有机发光组件封装组成物及使用其制备的有机发光组件显示设备的制作方法

本发明是有关一种有机发光组件封装组成物及使用所述组成物制备的有机发光组件显示设备。

背景技术：

有机发光二极管显示器是一种通过电致发光而发射光的发射型显示器，且有机发光二极管显示器包括有机发光二极管。有机发光二极管的发光特性会在与外部水分或氧气接触之后遭受劣化。因此，必需以用于封装的组成物来封装有机发光二极管。有机发光二极管被封装成多层结构，在所述多层结构中，依序地形成无机阻挡层和有机阻挡层。在此，无机阻挡层是通过等离子体沉积而形成，等离子体沉积可能使无机阻挡层被等离子体蚀刻。当有机阻挡层被蚀刻时，有机阻挡层的封装功能会被破坏。因此，有机发光二极管的发光特性和可靠性会遭受劣化。

在韩国专利公开第2011-0071039号中公开了一种现有技术的实例。

技术实现要素：

技术问题

本发明的一个方面提供一种用于封装有机发光二极管的组成物，所述组成物可实现一种具有高等离子体抗性以提高有机发光二极管的可靠性的有机阻挡层。

本发明的另一个方面提供一种用于封装有机发光二极管的组成物，所述组成物可实现一种展现高透光度以及高光固化率的有机阻挡层。

本发明的又一个方面提供一种用于封装有机发光二极管的组成物，所述组成物可通过使用例如是沉积、喷墨印刷等方法来促进形成有机阻挡层。

技术解决方案

根据本发明的一个方面，用于封装有机发光二极管的组成物可包括：10wt％至70wt％的(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯；20wt％至70wt％的(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯；5wt％至40wt％的(C)单(甲基)丙烯酸酯；以及1wt％至10wt％的(D)引发剂，其中(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可由式1表示：

<式1>

(其中R₁、R₂、R₃、R₄、X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆以及n在以下详细描述中所描述)。

根据本发明的另一个方面，有机发光二极管显示器可包括：有机发光二极管；以及形成在有机发光二极管上并且包括无机阻挡层与有机阻挡层的阻挡叠层，其中有机阻挡层可由根据本发明的用于封装有机发光二极管的组成物来形成。

有益效果

本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组成物，其中组成物可实现展现等离子体抗性的有机阻挡层。因此，有机发光二极管展现提升的可靠性。

本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组成物，其中组成物展现高光固化率。因此，有机阻挡层展现提升的透光度。

此外，本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组成物，其中组成物通过使用例如是沉积、喷墨印刷等方法来促进形成有机阻挡层。

附图说明

图1是根据本发明的一个实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。

图2是根据本发明的另一个实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。

具体实施方式

将参考附图详细描述本发明的实施例。应理解，本发明不限于以下实施例并且可以按不同方式实施。在附图中，为清楚起见将省略与描述无关的部分。在本说明书通篇中，相似元件将由相似附图元件符号表示。

如本文所用，术语“(甲基)丙烯酸酯((meth)acryl)”是指丙烯酸酯(acryl)和/或甲基丙烯酸酯(methacryl)。

除非另外说明，否则如本文所用的术语“经取代的”意指官能团中的至少一者氢原子被卤素(例如是F、Cl、Br或I)、羟基、硝基、氰基、亚胺基(＝NH、＝NR，其中R是C₁到C₁₀烷基)、胺基(-NH2、-NH(R′)、-N(R″)(R″′)，其中R′、R″和R″′各自独立地是C₁到C₁₀烷基)、脒基(amidino group)、肼基(hydrazine group)、腙基(hydrazone group)、羧基、C₁到C₂₀烷基、C₆到C₃₀芳基、C₃到C₃₀环烷基、C₃到C₃₀杂芳基或C₂到C₃₀杂环烷基取代。

如本文所用，术语“芳基”是指环式取代基的所有元素具有p轨域且这些p轨域形成共轭的官能团。所述芳基包括单环的、非稠合多环的以及稠合多环的官能团。在此，术语“稠合”意指一对碳原子是由连续的环共有。所述芳基也包括联苯基(biphenyl group)、联三苯基(terphenyl group)、联四苯基(quaterphenyl group)等，其中至少两个芳基通过σ键(sigma bond)而互相连接。所述芳基可指苯基、萘基(naphthyl group)、蒽基(anthracenyl group)、菲基(phenanthrenyl group)、芘基(pyrenyl group)、基(chrysenyl group)等。

如本文所用，术语“杂芳基”是指芳基包含1个至3个选自N、O、S、P与Si所组成的群组中的杂原子且在芳基中的其他原子为碳的官能团。所述杂芳基也包括至少两个杂芳基由σ键直接连接的基团。所述杂芳基也包括至少两个杂芳基互相稠合的基团。如果杂芳基为稠合的，每一个环可包括如上所述的1个至3个杂原子。举例来说，杂芳基可指吡啶基(pyridinyl group)、嘧啶基(pyrimidinyl group)、吡嗪基(pyrazinyl group)、哒嗪基(pyridazinyl group)、三嗪基(triazinyl group)、喹啉基(quinolinyl group)、异喹啉基(isoquinolinyl group)等。

