带正电单层型电子照相感光体、处理盒和图像形成装置的制作方法

本发明涉及带正电单层型电子照相感光体、处理盒和图像形成装置。

背景技术：

电子照相感光体用在电子照相方式的图像形成装置中。一般而言，电子照相感光体具备感光层。感光层可以含有电荷产生剂、电荷输送剂(例如，空穴输送剂或者电子输送剂)和粘结它们的树脂(粘结树脂)。还有，感光层可以含有电荷输送剂和电荷产生剂，并在同一层中具有电荷产生和电荷传输这两种功能。这样的电子照相感光体称为单层型电子照相感光体。

例如，已知一种在电子照相感光体中作为空穴输送剂的三(4-苯乙烯基苯基)胺衍生物(专利文献1)。

〔专利文献〕

专利文献1：日本特开2012-27139号公报

技术实现要素：

然而，即使将专利文献1中记载的三(4-苯乙烯基苯基)胺衍生物用作电子照相感光体中的空穴输送剂，也难以抑制转印记忆的发生。

本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供一种带正电单层型电子照相感光体，其可以对转印记忆的发生进行抑制。还有，提供一种通过具备这样的带正电单层型电子照相感光体来对图像故障的发生进行抑制的处理盒或者图像形成装置。

在具备与像承载体接触而对其施加电压的带电部的图像形成装置中，本发明的带正电单层型电子照相感光体用作所述像承载体。所述带正电单层型电子照相感光体具备导电性基体和感光层。所述感光层至少含有电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂。所述空穴输送剂包含下述通式(I)所示的三芳胺衍生物。

【化1】

所述通式(I)中，R₁和R₂各自独立，表示卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上12以下的芳基。m和n各自独立，表示0以上4以下的整数。在m表示2以上整数的情况下，存在于同一个芳香环中的若干个R₁彼此可以相同也可以不同。在n表示2以上整数的情况下，存在于同一个芳香环中的若干个R₂彼此可以相同也可以不同。

另外，本说明书中的任意取代是指取代基的数量为0，或者1以上。

本发明的处理盒具备上述的带正电单层型电子照相感光体。

本发明的图像形成装置具备：像承载体、带电部、曝光部、显影部和转印部。所述像承载体是上述的带正电单层型电子照相感光体。所述带电部使所述像承载体的表面带电。所述带电部与所述像承载体接触而对所述像承载体施加电流。所述带电部的带电极性是正极性。所述曝光部在所述像承载体的所述表面上形成静电潜像。所述显影部将所述静电潜像显影为调色剂像。所述转印部将所述调色剂像从所述像承载体上转印到被转印体上。

根据本发明的带正电单层型电子照相感光体，能够对转印记忆的发生进行抑制。还有，根据本发明的处理盒或者图像形成装置，通过具备上述的带正电单层型电子照相感光体，能够对转印记忆引起的图像故障(例如，图像重影)的发生进行抑制。

附图说明

图1中(a)、(b)及(c)都是表示第一实施方式所涉及的带正电单层型电子照相感光体的结构的示意性剖视图。

图2是化学式(HT-1)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR图表。

图3是化学式(HT-2)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR图表。

图4是化学式(HT-3)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR图表。

图5是化学式(HT-4)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR图表。

图6是化学式(HT-5)所表示的三芳胺衍生物的¹H-NMR图表。

图7是表示第二实施方式所涉及的图像形成装置的一种结构的概要图。

图8是表示第二实施方式所涉及的图像形成装置的另一种结构的概要图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。本发明不以任何方式被以下的实施方式所限定，在本发明的目的范围内，可以适当变更后再进行实施。另外，对于重复说明的地方，存在适当省略的情况，但并不因此限定发明的要旨。还有，有时在有机化合物名称之后加上“类”来统称有机化合物及其衍生物。

以下，对于卤素原子、碳原子数1以上10以下的烷基、碳原子数1以上9以下的烷基、碳原子数1以上6以下的烷基、碳原子数1以上5以下的烷基、碳原子数1以上3以下的烷基、碳原子数1以上10以下的烷氧基、碳原子数1以上6以下的烷氧基、碳原子数1以上4以下的烷氧基、碳原子数1以上3以下的烷氧基、碳原子数6以上14以下的芳基、碳原子数7以上15以下的芳烷基、碳原子数7以上12以下的芳烷基、碳原子数3以上10以下的环烷基、碳原子数2以上10以下的链烯基、碳原子数2以上6以下的链烯基、碳原子数2以上4以下的链烯基、杂环基、碳原子数2以上4以下的脂肪酰基和碳原子数2以上5以下的烷氧羰基，如果没有特别规定，则分别表示如下含义。

对于卤素原子，例如可以举出：氟原子、氯原子、溴原子或者碘原子。

碳原子数1以上10以下的烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上10以下的烷基，例如可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基或者癸基。

碳原子数1以上9以下的烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上9以下的烷基，例如可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、己基、庚基、辛基或者壬基。

碳原子数1以上6以下的烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上6以下的烷基，例如可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基或者己基。

碳原子数1以上5以下的烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上6以下的烷基，例如可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基或者新戊基。

碳原子数1以上3以下的烷基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上3以下的烷基，例如可以举出：甲基、乙基、正丙基或者异丙基。

碳原子数1以上10以下的烷氧基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上10以下的烷氧基，例如可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基或者癸氧基。

碳原子数1以上6以下的烷氧基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上6以下的烷氧基，例如可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、新戊氧基或者己氧基。

碳原子数1以上4以下的烷氧基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上4以下的烷氧基，例如可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基或者叔丁氧基。

碳原子数1以上3以下的烷氧基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数1以上3以下的烷氧基，例如可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基或者异丙氧基。

例如，碳原子数6以上14以下的芳基是：碳原子数6以上14以下的无取代芳香族单环烃基、碳原子数6以上14以下的无取代芳香族缩合双环烃基或者碳原子数6以上14以下的无取代芳香族缩合三环烃基。对于碳原子数6以上14以下的芳基，例如可以举出：苯基、萘基、蒽基或者菲基。

碳原子数7以上15以下的芳烷基是无取代的。碳原子数7以上15以下的芳烷基是碳原子数6以上14以下的芳基与碳原子数1以上9以下的烷基进行了结合的基。

碳原子数7以上12以下的芳烷基是无取代的。对于碳原子数7以上12以下的芳烷基，例如可以举出：苯基与碳原子数1以上6以下的烷基进行了结合的基；或者萘基与甲基或乙基进行了结合的基。

碳原子数3以上10以下的环烷基是无取代的。对于碳原子数3以上10以下的环烷基，例如可以举出：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基或者环癸基。

碳原子数2以上10以下的链烯基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数2以上10以下的链烯基，例如可以举出：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基或者癸烯基。

碳原子数2以上6以下的链烯基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数2以上6以下的链烯基，例如可以举出：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基或者己烯基。

碳原子数2以上4以下的链烯基是直链状或者支链状的，且是无取代的。对于碳原子数2以上4以下的链烯基，例如可以举出：乙烯基、丙烯基或者丁烯基。

杂环基是无取代的。对于杂环基，例如可以举出：包含1个以上(优选为1个以上3个以下)的杂原子且具有芳香性的5元或6元的单环杂环基；这样的单环彼此进行了稠合的杂环基；或者这样的单环与5元或6元的烃环进行了稠合的杂环基。杂环原子是从氮原子、硫原子和氧原子构成的组中选择的1种以上的原子。对于杂环基的具体例子，可以举出：苯硫基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、异噻唑基、异恶唑基、恶唑基、噻唑基、呋吖基、吡喃基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、吲哚基、1H-吲唑基、异吲哚基、苯并吡喃基、喹啉基、异喹啉基、嘌呤基、喋啶基、三唑基、四唑基、4H-喹嗪基、萘啶基、苯并呋喃基、1，3-苯并间二氧杂环戊烯基、苯并恶唑基、苯并噻唑基或者苯并咪唑基。

碳原子数2以上4以下的脂肪酰基是直链状或者支链状的，且是无取代的。碳原子数2以上4以下的脂肪酰基是碳原子数1以上3以下的烷基与羰基进行了结合的酰基。对于碳原子数2以上4以下的脂肪酰基，例如可以举出：甲基羰基(乙酰基)、乙基羰基(丙酰基)或者丙基羰基。

碳原子数2以上5以下的烷氧羰基是直链状或者支链状的，且是无取代的。碳原子数2以上5以下的烷氧羰基是碳原子数1以上4以下的烷氧基与羰基进行了结合的酯基。对于碳原子数2以上5以下的烷氧羰基，例如可以举出：甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基或者丁氧羰基。

