在CMP后使用的清洁组合物及其相关方法与流程

半导体晶片通常由其上形成多个晶体管的基板(例如硅晶片)构成。晶体管以化学及物理方式连接至基板中且经由使用熟知的多级共面互连件互连以形成功能电路。典型的多级互连件包括由(例如)以下中的一者或多者组成的堆迭薄膜：钛(Ti)、硝酸钛(TiN)、铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钽(Ta)或其任意组合。用于形成功能多级共面互连件的传统技术涉及经由化学机械抛光(CMP)平坦化互连件的表面。CMP涉及同时化学及机械抛光上覆第一层以暴露非平面第二层的表面，其上形成有第一层(例如参见美国专利4,671,851；4,910,155；4,944,836；6,592,776；7,524,347；及8,518,135)。CMP制程通常涉及含有在酸性或碱性溶液中的磨料粒子(例如二氧化硅或氧化铝)的抛光组合物(亦称作抛光浆液)。在典型CMP制程中，将晶片正面朝下安装于CMP工具中的载体上。使用一定力推动载体及晶片向下移向抛光垫。载体及晶片在CMP工具的抛光台上的旋转抛光垫上方旋转。随后在抛光制程期间将抛光组合物引入旋转晶片与旋转抛光垫之间。尽管常规CMP制程适于抛光，但其往往在晶片表面上留下不期望的污染物。具体而言，经抛光晶片的非金属基板(例如，二氧化硅)通常经抛光组合物的残留部分(例如二氧化硅或氧化铝磨料粒子)以及经抛光组合物及所抛光材料的金属离子污染。所述污染物会对半导体晶片的性能具有不良效应。因此，在将抛光组合物施加至半导体表面后，通常在完成CMP后，自晶片表面利用清洁水溶液洗涤抛光组合物(例如，参见美国专利4,051,057；5,334,332；5,837,662；5,981,454；6,395,693；及6,541,434及美国专利公开2009/0130849)。典型的CMP后清洁组合物在清洁半导体晶片中尚无法完全令人满意。举例而言，获得实现所抛光材料的低腐蚀及良好清洁的清洁溶液已成为挑战。因此，业内仍需要有效地清洁源自抛光组合物、抛光垫及半导体表面的所抛光材料的污染物、同时亦最小化腐蚀的组合物和/或方法。本发明试图提供该半导体清洁组合物。自本文提供的本发明的说明将阐明本发明的这些及其他优点。技术实现要素：在一个方面，本发明提供用于在化学机械抛光后自半导体晶片清洁污染物的组合物。所述组合物包含以下物质、由以下物质组成或基本上由以下物质组成：(a)一种或多种选自以下的大体积保护配体：马来酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、次氨基乙酸(NTA)、羟基乙烷二磷酸(HEDA)、乙二胺四亚甲基磷酸、氨基三(亚甲基磷酸)(ATMP)、羟乙基亚氨基二乙酸(HIDA)、二亚乙基三胺五乙酸(DPTA)、半胱氨酸(Cys)、抗坏血酸(Asc)、氢氧化胆碱及氢氧化季铵，(b)一种或多种有机胺，(c)一种或多种有机抑制剂，及(d)水。有机胺以基于组合物的总重量约0.001wt.％至约5wt.％的量存在，大体积保护配体对有机胺的重量比为约1:1或更高，且组合物具有约9至约13的pH。在另一方面，本发明提供用于在化学机械抛光后自半导体晶片清洁污染物的组合物。组合物包含以下物质、由以下物质组成或基本上由以下物质组成：(a)一种或多种选自以下的大体积保护配体：马来酸、EDTA、NTA、HEDA、乙二胺四亚甲基磷酸、ATMP、HIDA、DPTA、Cys、Asc、氢氧化胆碱及氢氧化季铵，(b)一种或多种有机胺，(c)一种或多种包含螯合还原剂及氧清除剂的双重有机抑制剂，及(d)水。所述组合物具有约9至约13的pH。在另一方面，本发明提供清洁方法。该方法包含以下步骤、由以下步骤组成或基本上由以下步骤组成：(a)提供具有由半导体晶片的化学机械抛光产生的污染物的半导体晶片，及(b)使半导体晶片表面与如本文所述的组合物接触，用于在化学机械抛光后自半导体晶片清洁污染物以自半导体晶片表面移除至少一些污染物。在另一方面，本发明提供清洁方法。该方法包含以下步骤、由以下步骤组成或基本上由以下步骤组成：(a)提供具有由半导体晶片的化学机械抛光产生的污染物的半导体晶片，及(b)使半导体晶片表面与如本文所述的组合物接触，用于在化学机械抛光后自半导体晶片清洁污染物以自半导体晶片表面移除至少一些污染物。在另一方面，本发明提供抛光及清洁半导体晶片表面的方法。该方法包含(a)提供抛光垫、化学机械抛光组合物及半导体晶片；(b)使半导体晶片与抛光垫及抛光组合物接触；(c)使抛光垫相对于半导体晶片表面移动，其间具有抛光组合物，以研磨半导体晶片表面并藉此抛光晶片表面，使得晶片的抛光表面含有来自化学机械抛光组合物的污染物；及(d)使含有污染物的半导体晶片的抛光表面与如本文所述清洁组合物接触，以自半导体晶片的抛光表面移除至少一些污染物。【附图说明】图1为据信图解说明与常规清洁系统相比的根据本发明实施方式的机制的示意图，而不希望受限于任何特定理论。图2为绘制在如实施例1中所述的化学机械抛光后使用五种清洁组合物以清洁基板时清洁程度(y-轴)对腐蚀分级(x-轴)的图。【具体实施方式】本发明的实施方式提供用于在化学机械抛光后自基板(例如半导体晶片)清洁污染物的组合物。具体而言，本发明的清洁组合物可用于移除由现有技术中已知的化学机械抛光(CMP)系统产生的一些或全部污染物。举例而言，抛光组合物及制程的残留部分可产生碎片，其可呈有机化合物形式，例如苯并三唑(BTA)、二氧化硅或其他磨料粒子、表面活性剂、金属离子、抛光垫碎片、CMP副产物(例如，具有有机配体的金属加成物离子)或诸如此类。藉由使用本文公开的清洁组合物减少这些残留部分及其他污染物的量或将其移除。组合物包含以下物质、由以下物质组成或基本上由以下物质组成：(a)一种或多种大体积保护配体，(b)一种或多种有机胺，(c)一种或多种有机抑制剂，及(d)水。