更具体而言，C₆至C₃₀芳基和/或C₃至C₃₀杂芳基可以是经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的菲基(phenanthryl group)、经取代或未经取代的稠四苯基(naphthacenyl group)、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的对联三苯基、经取代或未经取代的间联三苯基、经取代或未经取代的基、经取代或未经取代的联亚三苯基(triphenylenyl group)、经取代或未经取代的亚苯基(phenylenyl group)、经取代或未经取代的茚基(indenyl group)、经取代或未经取代的呋喃基(furanyl group)、经取代或未经取代的噻吩基(thiophenyl group)、经取代或未经取代的吡咯基(pyrrolyl group)、经取代或未经取代的吡唑基(pyrazolyl group)、经取代或未经取代的咪唑基(imidazolyl group)、经取代或未经取代的三唑基(triazolyl group)、经取代或未经取代的恶唑基(oxazolyl group)、经取代或未经取代的噻唑基(thiazolyl group)、经取代或未经取代的恶二唑基(oxadiazolyl group)、经取代或未经取代的噻二唑基(thiadiazolyl group)、经取代或未经取代的吡啶基(pyridyl group)、经取代或未经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的吡嗪基、经取代或未经取代的三嗪基、经取代或未经取代的苯并呋喃基(benzofuranyl group)、经取代或未经取代的苯并苯硫基(benzothiophenyl group)、经取代或未经取代的苯并咪唑基(benzimidazolyl group)、经取代或未经取代的吲哚基(indolyl group)、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的喹唑啉基(quinazolinyl group)、经取代或未经取代的喹恶啉基(quinoxalinyl group)、经取代或未经取代的萘啶基(naphthyridinyl group)、经取代或未经取代的苯并恶嗪基(benzoxazinyl group)、经取代或未经取代的苯并噻嗪基(benzothiazinyl group)、经取代或未经取代的吖啶基(acridinyl group)、经取代或未经取代的啡嗪基(phenazinyl group)、经取代或未经取代的啡噻嗪基(phenothiazinyl group)、经取代或未经取代的啡恶嗪基(phenoxazinyl group)、经取代或未经取代的二苯并呋喃基(dibenzofuranyl group)、经取代或未经取代的二苯并噻吩基(dibenzothiophenyl group)或其组合，但不限于此。

如本文所用，术语“用于封装有机发光二极管的组成物”可缩短为“用于封装的组成物”。

如本文所用，术语“起因于等离子体的有机阻挡层的蚀刻率”以及术语“等离子体蚀刻率”是指在下列步骤之后由方程式2所计算的值：测量有机阻挡层(通过沉积用于封装有机发光二极管的组成物至预定的厚度以及光固化此组成物来形成有机阻挡层)的初始高度(T1，单位：μm)，在感应耦合等离子体(ICP)功率为2500W、射频(RF)功率为300W、直流偏压为200V、Ar流速为50sccm、蚀刻时间为1分钟以及压力为10毫托的条件下进行等离子体处理后，接着测量有机阻挡层的高度(T2，单位：μm)。在此，有机阻挡层的初始高度(T1)的范围可以是1μm至10μm。由方程式2所计算的值可以评估有机阻挡层的等离子体抗性。方程式2的低值意指有机阻挡层的优异的等离子体抗性。

<方程式2>

有机阻挡层的等离子体蚀刻率(％)＝{(T1-T2)/T1}×100

以下，将更加详细描述根据本发明一实施例的用于封装有机发光二极管的组成物。

根据本发明的一实施例，用于封装有机发光二极管的组成物可包括：10wt％至70wt％的(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯；20wt％至70wt％的(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯；5wt％至40wt％的(C)单(甲基)丙烯酸酯；以及1wt％至10wt％的(D)引发剂，其中(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可由式1表示：

<式1>

(其中R₁、R₂、R₃、R₄、X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆以及n在以下详细描述中所描述)。

根据本发明的实施例，用于封装的组成物可包括(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、由式1表示的(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、(C)单(甲基)丙烯酸酯以及(D)引发剂。此外，根据实施例的用于封装的组成物包括如上所述分别在特定量的(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、由式1表示的(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、(C)单(甲基)丙烯酸酯以及(D)引发剂。因此，根据实施例的用于封装的组成物可展现显著提高的光固化率。再者，根据此实施例的用于封装的组成物可实现在光固化后展现优异透光度以及展现显著高等离子体抗性的有机阻挡层。因此，根据此实施例的用于封装的组成物可实现具有低的起因于用以形成无机阻挡层的等离子体的蚀刻速率的有机阻挡层，并且结果可提升有机发光二极管的可靠性。

特定言之，根据实施例的用于封装有机发光二极管的组成物可具有88％以上的光固化率，举例来说，88％至99％。此外，根据实施例的用于封装有机发光二极管的组成物在固化后具有93％以上的透光度(在380nm至700nm的波长下)，举例来说，93.5％至100％。再者，在固化有机阻挡层之后，根据实施例的用于封装的组成物可具有20％以下的等离子体蚀刻率，举例来说，17％以下，举例来说，0.1％至20％。在这些有机阻挡层的光固化率、透光度与等离子体蚀刻率的范围内，根据实施例的用于封装的组成物可显著提升有机发光二极管的可靠性。

在一实施例中，基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，用于封装有机发光二极管的组成物可包括10wt％至50wt％的(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、20wt％至70wt％的(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、5wt％至40wt％的(C)单(甲基)丙烯酸酯以及1wt％至10wt％的(D)引发剂。

如本文所用，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、(C)单(甲基)丙烯酸酯以及(D)引发剂为不同的化合物。

以下，将更加详细描述(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、(C)单(甲基)丙烯酸酯以及(D)引发剂。

(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯

(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯为一种不包括硅(silicon，Si)但具有两个(甲基)丙烯酸酯基的光可固化单体。因此，用于封装的组成物可具有提升的光固化率及在固化后可具有提升的透光度。此外，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯在25℃下具有低黏性，且因此可降低用于封装的组成物的粘性。因此，用于封装的组成物可有助于在有机发光二极管上或在封装有机发光二极管的无机阻挡层上通过使用例如是喷墨印刷等方法来形成有机阻挡层。

(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯为非芳香族(不包含芳香族基团)的非硅基二(甲基)丙烯酸酯，并且可包括含经取代或未经取代的长链亚烷基的非硅基二(甲基)丙烯酸酯。在此情况下，用于封装的组成物有助于在有机发光二极管上或在封装有机发光二极管的无机阻挡层上通过使用例如是沉积等方法来形成有机阻挡层。