＜第一实施方式：带正电单层型电子照相感光体＞

第一实施方式涉及一种带正电单层型电子照相感光体(以下，有时记载为“感光体”)。以下，参照图1，对第一实施方式所涉及的感光体进行说明。图1是表示第一实施方式所涉及的带正电单层型电子照相感光体的结构的示意性剖视图。例如，图1(a)所示那样，感光体1具备导电性基体2和感光层3。感光层3至少含有：电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂。感光层3含有作为空穴输送剂的通式(I)所示三芳胺衍生物(以下，有时记载为“三芳胺衍生物(I)”)。

第一实施方式所涉及的感光体1可以对转印记忆的发生进行抑制。其理由推测如下。

为了便于理解，首先对转印记忆进行说明。在电子照相方式的图像形成中，例如进行包含以下的1)～5)的工序的图像形成处理。

1)带电工序，使像承载体的表面带电；

2)曝光工序，在像承载体的表面上形成静电潜像；

3)显影工序，将静电潜像显影为调色剂像；

4)转印工序，将所形成的调色剂像从像承载体上转印到记录介质上；以及

5)定影工序，对转印到记录介质上的调色剂像进行加热而使其定影。

但是，在这样的图像形成处理中，由于在使用中使像承载体进行旋转，因此有时会发生由转印工序引起的转印记忆。具体如下。带电工序中，像承载体的表面均匀地带电到一定的正极性电位。接下来，经过曝光工序和显影工序，然后在转印工序中，极性与带电极性相反(负极性)的转印偏压隔着记录介质而施加到像承载体上。由于所施加的转印偏压的影响，有时像承载体表面的非曝光区域(非图像区域)的电位大幅下降，并保持为下降后的状态。受到该电位下降的影响，非曝光区域在下一圈的带电工序中，难以带电到所需的正极性电位。另一方面，由于调色剂附着在曝光区域，因此，即使是施加了转印偏压的状态，转印偏压也不易直接施加到感光体表面上，从而，曝光区域(图像区域)的电位不易下降。因此，曝光区域在下一圈的带电工序中，容易带电到所需的正极性电位。其结果，有时存在如下情况：曝光区域和非曝光区域中，带电电位不同，从而难以使像承载体的表面均匀地带电到一定的正极性电位。将这样的现象，即在感光体中带着上一圈的成像工序中的转印的影响导致非曝光区域的带电能力下降而产生电位差的现象，称为转印记忆。

如上所述，第一实施方式所涉及的感光体1含有作为空穴输送剂的三芳胺衍生物(I)。三芳胺衍生物(I)具有3个苯基丁二烯基。三芳胺衍生物(I)由于具有这样的结构，因此其与粘结树脂的相容性往往比较优异。因此，可以认为作为空穴输送剂的三芳胺衍生物(I)能够均匀地分散在感光层3中。

三芳胺衍生物(I)均匀地分散在感光层3中。因此，感光体1的电子移动性往往较优异。三芳胺衍生物(I)在粘结树脂中具有优异的分散性。电子输送剂也与三芳胺衍生物(I)一起混合在感光层3中。因此，在感光层3中，电子输送剂与粘结树脂的相容性得到提高，从而感光层3的电子传输性能容易得到提高。其结果，即使是转印偏压施加到感光体1中的状态，感光层3中的电子也是迅速移动而不易残留在感光层3中。因此，第一实施方式所涉及的感光体1能够对转印记忆的发生进行抑制。另外，在上述说明中，举了未采用中间转印体的图像形成装置的例子。在采用中间转印体的图像形成装置中也是一样的，第一实施方式所涉及的感光体1能够对转印记忆的发生进行抑制。

接下来，对第一实施方式所涉及的感光体1进行说明。例如，图1(b)所示那样，感光体1具备：导电性基体2、感光层3和中间层4。还有，如图1(c)所示，感光体1具备：导电性基体2、感光层3和保护层5。感光层3直接或者间接地设置在导电性基体2上。例如，可以如图1(a)所示那样在导电性基体2上直接设置感光层3。或者，例如，也可以如图1(b)所示那样在导电性基体2与感光层3之间适当地设置中间层4。还有，可以如图1(a)和图1(b)所示那样使感光层3作为最外层而露出。或者，也可以如图1(c)所示那样在感光层3上适当地设置保护层5。

感光层的厚度只要能够使感光层充分发挥作用即可，不做特别的限定。感光层的厚度优选为5μm以上100μm以下，更优选为10μm以上50μm以下。

以下，对导电性基体和感光层进行说明。还有，对中间层和感光体的制造方法进行说明。

[1.导电性基体]

导电性基体只要能够用作感光体的导电性基体即可，不做特别的限定。对于导电性基体，可以使用至少表面部是由导电性材料构成的导电性基体。例如，对于导电性基体，可以举出：由导电性材料构成的导电性基体或者由导电性材料包覆的导电性基体。对于导电性材料，例如可以举出：铝、铁、铜、锡、铂、银、钒、钼、铬、镉、钛、镍、钯或者铟。对于这些导电性材料，可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。对于两种以上的组合，例如可以举出合金(更具体地来说，铝合金、不锈钢或者黄铜等)。这些导电性材料中，由电荷从感光层到导电性基体的移动性好的方面来看，优选铝或者铝合金作为导电性材料。

导电性基体的形状可以根据所使用的图像形成装置的结构而适当选择。例如，可以使用片状的导电性基体或者鼓状的导电性基体。还有，导电性基体的厚度可以根据导电性基体的形状而适当选择。

[2.感光层]

如上所述，感光层至少含有：电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂。感光层也可以根据需要而再含有添加剂。以下，对电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂进行说明。还有，对添加剂进行说明。

[2-1.电荷产生剂]

电荷产生剂只要是感光体用的电荷产生剂，就不做特别的限定。对于电荷产生剂，例如可以举出：酞菁类颜料、苝颜料、双偶氮颜料、二硫酮吡咯并吡咯(dithioketo-pyrrolopyrrole)颜料、无金属萘酞菁颜料、金属萘酞菁颜料、方酸颜料、三偶氮颜料、靛蓝颜料、甘菊蓝颜料、菁颜料；硒、硒-碲、硒-砷、硫化镉、非晶硅之类无机光导材料的粉末；吡喃盐、蒽嵌蒽醌类颜料、三苯甲烷类颜料、士林类颜料、甲苯胺类颜料、吡唑啉类颜料或者喹吖啶酮类颜料。对于酞菁类颜料，例如可以举出：无金属酞菁(具体来说，X型无金属酞菁(X-H₂Pc)等)或者金属酞菁衍生物。对于金属酞菁衍生物，例如可以举出：氧钛酞菁(TiOPc)；或者二氧化钛之外的物质进行了配位的金属酞菁(具体来说，V型羟基镓酞菁等)。对于氧钛酞菁的晶体形态，例如可以举出：α型氧钛酞菁、β型氧钛酞菁或者Y型氧钛酞菁。对于感光体用的电荷产生剂，在这些电荷产生剂中，优选为酞菁类颜料，更优选为无金属酞菁或者金属酞菁，进一步优选为X型无金属酞菁或者氧钛酞菁。可以单独使用一种电荷产生剂，也可以组合两种以上来使用。

可以单独地在感光体中使用在所需区域具有吸收波长的电荷产生剂，也可以在感光体中组合两种以上的电荷产生剂来使用。例如，在数字光学式图像形成装置(例如，使用半导体激光器之类光源的激光打印机或者传真机)中，优选使用在700nm以上波长区域具有感光度的感光体。因此，例如优选使用酞菁类颜料(具体来说，X型无金属酞菁或者Y型氧钛酞菁等)。对于酞菁类颜料的晶体形状(例如，α型、β型或者Y型)不作特别限定，可以使用各种晶体形状的酞菁类颜料。

对于在使用短波长激光光源的图像形成装置中应用的感光体，优选使用蒽嵌蒽醌类颜料或者苝类颜料作为电荷产生剂。例如，短波长激光的波长是350nm以上550nm以下左右的波长。

在感光层中，相对于粘结树脂100质量份，电荷产生剂的含量优选为0.1质量份以上50质量份以下，更优选为0.5质量份以上30质量份以下。

[2-2.空穴输送剂]

在感光层中作为空穴输送剂的三芳胺衍生物(I)用通式(I)表示。

【化2】

通式(I)中，R₁和R₂各自独立，表示：卤素原子、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上6以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基。m和n各自独立，表示0以上4以下的整数。在m表示2以上整数的情况下，同一个芳香环中存在的若干个R₁彼此可以相同或不同。在n表示2以上整数的情况下，同一个芳香环中存在的若干个R₂彼此可以相同或不同。