大体积保护配体选自马来酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、次氨基乙酸(NTA)、羟基乙烷二磷酸(HEDA)、乙二胺四亚甲基磷酸、氨基三(亚甲基磷酸)(ATMP)、羟乙基亚氨基二乙酸(HIDA)、二亚乙基三胺五乙酸(DPTA)、半胱氨酸(Cys)、抗坏血酸(Asc)、氢氧化胆碱及氢氧化季铵。不希望受限于任何特定理论，保护配体由于其相对体积(通常特征在于由这些配体诱导的空间效应)而通常是巨大的，由于其可自发地解离出金属离子或被其他不稳定配体(例如水分子)置换而通常是不稳定的，且可通过与金属表面上的最具活性位点反应而加以保护。有机胺可用作蚀刻剂以剥离在CMP制程期间形成的CMP副产物及金属氧化物。有机抑制剂用于控制CMP后清洁制程期间的金属氧化。在优选实施方式中，大体积保护配体对有机胺的重量比为约1:1或更高。在一些实施方式中，有机胺的量为约0.01wt.％至约5wt.％。在一些实施方式中，组合物的pH通常为约9至约13。有利地，本发明的清洁组合物有效清洁基板(例如半导体晶片)，同时亦避免、减轻或消除粗糙和/或腐蚀。关于腐蚀性，其可由较快氧化及随后蚀刻剂攻击最具反应性金属位点(例如晶粒边界)的趋势(此导致金属导体的表面上的高粗糙度)引起。适于清洁的基板本发明的清洁组合物对于用于制作集成电路及其他微器件的多种半导体晶片具有适用性。通常，半导体晶片包括绝缘体及导电剂。本发明的清洁组合物可用于清洁含有多种所述绝缘体及导电剂的基板。举例而言，在一些实施方式中，铜可为适宜的导电剂且氧化硅(例如，碳掺杂的)可用作绝缘体。可包括其他层以包括氮化钛、氮化钽或反应性金属(例如钴金属)，以增强铜与(例如)相对于二氧化硅或其他材料具有相对较低介电常数的材料之间的界面。应了解，可藉由任何适宜方法(例如化学气相沉积(CVD))施加所述层。在CMP后，使用本发明的清洁组合物藉由移除原本会干扰并妨碍导电率的污染物而期望地增强导电率。半导体晶片可具有常规节点构形，在一些实施方式中，例如，技术节点为65nm或更小、45nm或更小、32nm或更小等。然而，在一些实施方式中，本发明飞清洁组合物尤其适于先进节点应用(例如，技术节点为28nm或更小、22nm或更小、18nm或更小、16nm或更小、14nm或更小等)。应了解，随着节点技术变得更先进，在CMP后不存在粗糙和/或腐蚀变得更重要，此乃因随着晶片上的特征的相对大小变小，粗糙度及腐蚀的效应对导电率的负性影响增大。由于在与常规清洁组合物相比本发明的清洁组合物代表技术上的显著进步，因此粗糙和/或腐蚀程度降低且可获得具有更佳性能性质的更先进的节点抛光。举例而言，使用本发明的清洁组合物可容许根据本发明实施方式的半导体晶片获得增强的导电率。应了解，粗糙度为表面上的最高点与最低点之间的距离，通常以埃测量。在一些实施方式中，使用本发明的清洁组合物可产生约或更小、例如约或更小、约或更小等的粗糙度。然而，如所述，本发明的清洁组合物并不限于与先进节点晶片一起使用且若需要可用于抛光其他工件。藉由比较，现有的节点晶片可能够耐受更高粗糙度值(例如，)且根据一些实施方式可达成该粗糙度。本发明的清洁组合物可用于清洁包含多种材料的工件，例如半导体晶片，该多种材料的特征在于具有相对于二氧化硅的任意适宜的介电常数。在一些实施方式中，工件的至少一部分可包括相对于二氧化硅可展现相对较低介电常数(例如约3.5或更小(例如，约3或更小、约2.5或更小、约2或更小、约1.5或更小或约1或更小)的低介电常数)的材料。例如，这些材料可包括，如本领域已知的有机聚合物膜或纳米-多孔低-k介电膜(例如，各种BLACKDIAMONDTM产品，自AppliedMaterials公司,SantaClara,CA购得)。可替代地，或此外，工件的至少一部分可包括可具有约1或更大(例如，约1.5或更大、约2或更大、约2.5或更大、约3或更大、或约3.5或更大)的介电常数的材料，例如纳米-多孔膜或有机聚合物膜。因此，工件可含有具有以上述终点中的任两者为界限的介电常数的材料。举例而言，工件可含有具有介于约1与约3.5之间(例如，介于约2与约3之间、介于约2与约3.5之间、介于约2.5与约3之间、介于约2.5与约3.5之间)的介电常数的材料。清洁组合物的pH本发明的清洁组合物的pH通常为至少约9(例如，约9至约13)。在优选实施方式中，清洁组合物的pH为至少约10，例如约10至约13。尽管不希望受限于任何特定理论，但据信期望这些高pH(例如)有利于有机化合物(例如BTA)及金属-有机化合物加成物(例如Cu-BTA加成物)溶解。高pH亦可有益地有利于金属氧化，例如在铜的情形下以形成铜I及铜II的氧化物。亦据信高pH在晶片表面(包括导电剂及绝缘体)及磨料粒子上赋予负电荷，从而引起其彼此排斥。负表面电荷增加晶片表面的亲水性，藉此防止绝缘体表面上的含有有机物(例如，BTA)的副产物再沉淀。在一些实施方式中，最初期望抑制氧化铜I的薄层以保护导电晶片免于在CMP后制程之后进一步更深氧化(例如，树枝状晶体形成、点蚀等)。CMP后制程期间于高pH下的氧化铜I的进一步氧化产生氧化铜II，将其蚀刻掉以更好地清洁。大体积保护配体对有机胺的比率令人惊奇且意外地，已发现，在一些实施方式中，大体积保护配体(例如氢氧化季铵)对有机胺(其可用作较小尺寸化的蚀刻剂)的重量比促进半导体晶片的CMP处理表面的最终粗糙和/或腐蚀的程度降低。尽管不希望受限于任何特定理论，据信大体积保护配体与半导体晶片上的高度反应性位点(例如具有高表面或低晶格能的那些)较有机胺更快反应，这是因为保护配体的较高的平衡浓度。应了解，平衡浓度是指在反应处于化学平衡时产物或反应物的浓度。在一些实施方式中，保护配体的较高浓度是有用的，因为它迫使更多配体与金属表面反应。在一些实施方式中，清洁组合物包含相对于有机胺浓度较高的大体积保护配体以提供更均匀的金属(例如，铜)移除。保护配体的大小及其浓度以及其与金属(例如，铜)离子的络合物的不稳定性可提供金属(例如，铜)移除速率及蚀刻制程的均匀度。据信使用较小剂量的有机胺可用于容许有机胺(其可用作蚀刻剂)在金属表面上的保护配体的大体积分子之间穿过。