特定言之，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯可以是含经取代或未经取代的C₁至C₂₀亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯。更具体而言，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯可包括在(甲基)丙烯酸酯基之间具有未经取代的C₁至C₁₅亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯。在此，亚烷基的碳原子数目是指仅存在亚烷基中的碳原子数目(排除存在于二(甲基)丙烯酸酯基中的碳原子数目)。

在一实施例中，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯可由式2来表示：

<式2>

(在式2中，

R₃及R₄各自独立地是氢或甲基；

R₅为经取代或未经取代的C₁至C₂₀的亚烷基)。

因为根据本发明的用于封装有机发光二极管的组成物包括由式2所表示的(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯，因此组成物可展现较高的光固化率以及由于其低粘性而可以更容易沉积。

举例来说，在式2中的R₅可以是未经取代的C₈至C₁₂亚烷基。更具体而言，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯可包括二(甲基)丙烯酸辛二醇酯(octanediol di(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸壬二醇酯(nonanediol di(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸癸二醇酯(decanediol di(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸十一烷二醇酯(undecanediol di(meth)acrylate)以及二(甲基)丙烯酸十二烷二醇酯(dodecanediol di(meth)acrylate)中的至少一个。

在用于封装的组成物中可单独使用或组合使用(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯。

基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯可以10wt％至70wt％的量存在。举例来说，基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯可以10wt％至50wt％或35wt％至48wt％的量存在。在此范围内，用于封装的组成物可展现提升的光固化率，以及可实现展现高透光度以及低等离子体蚀刻率的有机阻挡层。

(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯

(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯包括至少一个与硅原子连接的经取代或未经取代的C₆至C₃₀芳基或经取代或未经取代的C₂至C₃₀杂芳基。因此，用于封装的组成物可实现具有非常高等离子体抗性以及因此展现低等离子体蚀刻率的有机阻挡层。

(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可由式1所表示：

(在式1中，

R₁与R₂各自独立地是单键、经取代或未经取代的C₁至C₂₀亚烷基、经取代或未经取代的C₁至C₃₀亚烷基醚基、*-N(R′)-(R″)-*(*表示元素的键结位置，R′为氢或经取代或未经取代的C₁至C₃₀烷基，且R″为经取代或未经取代的C₁至C₂₀亚烷基)、经取代或未经取代的C₆至C₃₀亚芳基、经取代或未经取代的C₇至C₃₀亚芳基烷基或*-(R′)-O-**(在此，*表示在式1中O的键结位置，**表示在式1中Si的键结位置以及R′为经取代或未经取代的C₁至C₃₀亚烷基)；

X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆各自独立地是氢、羟基、卤素、氰基、经取代或未经取代的C₁至C₃₀烷基、经取代或未经取代的C₁至C₃₀杂环烷基、经取代或未经取代的C₃至C₃₀环烷基、经取代或未经取代的C₁至C₃₀烷基醚基、*-N(R′)-(R″)-*(*表示元素的键结位置，且R′及R″各自独立地是氢或经取代或未经取代的C₁至C₃₀烷基)、经取代或未经取代的C₁至C₃₀硫化烷基、经取代或未经取代的C₆至C₃₀芳基、经取代或未经取代的C₂至C₃₀杂芳基或经取代或未经取代的C₇至C₃₀芳烷基；

X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆中的至少一个为经取代或未经取代的C₆至C₃₀芳基或经取代或未经取代的C₂至C₃₀杂芳基；

R₃与R₄各自独立地是氢或甲基；以及

n为0至30的整数，或平均在0至30的范围内。

术语“单键”意指Si和O为直接连接(Si-O)。

特定言之，R₁与R₂可各自独立是单键、经取代或未经取代的C₁至C₂₀亚烷基或经取代或未经取代的C₁至C₃₀亚烷基醚基。特定言之X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆可各自独立是氢、经取代或未经取代的C₁至C₃₀烷基、经取代或未经取代的C₃至C₃₀环烷基、经取代或未经取代的C₁至C₃₀烷基醚基、经取代或未经取代的C₆至C₃₀芳基、经取代或未经取代的C₂至C₃₀杂芳基或经取代或未经取代的C₇至C₃₀芳烷基；以及X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆中至少一个可以是经取代或未经取代的C₆至C₃₀芳基。

更具体而言，R₁与R₂可独立是单键或经取代或未经取代的C₁至C₂₀亚烷基。在此情况下，用于封装的组成物可展现更加降低的等离子体蚀刻率。

更具体而言，X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆可各自独立是经取代或未经取代的C₁至C₁₀烷基或经取代或未经取代的C₆至C₁₀芳基；以及X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆中至少一个可以是或未经取代的C₆至C₁₀芳基。更具体而言，X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆可各自独立是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、联苯基或萘基；X₁、X₂、X₃、X₄、X₅及X₆中的一者、二者、三者或六者可以是苯基或萘基。在此情况下，用于封装的组成物可展现更加降低的等离子体蚀刻率。

更具体而言，n为1至5的整数。在此情况下，用于封装的组成物可展现更加降低的等离子体蚀刻率。

更具体而言，(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可由式3至式8中任一个来表示。

<式3>

<式4>

<式5>

<式6>

<式7>

<式8>

可单独使用或组合使用(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯。

基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可以20wt％至70wt％的量存在。举例来说，基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可以25wt％至45wt％的量存在。在此范围内，用于封装的组成物可展现高光固化率。此外，在此范围内，有机阻挡层可展现高透光度以及低等离子体蚀刻率。

基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯以及(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可以50wt％至90wt％的总量存在，特别是60wt％至90wt％。在此范围内，用于封装的组成物可实现展现低等离子体蚀刻率的有机阻挡层。