如上所述，三芳胺衍生物(I)在感光层中的分散性往往比较优异。因此，三芳胺衍生物(I)往往能够在感光层的成膜时抑制晶化。其结果，在感光体具备感光层的情况下，感光体具有优异的感光度。

通式(I)中，对于R₁和R₂所表示的碳原子数1以上6以下的烷基，优选为碳原子数1以上3以下的烷基，更优选为甲基或者异丙基。碳原子数1以上6以下的烷基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、碳原子数1以上6以下的烷氧基、碳原子数6以上14以下的芳基、碳原子数3以上10以下的环烷基；或者杂环基。对于取代基的数量不做特别的限定，优选为3以下。

通式(I)中，对于R₁和R₂所表示的碳原子数1以上6以下的烷氧基，优选为碳原子数1以上3以下的烷氧基，更优选为甲氧基。碳原子数1以上6以下的烷氧基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、碳原子数1以上6以下的烷氧基、碳原子数6以上14以下的芳基、碳原子数3以上10以下的环烷基；或者杂环基。对于取代基的数量不做特别的限定，优选为3以下。

通式(I)中，R₁和R₂所表示的碳原子数6以上14以下的芳基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、碳原子数1以上6以下的烷基、碳原子数1以上6以下的烷氧基、碳原子数6以上14以下的芳基、碳原子数3以上10以下的环烷基；或者杂环基。对于取代基的数量不做特别的限定，优选为3以下。

通式(I)中，从芳香环(苯环)中具有电子的共振效应的观点来看，优选为：通式(I)中，R₁和R₂各自独立，表示碳原子数1以上3以下的烷基或者甲氧基。

对于R₁和R₂所示取代基的结合位置没有特别限制。例如，相对于苯基丁二烯基的苯环所结合的丁二烯基，R₂所示取代基可以在苯环的邻位(o位)、间位(m位)和对位(p位)的任何一个上进行取代。根据R₂的结合位置，可以破坏三芳胺衍生物(I)的对称结构。还有，相对于苯环所结合的氮原子，R₁所示取代基可以在苯环的邻位或间位上进行取代，优选为在苯环的间位上进行取代。根据R₁的结合位置，可以破坏三芳胺衍生物(I)的对称结构。

m和n各自独立，表示0以上4以下的整数。通式(I)中，从能够确保分子结构稳定的观点来看，优选为：m和n各自独立，表示0或者1。在3个m的和为2以上整数的情况下，不同的芳香环中存在的若干个R₁彼此可以相同或不同。在m表示2以上整数的情况下，同一个芳香环中存在的若干个R₁彼此可以相同或不同。在3个n的和为2以上整数的情况下，不同的芳香环中存在的若干个R₂彼此可以相同或不同。在n表示2以上整数的情况下，同一个芳香环中存在的若干个R₂彼此可以相同或不同。

对于空穴输送剂，可以单独使用一种三芳胺衍生物(I)，也可以与三芳胺衍生物(I)以外的其它空穴输送剂进行组合使用。其它空穴输送剂可以从众所周知的空穴输送剂中适当选择。还有，对于空穴输送剂，可以单独使用三芳胺衍生物(I)中的一种，也可以组合三芳胺衍生物(I)中的两种以上来使用。

感光层中，相对于粘结树脂100质量份，空穴输送剂的含量优选为10质量份以上200质量份以下，更优选为10质量份以上100质量份以下。

用化学式(HT-1)～(HT-7)来表示三芳胺衍生物(I)的具体例子。以下，有时分别记载为三芳胺衍生物(HT-1)～(HT-7)。

【化3】

【化4】

【化5】

【化6】

【化7】

【化8】

【化9】

三芳胺衍生物(HT-1)～(HT-5)的¹H-NMR(质子核磁共振)图表(溶剂：CDCl₃、基准物质：TMS)分别表示在图2～图6中。图2～6中，纵轴表示信号强度，横轴表示化学位移值(ppm)。

例如，能够通过包含以下反应方程式(R-1)、(R-2)和(R-3)所示的反应(以下，有时分别记载为反应(R-1)、反应(R-2)和反应(R-3))的制造方法来制造三芳胺衍生物(I)。

【化10】

【化11】

反应方程式(R-1)、(R-2)和(R-3)中的R₁、R₂、m和n分别与通式(I)中的R₁、R₂、m和n具有相同含义。还有，反应方程式(R-1)、(R-2)和(R-3)中的X是卤素原子。

关于反应(R-1)，在下面进行叙述。反应(R-1)中，使通式(1)所示的化合物(以下，有时记载为苯衍生物(1))与化学式(2)所示的化合物(以下，有时记载为亚磷酸三乙酯(2))进行反应，得到通式(3)所示的化合物(以下，有时记载为膦酸酯衍生物(3))。例如，反应(R-1)可以在催化剂或者碱的存在下于溶剂中进行。还有，所得膦酸酯衍生物(3)可以在萃取后通过提纯来获得。

苯衍生物(1)与亚磷酸三乙酯(2)的反应比例优选为物质的量之比(摩尔比)1∶1～1∶4。相对于苯衍生物(1)的物质的量1摩尔，亚磷酸三乙酯(2)的物质的量为1摩尔以上时，膦酸酯衍生物(3)的收率不易下降。另一方面，相对于苯衍生物(1)的物质的量1摩尔，亚磷酸三乙酯(2)的物质的量为4摩尔以下时，未反应的亚磷酸三乙酯(2)不易残留，膦酸酯衍生物(3)的提纯不会变得困难。

关于反应(R-1)，为了能够使用较简单的制造设备高效地进行所需的反应，反应温度优选为160℃以上200℃以下。基于同样的理由，反应时间优选为2小时以上10小时以下。

接下来，对反应(R-2)进行叙述。反应(R-2)中，使膦酸酯衍生物(3)与通式(4)所示的化合物(以下，有时记载为肉桂醛衍生物(4))进行反应(以下，有时记载为Witting反应)，得到通式(5)所示的化合物(以下，有时记载为二苯基丁二烯衍生物(5))。二苯基丁二烯衍生物(5)可以在萃取后通过提纯来获得。

膦酸酯衍生物(3)和肉桂醛衍生物(4)的反应比例优选为摩尔比1∶1～1∶2.5。相对于膦酸酯衍生物(3)的物质的量1摩尔，肉桂醛衍生物(4)的物质的量为1摩尔以上时，二苯基丁二烯衍生物(5)的收率不会太低。另一方面，相对于膦酸酯衍生物(3)的物质的量1摩尔，肉桂醛衍生物(4)的物质的量为2.5摩尔以下时，未反应的肉桂醛衍生物(4)不易残留，二苯基丁二烯衍生物(5)的提纯不易变得困难。

关于Witting反应，反应温度优选为0℃以上50℃以下，反应时间优选为2小时以上24小时以下。

例如，Wittig反应可以在催化剂的存在下进行。对于催化剂，例如可以举出：钠醇盐(具体来说，甲醇钠或者乙醇钠等)、金属氢化物(具体来说，氢化钠或者氢化钾等)或者金属盐(具体来说，正丁基锂等)。对于这些催化剂，可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。

相对于肉桂醛衍生物(4)的物质的量1摩尔，催化剂的添加量优选为1摩尔以上2摩尔以下。相对于肉桂醛衍生物(4)的物质的量1摩尔，催化剂的物质的量为1摩尔以上时，反应性不易降低。相对于肉桂醛衍生物(4)的物质的量1摩尔，催化剂的物质的量为2摩尔以下时，反应的控制不易变得困难。

例如，Witting反应能够在溶剂中进行。对于溶剂，例如可以举出：醚类(具体地来说，四氢呋喃、二乙醚或者二恶烷等)、卤化烃(具体地来说，二氯甲烷、三氯甲烷或者二氯乙烷等)或者芳香族烃(具体地来说，苯或者甲苯等)。

然后，对反应(R-3)进行叙述。例如，在反应(R-3)中，使二苯基丁二烯衍生物(5)与氨基锂进行反应(偶联反应)，得到三芳胺衍生物(I)。三芳胺衍生物(I)可以在萃取后通过提纯来获得。

二苯基丁二烯衍生物(5)与氨基锂的反应比例优选为摩尔比5∶1～3∶1。相对于氨基锂的物质的量1摩尔，二苯基丁二烯衍生物(5)的物质的量为3摩尔以上时，三芳胺衍生物(I)的收率不易下降。相对于氨基锂的物质的量1摩尔，二苯基丁二烯衍生物(5)的物质的量为5摩尔以下时，未反应的氨基锂不易残留，三芳胺衍生物(I)的提纯不易变得困难。