在一些实施方式中，期望地，大体积保护配体的不稳定特性可以使得配体在系统中再循环及另外是自系统移除(例如，藉由冲洗)方面是有利的。较低量的有机胺亦为有利的，因为已发现其为清洁组合物中的最具腐蚀性成分中之一。因此，大体积保护配体(例如氢氧化季铵)及有机胺以相对于彼此的期望比率提供，以获得高清洁效率亦及低金属(例如，铜)粗糙度和/或腐蚀。在一些实施方式中，大体积保护配体(例如氢氧化季铵)对有机胺的重量比为至少约1:1。举例而言，在一些实施方式中，本发明提供相对高浓度的大体积保护配体及相对低浓度的有机胺。在本发明的一些实施方式中，本发明的清洁组合物并不包括与更大体积保护配体相比更高量的有机胺。因此，在优选实施方式中，大体积保护配体(例如氢氧化季铵)对有机胺的重量比为约1:1至约20:1，例如，约1:1至约15:1、约1:1至约10:1、约1:1至约9:1、约1:1至约8:1、约1:1至约7:1、约1:1至约6:1、约1:1至约5:1、约1:1至约4:1、约1:1至约3.5:1、约1:1至约3:1、约1:1至约2.5:1、约1:1至约2.25:1、约1:1至约2:1、约1:1至约1.75:1、约1:1至约1.5:1、约1:1至约1.25:1、至少约2:1、约2:1至约20:1、约2:1至约15:1、约2:1至约10:1、约2:1至约9:1、约2:1至约8:1、约2:1至约7:1、约2:1至约6:1、约2:1至约5:1、约2:1至约4:1、约2:1至约3.5:1、约2:1至约3:1、约2:1至约2.5:1或约2:1至约2.25:1。大体积保护配体在优选实施方式中，可使用任一适宜大体积保护配体，只要其能够容易与金属离子(例如铜离子)形成络合物即可。适宜实例可包括(例如)马来酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、NTA、HEDA、乙二胺四亚甲基磷酸、ATMP、HIDA、DPTA、半胱氨酸(Cys)、Asc、碳酰肼(CHZ)、氢氧化胆碱和/或氢氧化季铵。在一些实施方式中，任一种或多种适宜氢氧化季铵可单独或与其他大体积保护配体组合使用。举例而言，一些实施方式的氢氧化季铵期望地生成低最终金属表面粗糙度和/或有效地移除污染物，所述污染物包括抛光组合物的残留部分(例如二氧化硅或氧化铝磨料粒子或诸如此类)、抛光组合物及所抛光材料的金属离子、抛光垫碎片、CMP副产物、表面活性剂及其他残余物(例如有机残余物，例如BTA)。在一些实施方式中，氢氧化季铵具有下式I：式I其中R1、R2、R3及R4各自独立地为烷基，其可经取代或未经取代。如贯穿本文所用术语“烷基”意指含有(例如)1至约20个碳原子、1至约10个碳原子、1至约6个碳原子、1至约4个碳原子或1至约2个碳原子的直链或具支链烷基取代基。所述取代基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基及诸如此类。应了解，如贯穿本文所用术语“烷基”可未经取代或可包括在一些实施方式中可经(例如)卤基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、烷氧基、芳基氧基或羟基取代的取代基。在本发明的一些实施方式中，氢氧化季铵包含氢氧化铵、四烷基氢氧化铵、羟基烷基氢氧化铵、三羟基烷基氢氧化铵或其任意组合。在其他实施方式中，氢氧化季铵包含四乙基氢氧化铵(TEAM)、四丁基氢氧化铵(TBAH)、鲸蜡基三甲基氢氧化铵、氢氧化胆碱、三羟乙基甲基氢氧化铵(THEMAH)或其任意组合。在一些实施方式中，THEMAH是合意的，因为它是容易获得的原材料且已发现具有螯合性质。大体积保护配体的来源可呈阳离子形式，例如大体积配体阳离子，例如季铵阳离子(例如THEMA+)，在一些实施方式中，其中阳离子用于与导电剂的最具反应性位点相互作用。阳离子通常留在溶液中。因此，在一些实施方式中，亦可存在反离子(例如氢氧根(-OH))，其可用于升高pH及亲水表面修饰。此外，阳离子可包括诸如-OH基团等官能基，其可相互作用以与(例如)基板上形成的金属氧化物配位。大体积保护配体(例如氢氧化季铵)可以任一适宜量存在。举例而言，大体积保护配体可以有效生成低的最终金属表面粗糙度和/或有效移除污染物(例如磨料粒子、金属离子及如本文中论述的其他残余物)的量存在。在一些实施方式中，大体积保护配体可以约0.01wt.％至约15wt.％、例如约0.2wt.％至约12wt.％、例如约1wt.％至约10wt.％、约2wt.％至约7wt.％或约3wt.％至约5wt.％的量存在。应了解，在优选实施方式中，大体积保护配体(及针对该物质的有机胺)的精确量经调节以与如本文所述氢氧化季铵对有机胺的期望的重量比一致。应了解，本发明的清洁组合物中的一种或多种成分(例如，大体积保护配体(例如氢氧化季铵)、有机胺和/或有机抑制剂)的实际量通常可依照期望稀释或浓缩程度而变。就此而言，在一些实施方式中，清洁组合物可以浓缩物的形式包装，其中可稍后添加水以稀释组合物，例如在使用时(例如，由终端使用者)，或组合物可以已包括水的稀释形式包装。举例而言，在一些实施方式中，每一成分和/或组合物整体的浓缩形式可有利于易于运输、分发及销售。然而，在其他实施方式中，每一成分和/或组合物整体可呈稀释形式以(例如)简化最终使用。因此，针对上文所提及的成分如贯穿本文所述的重量范围可指稀释或浓缩范围。因此，每一成分(例如大体积保护配体，例如氢氧化季铵)可以适于最终使用的稀释形式或以浓缩且随后稀释(例如，2倍、5倍、10倍、25倍、40倍、50倍、60倍、70倍、100倍、125倍、150倍、175倍、200倍等至稀释形式)的形式存在。在利用等体积的水(例如，分别1等体积的水、4等体积的水、9等体积的水、24等体积的水、39等体积的水、49等体积的水、59等体积水、69等体积的水、99等体积的水、124等体积的水、149等体积的水、174等体积的水或199等体积的水)稀释浓缩物时，每一成分将以在针对每一组分下文所述的稀释范围内的量存于清洁组合物中。