以及氯二氟乙酰氯，该方法是通过将具有一个CH(^基团(该基团转化为一个C(0)C1基团)的相应化合物进行光化学氧化。该反应是在氯的存在下使用具有A^290nm的波长的光而进行的。该反应可以无压进行。使用根据本发明的LED或OLED根据以上描述的方法来生产羧酸氯化物以及羧酸氟化物的反应可以在压力下进行。例如，US专利3，883，407披露了通过在高达75psig的压力下应用UV光时对CF3CHC12进行光化学氧化而制备三氟乙酰氯。根据本发明，应用了发出UV光的LED和OLED。US专利6，489，510披露了一种用于生成具有化学式RCFXC(0)F的羧酸氟化物的方法。在此，X是指氟或氯，且R代表氟或具有1到9个碳原子的一个直链或支链的全氟化的烷基基团。有利的是应用波长A^280nm的光。该方法可以使用LED和OLED作为辐射源来进行。US专利5，663，543披露了通过在五氟丙酰氯生成的条件下对3，3_二氯_1，1，1，2，2-五氟丙烷进行光化学氧化、或通过在全氟丙酰氟生成的条件下对1，3-二氯-1，1，2，2，3-五氟丙烷进行光化学氧化而用于生产聚氟丙酰卤的一种方法。该反应是在氯的存在下应用波长大于280nm的光进行的。同样在此，根据本发明LED和OLED作为辐射源是适用的。19国际专利申请W02005/085129披露了一种用于碳酰氟的光化学制备的方法，该方法是通过使用波长等于或大于280nm的光在氯的存在下对CHF3或CHF2C1进行光化学氧化。LED和OLED在该方法中也是适用的辐射源。这些反应总体上可以在气相或在液相中进行。氯化反应、溴化反应以及氯溴化反应、尤其是旨在作为纯化方法的那些，优选是通过提供一种有待纯化的液体起始材料并且引入气态的卤素而进行的。在以上描述的光氧化反应中，LED和OLED可以作为光源应用。该光氧化方法优选是作为一种气-气相的方法进行，这意味着该起始材料(例如氧气、CHFCl2或CF3CHCg是以气态(这包括一种蒸气状态)引入反应器中，并且任何作为敏化剂的氯也是以气态形式引入。如果涉及氯，则LED和OLED被选择为使得它们优选发出范围在280nm和400nm之间的光，尤其优选在300nm到360nm的范围内，因为这是氯的高消系数的范围。优选的将波长小于280nm左右的光排除在外所具有的额外的优点在于所产生的羧酸卤化物中的一些自身吸收波长小于约280nm的光。吸收该范围内的光可能导致副反应。在本发明的框架中，对卤代烷类进行光化学氧化以生成羧酸氯化物或羧酸氟化物以及LED和OLED在用于纯化化合物而进行的方法中的应用是LED和OLED应用的优选的领域。它们还可以应用在其他气-气、液-液和液-气反应中。例如，它们可以如US-A5，486，275所描述在通过相应的含氮的全氟酰溴的脱羰作用制备含氮的全氟烷基溴时作为一种辐射源使用。尤其优选的是气-气反应。本发明的又一个实施方案是一个用于在气相中的光化学反应的反应器，该反应器包括LED和OLED作为辐射发射源。用于根据本发明来进行以光化学方式支持的气_气反应的反应器包括用于接收一种反应混合物的一个反应室、将流体供应到该反应器的一条或多条管线、从反应器中撤回反应流体的一条或多条管线、以及用于向该反应混合物施加辐射的至少一个LED或OLED、与一个真空泵的一个连接、以及任选地在反应装置中常见的附加装置。提及了用于混合该反应混合物的多种装置，例如，机械或磁力搅拌器；用于加热的装置，例如，内部或外部加热元件；用于确定温度的装置，例如温度计或热敏元件；用于冷却反应室或LED或OLED的装置，例如冷却指(coolingfingers);以及用于施加真空或真空和压力的装置；用于防腐保护的装置，例如部分用玻璃制造的与一种腐蚀性反应介质(例如包含HF)接触的透明的涂料或透明的收縮性包绕物。该反应器被构造为使得可以施加低至O.1巴(绝对)的真空以及高达15巴(绝对)的高压而不造成该反应器的任何损坏。因此，该反应器被构造成耐真空的和耐压的。例如，它可以用相对厚的玻璃壁或塑料或金属来构造。