关于反应(R-3)，反应温度优选为80℃以上140℃以下，反应时间优选为2小时以上10小时以下。

还有，在反应(R-3)中，优选使用钯化合物作为催化剂。通过使用钯化合物作为催化剂，能够有效地降低反应(R-3)中的活化能。其结果，能够进一步提高三芳胺衍生物(I)的收率。

对于钯化合物，例如可以举出：四价钯化合物(具体来说，六氯钯(IV)酸钠四水合物或者六氯钯(IV)酸钾四水合物等)、二价钯化合物(具体来说，氯化钯(II)、溴化钯(II)、乙酸钯(II)、乙酰乙酸钯(II)、二(氰基苯)二氯化钯(II)、二(三苯基胺膦)二氯化钯(II)、四氨合氯化钯(II)或者(1，5-环辛二烯)二氯化钯(II)等)、或者其它钯化合物(具体来说，三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、三(二亚苄基丙酮)二钯三氯甲烷络合物(0)或者四(三苯基胺膦)钯(0)等)。还有，可以单独使用一种钯化合物，也可以组合两种以上来使用。

相对于二苯基丁二烯衍生物(5)的物质的量1摩尔，钯化合物的添加量优选为0.0005摩尔以上20摩尔以下，更优选为0.001摩尔以上1摩尔以下。

钯化合物也可以是含有配体的结构。由此，能够提高反应(R-3)的反应性。作为配体，例如可以举出：三环己基膦、三苯基膦、二苯基甲基膦、三呋喃基膦、三(邻甲苯基)膦、苯基二环己基膦、三(叔丁基)膦、1，1′-联萘-2，2′-双(二苯膦)或者2，2′-双[(二苯膦基)二苯基]醚。可以单独使用一种配体，也可以组合两种以上来使用。相对于二苯基丁二烯衍生物(5)的物质的量1摩尔，配体的添加量优选为0.0005摩尔以上20摩尔以下，更优选为0.001摩尔以上1摩尔以下。

反应(R-3)优选为在碱的存在下进行。由此，反应系统中产生的卤化氢被迅速中和，能够使催化活性得到提高。其结果，能够提高三芳胺衍生物(I)的收率。

碱可以是无机碱，也可以是有机碱。例如，对于有机碱，优选为碱金属醇盐(具体来说，甲醇钠、乙醇钠、甲醇钾、乙醇钾、叔丁醇锂、叔丁醇钠或者叔丁醇钾等)，更优选为叔丁醇钠。还有，对于无机碱，例如可以举出：磷酸三钾或者氟化铯。

在相对于二苯基丁二烯衍生物(5)的物质的量1摩尔而加入钯化合物0.0005摩尔以上20摩尔以下的情况下，碱的添加量优选为1摩尔以上10摩尔以下，更优选为1摩尔以上5摩尔以下。

反应(R-3)能够在溶剂中进行。对于溶剂，例如可以举出：二甲苯(具体来说，邻二甲苯等)、甲苯、四氢呋喃或者二甲基甲酰胺，更优选为二甲苯。

在三芳胺衍生物(I)的制造方法中，除了进行反应(R-1)～(R-3)的工序以外，也可以根据需要而包含其它适当的工序。

[2-3.电子输送剂]

如上所述，感光层含有电子输送剂。感光层含有电子输送剂时，容易传输电子，并抑制转印记忆的发生。

对于电子输送剂，例如可以举出：醌类化合物、腙类化合物、丙二腈类化合物、噻喃类化合物、三硝基噻吨酮类化合物、3，4，5，7-四硝基-9-芴酮类化合物、二硝基蒽类化合物、二硝基吖啶类化合物、四氰乙烯、2，4，8-三硝基噻吨酮、二硝基苯、二硝基蒽、二硝基吖啶、琥珀酸酐、马来酸酐或者二溴马来酸酐。对于醌类化合物，例如可以举出：萘醌类化合物、联苯醌类化合物、蒽醌类化合物、偶氮醌类化合物、硝基蒽醌类化合物或者二硝基蒽醌类化合物。这些电子输送剂中，可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。

对于醌类化合物的具体例子，可以举出通式(ETM-I)～(ETM-III)所示的化合物。

【化12】

【化13】

【化14】

对于腙类化合物的具体例子，可以举出通式(ETM-IV)所示的化合物。

【化15】

通式(ETM-I)～(ETM-IV)中，R₁₁～R₂₂各自独立，表示：氢原子、任意取代的碳原子数1以上10以下的烷基、任意取代的碳原子数2以上10以下的链烯基、任意取代的碳原子数1以上10以下的烷氧基、任意取代的碳原子数7以上15以下的芳烷基、任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基或者任意取代的杂环基。R₂₃表示：卤素原子、氢原子、任意取代的碳原子数1以上10以下的烷基、任意取代的碳原子数2以上10以下的链烯基、任意取代的碳原子数1以上10以下的烷氧基、任意取代的碳原子数7以上15以下的芳烷基、任意取代的碳原子数6以上14以下的芳基或者任意取代的杂环基。

对于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子数1以上10以下的烷基，优选为碳原子数1以上6以下的烷基，更优选为碳原子数1以上5以下的烷基，特别优选为甲基、叔丁基或者叔戊基。烷基可以是直链状烷基、支链状烷基、环状烷基或者组合了这些的烷基。碳原子数1以上10以下的烷基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、羟基、碳原子数1以上4以下的烷氧基；或者氰基。对于取代基的数量不做特别的限定，优选为3以下。

对于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子数2以上10以下的链烯基，优选为碳原子数2以上6以下的链烯基，更优选为碳原子数2以上4以下的链烯基。碳原子数2以上10以下的链烯基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、羟基、碳原子数1以上4以下的烷氧基；或者氰基。对于取代基的数量不做特别的限定，优选为3以下。

对于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子数1以上10以下的烷氧基，优选为碳原子数1以上6以下的烷氧基，更优选为碳原子数1以上4以下的烷氧基。碳原子数1以上10以下的烷氧基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、羟基、碳原子数1以上4以下的烷氧基；或者氰基。对于取代基的数量不做特别的限定，优选为3以下。

对于通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子数7以上15以下的芳烷基，更优选为碳原子数7以上12以下的芳烷基。碳原子数7以上15以下的芳烷基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、羟基、碳原子数1以上4以下的烷基、碳原子数1以上4以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数2以上4以下的脂肪酰基、苯甲酰基、苯氧基、碳原子数2以上5以下的烷氧羰基；或者苯氧羰基。对于取代基的数量不做特别的限定，优选为5以下，更优选为3以下。

通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的碳原子数6以上14以下的芳基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、羟基、碳原子数1以上4以下的烷基、碳原子数1以上4以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数2以上4以下的脂肪酰基、苯甲酰基、苯氧基、碳原子数2以上5以下的烷氧羰基；或者苯氧羰基。

通式(ETM-I)～(ETM-IV)中的R₁₁～R₂₃所表示的杂环基也可以具有取代基。对于这样的取代基，例如可以举出：卤素原子、羟基、碳原子数1以上4以下的烷基、碳原子数1以上4以下的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数2以上4以下的脂肪酰基、苯甲酰基、苯氧基、碳原子数2以上5以下的烷氧羰基；或者苯氧羰基。

对于通式(ETM-IV)中的R₂₃所表示的卤素原子，优选为氯原子。

对于通式(ETM-I)～(ETM-IV)所示的化合物的具体例子，分别可以举出化学式(ETM-1)～(ETM-4)所示的化合物。

【化31】

【化32】

【化33】

【化34】

感光体的感光层中，相对于粘结树脂100质量份，电子输送剂的含量优选为5质量份以上100质量份以下，更优选为10质量份以上80质量份以下。

[2-4.粘结树脂]

对于粘结树脂，例如可以举出：热塑性树脂、热固性树脂或者光固化树脂。对于热塑性树脂，例如可以举出：聚碳酸酯树脂、苯乙烯类树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-顺丁烯二酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸类共聚物、丙烯酸共聚物、聚乙烯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、离聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、醇酸树脂、聚酰胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、聚芳酯树脂、聚砜树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、酮树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚醚树脂或者聚酯树脂。对于热固性树脂，例如可以举出：硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂或者其它交联性热固性树脂。对于光固化树脂，例如可以举出：环氧丙烯酸类树脂或者聚氨酯-丙烯酸类树脂。在这些中，可以单独使用一种，可以将两种以上进行组合使用。

这些树脂中，为了得到加工性、机械性能、光学性能和/或者耐磨损性的均衡性比较优异的感光层，优选聚碳酸酯树脂作为粘结树脂。对于聚碳酸酯树脂，例如可以举出：双酚Z型聚碳酸酯树脂、双酚B型聚碳酸酯树脂、双酚CZ型聚碳酸酯树脂、双酚C型聚碳酸酯树脂或者双酚A型聚碳酸酯树脂。对于聚碳酸酯树脂，更具体地来说，可以举出：具有化学式(Resin-I)所示重复单元的树脂。