此外，如本领域技术人员了解的，浓缩物可含有适当分率的水存于最终清洁组合物中，以确保增加生成低最终金属表面粗糙度、腐蚀和/或有效移除污染物(例如磨料粒子、金属离子及如本文中论述的其他残余物)的一种或多种化合物至少部分或完全溶解于浓缩物中。在一些实施方式中，大体积保护配体(例如氢氧化季铵)以浓缩形式以如下量存在：占清洁组合物的重量的至少约3wt.％，例如至少约3.5wt.％、至少约4wt.％、至少约4.5wt.％、至少约5wt.％、至少约5.5wt.％、至少约6wt.％、至少约6.5wt.％、至少约7wt.％、至少约8wt.％、至少约9wt.％、至少约10wt.％、至少约12wt.％、至少约15wt.％、至少约17wt.％或至少约20wt.％(例如，以200×浓缩溶液)。上文所提及的终点中的每一个皆可具有上限，例如，若数值上适当，至多约3.5wt.％、至多约4wt.％、至多约4.5wt.％、至多约5wt.％、至多约5.5wt.％、至多约6wt.％、至多约6.5wt.％、至多约7wt.％、至多约7.5wt.％、至多约8wt.％、至多约8.5wt.％、至多约9wt.％、至多约9.5wt.％、至多约10wt.％、至多约11wt.％、至多约12wt.％、至多约13wt.％、至多约14wt.％、至多约15wt.％或至多约20wt.％。在其他实施方式中，大体积保护配体(例如氢氧化季铵)以稀释形式以如下量存在：约0.01wt.％至约0.2wt.％，例如约0.01wt.％至约0.15wt.％、约0.01wt.％至约0.12wt.％、约0.01wt.％至约0.1wt.％、约0.01wt.％至约0.05wt.％、约0.02wt.％至约0.2wt.％、约0.02wt.％至约0.15wt.％、约0.02wt.％至约0.12wt.％、约0.02wt.％至约0.1wt.％、约0.02wt.％至约0.05wt.％、约0.03wt.％至约0.2wt.％、约0.03wt.％至约0.15wt.％、约0.03wt.％至约0.12wt.％、约0.03wt.％至约0.1wt.％、约0.03wt.％至约0.05wt.％、约0.04wt.％至约0.2wt.％、约0.05wt.％至约0.15wt.％、约0.05wt.％至约0.12wt.％、约0.05wt.％至约0.1wt.％或约0.04wt.％至约0.05wt.％。有机胺可使用任何适宜的有机胺。在一些实施方式中，有机胺由下式II涵盖：其中R1为未经取代或经取代的烷基，且R2及R3各自独立地为H或R-OH，其中R为未经取代或经取代的烷基。在一些实施方式中，有机胺包含烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、链烷醇胺或其任意组合。举例而言，有机胺包含甲胺、乙胺、丙胺、异丙胺、丁胺、二甲胺、二乙胺、二异丙胺、乙基甲胺、丁基甲胺、丙基乙胺三甲胺、三乙胺、乙基二甲胺、三丁胺、单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、3-氨基-1-丙醇、2-二甲基氨基乙醇、三(羟基甲基)氨基甲烷(Tris)或其任意组合。有机胺可以任一适宜量存在。在一些实施方式中，有机胺可以约0.005wt.％至约6wt.％、例如约0.04wt.％至约5wt.％、例如约0.08wt.％至约4wt.％、约0.1wt.％至约3.5wt.％或约0.12wt.％至约3wt.％的量存在。如上所述，在优选实施方式中，有机胺的精确量经调节以与如本文所述氢氧化季铵对有机胺的期望重量比一致。在一些实施方式中，有机胺以浓缩物形式以如下量存在：约0.25wt.％至约6wt.％，例如约0.25wt.％至约5wt.％、约0.25wt.％至约4wt.％、约0.25wt.％至约3.5wt.％、约0.25wt.％至约3wt.％、约0.25wt.％至约2.5wt.％、约0.25wt.％至约2wt.％、约0.5wt.％至约6wt.％、约0.5wt.％至约5wt.％、约0.5wt.％至约4wt.％、约0.5wt.％至约3.5wt.％、约0.5wt.％至约3wt.％、约0.5wt.％至约2.5wt.％、约0.5wt.％至约2wt.％、约1wt.％至约6wt.％、约1wt.％至约5wt.％、约1wt.％至约4wt.％、约1wt.％至约3.5wt.％、约1wt.％至约3wt.％、约1wt.％至约2.5wt.％、约1wt.％至约2wt.％、约2wt.％至约6wt.％、约2wt.％至约5wt.％、约2wt.％至约4wt.％、约2wt.％至约3.5wt.％、约2wt.％至约3wt.％或约2wt.％至约2.5wt.％。在一些实施方式中，有机胺以稀释形式以如下量存在：约0.005wt.％至约0.12wt.％，例如约0.005wt.％至约0.1wt.％、约0.005wt.％至约0.08wt.％、约0.005wt.％至约0.06wt.％、约0.005wt.％至约0.04wt.％、约0.01wt.％至约0.12wt.％，例如约0.01wt.％至约0.1wt.％、约0.01wt.％至约0.08wt.％、约0.01wt.％至约0.06wt.％、约0.01wt.％至约0.04wt.％、约0.02wt.％至约0.12wt.％，例如约0.02wt.％至约0.1wt.％、约0.02wt.％至约0.08wt.％、约0.02wt.％至约0.06wt.％、约0.02wt.％至约0.04wt.％、约0.03wt.％至约0.12wt.％，例如约0.03wt.％至约0.1wt.％、约0.03wt.％至约0.08wt.％、约0.03wt.％至约0.06wt.％或约0.03wt.％至约0.04wt.％。在一些实施方式中，链烷醇胺是优选的，其中最低浓度的单链烷醇胺及二链烷醇胺更优选，且低于或等于13.0mmol/L的浓度特别优选以产生低腐蚀。有机抑制剂可使用任何适宜的有机抑制剂。举例而言，一些实施方式的有机抑制剂期望地改良抗腐蚀性和/或自过渡金属表面清除活性氧。