现在将鉴于图1对根据本发明的反应器进行说明。该反应器包括带有耐压的壁、底部和顶部的一个反应室l。顶部2是用厚的耐压的、透光的硼硅玻璃制成的。一个机械搅拌器3起到将反应室1中所含的反应混合物进行均匀化的作用。流体管线4和5起到将多种气体引入该反应器的作用，而流体管线6起到将反应混合物撤出的作用。发光二极管(LED)—个组7被安排在透光的顶部2之上，使得这些LED的辐射直接进入该反应器的内部。该反应室可以装配有多个传感器来确定该反应器内的物理条件，例如，温度或压力。图1示出了根据本发明的反应器的一个非常简单的实施方案。装配有一个辐射单元的浸没轴式光反应器是本发明的另一个合适的实施方案，该辐射单元包括多个LED而非UV灯。为了简单起见，省略了可连接到一个真空泵的一根管线。可替代地，管线4和/或5可以连接到一个阀门，例如一个3通阀门上，该阀门允许在该反应器中产生真空，例如，用于去除使湿气或用于在减压下进行反应。如上所述使用LED和OLED有多个优点。例如，LED和OLED可以选择为使得发出其波长与最大吸收的范围相对应的光。可以将发出不同波长的光的LED和OLED配对并且从而允许构造一个适合于进行不同反应而无需改变光源、或适合于有效地进行其中需要不同波长的多个反应步骤的一种装置。以下实例旨在说明本发明而非限制其范围。实例1:1，1，1，2-四氟乙烷的纯化光化学反应器使用一个可以抽成真空的耐压比色杯。它具有48mm的半径和25mm的长度。在底部，该比色杯包括SchottMaxos硼硅玻璃，它具有63mm的直径和15mm的厚度。通过该硼硅玻璃对反应器的内容物进行辐射。在实例1.1至1.4中，将通过蒸馏而预纯化的1，1，1，2_四氟乙烷进行处理，而在实例1.5至1.7中，使用了未以这种方式进行预纯化的原产物。预纯化的和原有的材料尤其是在具有更高沸点的杂质(尤其是具有3或4个碳原子的不饱和的杂质)的含量上不相同。在所有实验中，将如表l和II中指出的约10m1(0.007g)、20ml溴蒸气(0.014g)或40ml溴蒸气(0.028g)引入反应器中，并且然后，加入55.8g的1，1，1，2-四氟乙烷。将该反应器内容物充分混合，从而1，1，1，2-四氟乙烷呈现棕色(来自溴)。1，1，1，2-四氟乙烷基本上以液相包含在该比色杯中。然后用以下指出的光源辐射该反应混合物。然后将一部分的液相转移到一个由玻璃制成的贮气的汽缸中(用金属箔片覆盖以防日光或实验室光)。然后将该贮存汽缸连接至一个对应的分析装置，并且通过气相色谱结合质谱(GC-MS)来分析其内容物。必须注意的是，所进行的GC-MS分析是一种定性的分析。将处理过的l，l，l，2-四氟乙烷进行分析以确定氯三氟乙烯(CFC-1113)、四氟丙烯(HFC-1234)以及氯二氟乙烯(CFC-1122)的含量。实例1.1是用日光(在常规的实验室灯光的辅助下)进行的。使用一个贮气的汽缸重复实例1.1，在该汽缸中起始材料在日光以及实验室光的影响下起反应。在设定的时间期限之后，用金属箔片覆盖该贮存汽缸，将其连接到分析装置，并且对内容物进行分析。实例1.2.1至1.2.7使用来自Philips的PL-S9W型号的UV-C光进行。实例1.3.1至1.3.9使用来自具有2160内腔的Philips150W的电灯泡进行。与太阳光的光谱相比，该电灯泡以所有颜色的连续光谱的形式发出白色光。实例1.4.1和1.4.2使用串联的2X3个LED进行。这些LED购自ConradElectronic(购买号187503)并且基于GaN，并且发出470nm左右的蓝光，光强度lv为4800mcd。实例1.5使用实例1.4.1和1.4.2中描述的38个LED进行。实例1.6.1和1.6.2使用串联的4个LED进行。LXHL-NRR8型的LED购买自ConradElectronic(购买号bl716094-29)并且发出波长为455nm的称作"品蓝色"的光，其中功率为1W。实例1.7.1和1.7.2使用38个在实例1.4.1和1.4.2中描述的LED进行。