【化16】

粘结树脂的粘均分子量优选为40000以上，更优选为40000以上52500以下。粘结树脂的粘均分子量为40000以上时，能够充分提高粘结树脂的耐磨损性，感光层不易磨损。还有，粘结树脂的分子量为52500以下时，粘结树脂在感光层形成时容易溶解到溶剂中，且感光层用涂布液(以下，有时记载为涂布液)的粘度不会过高。其结果，容易形成感光层。

[2-5.添加剂]

第一实施方式所涉及的感光体中，在不对电子照相特性带来不良影响的范围内，感光层3也可以含有各种添加剂。对于添加剂，例如可以举出：劣化抑制剂(具体来说，抗氧化剂、自由基捕获剂、淬灭剂或紫外线吸收剂等)、软化剂、表面改性剂、增量剂、增稠剂、分散稳定剂、蜡、受体、供体、表面活性剂、可塑剂、增感剂或者流平剂。对于抗氧化剂，例如可以举出：受阻酚、受阻胺、对苯二胺、芳基烷烃、对苯二酚、螺苯并二氢吡喃(spirochroman)、螺茚酮(spiroindanone)或它们的衍生物；有机硫化合物或者有机磷化合物。

[3.中间层]

感光体中，中间层(尤其是，底涂层)可以位于导电性基体与感光层之间。例如，中间层含有无机颗粒和用在中间层中的树脂(中间层用树脂)。通过中间层的存在，维持可抑制漏电的发生这种程度的绝缘状态，同时使曝光感光体时产生的电流流动顺利，从而能够抑制电阻的增加。

对于无机颗粒，例如可以举出：金属(具体来说，铝、铁或铜等)、金属氧化物(具体来说，二氧化钛、氧化铝、氧化锆、氧化锡或氧化锌等)的颗粒；或者非金属氧化物(具体来说，二氧化硅等)的颗粒。对于这些无机颗粒，可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。

对于中间层用树脂，只要是能够用来形成中间层的树脂，就不做特别的限定。

在不对电子照相特性带来不良影响的范围内，中间层也可以含有各种添加剂。添加剂与感光层的添加剂相同。

[4.感光体的制造方法]

接下来，参照图1，对第一实施方式所涉及的感光体1的制造方法进行说明。第一实施方式所涉及的感光体1的制造方法可以具有感光层形成工序。感光层形成工序中，将涂布液涂布在导电性基体2上，然后去除所涂布的涂布液中所含的溶剂，从而形成感光层3。涂布液可以只含有：电荷产生剂、三芳胺衍生物(I)、电子输送剂、粘结树脂和溶剂。能够通过将电荷产生剂、三芳胺衍生物(I)、电子输送剂和粘结树脂溶解或者分散在溶剂中，从而制备涂布液。根据需要，也可以在涂布液中加入各种添加剂。

涂布液中含有的溶剂只要能够使涂布液中所含的各成分进行溶解或分散，就不做特别的限定。对于溶剂，例如可以举出：醇类(具体来说，甲醇、乙醇、异丙醇或丁醇等)、脂肪族烃(具体来说，正己烷、辛烷或环己烷等)、芳香族烃(具体来说，苯、甲苯或二甲苯等)、卤化烃(具体来说，二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳或氯苯等)、醚类(具体来说，二甲醚、二乙醚、四氢呋喃、乙二醇二甲醚或二甘醇二甲醚等)、酮类(具体来说，丙酮、甲基乙基酮或环己酮等)、酯类(具体来说，乙酸乙酯或乙酸甲酯等)、二甲基甲醛、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)或者二甲基亚砜。对于这些溶剂，可以单独使用，也可以组合两种以上来使用。这些溶剂中，优选非卤素类溶剂作为涂布液中的溶剂。

通过将各成分混合并分散到溶剂中，从而制备涂布液。对于混合或者分散的操作，例如可以使用：珠磨机、辊磨机、球磨机、磨碎机、油漆振荡器或者超声波分散器。

为了提高各成分的分散性或者所形成的各层的表面平整度，例如涂布液也可以含有表面活性剂或者流平剂。

例如，对于使用涂布液进行涂布的方法，只要是能够在导电性基体2上均匀地涂布上涂布液的方法，就不做特别的限定。对于涂布方法，例如可以举出：浸涂法、喷涂法、旋涂法或者棒涂法。

对于去除涂布液所含的溶剂的方法，只要是可以使涂布液中的溶剂蒸发的方法，就不作特别限制。对于去除方法，例如可以举出：加热、减压或者加热减压的并用。更具体地来说，可以举出：使用高温干燥机或者减压干燥机进行热处理(热风干燥)的方法。例如，对于热处理条件，加热温度优选为40℃以上150℃以下，加热时间优选为3分钟以上120分钟以下。

另外，根据需要，感光体1的制造方法也可以进一步包含形成中间层4的工序和/或形成保护层5的工序。对于形成中间层4的工序和形成保护层5的工序，可以适当地选择众所周知的方法。

第一实施方式所涉及的感光体1在具备带电部(与像承载体接触而对其施加电压)的图像形成装置中，用作像承载体。第一实施方式所涉及的感光体1即使在具备带电部(与像承载体接触而对其施加电压)的图像形成装置中，也能够对转印记忆的发生进行抑制。

上述，参照图1，对第一实施方式所涉及的感光体1进行了说明。根据第一实施方式所涉及的感光体1，能够对转印记忆的发生进行抑制。

＜第二实施方式：图像形成装置＞

第二实施方式涉及一种图像形成装置。以下，参照图7，对第二实施方式所涉及的图像形成装置的一个例子进行说明。图7是表示第二实施方式所涉及的图像形成装置的一种结构的概要图。图像形成装置6具备第一实施方式所涉及的感光体1。感光体1用作像承载体。

第二实施方式所涉及的图像形成装置6具备：相当于感光体的像承载体1、相当于带电装置的带电部27、相当于曝光装置的曝光部28、相当于显影装置的显影部29、转印部。带电部27使像承载体1的表面带正电。带电部27的带电极性是正极性。带电部27与像承载体1接触而对像承载体1施加电压。像承载体1的表面带电后，曝光部28对该表面进行曝光而在像承载体1的表面上形成静电潜像。显影部29将静电潜像显影为调色剂像。在像承载体1与被转印体(中间转印带20)接触时，转印部将调色剂像从像承载体1上转印到中间转印带20上。在图像形成装置6采用中间转印方式的情况下，转印部相当于一次转印辊33和二次转印辊21。像承载体是第一实施方式所涉及的感光体1。

第二实施方式所涉及的图像形成装置6具备作为像承载体的第一实施方式所涉及的感光体1。因此，第二实施方式所涉及的图像形成装置6能够对转印记忆引起的图像故障(例如，图像重影)的发生进行抑制。其理由推测如下。

首先，为了便于理解，对转印记忆引起的图像故障进行说明。如上述那样发生转印记忆后，在像承载体1的表面上，下一圈的带电工序中不能达到所需电位的区域与下一圈的带电工序中能达到所需电位的区域相比，电位往往较低。具体来说，像承载体1的表面上，上一圈的非曝光区域与上一圈的曝光区域相比，电位往往较低。因此，上一圈的非曝光区域与上一圈的曝光区域相比，电位容易下降，导致容易吸引带正电的调色剂。其结果，容易形成反映出上一圈的非图像部(非曝光区域)的图像。这样的图像故障，即形成反映出上一圈的非图像部的图像，就是转印记忆引起的图像故障。

如上所述，第一实施方式所涉及的感光体1往往可以对转印记忆的发生进行抑制。因此，可以认为：第二实施方式所涉及的图像形成装置6由于具备作为像承载体的第一实施方式所涉及的感光体1，从而能够对转印记忆引起的图像故障进行抑制。

图像形成装置6只要是电子照相方式的图像形成装置，就不做特别的限定。例如，图像形成装置6可以是单色图像形成装置，也可以是彩色图像形成装置。为了实现由不同颜色的调色剂形成各种颜色的调色剂像，图像形成装置6也可以是串联方式的彩色图像形成装置。

以下，以串联方式的彩色图像形成装置为例，对图像形成装置6进行说明。图像形成装置6具备：在规定方向上并排设置的若干个感光体1和若干个显影部29。若干个显影部29的每一个都配置成与感光体1相对。若干个显影部29的每一个都具备显影辊。显影辊对调色剂进行承载并输送，将调色剂供给到对应的像承载体1的表面上。