在一些实施方式中，有机抑制剂单独使用或与分别由下式III-V涵盖的抗坏血酸(Asc)、碳酰肼(CHZ)或二乙基羟胺(DEHA)组合使用：替代地或此外，在一些实施方式中，有机抑制剂包含儿茶酚、氢醌(HQn)、氢醌单甲醚(MEHQ)、二甲基乙二肟(DMGO)、甲基乙基酮肟(MEKO)、亚硫酸铵或其任意组合。在一些实施方式中，使用双重抑制剂。在一些实施方式中，双重抑制剂可为有利的，其中一种组分用作金属(例如铜)的螯合还原剂且另一组分用作氧清除剂。在一些实施方式中，该组合是合意的，因为其为浓缩溶液提供较高清洁性能及较长储放寿命。在一些实施方式中，螯合还原剂包含CHZ、Asc、DMGO、二羟基苯甲酸(DHBA)、没食子酸、多酚、单宁酸或其任意组合。举例而言，在一些实施方式中，CHZ与DEHA的组合为合意的，因为其避免或减少在长期储存期间形成副产物。在一些实施方式中，可使用包括螯合还原抑制剂与非螯合活性氧清除剂的组合的任一适宜的双重抑制剂以改良对(例如)铜布线及钴衬垫或诸如此类的抗腐蚀性及移除磨料颗粒及其他残余物的能力。举例而言，双重抑制剂可包括(但不限于)CHZ/DEHA、Asc/DEHA、DMGO/DEHA、CHZ/MEKO、Asc/MEKO、DMGO/DEHA、CHZ/HQn、Asc/HQn、DMGO/HQn、CHZ/亚硫酸铵、Asc/亚硫酸铵、DMGO/亚硫酸铵等。在优选实施方式中，双重抑制剂包含CHZ及DEHA。有机抑制剂可以任一适宜量存在，不管其为单一抑制剂或呈双重抑制剂形式。在一些实施方式中，有机抑制剂可以约0.002wt.％至约10wt.％、例如约0.005至约5wt.％、例如约0.2wt.％至约4wt.％、约1wt.％至约3.5wt.％或约2wt.％至约3wt.％的量存在。举例而言，在一些实施方式中，有机抑制剂在呈稀释形式时的量为约0.002wt.％至约0.2wt.％。另外，在一些实施方式中，有机抑制剂在呈浓缩形式时的量为约0.1wt.％至约10wt.％。为阐释，在具有包含CHZ及DEHA的双重抑制剂的一些实施方式中，CHZ以稀释形式以如下量存在：约0.002wt.％至约0.12wt.％，例如约0.002wt.％至约0.1wt.％、约0.002wt.％至约0.08wt.％、约0.002wt.％至约0.06wt.％、约0.002wt.％至约0.04wt.％、约0.002wt.％至约0.03wt.％、约0.005wt.％至约0.12wt.％、约0.005wt.％至约0.1wt.％、约0.005wt.％至约0.08wt.％、约0.005wt.％至约0.06wt.％、约0.005wt.％至约0.04wt.％、约0.005wt.％至约0.03wt.％、约0.01wt.％至约0.12wt.％、约0.01wt.％至约0.1wt.％、约0.01wt.％至约0.08wt.％、约0.01wt.％至约0.06wt.％、约0.01wt.％至约0.04wt.％或约0.01wt.％至约0.03wt.％。在具有包含CHZ及DEHA的双重抑制剂的一些实施方式中，DEHA以稀释形式以如下量存在：约0.002wt.％至约0.06wt.％，例如约0.002wt.％至约0.04wt.％、约0.002wt.％至约0.03wt.％、约0.002wt.％至约0.02wt.％、约0.002wt.％至约0.01wt.％或约0.002wt.％至约0.005wt.％。可以如针对CHZ与DEHA的组合阐释的相同量包括不管单独或呈双重形式的适宜有机抑制剂的其他实例。水本发明的清洁组合物含有水，其可以任一适宜量存在。举例而言，水可以如下量存于清洁组合物中如用于清洁基板：约99.5wt.％至约99.981wt.％，例如约99.55wt.％至约99.981wt.％、约99.6wt.％至约99.981wt.％、约99.65wt.％至约99.981wt.％、约99.7wt.％至约99.981wt.％、约99.75wt.％至约99.981wt.％、约99.8wt.％至约99.981wt.％、约99.85wt.％至约99.981wt.％、约99.9wt.％至约99.981wt.％、约99.95wt.％至约99.981wt.％、约99.98wt.％至约99.981wt.％、约99.5wt.％至约99.98wt.％、约99.55wt.％至约99.98wt.％、约99.6wt.％至约99.98wt.％、约99.65wt.％至约99.98wt.％、约99.7wt.％至约99.98wt.％、约99.75wt.％至约99.98wt.％、约99.8wt.％至约99.98wt.％、约99.85wt.％至约99.98wt.％、约99.9wt.％至约99.98wt.％、约99.95wt.％至约99.98wt.％、约99.5wt.％至约99.95wt.％、约99.55wt.％至约99.95wt.％、约99.6wt.％至约99.95wt.％、约99.65wt.％至约99.95wt.％、约99.7wt.％至约99.95wt.％、约99.75wt.％至约99.95wt.％、约99.8wt.％至约99.95wt.％、约99.85wt.％至约99.95wt.％、约99.9wt.％至约99.95wt.％、约99.5wt.％至约99.9wt.％、约99.55wt.％至约99.9wt.％、约99.6wt.％至约99.9wt.％、约99.65wt.％至约99.9wt.％、约99.7wt.％至约99.9wt.％、约99.75wt.％至约99.9wt.％、约99.8wt.％至约99.9wt.％、约99.85wt.％至约99.9wt.％、约99.5wt.％至约99.85wt.％、约99.55wt.％至约99.85wt.％、约99.6wt.％至约99.85wt.％、约99.65wt.％至约99.85wt.％、约99.7wt.％至约99.85wt.％、约99.75wt.％至约99.85wt.％、约99.8wt.％至约99.85wt.％、约99.5wt.％至约99.8wt.％、约99.55wt.％至约99.8wt.％、约99.6wt.