(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可通过传统方法来制备。举例来说，(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可通过以下步骤来制备：将硅氧烷化合物(其中经取代或未经取代的C₆至C₃₀芳基或经取代或未经取代的C₂至C₃₀杂芳基连接至少一个硅原子)与延伸碳链的化合物(例如，烯丙醇)反应，接着与(甲基)丙烯酰氯反应，但不限于此。或者，(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可通过将硅氧烷化合物(其中经取代或未经取代的C₆至C₃₀芳基或经取代或未经取代的C₂至C₃₀杂芳基连接至少一个硅原子)与(甲基)丙烯酰氯反应来制备，但不限于此。

(C)单(甲基)丙烯酸酯

(C)单(甲基)丙烯酸酯包含在用于封装有机发光二极管的组成物中且可增加用于封装的组成物的光固化率。此外，(C)单(甲基)丙烯酸酯可降低有机阻挡层的等离子体蚀刻率，并同时增加有机阻挡层的透光度。

(C)单(甲基)丙烯酸酯可包括不含硅的非硅基单(甲基)丙烯酸酯。

(C)单(甲基)丙烯酸酯可包括含有芳香族基团的芳香族的单(甲基)丙烯酸酯以及不含有芳香族基团的非芳香族的单(甲基)丙烯酸酯。

可单独使用或组合使用(C)单(甲基)丙烯酸酯。可单独使用或组合使用在(C)单(甲基)丙烯酸酯中的芳香族的单(甲基)丙烯酸酯。可单独使用或组合使用在(C)单(甲基)丙烯酸酯中的非芳香族的单(甲基)丙烯酸酯。

在一实施例中，(C)单(甲基)丙烯酸酯可包括含有芳香族基团的单(甲基)丙烯酸酯。由于含有芳香族基团的单(甲基)丙烯酸酯与如上述的(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯两者都包含芳香族基团，因此当一起使用时，在用于封装有机发光二极管的组成物中，含有芳香族基团的单(甲基)丙烯酸酯以及(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯展现更加提升的相容度。因此，(C)单(甲基)丙烯酸酯与(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可展现更加提升的互溶性。在此情况下，用于封装的组成物对于降低有机阻挡层的等离子体蚀刻率可具有提升的效果。

芳香族的单(甲基)丙烯酸酯可包括经取代或未经取代的含有芳香族基团的单(甲基)丙烯酸酯。在此，术语″芳香族基团″是指包括单环的、稠合等形式的多环芳香族基团，或是指通过σ键相互连接单环的形式。举例来说，芳香族基团可指经取代或未经取代的C₆至C₅₀芳基、经取代或未经取代的C₇至C₅₀芳烷基、经取代或未经取代的C₃至C₅₀杂芳基以及经取代或未经取代的C₃至C₅₀杂芳烷基中的至少一个。更具体而言，芳香族基团可包括苯基、联苯基、联三苯基、联四苯基、萘基、蒽基、菲基、基、联亚三苯基、并四苯基(tetracenyl)、芘基、苯并芘基(benzopyrenyl)、稠五苯基(pentacenyl)、蔻基(coronenyl)、莪基(ovalenyl)、心环烯基(corannulenyl)、苯甲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹恶啉基、吖啶基、喹唑啉基、噌啉基(cinnolinyl)、酞嗪基(phthalazinyl)、噻唑基、苯并噻唑基(benzothiazolyl)、异恶唑基(isoxazolyl)、苯并异恶唑基(benzisoxazolyl)、恶唑基、苯并恶唑基(benzoxazolyl)、吡唑基、吲唑基(indazolyl)、咪唑基、苯并咪唑基(benzimidazolyl)、嘌呤基(purinyl)、噻吩基、苯并噻吩基(benzothiophenyl group)、呋喃基、苯并呋喃基以及异苯并呋喃基中的至少一个。

举例来说，芳香族的单(甲基)丙烯酸酯可由式9来表示：

<式9>

(在式1中，

R₃为氢或甲基；

s为0至10的整数；

R₆为经取代或未经取代的C₆至C₅₀芳基或经取代或未经取代的C₆至C₅₀芳氧基(aryloxy group)。

举例来说，R₆可以是苯基苯氧基乙基(phenylphenoxyethyl)、苯氧基乙基(phenoxyethyl)、苯甲基、苯基、苯基苯氧基(phenylphenoxy)、苯氧基、苯基乙基(phenylethyl)、苯基丙基(phenylpropyl)、苯基丁基(phenylbutyl)、甲基苯基乙基(methylphenylethyl)、丙基苯基乙基(propylphenylethyl)、甲氧苯基乙基(methoxyphenylethyl)、环己基苯基乙基(cyclohexylphenylethyl)、氯苯基乙基(chlorophenylethyl)、溴苯基乙基(bromophenylethyl)、甲基苯基(methylphenyl)、甲基乙基苯基(methylethylphenyl)、甲氧苯基(methoxyphenyl)、丙基苯基(propylphenyl)、环己基苯基(cyclohexylphenyl)、氯苯基(chlorophenyl)、溴苯基(bromophenyl)、苯基苯基(phenylphenyl)、联苯基、联三苯基、联四苯基、蒽基、萘基、联亚三苯基、甲基苯氧基(methylphenoxy)、乙基苯氧基(ethylphenoxy)、甲基乙基苯氧基(methylethylphenoxy)、甲氧苯氧基(methoxyphenyloxy)、丙基苯氧基(propylphenoxy)、环己基苯氧基(cyclohexylphenoxy)、氯苯氧基(chlorophenoxy)、溴苯氧基(bromophenoxy)、联苯氧基(biphenyloxy)、联三苯氧基(terphenyloxy)、联四苯氧基(quaterphenyloxy)、蒽氧基(anthracenyloxy)、萘氧基(naphthalenyloxy)或联亚三苯氧基。