如图7所示，图像形成装置6还具有箱形的机器壳体7。在机器壳体7内，设置有供纸部8、图像形成部9和定影部10。供纸部8对纸张P进行供给。图像形成部9对供纸部8供给来的纸张P进行输送，并将基于图像数据的调色剂像转印到纸张P上。定影部10使在图像形成部9中转印到纸张P上的未定影调色剂像定影在纸张P上。还有，在机器壳体7的顶面，设置有排纸部11。排纸部11将在定影部10中定影处理过的纸张P排出。

在供纸部8中，具备：供纸盒12、第一搓纸辊13、供纸辊14、供纸辊15、供纸辊16和配准辊对17。供纸盒12设置成相对于机器壳体7可拆装。在供纸盒12中，存储有各种尺寸的纸张P。第一搓纸辊13设置在供纸盒12的左上方位置。第一搓纸辊13将供纸盒12中存储的纸张P一张一张地取出。供纸辊14、供纸辊15和供纸辊16对第一搓纸辊13取出的纸张P进行输送。配准辊对17使供纸辊14、供纸辊15和供纸辊16输送来的纸张P暂时等待后，在规定的时间将纸张P送向图像形成部9。

还有，供纸部8进一步具备手动送纸托盘(未图示)和第二搓纸辊18。手动送纸托盘安装在机器壳体7的左侧面。第二搓纸辊18将手动送纸托盘中放置的纸张P取出。第二搓纸辊18取出的纸张P由供纸辊14、供纸辊15和供纸辊16进行输送，并被配准辊对17在规定的时间送向图像形成部9。

在图像形成部9中，具备图像形成单元19、中间转印带20和二次转印辊21。在中间转印带20中，调色剂像由图像形成单元19一次转印到中间转印带20的表面(与一次转印辊33接触的面)上。另外，一次转印的调色剂像是基于计算机之类上位装置传送来的图像数据而形成的。二次转印辊21将中间转印带20上的调色剂像二次转印到从供纸盒12送来的纸张P上。

在图像形成单元19中，以黄色调色剂供给用单元25为基准，从中间转印带20的旋转方向的上游侧(图7中的右侧)向下游侧，依次设置有：黄色调色剂供给用单元25、品红色调色剂供给用单元24、青色调色剂供给用单元23和黑色调色剂供给用单元22。在单元22、23、24和25的各中央位置，设置有感光体1。感光体1设置成可沿箭头(顺时针)方向旋转。另外，单元22、23、24和25也可以是后面叙述的处理盒，处理盒相对于图像形成装置6主体可拆装。

还有，在各像承载体1的周围，以带电部27为基准从各像承载体1的旋转方向的上游侧开始依次配置有：带电部27、曝光部28、显影部29。

在像承载体1的旋转方向上，也可以在带电部27的上游侧设置除电器(未图示)和清洗装置(未图示)。除电器在调色剂像到中间转印带20的一次转印结束之后，对像承载体1的周面(表面)进行除电。由清洗装置和除电器进行了清扫和除电的像承载体1的周面被送向带电部27，进行新的带电处理。

另外，第二实施方式所涉及的图像形成装置6可以具备相当于清洗装置的清洁部和/或相当于除电器的除电部。在第二实施方式所涉及的图像形成装置6具备清洁部和除电部的情况下，从各像承载体1的旋转方向的上游侧开始，以带电部27为基准，依次配置有：带电部27、曝光部28、显影部29、转印部、清洁部、除电部。

如上所述，带电部27使像承载体1的表面带电。具体来说，带电部27使像承载体1的周面均匀带电。带电部27与像承载体1接触而对像承载体1施加电压。带电部27也称为接触方式的带电部。对于这样的接触方式的带电部27，例如可以举出带电辊或者带电刷，优选为带电辊。通过使用接触方式的带电部27，能够抑制带电部27产生的活性气体(例如，臭氧或者氮氧化物)的排出。其结果，可以抑制由活性气体引起的感光层3的劣化，并能够实现办公环境的人性化设计。

在带电部27具备接触方式的带电辊的情况下，带电辊在与像承载体1接触的状态下，使像承载体1的周面带电。对于这样的带电辊，例如可以举出：在与像承载体1接触的状态下从属于像承载体1的旋转而进行旋转的带电辊。还有，对于带电辊，例如可以举出：至少表面部是由树脂构成的带电辊。具体来说，带电辊具备：被支撑为可绕轴旋转的芯棒、在芯棒上形成的树脂层、对芯棒施加电压的电压施加部。具备这种带电辊的带电部27能够通过电压施加部对芯棒施加电压，使隔着树脂层接触的感光体1的表面带电。

构成带电辊的树脂层的树脂只要能够使像承载体1的周面很好地带电，就不做特别的限定。对于构成树脂层的树脂的具体例子，可以举出：硅酮树脂、聚氨基甲酸酯树脂或者硅酮改性树脂。在树脂层中，也可以含有无机填充材料。

对于带电部27所施加的电压的种类不作特别限制，关于带电部27所施加的电压，例如可以举出：直流电压、交流电压或者在交流电流上重叠了直流电流的重叠电压。与带电部施加交流电压的情况或者带电部施加在直流电压上重叠了交流电压的重叠电压的情况相比，只施加直流电压的带电部27具有以下优势。带电部27只施加直流电压时，施加在像承载体1上的电压值是一定的，因此容易使像承载体1的表面均匀地带电到一定电位。还有，带电部27只施加直流电压时，感光层3的磨损量往往会减少。其结果，能够形成很好的图像。带电部27对感光体1施加的直流电压优选为1000V以上2000V以下，更优选为1200V以上1800V以下，特别优选为1400V以上1600V以下。

直流电压与交流电压相比，往往容易发生转印记忆。但是，第二实施方式所涉及的图像形成装置6通过具备作为像承载体的第一实施方式所涉及的感光体1，即使具备与像承载体接触而对其施加直流电压的带电部，也能够对转印记忆所引起的图像故障的发生进行抑制。

例如，曝光部28是激光扫描单元。曝光部28对带电了的像承载体1的表面进行曝光，在像承载体1的表面上形成静电潜像。具体来说，带电部27使像承载体1的周面均匀带电后，曝光部28对该周面照射基于计算机之类上位装置输入的图像数据而形成的激光。由此，在像承载体1的周面上，形成基于图像数据的静电潜像。

显影部29将静电潜像显影为调色剂像。具体来说，显影部29将调色剂供给到形成有静电潜像的像承载体1的周面上，并在该周面上形成基于图像数据的调色剂像。然后，所形成的调色剂像一次转印到中间转印带20上。另外，调色剂的带电极性是正极性。

中间转印带20是环状的带式旋转体。中间转印带20架设在驱动辊30、从动辊31、支撑辊32和若干个一次转印辊33上。中间转印带20配置成若干个像承载体1的周面都与中间转印带20的表面(接触面)抵接。

还有，一次转印辊33与各感光体1相对地配置，中间转印带20被一次转印辊33按压在像承载体1上。在按压的状态下，中间转印带20根据驱动辊30而沿箭头(逆时针)方向环形旋转。驱动辊30利用步进马达等驱动源而进行旋转驱动，带来用于使中间转印带20进行环形旋转的驱动力。从动辊31、支撑辊32和若干个一次转印辊33设置成可自由旋转。从动辊31、支撑辊32和一次转印辊33随着由驱动辊30引起的中间转印带20的环形旋转，而从动地进行旋转。关于从动辊31、支撑辊32和一次转印辊33，通过中间转印带20对应于驱动辊30的主动旋转而从动地进行旋转，也对中间转印带20进行支撑。

转印部将调色剂像从像承载体1上转印到中间转印带20上。具体来说，一次转印辊33将一次转印偏压(具体来说，极性与调色剂的带电极性相反的偏压)施加给中间转印带20。其结果，各像承载体1上形成的调色剂像在各像承载体1与一次转印辊33之间，被依次转印(一次转印)到绕圈旋转的中间转印带20上。

二次转印辊21将二次转印偏压(具体来说，极性与调色剂像相反的偏压)施加到纸张P上。其结果，一次转印到中间转印带20上的调色剂像在二次转印辊21与支撑辊32之间，被转印到纸张P上。由此，未定影的调色剂像被转印到纸张P上。

定影部10使在图像形成部9中转印到纸张P上的未定影调色剂像进行定影。定影部10具备加热辊34和加压辊35。加热辊34被通电发热体加热。加压辊35配置成与加热辊34相对，加压辊35的周面按压在加热辊34的周面上。

在图像形成部9中利用二次转印辊21转印到纸张P上的转印图像，利用纸张P通过加热辊34与加压辊35之间时的加热带来的定影处理，被定影在纸张P上。然后，进行了定影处理的纸张P被排出到排纸部11。还有，在定影部10与排纸部11之间的适当位置，设置有若干个输送辊36。