％至约99.8wt.％、约99.65wt.％至约99.8wt.％、约99.7wt.％至约99.8wt.％、约99.75wt.％至约99.8wt.％、约99.5wt.％至约99.75wt.％、约99.55wt.％至约99.75wt.％、约99.6wt.％至约99.75wt.％、约99.65wt.％至约99.75wt.％、约99.7wt.％至约99.75wt.％、约99.5wt.％至约99.7wt.％、约99.55wt.％至约99.7wt.％、约99.6wt.％至约99.7wt.％、约99.65wt.％至约99.7wt.％、约99.5wt.％至约99.65wt.％、约99.55wt.％至约99.65wt.％、约99.6wt.％至约99.65wt.％、约99.5wt.％至约99.6wt.％、约99.55wt.％至约99.6wt.％或约99.5wt.％至约99.55wt.％，所有皆为基于清洁组合物的总重量。在清洁组合物的浓缩形式中，在本发明的清洁组合物的一些实施方式中，可包括一些量的水，例如该量为约45wt.％至约99wt.％，例如约50wt.％至约95wt.％、约60wt.％至约90wt.％、约70wt.％至约85wt.％或约75wt.％至约80wt.％。其他组分若需要，本发明的清洁组合物可包括润湿剂，例如表面活性剂，例如非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂、基于胺基酸的表面活性剂等。在一些实施方式中，润湿剂可为1,4-丁二醇、丙二醇或异丙醇。润湿剂的具体实例包括TRITONTMBG-10(购自DowChemical公司，Lisle,IL)、Sinopol1110(购自Sino-JapanChemical有限公司，Taiwan,ROC)、Sinonate1100HP(购自Sino-JapanChemical有限公司)、PERLASTANTMC(购自Schill+SeilacherGmbH,Germany)和/或SerdolaminePPG72(购自MSC,Jiangsu,ROC)。可包括所述润湿剂以改良绝缘体表面上的润湿性以及有利于有机残余物溶解。在一些实施方式中，清洁组合物优选实质上不含清洁组合物中先前已知的一些成分，例如抗坏血酸和/或半胱氨酸，其可难以藉由清洁移除和/或在储存期间在(例如)高度碱性溶液中不稳定。在一些实施方式中，清洁组合物任选实质上不含其他成分，例如柠檬酸及草酸。如本文所用，“实质上不含”所述其他成分意指基于组合物的重量，组合物含有0wt.％，或没有这种其他液压(水力，hydraulic)材料或无效量或非实质量的所述其他成分。无效量的实例为低于使用所述成分达到预期目的的阈值量的量，如本领域技术人员了解的。根据成分，基于组合物的重量，非实质量可为(例如)约1wt.％或更小、约0.5wt.％或更小、约0.1wt.％或更小或约0.05wt.％或更小，如本领域技术人员了解的。机制现参照图1。尽管不希望受限于任何特定理论，据信沿水平图示的示意图1-3可图解说明本发明的实施方式的机制。出于比较目的，图1亦提供沿垂直图示的示意图1及4以图解说明据信与常规系统相关的机制。由示意图1绘示的起点将铜图解说明为半导体晶片上的基材金属。金属的晶粒边界(x)、(y)及(z)示意性示于图1中。关于晶粒边界，应了解，金属具有多晶结构，其中每一晶体呈晶粒形式。据信晶体之间的较突出晶粒边界导致较高程度的粗糙度，这是不合意的，因为负面影响导电率。亦可观察到，在CMP制程期间藉由过氧化物氧化形成金属氧化物(在此情形下为氧化铜)。参照据信绘示本发明的实施方式的机制的水平图示，将本发明的清洁组合物施加至晶片，使得大体积保护配体接触表面并据信主要与基板上的最具反应性位点以热动力学方式反应。就此而言，据信由于与晶粒边界相关的粗糙度，晶粒边界(其中结晶度较低)可产生高表面能。在优选实施方式中，大体积保护配体具有合意的反应动力学，其容许该大体积保护配体以等效于或快于蚀刻剂的速率的速率反应。然而，在一些实施方式中，大体积保护配体可以较蚀刻剂慢的速率反应，但在所述实施方式中，为补偿，可包括较高摩尔浓度的大体积保护配体且多于蚀刻剂。根据本发明的实施方式，如示意图2中所见，据信期望大体积保护配体含有将吸引晶粒边界的高表面能的官能基(绘示为“F.G.”)。期望的官能基由亲核性、金属(例如铜)离子亲和力、螯合能力、不稳定性及大小(体积)表征。期望亲核性可由(例如)Swain-Scott方程、Ritchie方程或Mayr-Patz方程表征；金属离子亲和力可由(例如)硬及软(路易士(Lewis))酸及碱(HSAB)理论表征；螯合能力可由(例如)与所关注配体的金属络合物的解离反应的平衡常数表征；且不稳定性可由(例如)如何容易地断开金属-配体键表征。其实例可包括-OH、-OR、RNH-、R2N-、H2NCH2CH2O-、C＝O、羧酸基团、膦酸基团、吗啉衍生物和/或哌嗪衍生物。此配体具有保护性，因为其与导电剂表面上的金属离子(例如铜)相互作用，同时在最具反应性位点(例如晶粒边界，其特征在于低结晶度和/或升高的表面能)处用新M-配体(例如，Cu-配体)键置换M-O(例如，Cu-O)键。保护配体用于防止蚀刻剂对最具反应性位点(例如，晶粒边界、划痕等)的优先攻击，使得有机胺随后可提供改良的均匀蚀刻，例如实质上均匀的蚀刻。示意图3图解说明进行清洁后的金属表面。如示意图3中所见，在导电剂的最具反应性位点由大体积保护配体保护后，将作为小的螯合蚀刻剂(绘示为“A”)的有机胺(例如，MEA)(其优选以相对于保护配体相等或较低的浓度包括)拉至基板以实质上均匀地蚀刻表面。术语“[O]碱性溶液”是指Cu(0)及铜I可在高pH碱性溶液中由分子氧进一步氧化。据信，与半导体晶片的整个表面相比，反应位点的数目通常构成极小区域。作为小的螯合蚀刻剂的有机胺能够接触反应位点之间的导电剂表面或开始使不稳定配体移位，据信此形成有机胺的障壁。