特定言之，芳香族的单(甲基)丙烯酸酯可包括(甲基)丙烯酸-2-苯基苯氧基乙酯(2-phenylphenoxyethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯(phenoxyethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸苯酯(phenyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸苯氧酯(phenoxy(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-乙基苯氧酯(2-ethylphenoxy(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸苄酯(benzyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-苯基乙酯(2-phenylethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-3-苯基丙酯(3-phenylpropyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-4-苯基丁酯(4-phenylbutyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-2-甲基苯基乙酯(2-(2-methylphenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-3-甲基苯基乙酯(2-(3-methylphenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(4-甲基苯基)乙酯(2-(4-methylphenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-4-丙基苯基乙酯(2-(4-propylphenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(4-(1-甲基乙基)苯基)乙酯(2-(4-(1-methylethyl)phenyl)ethyl(meth)acrylate)、甲基丙烯酸-2-(4-甲氧基苯基)乙酯(2-(4-methoxyphenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(4-环己基苯基)乙酯(2-(4-cyclohexylphenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(2-氯苯基)乙酯(2-(2-chlorophenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(3-氯苯基)乙酯(2-(3-chlorophenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(4-氯苯基乙酯)(2-(4-chlorophenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(4-溴苯基)乙酯(2-(4-bromophenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(3-苯基苯基)乙酯(2-(3-phenylphenyl)ethyl(meth)aerylate)、(甲基)丙烯酸-4-(联苯基-2-基氧基)丁酯(4-(biphenyl-2-yloxy)butyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-3-(联苯基-2-基氧基)丁酯(3-(biphenyl-2-yloxy)butyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(联苯基-2-基氧基)丁酯(2-(biphenyl-2-yloxy)butyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(联苯基-2-基氧基)丁酯(1-(biphenyl-2-yloxy)butyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-4-(联苯基-2-基氧基)丙酯(4-(biphenyl-2-yloxy)propyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-3-(联苯基-2-基氧基)丙酯(3-(biphenyl-2-yloxy)propyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(联苯基-2-基氧基)丙酯(2-(biphenyl-2-yloxy)propyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-1-(联苯基-2-基氧基)丙酯(1-(biphenyl-2-yloxy)propyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-4-(联苯基-2-基氧基)乙酯(4-(biphenyl-2-yloxy)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-3-(联苯基-2-基氧基)乙酯(3-(biphenyl-2-yloxy)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(联苯基-2-基氧基)乙酯(2-(biphenyl-2-yloxy)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-1-(联苯基-2-基氧基)乙酯(1-(biphenyl-2-yloxy)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-(4苄基苯基)乙酯(2-(4-benzylphenyl)ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-1-(4苄基苯基)乙酯(1-(4-benzylphenyl)ethyl(meth)acrylate)以及其结构异构物中至少一个，但本发明不限于此。此外，应理解的是，仅通过实例的方式来提供本文所阐述的(甲基)丙烯酸酯，且本发明不限于此。再者，根据本发明的(甲基)丙烯酸酯包括所有对应于结构异构物的丙烯酸酯。举例来说，虽然(甲基)丙烯酸-2-苯基乙酯是以实例的方式来阐述，但(甲基)丙烯酸-3-苯基乙酯以及(甲基)丙烯酸-4-苯基乙酯也全部包括在本发明中。

非芳香族的单(甲基)丙烯酸酯可以是含有经取代或未经取代的C1至C20烷基的单(甲基)丙烯酸酯。特定言之，非芳香族的单(甲基)丙烯酸酯可以是含有未经取代的直链C1至C20烷基的单(甲基)丙烯酸酯，更具体来说可以是含有未经取代的直链C10至C20烷基的单(甲基)丙烯酸酯。举例来说，非芳香族的单(甲基)丙烯酸酯可包括(甲基)丙烯酸癸酯(decyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十一酯(undecyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十二酯(lauryl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十三酯(tridecyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十四酯(tetradecyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十五酯(pentadecyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十六酯(hexadecyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十七酯(heptadecyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十八酯(octadecyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十九酯(nonadecyl(meth)acrylate)以及(甲基)丙烯酸二十酯(arachidyl(meth)acrylate)中至少一个，但不限于此。

基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(C)单(甲基)丙烯酸酯可以5wt％至40wt％的量存在。举例来说，基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(C)单(甲基)丙烯酸酯可以5wt％至30wt％的量存在。在此范围内，用于封装的组成物可展现高光固化率。此外，有机阻挡层可展现高透光度以及低等离子体蚀刻率。

(D)引发剂

(D)引发剂允许通过固化(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯及(C)单(甲基)丙烯酸酯来形成有机阻挡层，以及(D)引发剂可包括任何典型的光聚合引发剂，但不限于这些引发剂。

(D)引发剂可包括三嗪(triazine)、苯乙酮(acetophenone)、二苯甲酮(benzophenone)、噻吨酮(thioxanthone)、安息香(benzoin)、磷以及肟引发剂中至少一个，但不限于此。举例来说，磷引发剂可包括二苯基(2，4，6-三甲基苯甲酰基)氧化膦(diphenyl(2，4，6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide)、苄基(二苯基)氧化膦(benzyl(diphenyl)phosphine oxide)、双(2，6-二甲氧基苯甲酰基)-(2，4，4-三甲基-戊基)氧化膦(bis(2，6-dimethoxybenzoyl)(2，4，4-trimethylpentyl)phosphine oxide)及其混合物。举例来说，在根据本发明的组成物中，在具有长波长的UV光下，磷引发剂可展现较佳的引发性能。

可单独使用或组合使用(D)引发剂。

基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(D)引发剂可以1wt％至10wt％的量存在。在此范围内，用于封装的组成物允许在曝露光照下充分光聚合。此外，可减少在光聚合后所残留的未反应引发剂，因此有机阻挡层可展现更提升的透光度。特定言之，基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(D)引发剂可以2wt％至5wt％的量存在。