排纸部11通过使机器壳体7的顶部凹陷而形成。在凹陷的凹部的底部，设置有接收排出的纸张P的出纸托盘37。上述，参照图7，对第二实施方式所涉及的图像形成装置6进行了说明。

以下，参照图8，对第二实施方式的另一例子所涉及的图像形成装置进行说明。图8是表示第二实施方式所涉及的图像形成装置的另一种结构的概要图。在图8的图像形成装置6中，转印部相当于转印辊41。在图8的图像形成装置6中，被转印体相当于记录介质(纸张P)。也就是说，图8的图像形成装置采用直接转印方式。另外，对于图8中与图7相对应的要素使用相同的附图标记，省略重复的说明。

采用直接转印方式的图像形成装置6中，像承载体易受转印偏压的影响，因此，一般来说容易发生转印记忆。但是，如上所述，第一实施方式所涉及的感光体1往往会对转印记忆的发生进行抑制。因此，可以认为：图8的图像形成装置6由于具备作为像承载体1的第一实施方式所涉及的感光体1，所以，即使是图像形成装置6采用直接转印方式的情况，转印记忆所引起的图像故障的发生也会得到抑制。

如图8所示，转印带40是环状的带型旋转体。转印带40架设在驱动辊30、从动辊31、支撑辊32和若干个转印辊41上。以各像承载体1的周面与转印带40的表面(接触面)抵接的方式，设置转印带40。配置在各像承载体1对面的各转印辊41将转印带40按压在像承载体1上。在被按压的状态下，转印带40根据若干个辊30、31、32和41而环形旋转。驱动辊30由步进马达等驱动源进行驱动而旋转，提供用于使转印带40环形旋转的驱动力。从动辊31、支撑辊32和转印辊41设成可自由旋转。随着驱动辊30带来的转印带40的环形旋转，从动辊31、支撑辊32和若干个转印辊41从动地进行旋转。这些辊31、32、41从动地进行旋转，同时对转印带40进行支撑。由配准辊对17供给来的纸张P被吸附辊42吸附到转印带40上。转印带40上吸附的纸张P随着转印带40的旋转，在各像承载体1与所对应的转印辊41之间通过。

在像承载体1与纸张P接触的状态下，转印部将调色剂像从像承载体1上转印到纸张P上。具体来说，各转印辊41将转印偏压(具体来说，极性与调色剂的带电极性相反的偏压)施加到吸附在转印带40上的纸张P上。由此，像承载体1上形成的调色剂像在各像承载体1与所对应的转印辊41之间被转印到纸张P上。转印带40利用驱动辊30的驱动而沿箭头(顺时针)方向绕圈转动。伴随于此，转印带40上吸附的纸张P依次通过各像承载体1与所对应的转印辊41之间。在通过时，各像承载体1上形成的对应颜色的调色剂像以叠加涂覆的状态依次被转印到纸张P上。然后，各像承载体1继续旋转，进行下一个处理。上述，参照图8，对第二实施方式的另一例子所涉及的采用直接转印方式的图像形成装置进行了说明。

如参照图7和图8进行的说明，第二实施方式所涉及的图像形成装置6具备第一实施方式所涉及的感光体1，感光体1作为像承载体且可抑制转印记忆。感光体1可以对转印记忆的发生进行抑制。通过具备这样的感光体，第二实施方式所涉及的图像形成装置6能够对图像故障的发生进行抑制。

＜第三实施方式：处理盒＞

第三实施方式涉及处理盒。第三实施方式所涉及的处理盒具备作为像承载体的第一实施方式所涉及的感光体1。第三实施方式所涉及的处理盒能够对转印记忆引起的图像故障的发生进行抑制。其理由推测如下。如上所述，第一实施方式所涉及的感光体1往往可以对转印记忆的发生进行抑制。因此，可以认为：第三实施方式所涉及的处理盒由于具备作为像承载体的第一实施方式所涉及的感光体1，从而能够对转印记忆引起的图像故障的发生进行抑制。

例如，处理盒可以具备单元化了的第一实施方式所涉及的感光体1，感光体1作为像承载体。处理盒可以设计成相对于第二实施方式所涉及的图像形成装置6可拆装。例如，能够在处理盒中采用如下结构：除了像承载体以外，还将从带电部、曝光部、显影部、转印部、清洁部和除电部构成的组中选择的至少一个部件进行了单元化。其中，带电部、曝光部、显影部、转印部、清洁部和除电部可以分别与第二实施方式中所述的带电部27、曝光部28、显影部29、转印部、清洁部和除电部具有同样的结构。

上述，对第三实施方式所涉及的处理盒进行了说明。第三实施方式所涉及的处理盒能够对转印记忆所引起的图像故障的发生进行抑制。而且，这样的处理盒容易处置，因此，在感光体1的感光度特性等发生了劣化的情况下，能够容易且迅速地更换包含感光体在内的处理盒。

【实施例】

以下，使用实施例对本发明进行更具体的说明。不过，本发明不以任何方式限定于实施例的范围内。

[1.感光体的制备]

使用电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂，制造感光体(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)。

[1-1.电荷产生剂的制备]

在感光体(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制造中，使用以下电荷产生剂中的一个。具体来说，如表1和表2所示，使用第一实施方式所述的X型无金属酞菁(以下，有时记载为“电荷产生剂(X-H₂Pc)”)或者氧钛酞菁(以下，有时记载为“电荷产生剂(TiOPc)”)。

[1-2.空穴输送剂的制备]

在感光体(A-1)～(A-25)的制造中，使用第一实施方式所述的三芳胺衍生物(HT-1)～(HT-6)作为空穴输送剂。关于这些三芳胺衍生物的合成方法，在后面进行叙述。

还有，在感光体(B-1)～(B-8)的制造中，使用式(HT-A)或者(HT-B)表示的空穴输送剂。

【化17】

【化18】

三芳胺衍生物(HT-1)的合成

首先，进行反应方程式(R-4)所表示的反应。

【化19】

(化学式(3a)所示的化合物的合成)

具体来说，将容量200mL的烧瓶用作反应容器。在反应容器中，放入化学式(1a)所示的化合物(16.1g、0.1mol)和化学式(2a)所示的化合物(亚磷酸三乙酯)(25g、0.15mol)。将反应容器的内含物在180℃的条件下搅拌8小时。接着，将反应容器的内含物冷却到室温(25℃)。然后，减压蒸馏掉多余的亚磷酸三乙酯，得到白色液体，即化学式(3a)所示的化合物(产量：24.1g；收率：92mol％)。

(化学式(5a)所示的化合物的合成)

然后，进行反应方程式(R-5)所示的反应。具体来说，使用容量500mL的双口烧瓶作为反应容器。将所得化学式(3a)所示的化合物(13g、0.05mol)在0℃的条件下放入反应容器中。在反应容器内进行氩气置换。然后，在反应容器内，放入干燥四氢呋喃(100mL)和28％甲醇钠(9.3g、0.05mol)，将反应容器的内含物搅拌30分钟。然后，将干燥四氢呋喃(300mL)中的化学式(4a)所示的化合物(7g、0.05mol)加入到反应容器中，在室温(25℃)的条件下将反应容器的内含物搅拌12小时。接着，将反应容器的内含物注入到离子交换水中，使用甲苯来萃取出化学式(5a)所示的化合物。使用离子交换水对所得有机相进行5次清洗，然后用无水硫酸钠进行干燥之后，蒸馏掉溶剂，得到残渣。使用展开剂对所得残渣进行提纯，得到白色结晶，即化学式(5a)所示的化合物(产量：9.8g；收率：80mol％)。展开剂是甲苯和甲醇的混合溶剂(体积比：甲苯/甲醇＝20mL/100mL)。

(三芳胺衍生物(HT-1)的合成)

然后，进行反应方程式(R-6)所示的反应。具体来说，使用三口烧瓶作为反应容器。在反应容器中，放入化学式(5a)所示的化合物(8g、0.03mol)、三环己基膦(0.0662g、0.000189mol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.0864g、0.0000944mol)、叔丁醇钠(5.3g、0.06mol)、氨基锂(0.24g、0.010mol)和蒸馏后的邻二甲苯(500mL)。在反应容器内进行氩气置换。然后，将反应容器的内含物在120℃的条件下搅拌5小时。然后，将反应容器的内含物冷却到室温。其结果，得到反应容器的内含物的有机相。使用离子交换水对所得有机相进行3次清洗。接着，在有机相中加入无水硫酸钠和活性粘土，进行干燥处理和吸附处理。然后，对有机相进行减压蒸馏，去除邻二甲苯，得到残渣。使用展开剂，通过柱色谱法对所得残渣进行提纯，得到黄色粉末(产量：4.5g；收率：64mol％)。展开剂是三氯甲烷和己烷的混合溶剂(体积比：三氯甲烷/己烷＝1/1)。

使用¹H-NMR光谱仪(300MHz)对所得黄色粉末进行测量。使用CDCl₃作为溶剂。使用TMS作为基准物质。所得¹H-NMR图表与图2相同。确认了所得黄色粉末是三芳胺衍生物(HT-1)。以下是三芳胺衍生物(HT-1)的化学位移值。

三芳胺衍生物(HT-1)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.30-7.35(m，12H)，7.10-7.15(d，6H)，7.03-7.07(d，6H)，6.81-6.96(m，6H)，6.57-6.67(m，6H)，2.34(s，9H).