据信可藉助以下方式底切氧化铜层：与蚀刻剂的相互作用及胺分子与铜离子的加成物和/或胺及保护配体分子与铜离子的混合配体加成物的溶解，由于均匀表面蚀刻作用，有机胺不优先攻击最具反应性位点(例如晶粒边界及缺陷(例如划痕))。通常，如示意图3中所见，本发明的优选实施方式生成相对较低粗糙度(或更小)。藉由比较，产生示意图4的垂直图示图解说明据信与常规系统相关的机制。应了解，术语各向异性蚀刻是指由于对最具反应性位点的优先攻击的导电剂表面的非均匀蚀刻，其导致远高得多的表面粗糙度及差的清洁性能。一般而言，据信产生于示意图4的机制生成更高粗糙度(例如，)，其可损害晶片性能，尤其在先进节点应用中。清洁方法本发明亦提供清洁方法。清洁方法包含以下步骤、由以下步骤组成或基本上由以下步骤组成：(a)提供具有由半导体晶片的化学机械抛光产生的污染物的半导体晶片，及(b)使半导体晶片表面与清洁组合物接触，以自半导体晶片表面移除至少一些污染物。如本文所述，污染物可包括(例如)磨料粒子、有机残余物、金属离子、垫碎片及CMP副产物或其任意组合。在各个实施方式中，晶片可包括低-k介电材料和/或金属导体。本发明进一步提供抛光及清洁半导体晶片表面的方法。该方法包含以下步骤、由以下步骤组成或基本上由以下步骤组成：(a)提供抛光垫、化学机械抛光组合物及半导体晶片；(b)使半导体晶片与抛光垫及抛光组合物接触；(c)使抛光垫相对于半导体晶片表面移动，其间具有抛光组合物，以研磨半导体晶片表面并藉此抛光晶片表面，使得晶片的抛光表面含有化学机械抛光组合物的污染物；及(d)使含有污染物的半导体晶片的抛光表面与如本文所述清洁组合物接触，以自半导体晶片的抛光表面移除至少一些污染物。通常，化学机械抛光组合物将用于利用抛光垫抛光半导体晶片，使得抛光及清洁半导体晶片的本发明方法进一步包含在抛光垫与半导体晶片之间提供化学机械抛光组合物、使半导体晶片与抛光垫接触(其间具有抛光组合物)及使抛光垫相对于半导体晶片移动(其间具有抛光组合物)以研磨半导体晶片并藉此抛光半导体晶片。本发明并不限于抛光组合物，其可为如现有技术已知的任何适宜的抛光组合物。另外，本发明并不限于抛光期间所用的CMP装置及抛光垫，其可为任何适宜的CMP装置及抛光垫，其中的许多为现有技术已知。通常，化学机械抛光装置包含(a)旋转的平台；(b)布置于平台上的抛光垫；及(c)把持(容纳)欲藉由接触旋转抛光垫而抛光的半导体晶片的载体。在一些实施方式中，该装置进一步包含(d)用于在抛光垫与半导体晶片之间递送化学机械抛光组合物的构件。举例而言，在一些实施方式中，用于递送化学机械抛光组合物的构件可包括(例如)泵及流量计量系统。以下实施例进一步阐释本发明，但当然不应理解为以任何方式限制本发明的范畴。实施例1此实施例阐释根据本发明实施方式制备的清洁组合物在含铜的晶片基板上进行化学机械抛光(“CMP”)后的使用。具体而言，使用以C8902自CabotMicroelectronics(Aurora,IL)购得的抛光组合物使含铜的无图案晶片(blanketwafer)(即，无任何图案)经受平台-2(“P2”)铜抛光，如现有技术中所了解的。在用商业上鉴别为I-PDA33A-3(Kinik公司，SanJose,CA)的产品调节后，使用商业上鉴别为D100/(20WX80P)/WIN(5558)且购自CabotMicroelectronics的抛光垫。随后使用以B7002-1自CabotMicroelectronics购得且具有以下配方的抛光组合物使每一无图案铜晶片经受平台-3(“P3”)障壁抛光(barrierpolishing)：1.0wt.％过氧化氢(H2O2)及250ppm苯并三唑(BTA)。在用商业上鉴别为A82(3M,St.Paul,MN)的产品调节后，使用商业上鉴别为H7000且购自FujiboGroup(Tokyo,Japan)的抛光垫。在MIRRATMCMP装置(AppliedMaterials公司，SantaClara,CA)上利用标准抛光参数实施抛光。利用如表1中所述的不同量的三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵(“THEMAH”)、单乙醇胺(“MEA”)及碳酰肼(“CHZ”)以及去离子水制备五种清洁组合物(命名为组合物1A-1E)。表1组合物THEMAH(wt.％)MEA(wt.％)CHZ(wt.％)1A3.561.51B241.51C541.51D221.51E521.5使用组合物1A-1E中的每一个以清洁所抛光晶片基板。藉助购自AppliedMaterials公司的ONTRAKTMDSS200Integra工具实施清洁。在清洁后，评估晶片基板，且结果示于表2及图2中。具体而言，基于光学激光显微术的观察使用SurfscanSP1DLS晶片检查系统及KLARITYTM缺陷分析模组(二者皆购自KLATencor,Milpitas,CA)测定与每一组合物相关的铜及BLACKDIAMONDTM(“BD-I”)(购自AppliedMaterials公司)上的缺陷的数目。测量缺陷，其中铜的临界值(阈值)为0.25μm且BD-I的为0.225μm。图2基于由表2中的“总缺陷”栏表示的铜及BD-I缺陷的组合总量反映清洁程度。腐蚀测量是主观的，基于实验室过量蚀刻测试(20min)，利用使用1-10的级别的SEM视觉分级，其中1等于最佳(DI水)且10等于最差。粗糙度阐述为算术平均值(Ra)。表2本发明实施方式提供关于铜和/或BD-I缺陷的数目、粗糙度和/或腐蚀分级的益处。优选地，本发明实施方式在上述类别中的至少二者中提供良好的结果。在清洁组合物含有比呈氢氧化季铵(在此实施例中为THEMAH)形式的保护配体的量低的量的有机胺(在此实施例中为MEA)时，观察到最佳结果；然而，在一些实施方式中，相等量的二者可适宜。如表2及图2中可见，组合物1A具有不期望高的腐蚀分级、高总缺陷及高粗糙度值，而组合物1B尽管具有低粗糙度值但不期望地生成高缺陷及高腐蚀分级二者。与组合物1B相比，组合物1C尽管具有相对高腐蚀分级但期望地实现低缺陷及低粗糙度值。