可通过混合(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、(C)单(甲基)丙烯酸酯以及(D)引发剂来形成用于封装有机发光二极管的组成物。举例来说，用于封装有机发光二极管的组成物可形成为不含溶剂的无溶剂组成物。举例来说，当用于封装有机发光二极管的组成物为无溶剂组成物时，wt％是基于(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、(C)单(甲基)丙烯酸酯以及(D)引发剂的总重量。

用于封装有机发光二极管的组成物可包括10wt％至50wt％的硅。在此范围内，用于封装的组成物可更加降低有机阻挡层的等离子体蚀刻率。

在25℃±2℃下(23℃至27℃)，用于封装有机发光二极管的组成物可具有0cPs至200cPs的粘度，具体来说100cPs以下，更具体来说5cPs至50cPs、5cPs至40cPs或5cPs至30cPs。在此范围内，用于封装有机发光二极管的组成物可助于形成有机阻挡层。在此范围内，有利于执行形成有机阻挡层的方法(例如是沉积及喷墨印刷)。

用于封装有机发光二极管的组成物为光固化组成物，且可通过以100mW/cm²至500mW/cm²UV照射1秒至100秒来固化，但不限于此。

用于封装有机发光二极管的组成物可用于封装有机发光二极管。特定言之，所述组成物可在无机阻挡层与有机阻挡层依序地形成的封装结构中形成有机阻挡层。举例来说，用于封装的组成物可通过使用例如是沉积及喷墨印刷的方法来形成有机阻挡层，但不限于此。

用于封装有机发光二极管的组成物还可使用于封装设备的部件，尤其是显示器的部件，所述部件会因为周遭环境中的气体或液体(例如电子加工的化学品以及大气中的氧气和/或水分和/或水蒸气)的渗透而遭受品质降低或劣化。举例来说，用于封装的组成物也可使用在设备部件的封装结构中，例如是发光装置、金属感应垫、微盘激光器、电致变色装置、光致变色装置、微机电系统、太阳能电池、积体电路、电荷耦合装置、发光聚合物以及发光二极管，但不限于此。

以下，将详细描述根据本发明另一实施例的用于封装有机发光二极管的组成物。

根据本发明的另一实施例，用于封装有机发光二极管的组成物可包括(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯、(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯、(C)单(甲基)丙烯酸酯、(D)引发剂以及(E)热稳定剂，其中(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯可由式1来表示，且基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，用于封装的组成物可包括：10wt％至70wt％的(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯；20wt％至70wt％的(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯；5wt％至40wt％的(C)单(甲基)丙烯酸酯；以及1wt％至10wt％的(D)引发剂。

根据此实施例的用于封装有机发光二极管的组成物在室温下可抑制粘度变化。根据本发明的此实施例的用于封装的组成物比不包含热稳定剂的用于封装的组成物可展现较高透光度、较高光固化率以及较低等离子体蚀刻率。根据此实施例的用于封装有机发光二极管的组成物与根据上述不包括热稳定剂的实施例的组成物相同。因此，在以下将仅详细说明热稳定剂。

(E)热稳定剂包括在用于封装的组成物中，以在室温下抑制粘度变化，且(E)热稳定剂可包括任何典型的热稳定剂。(E)热稳定剂可以是位阻酚系(sterically hindered phenolic)热稳定剂。

特定言之，(E)热稳定剂可包括季戊四醇四[3-(3，5-二第三丁基-4-羟基苯基)丙酸酯](pentaerythritol tetrakis[3-(3，5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate])、硬脂基-3-(3，5-二第三丁基-4-羟基苯基)丙酸酯(stearyl-3-(3，5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate)、1，3，5-三(2，6-二甲基-3-羟基-4-第三丁基苄基)三聚异氰酸酯(1，3，5-tris(2，6-dimethyl-3-hydroxy-4-t-butylbenzyl)isocyanurate)、1，3，5-三(3，5-二第三丁基-4-羟基苄基)三聚异氰酸酯(1，3，5-tris(3，5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)isocyanurate)、1，3，5-三(2-羟乙基)三聚异氰酸酯(1，3，5-tris(2-hydroxyethyl)isocyanurate)、季戊四醇四[3-(3，5-二第三丁基羟基苯基)丙酸酯](pentaerythritol tetrakis[3-(3，5-di-t-butylhydroxyphenyl)propionate])以及三(4-第三丁基-3-羟基-2，6-二甲基苄基)三聚异氰酸酯(tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2，6-dimethylbenzyl)isocyanurate)中至少一个，但不限于此。

基于(A)、(B)、(C)及(D)的总重量，(E)热稳定剂可以2,000ppm以下的量存在，具体来说0.01ppm至2,000ppm，更具体来说100ppm至800ppm。在此范围内，所述热稳定剂可更加提升用于封装的组成物在液体状态下的储存稳定性及加工性。

根据本发明的有机发光二极管显示器可包括由根据本发明实施例的用于封装有机发光二极管的组成物所形成的有机阻挡层。特定言之，有机发光二极管显示器可包括有机发光二极管以及形成在有机发光二极管上且包括无机阻挡层及有机阻挡层的阻挡叠层，其中有机阻挡层可由根据本发明实施例的用于封装有机发光二极管的组成物来形成。因此，有机发光二极管显示器可展现优异的可靠性。

在根据本发明的有机发光二极管显示器中，可通过使用喷墨印刷或沉积的用于封装有机发光二极管的组成物来形成有机阻挡层。

以下，根据本发明一实施例的有机发光二极管显示器将参照图1来详细描述。图1为根据本发明一实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。

参照图1，根据本发明一实施例的有机发光二极管显示器(100)可包括基底(10)、形成在基底(10)上的有机发光二极管(20)以及形成在有机发光二极管(20)上且包括无机阻挡层(31)及有机阻挡层(32)的阻挡叠层(30)，其中无机阻挡层(31)可与有机发光二极管(20)接触，并且有机阻挡层(32)可由根据本发明实施例的用于封装有机发光二极管的组成物来形成。

