用于电沉积的添加剂的制作方法
【专利摘要】本发明涉及由式（I）表示的一种新化合物。该新化合物用作铜电镀的添加剂。本发明披露了整平剂的化学结构、一种含有同一整平剂的电镀液、一种制备添加剂的方法和一种使用含有所述添加剂的电镀液对基板进行电镀的方法。本发明的添加剂化合物/分子提供了每个端部的分支结构，其中每个分支包括一个带正电荷的氮基。通过将带有正电荷氮基的分支连接到添加剂化合物/分子的主链上，形成所述添加剂化合物/分子。这会产生高电荷密度的新的添加剂化合物/分子。
【专利说明】用于电沉积的添加剂
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及一种新的化合物，特别是，这种新的化合物可作为用于电镀的添加剂。【【背景技术】】
[0002]在电镀期间，在基板的不规则表面上通常存在电压降变化，这会导致在基板上形成不均匀的金属沉积。基板的某些部分会被过度电镀(overplated),而其它部分则未被充分电镀(underplated)。当基板的表面上有一个孔时,这个问题尤其严重。例如，图1显示一个扫描电子显微照片(“SEM”)，其中一个基板上有一个孔20，通过常规的电镀方法在其上电镀有铜22(即将基板浸入不含任何添加剂的电镀液中，对基板进行电镀)。如图1所示，孔20的边缘被过度电镀有铜22，而孔20的内壁则未充分电镀。结果是，孔20的内容量没有充分填充，导致镀有铜22的基板的导电性将受到很大的影响。
[0003]为了在基板表面上形成均匀的金属沉积物，会在电镀液中加入整平剂。虽然传统的整平剂会改良基板表面上电镀的金属沉积质量，但是质量仍不理想。
【
【发明内容】
】
[0004]在上述背景情况下，本发明的一个目的是提供一种新的和替代的添加剂，特别是一种可替代的整平剂，用于铜电镀。
[0005]因此，在一个方面，本发明是由下述通式(I)表示的化合物
【权利要求】
1.一种由式⑴表示的化合物
2.根据权利要求1所述的化合物，其中所述连接基团的所述主链中的碳原子的数量介于I至100之间，所述主链包括至少一个不饱和键。
3.根据权利要求1所述的化合物，其中R1进一步由式(II)表示
4.根据权利要求3所述的化合物，其中所述第一和第二链组的所述主链中的碳原子的所述预定数量介于I至20之间。
5.根据权利要求3所述的化合物，其中所述第一和第二链组的所述主链共同形成C3-C8的环烷基。
6.根据权利要求5所述的化合物，其中Y1和Y2还包括一个氧原子和/或一个硫原子。
7.根据权利要求1所述的化合物，其中X选自以下式(VI)- (IX)
8.一种电镀基板的方法，包括步骤: a)将所述基板接触电镀液，所述电镀液包括由式(I)表示的化合物
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电镀液中所述化合物的浓度介于0.1至1000mg/L 之间。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述电镀液还包括铜离子，所述基板上的所述电镀层是铜，其中所述电镀液中所述铜离子的浓度介于10至80g/L之间。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述电镀液还包括一种有机酸或一种无机酸，所述有机酸或所述无机酸的浓度介于5至200g/L之间。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述电镀液还包括卤素离子，所述卤素离子的浓度介于10至100mg/L之间。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述电镀液还包括以下一种或多种化合物:磺基烷基磺酸或其盐、双磺基有机化合物、和二硫代氨基甲酸衍生物；所述化合物浓度介于0.1至200mg/L之间。
14.根据权利要求8所述的方法，其中所述电镀液还包括以下一种抑制剂:PEG、PPG或其共聚物，所述抑制剂浓度介于10至2000mg/L之间。
15.一种用于电镀的整平剂的制作过程，包括步骤:将胺与由式(XX)表示的含环氧化物的试剂接触
16.根据权利要求15所述的制作过程，还包括步骤:添加一种由式(XXIV)表示的含卤素的试剂
V-Z (XXIV) 其中V表示卤素，Z是氢或C1-C2tl烃，其有不饱和键或羟基。
17.根据权利要求15所述的制作过程，还包括步骤:通过将过氧酸与由式(XXI)表示的第一试剂接触，形成所述含环氧化物的试剂
18.根据权利要求15所述的制作过程，还包括步骤:通过将由式(XXI)表示的第一试剂与由式(XI)表示的第二试剂接触，形成所述含环氧化物的试剂
19.根据权利要求17所述的制作过程，其中所述过氧酸是间氯过氧苯甲酸。
20.根据权利要求18所述的制作过程，其中所述第二试剂是环氧氯丙烷(epichlorohydrin)。
【文档编号】C08G65/00GK103992235SQ201410119878
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年3月27日 优先权日:2014年3月17日
【发明者】罗继业, 孙耀峰, 丘树坚 申请人:香港应用科技研究院有限公司