实例1.8.1和1.8.2是通过使用从Osram可获得的UV高压灯SanoluxHRC300-280/E27来进行的。它具有300W的能量消耗并且具有在315nm到400nm(UV_A)范围内13.6瓦的功率、21以及在UV-B(280nm至320nm左右)范围内3.0瓦的功率。实例1.9.1和1.9.2使用一个发光灯"Raluteclong18W/71/2G11"进行。它具有18瓦的功率并消耗且发出在400nm到550nm范围内的光，其能量为4.2瓦。在下表1中，汇编了实例1.1至1.4的起始材料(经预处理的1，1，1，2_四氟乙烷)以及纯化的产物的GC分析的数据和结果。"X"是指检测出了相应的杂质，"N"是指相应的杂质低于检出限。22<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>然后可以从溴化的反应产物和残留的溴中通过已知的方法、特别是通过蒸馏而分离出经处理的1，1，1，2-四氟乙烷。实例1.2:l，l，l，3，3-五氟丙烷的纯化像先前的实例中所描述的通过加入溴和应用一种光源对包含1-氯-3，3，3-三氟丙烯的1，1，1，3，3-五氟丙烷进行处理。溴与l-氯-3，3，3-三氟丙烯之间的摩尔比设定为1.2:1。处理之后，将该反应混合物进行蒸馏以获得纯化的1，1，1，3，3-五氟丙烷。实例1.3:l，l，l，3，3-五氟丁烷的纯化重复实例1.2，但是所处理的是包含QC1F3H作为不饱和的杂质的1，1，1，3，3_五氟丁烷。蒸馏之后获得了纯化的1，1，1，3，3-五氟丁烷。实例1.4:使用BrCl对1，1，1，2_四氟乙烷的纯化重复实例l，使用BrCl作为反应物加入不饱和的杂质中。BrCl与不饱和杂质的总量的摩尔比为大约1.2:1。作为光源，应用了发光灯"Raluteclong歸71/2G11"。通过加压蒸馏获得了纯化的1，1，1，2-四氟乙烷。实例1.5:使用Cl2对1，1，1，2_四氟乙烷的纯化重复实例1，使用Cl2作为反应物加入不饱和的杂质中。Cl2与不饱和杂质的总量的摩尔比为大约1.2:1。作为光源，应用了LXHL-NRR8型号的LED。氯化的杂质可以通过加压蒸馏从l，l，l，2-四氟乙烷中分离出。实例2:在氯的存在下通过l，l，l，-三氟_2，2-二氯乙烷的光化学氧化来制备三氟乙酰氯应用了US-A5，569，782在实例6中所描述的方法的条件。在内部反应器温度为IO(TC下将l，l，l，-三氟_2，2-二氯乙烷与氧气以1:1.2的摩尔比的预加热的混合物作为一种气体与38摩尔％的氯一起计量加入一个400ml的浸没轴式的光分解反应器中，并同时使用发出UV光的LED通过Pyrex⑧玻璃进行辐射。从HooribaJobinYvonGmbH可获得的在280nm处发光的LED15-NJ,或从Laser2000GmbH可得的PSY-UVLED-280是合适的UV光源的实例。将压力维持在使得在该反应器中没有凝结作用发生。然后通过常用的方法、尤其是通过加压蒸馏，将反应混合物分离出来。实例3:通过CF2HC1的光化学氧化制备碳酰氟化物例如，如在W02005/085129中所描述，使用内部体积为580ml的一个浸没轴式反应器。该冷却指是由用010^11@玻璃制成的，该玻璃吸收波长小于约28011111的辐射。代替此处所描述的UV灯，应用了例如在实例2中提到的那些发出UV光的LED。每小时向反应器中进料0.5摩尔的CHF2C1、0.5摩尔的氧气以及约0.12摩尔的氯。该反应产物包括碳酰氟化物、HC1、二氧化碳以及起始材料，它们可以通过加压蒸馏、或更容易地如W02006/045518所描述通过使其穿过一种离子液体而进行分离。权利要求一种用于获得纯化去除了不饱和有机杂质的包含至少两个碳原子的氢氟烷的方法，根据该方法用溴或BrCl、优选溴对含有包括(氯)氟烯烃的有机杂质的氢氟烷进行至少一个纯化处理。2.如权利要求1所述的方法，其中，在引发剂存在下用溴对所述含有烯属杂质的氢氟烷进行处理。