基底(10)可以为任何的基底，只要可以在基底上形成有机发光二极管即可。举例来说，基底(10)可以由例如是透明玻璃、塑胶片材以及硅或金属基底等材料形成。

有机发光二极管(20)可以是常用于有机发光二极管显示器中的有机发光二极管，并且虽然在图1中未示出，但是可以包含第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光层。有机发光层可以具有其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层依次堆叠的结构，但不限于此。

阻挡叠层(30)包含有机阻挡层和无机阻挡层。因为有机阻挡层和无机阻挡层各自包括不同组分，因此有机阻挡层和无机阻挡层各自可实现封装有机发光二极管的功能。

无机阻挡层所包含的组分不同于有机阻挡层的组分，且因此可补充有机阻挡层的影响。无机阻挡层可以由展现优异透光度和优异水分和/或氧气阻挡特性的无机材料所形成。举例来说，无机阻挡层可包括选自以下所组成的群组中的至少一个：金属、非金属、介金属化合物或合金、介非金属(inter-nonmetallic)化合物或合金、金属的氧化物或非金属的氧化物、金属的氟化物或非金属的氟化物、金属的氮化物或非金属的氮化物、金属的碳化物或非金属的碳化物、金属的硼化物或非金属的硼化物、金属的硼氧化物或非金属的硼氧化物、金属的硅化物或非金属的硅化物以及其组合。金属或非金属可以包含硅(Si)、铝(Al)、硒(Se)、锌(Zn)、锑(Sb)、铟(In)、锗(Ge)、锡(Sn)、铋(Bi)、过渡金属以及镧系金属，但不限于此。具体来说，无机阻挡层可包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、三氧化二锑(Sb₂O₃)、包含三氧化二铝(Al₂O₃)的氧化铝(AlO_x)、氧化铟(In₂O₃)或氧化锡(SnO₂)。

无机阻挡层可以通过等离子体制程或真空制程来沉积，例如溅镀、化学气相沉积、等离子体增强式化学气相沉积、蒸镀、升华、电子回旋共振-等离子体增强式化学气相沉积或其组合。

交替地沉积有机阻挡层和无机阻挡层，因此确保无机阻挡层的平滑特性，同时防止一个无机阻挡层的缺陷扩散到其它无机阻挡层。

可将根据本发明实施例的用于封装的组成物沉积、喷墨印刷、网版印刷、旋转涂布、刮刀涂布、固化或其组合来形成有机阻挡层。举例来说，可将用于封装的组成物涂布至1μm至50μm的厚度，接着通过在10mW/cm²至500mW/cm²下照射1秒至100秒来固化。

阻挡叠层包含任何数目的有机阻挡层和无机阻挡层。有机阻挡层和无机阻挡层的组合可以随对氧气、水分、水蒸汽和/或化学品的渗透抗性程度而变化。举例来说，有机阻挡层和无机阻挡层的总数目可以是10层以下，例如2层至7层。具体来说，7层的阻挡叠层可按无机阻挡层/有机阻挡层/无机阻挡层/有机阻挡层/无机阻挡层/有机阻挡层/无机阻挡层的顺序来形成。

在阻挡叠层中，有机阻挡层和无机阻挡层可以交替地沉积。这是因为上述组成物由于其特性而对有机阻挡层具有影响。因此，有机阻挡层和无机阻挡层可以补充或强化设备部件的封装。

以下，将参照图2来详细描述根据本发明另一实施例的有机发光二极管显示器。图2为根据本发明另一实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。

参照图2，根据此实施例的有机发光二极管显示器(200)可包括基底(10)、形成在基底(10)上的有机发光二极管(20)以及形成在有机发光二极管(20)上且包括无机阻挡层(31)及有机阻挡层(32)的阻挡叠层(30)，其中无机阻挡层(31)封装容纳有机发光二极管(20)的内部空间(40)，且有机阻挡层(32)可由根据本发明实施例的用于封装有机发光二极管的组成物来形成。除了无机阻挡层不邻接有机发光二极管之外，根据此实施例的有机发光二极管显示器与根据上述实施例的有机发光二极管显示器大致相同。

接着，将参照一些实例来更加详细地说明本发明。应理解的是，这些实例仅是为了说明而提供的，且不以任何方式来理解为限制本发明。

制备实例1

在1000ml具有冷却管和搅拌器的烧瓶中，放入300ml乙酸乙酯、25g 3-苯基-1，1，3，5，5-五甲基三硅氧烷(盖勒斯特公司(Gelest，Inc.))以及43g烯丙醇(大中化工与金属有限公司(Daejung Chemicals and Materials Co.，Ltd.))，接着氮气吹扫30分钟。之后，将72ppm铂/碳黑粉末(奥德里奇股份有限公司(Aldrich GmbH))加入混合物中，接着加热烧瓶至80℃，然后搅拌混合物4小时。通过蒸馏去除残留溶剂。将71.5g所得化合物以及39g三乙胺加入到300ml二氯甲烷中，接着缓慢地加入34.3g丙烯酰氯，同时在0℃下搅拌组成物。通过蒸馏去除残留溶剂，由此得到由式3所表示的单体，所得单体(分子量：522.85g/mol)具有如通过HPLC所测定的97％的纯度。

(1H NMR：δ7.61，m，3H；δ7.12，m，2H；δ6.25，d，2H；δ6.02，dd，2H；δ5.82，t，1H；δ5.59，d，2H；δ3.87，m，4H；δ1.54，m，4H；δ0.58，m，4H；δ0.02，m，15H)

<式3>

制备实例2

除了使用21g 3，3-二苯基-1，1，5，5-四甲基三硅氧烷以取代25g 3-苯基-1，1，3，5，5-五甲基三硅氧烷和使用30.2g甲基丙烯酰氯以取代34.3g丙烯酰氯之外，以与制备实例1中相同的方法来制备由式4所表示的单体(分子量：584.92g/mol)。所得到的单体具有如通过HPLC所测定的96％的纯度。