尽管组合物1D产生高缺陷计数，但其期望地生成杰出的腐蚀分级及低粗糙度值。组合物1E生成高清洁效率(低铜及BD-I缺陷)以及低粗糙度及低腐蚀。实施例2此实施例阐释在含铜的晶片基板上进行化学机械抛光(“CMP”)后与两种常规市售清洁组合物相比使用根据本发明实施方式制备的清洁组合物的益处。具体而言，使含有铜及呈BD-I形式的低介电有机膜的无图案晶片经受平台-2(“P2”)及平台-3(“P3”)抛光，如实施例1中所述。在MIRRATMCMP装置上利用标准抛光参数实施抛光。下表3阐释所测试清洁组合物的结果。基于光学激光显微术的观察使用SurfscanSP1DLS晶片检查系统及KLARITYTM缺陷分析模组记录与每一组合物相关的铜缺陷及低介电有机膜缺陷(BD-I)的数目。测量缺陷，其中铜的临界值为0.25μm且BD-I的为0.225μm。腐蚀测量是主观的，基于实验室过量蚀刻测试(20min)，利用使用1-10的级别的SEM视觉分级，其中1等于最佳且10等于最差。将表3中的缺陷的数目的数据正规化至针对组合物2A观察的缺陷的数目，设定为100。表3本发明的清洁组合物，组合物1E，根据实施例1制备。比较组合物2A及2B分别以PLANARCLEANTM及ESC-784TM自ATMI(Danbury,CT)购得。如表3中所见，本发明实施方式提供关于铜和/或低-k缺陷的数目、粗糙度和/或腐蚀分级的益处。优选地，本发明实施方式在上述类别中的至少二者中提供良好结果。组合物2A尽管展现低粗糙度值及低腐蚀分级但不期望地生成高铜及低-k缺陷。尽管组合物2B生成低总缺陷，但其不期望地展现高粗糙度值及高腐蚀分级。显示包含高浓度的呈THEMAH形式的大体积保护配体及低浓度的有机胺以及小的螯合蚀刻剂(在此情况下为MEA)的本发明的清洁组合物提供关于所有上述类别的益处。特别地，组合物1E生成低铜及低-k缺陷以及低粗糙度及低腐蚀。实施例3此实施例阐释在含铜的晶片基板上实施CMP后使用根据本发明实施方式制备的具有双重抑制剂的清洁组合物的益处。具体而言，使含铜的无图案晶片经受平台-2(“P2”)及平台-3(“P3”)抛光，如实施例1中所述。在REFLEXIONLKTMCMP装置(AppliedMaterials公司)上利用标准抛光参数实施抛光。下表4阐释根据本发明实施方式制备的清洁组合物，其包括调配物中的一定量的三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵(“THEMAH”)、单乙醇胺(“MEA”)、二乙基羟胺(“DEHA”)及碳酰肼(“CHZ”)。将每一组合物在线稀释50倍。组合物1E根据实施例1制备。表4组合物THEMAH(wt.％)MEA(wt.％)DEHA(wt.％)CHZ(wt.％)1E5201.53A52003B523.003C521.51.53D520.51.5下表5阐释所测试清洁组合物的结果。藉由光学激光显微术使用SurfscanSP1DLS晶片检查系统及KLARITYTM缺陷分析模组测量缺陷，其中铜的临界值为0.25μm且BD-I的为0.225μm。“标准偏差”代表存在的偏离平均值的变化的量；“粒子”栏是指在清洁制程期间未移除的磨料粒子的数目；且“残余物”栏是指在清洁制程期间未移除的有机材料(包括化学品及垫碎片)的量。表5如表5中所见，包含“双重抑制剂”(CHZ及DEHA)的组合物3D展现相对于分别不包含抑制剂、仅包含CHZ及仅包含DEHA的组合物1E-3B显著改良的铜缺陷控制。具体而言，不包含抑制剂的组合物3A展现相当高的铜缺陷。此外，组合物3D显示CMP后清洁后剩余的磨料粒子的数目及有机材料的量皆显著降低。下表6阐释双重抑制剂浓度CHZ/DEHA对铜布线及钴衬垫的抗腐蚀性的正性效应。藉由利用具有汞标准电极的SP300(来自Bio-LogicScienceInstruments,Claix,France)实施的电化学分析测量铜布线及钴衬垫的腐蚀电位(Ecorr)及腐蚀电流密度(Icorr)。表6如表6中所见，结果阐释双重抑制剂对两种金属(钴衬垫及铜线)的化学腐蚀速率的正性效应，使得Icorr与腐蚀速率成正比。因此，有利地，Icorr愈小，则腐蚀愈慢。本文所引用的所有参考文献(包括出版物、专利申请案及专利)皆以引用方式并入本文中，其并入程度如同将每一参考文献个别且特别指示以引用方式并入本文中并且其全文列示于本文中一般。除非本文另外指明或上下文明显矛盾，否则在阐述本发明的上下文(尤其在下文申请专利范围的上下文)中所用的术语“一(a及an)”及“该”及“至少一种”及类似指示物均应解释为涵盖单数与复数二者。除非本文另外指明或上下文明显矛盾，否则紧接着一或多个物项的列表使用的术语“至少一个”(例如，“A及B中的至少一个”)应解释为意指选自所列示物项的一个物项(A或B)或两个或更多个所列示物项的任何组合(A及B)。除非另外指明，否则术语“包含”、“具有”、“包括”及“含有”应理解为开放性术语(即，意指“包括但不限于”)。除非本文另外指明，否则本文所列举的数值范围仅意欲作为个别提及此范围内的每一单独值的速记方法，并且每一单独值如同在本文中个别列举一般并入本说明书中。除非本文另有说明或上下文另外明显矛盾，否则本文所述的所有方法可以任何适宜顺序实施。除非另外声明，否则，本文所提供任何及所有实例或示例性语言(例如，“诸如”)仅意欲用于更好地阐释本发明且并非对本发明范畴加以限制。本说明书中的任何语言均不应解释为指示任何未主张要素对于本发明实践是必不可少的。本文阐述本发明的优选实施方式，包括本发明者已知用于实施本发明的最佳模式。本领域技术人员在阅读上述说明后可明了这些优选实施方式的变化形式。发明者期望本领域技术人员适当采用这些变化形式，且发明者期望本发明可以不同于本文具体阐述的方式实践。因此，本发明包括适用法律所允许的本文随附权利要求书中所述主题的所有修改形式及等效形式。此外，除非本文另有说明或上下文另外明显矛盾，否则在其所有可能的变化形式中，上述元素的任何组合均涵盖于本发明中。当前第1页1 2 3