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述氢氟烷选自1，1，1，2-四氟乙烷、1，1，1，3，3-五氟丙烷以及1，1，1，3，3-五氟丁烷。4.如权利要求2或3所述的方法，其中，所述引发剂是有机引发剂，优选选自过氧化物和重氮化合物。5.如权利要求2或3所述的方法，其中，所述引发剂是电磁辐射，所述电磁辐射所包括的波长的至少一部分在320nm到540nm的范围内。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述溴与所存在的烯属杂质的总量之间的摩尔比为从1到10。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述溴与所存在的烯属杂质的总量之间的摩尔比小于l。8.如权利要求l所述的方法，其中，所述引发剂是低量值的金属离子，优选选自IIIa、IVa和b、Va和b、VIB和VI11族金属的离子。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用溴的处理在液相中进行。10.如权利要求1所述的方法，其中，所述烯属杂质包括含2、3或4个碳原子的氯氟烯烃。11.一种用于进行气_气、液_液或气_液类型的光化学反应的方法，所述方法包括以下步骤由两种或更多种起始反应物提供反应混合物，通过由LED或OLED释放至少一部分光化辐射来引发或支持所述反应，以及回收反应产物，其中所述起始材料包含有机化合物，并且其中所述反应是以光化学方式支持的氯化、氯溴化或溴化的反应、或者光氧化反应，其中所述光氧化是在不存在光敏剂时、或在氯作为光敏剂存在时进行的。12.如权利要求11所述的方法，其中，所述反应是用来从卤代烷、优选氟代烷中去除不饱和杂质的反应。13.如权利要求11所述的方法，其中，所述反应是由具有化学式R-CHC12的相应的氯氟烃制备具有化学式RC(0)C1的酰氯的反应，其中R是被至少一个氟原子以及任选的一个或多个Cl原子取代的Cl到C3烷基，CHC12基团被氧化为C(0)C1基团。14.一种用于获得纯化去除了不饱和有机杂质的包含至少两个碳原子的氢氟烷的方法，根据该方法用氯和电磁辐射对含有包括(氯)氟烯烃的有机杂质的氢氟烷进行至少一个纯化处理，其中波长小于260nm的部分的能量为所述电磁辐射的总能量的至少90%。15.—种用于进行气-气类型的光化学反应的反应器，包括用于进行所述光化学反应的反应室，还包括一条或多条用于将气态的起始材料输送至所述反应器中的管线、一条或多条用于从所述反应器中排出反应混合物的管线、以及至少一个用来提供电磁辐射以支持所述起始材料之间的反应的LED和/或OLED，并且包括可连接至真空泵的管线，其中所述反应器是耐真空且耐压的。16.如权利要求15所述的反应器，所述反应器被设计为用来进行涉及氯的光化学反应，所述反应器装备有至少一个LED或0LED，其发射包含至少一部分波长在280nm到400nm范围内的光；或者进行涉及BrCl的反应，装备有至少一个LED或0LED，其发射包含至少一部分波长在310nm到520nm范围内的光；或涉及溴，发射包含至少一部分波长在320nm到540nm范围内的光。全文摘要因此本发明在一方面涉及用于获得纯化去除了不饱和的有机杂质的包含至少两个碳原子的一种氢氟烷的方法，根据该方法使含包括(氯)氟烯烃的有机杂质的氢氟烷经受至少一个使用溴或BrCl的纯化处理，优选在一种引发剂的存在下。该方法适合于，例如纯化1，1，1，2-四氟乙烷。另一方面涉及应用LED或OLED来支持气-气、液-液或气-液类型的化学反应，以及一个相应的反应器。文档编号C07C17/395GK101754942SQ200880025344公开日2010年6月23日申请日期2008年7月16日优先权日2007年7月20日发明者克斯廷·艾希霍尔茨,埃克哈德·豪斯曼,埃尔詹·因韦伦,约翰内斯·艾歇尔申请人:苏威氟有限公司