(1H NMR：δ7.52，m，6H；δ7.42，m，4H；δ6.25，d，2H；δ6.02，dd，2H；δ5.82，t，1H；δ5.59，d，2H；δ3.86，m，4H；δ1.52，m，4H；δ0.58，m，4H；δ0.04，m，12H)

<式4>

制备实例3

除了使用21g 3，3-二苯基-1，1，5，5-四甲基三硅氧烷以取代25g 3-苯基-1，1，3，5，5-五甲基三硅氧烷之外，以与制备实例1中相同的方式制备由式5表示的单体(分子量：646.99g/mol)。所得单体具有如通过HPLC所测定的94％的纯度。

(1HNMR：δ7.61，m，6H；δ7.12，m，4H；δ6.25，d，2H；δ6.02，dd，2H；δ5.82，t，2H；δ3.87，m，4H；δ1.54，m，4H；δ0.58，m，4H；δ0.02，m，12H)

<式5>

实例和比较例中所用的组分详情如下。

(A)非硅基二(甲基)丙烯酸酯：(A1)1，12-二甲基丙烯酸十二烷二醇酯(沙多玛股份有限公司(Sartomer Co.，Ltd.))、(A2)1，10-二甲基丙烯酸癸二醇酯(新中村化学工业股份有限公司(Shin Nakamura Chemical Co.，Ltd.))。

(B)硅基二(甲基)丙烯酸酯：(B1)制备实例1的单体、(B2)制备实例2的单体、(B3)制备实例3的单体。

(C)单(甲基)丙烯酸酯：(C1)HRI-07(大林化工股份有限公司(Daelim Chemical Co.，Ltd.))、(C2)甲基丙烯酸苄酯(benzyl methacrylate)(日本东京化成工业股份有限公司(TCI Co.，Ltd.))、(C3)甲基丙烯酸十二酯(lauryl acrylate)(奥德里奇股份有限公司(Aldrich GmbH))。

(D)引发剂：德牢固(Darocur)TPO(巴斯夫股份有限公司(BASF GmbH))。

(E)热稳定剂：IRGANOX 1010(巴斯夫股份公司(BASF GmbH))。

(F)由式10所表示的单体(X-22-164，信越股份有限公司(Shin-Etsu Co.，Ltd.)，分子量：460.78g/mol)。

<式10>

实例1

在125ml棕色聚丙烯瓶中，放入47.8重量份(A1)、28.7重量份(B1)、19.2重量份(C1)以及4.3重量份(D)，接着通过使用振荡器在室温下混合3小时，进而制备出用于封装的组成物(在25℃下的黏度：21cps)。

实例2至实例13以及比较例1至比较例4

除了将(A)、(B)、(C)、(D)及(E)的量和/或种类改变成如表1(单位：重量份)中所示之外，以与实例1中相同方式来制备用于封装的组成物。

比较例5

除了使用28.7重量份(F)单体以取代28.7重量份制备实例1的(B1)单体之外，以与实例1中相同的方式来制备用于封装的组成物。

关于表1中所列的特性评估在实例和比较例中制备的用于封装的组成物中的每一个。结果表示在表1及表2中。

表1

表2

如表1中所示，根据本发明的用于封装有机发光二极管的组成物可以实现展现高光固化率、高透光度以及低等离子体蚀刻率的有机阻挡层。

反之，如表2中所示，比较例1的用于封装的组成物(所包含的(A)、(B)及(C)的量在根据本发明的范围外)具有高等离子体蚀刻率的问题。此外，比较例2至比较例4的用于封装的组成物(不包含(B)及(C)中任何一个)也具有高等离子体蚀刻率的问题。再者，比较例5的用于封装的组成物(包含不含芳基的硅基二(甲基)丙烯酸酯)也具有高等离子体蚀刻率的问题。

<特性评估>

(1)光固化率：关于在1635cm-1(C＝C)和1720cm-1(C＝O)附近的吸收峰的强度，使用FT-IR(尼高力(NICOLET)4700，热电有限公司(Thermo Co.，Ltd.))对用于封装的组成物进行测量。使用喷雾器将组成物涂布在玻璃基底上，接着通过以100mW/cm²UV照射10秒进行UV固化，由此获得大小为20cm×20cm×3μm(宽度×长度×厚度)的样本。随后，使用FT-IR(尼高力4700，热电有限公司(Thermo Co.，Ltd.))，在1635cm^-1(C＝C)和1720cm^-1(C＝O)附近测量固化膜的吸收峰的强度。通过方程式1计算光固化率：

光固化率(％)＝|1-(A/B)|×100

(其中A是针对固化膜在1635cm^-1附近的吸收峰的强度与在1720cm^-1附近的吸收峰的强度的比率；

B是针对用于封装的组成物在1635cm^-1附近的吸收峰的强度与在1720cm^-1附近的吸收峰的强度的比率)。

(2)透光率：用于封装的组成物在N₂下经历UV固化以形成10μm厚的膜。接着，在膜上使用λ950(珀金埃尔默股份有限公司(Perkin Elmer Co.，Ltd.))测量在550nm的可见光范围中的透光度。

(3)等离子体蚀刻率：将用于封装的组成物涂布至预定厚度并且光固化以形成有机阻挡层，接着测量有机阻挡层的初始涂布高度(T1，1μm至10μm)。使有机阻挡层在ICP功率为2500W、RF功率为300W、直流偏压为200V、Ar流速为50sccm、蚀刻时间为1分钟以及压力为10毫托的条件下经历等离子体处理，接着测量有机阻挡层的高度(T2，单位：μm)。通过方程式2来计算有机阻挡层的等离子体蚀刻率；

<方程式2>

有机阻挡层的等离子体蚀刻率(％)＝{(T1-T2)/T1}×100

应理解，本领域的技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改、变化、更改和等效实施例。