1.一种苉衍生物,其具有至少1个下述通式(1)所表示的结构单元,
式中,A1及A2分别独立地表示单环,
R1、R2、R3、R4、R5及R6分别独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-SiR7R8R9、-NR10R11基、或者具有取代基的或未取代的烃基,
R1、R2、R3、R4、R5及R6中的至少一个不为氢原子,
R7、R8、R9、R10或R11分别独立地表示氢原子或者具有取代基的或未取代的烃基。
2.根据权利要求1所述的苉衍生物,其具有至少1个上述通式(1)所表示的结构单元、以及至少1个选自下述组Y或组Z中的结构单元,
<组Y>
式中,X1及X4表示S、O或NR12,
k表示1~4的整数,
R12表示被取代的或未取代的烃基,
组Y所表示的结构单元中的氢原子也可以被卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-NR13R14基、被取代的或未取代的烃基或者被取代的或未取代的杂环基取代,
R13及R14表示被取代的或未取代的烃基,
<组Z>
式中,X2表示S或NR15,
X3表示S、NR15、CR16R17或SiR16R17,
X5表示S、O或NR15,
R15、R16及R17表示被取代的或未取代的烃基,
组Z所表示的结构单元中的氢原子也可以被卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-NR18R19基、被取代的或未取代的烃基或者被取代的或未取代的杂环基取代,
R18及R19表示被取代的或未取代的烃基。
3.根据权利要求1或2所述的苉衍生物,其具有至少一个下述通式(2)所表示的结构单元,
式中,A1、A2、R1、R2、R3、R4、R5及R6表示与上述式(1)同样的基团,
R1、R2、R3、R4、R5及R6中的至少一个不为氢原子,
Y1及Y2为单键或将1~5个选自下述(Y-1)~(Y-8)中的基团组合连接而成的基团,
Z1表示单键或选自下述(Z-1)~(Z-21)中的基团,
n表示1以上且1000以下的整数,
式中,X1及X4表示S、O或NR12,
k表示1~4的整数,
R12表示被取代的或未取代的烃基,
(Y-1)~(Y-4)及(Y-6)~(Y-8)所表示的基团中的氢原子也可以被卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-NR13R14基、被取代的或未取代的烃基或者被取代的或未取代的杂环基取代,
R13及R14表示被取代的或未取代的烃基,
式中,X2表示S或NR15,
X3表示S、NR15、CR16R17或SiR16R17,
X5表示S、O或NR15,
R15、R16及R17表示被取代的或未取代的烃基,
(Z-1)~(Z-21)所表示的基团中的氢原子也可以被卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-NR18R19基、被取代的或未取代的烃基或者被取代的或未取代的杂环基取代,
R18及R19表示被取代的或未取代的烃基。
4.一种光电转换材料,其含有(A)作为p型有机半导体材料的权利要求1~3中任一项所述的苉衍生物、及(B)n型有机半导体材料。
5.一种光电转换层,其是将权利要求4所述的光电转换材料进行制膜而得到的。
6.一种光电转换元件,其具有权利要求5所述的光电转换层。
7.一种有机薄膜太阳能电池,其具有权利要求6所述的光电转换元件。