三芳胺衍生物(HT-2)的合成

除了替换化学式(4a)所示的化合物而使用化学式(4b)所示的化合物以外，通过与化学式(5a)所示的化合物的合成一样的方法，得到化合物(5b)所示的化合物(收率：70mol％)。然后，除了替换化合物(5a)所示的化合物而使用化学式(5b)所示的化合物以外，通过与三芳胺衍生物(HT-1)的合成一样的方法，得到三芳胺衍生物(HT-2)(收率：65mol％)。得到与图3相同的¹H-NMR图表，确认了所得物质为三芳胺衍生物(HT-2)。以下是三芳胺衍生物(HT-2)的化学位移值。

三芳胺衍生物(HT-2)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.30-7.38(m，12H)，7.17-7.20(d，6H)，7.01-7.10(d，6H)，6.81-6.96(m，6H)，6.57-6.65(m，6H)，2.84-2.95(m，3H)，1.25(d，18H).

【化20】

【化21】

另外，在三芳胺衍生物(HT-2)的合成和后面叙述的三芳胺衍生物(HT-3)～(HT-7)的合成中，对材料的配比量等进行调整，使其中的摩尔比与三芳胺衍生物(HT-1)的合成中的摩尔比相等。

三芳胺衍生物(HT-3)的合成

除了替换化学式(4a)所示的化合物而使用化学式(4c)所示的化合物以外，通过与化学式(5a)所示的化合物的合成一样的方法，得到化合物(5c)所示的化合物(收率：60mol％)。然后，除了替换化合物(5a)所示的化合物而使用化学式(5c)所示的化合物以外，通过与三芳胺衍生物(HT-1)的合成一样的方法，得到三芳胺衍生物(HT-3)(收率：65mol％)。得到与图4相同的¹H-NMR图表，确认了所得物质为三芳胺衍生物(HT-3)。以下是三芳胺衍生物(HT-3)的化学位移值。

三芳胺衍生物(HT-3)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.50-7.54(dd，3H)，7.31-7.35(d，6H)，7.17-7.24(m，6H)，6.86-7.08(m，18H)，6.58-6.66(m，3H)，3.88(s，9H).

【化22】

【化23】

三芳胺衍生物(HT-4)的合成

除了替换化学式(4a)所示的化合物而使用化学式(4d)所示的化合物以外，通过与化学式(5a)所示的化合物的合成一样的方法，得到化合物(5d)所示的化合物(收率：70mol％)。然后，除了替换化合物(5a)所示的化合物而使用化学式(5d)所示的化合物以外，通过与三芳胺衍生物(HT-1)的合成一样的方法，得到三芳胺衍生物(HT-4)(收率：60mol％)。得到与图5相同的¹H-NMR图表，确认了所得物质为三芳胺衍生物(HT-4)。以下是三芳胺衍生物(HT-4)的化学位移值。

三芳胺衍生物(HT-4)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.17-7.34(m，18H)，6.81-7.07(m，12H)，6.58-6.64(d，6H)，2.35(s，9H).

【化24】

【化25】

三芳胺衍生物(HT-5)的合成

除了替换化学式(4a)所示的化合物而使用化学式(4e)所示的化合物以外，通过与化学式(5a)所示的化合物的合成一样的方法，得到化合物(5e)所示的化合物(收率：70mol％)。然后，除了替换化合物(5a)所示的化合物而使用化学式(5e)所示的化合物以外，通过与三芳胺衍生物(HT-1)的合成一样的方法，得到三芳胺衍生物(HT-5)(收率：65mol％)。得到与图6相同的¹H-NMR图表，确认了所得物质为三芳胺衍生物(HT-5)。以下是三芳胺衍生物(HT-5)的化学位移值。

三芳胺衍生物(HT-5)：¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)δ＝7.21-7.35(m，9H)，6.76-7.10(m，21H)，6.58-6.66(m，6H)，2.34(s，9H).

【化26】

【化27】

三芳胺衍生物(HT-6)的合成

除了替换化学式(3a)所示的化合物而使用化学式(3f)所示的化合物、替换化学式(4a)所示的化合物而使用化学式(4f)所示的化合物以外，通过与化学式(5a)所示的化合物的合成一样的方法，得到化合物(5f)所示的化合物(收率：50mol％)。然后，除了替换化合物(5a)所示的化合物而使用化学式(5f)所示的化合物以外，通过与三芳胺衍生物(HT-1)的合成一样的方法，得到三芳胺衍生物(HT-6)(收率：60mol％)。

【化28】

【化29】

【化30】

[1-3.电子输送剂的制备]

在感光体(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制备中，使用第一实施方式所述的化学式(ETM-1)～(ETM-4)所示的化合物中的一个。

[1-4.粘结树脂的制备]

在感光体(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制备中，都使用化学式(Resin-1)所示的聚碳酸酯树脂。

【化35】

[1-5.感光体(A-1)的制造]

在容器内，放入作为电荷产生剂的X型无金属酞菁(X-H₂Pc)5质量份、作为空穴输送剂的三芳胺衍生物(HT-2)50质量份、电子输送剂(ETM-1)35质量份、作为粘结树脂的化学式(Resin-1)所示的聚碳酸酯树脂(帝人株式会社制造“PANLITE(日本注册商标)TS-2050”、粘均分子量50,000)100质量份、作为溶剂的四氢呋喃800质量份。使用球磨机，将它们进行50小时的混合及分散，制备出涂布液。

使用浸涂法，在导电性基体上使用涂布液进行涂布，在导电性基体上形成涂布膜。接下来，在100℃的条件下干燥40分钟，从涂布膜中去除四氢呋喃。由此，得到在导电性基体上具备感光层的感光体(A-1)。感光层的膜厚是30μm。

[1-6.感光体(A-2)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的制备]

除了改变以下几点之外，通过与感光体(A-1)的制备一样的方法，制备出感光体(A-2)～(A-25)和(B-1)～(B-8)。替换掉感光体(A-1)的制备中使用的电荷产生剂(X-H₂Pc)、空穴输送剂(HT-2)和电子输送剂(ETM-3)，分别使用后面叙述的表1和表2中的电荷产生剂(CGM)、空穴输送剂(HTM)和电子输送剂(ETM)。

[2.感光体的性能评价]

对于感光体(A-1)～(A-25)和(B-1)～(B-8)的任何一个，都进行以下评价。

(转印记忆的评价)

将感光体安装到图像形成装置(京瓷办公信息系统株式会社制造“FS-C5250DN”)中。该图像形成装置具备施加直流电压的接触式带电辊，其作为带电部。带电辊使带电性套筒接触到感光体，从而使感光体表面带电。带电性套筒是由在环氧氯丙烷树脂中分散了导电碳的带电橡胶构成的。还有，该图像形成装置采用中间转印方式。

利用带电辊，使感光体的表面带电到+600V。按顺序测量未对感光体施加转印偏压的情况下的感光体非曝光部的表面电位(V_OFF)、对感光体施加了转印偏压的情况下的感光体非曝光部的表面电位(V_ON)。其中，施加-2kV的转印偏压。测量环境是温度23℃且相对湿度50％RH。

根据测量的表面电位计算出表面电位差(V_ON-V_OFF)。计算出的表面电位差作为转印记忆电位。另外，表面电位差的绝对值越大，表示转印记忆问题越严重。

关于实施例26～29的感光体(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)以及比较例9～10的感光体(B-1)和(B-5)的转印记忆评价，除了安装了这些感光体的图像形成装置中的带电部是施加交流电压的接触式带电辊以外，与带电部施加直流电压而进行的转印记忆评价一样地进行评价。

(图像故障的评价)

将实施例1～25的感光体(A-1)～(A-25)和比较例1～8的感光体(B-1)～(B-8)的每一个分别安装到图像形成装置(京瓷办公信息系统株式会社制造“FS-C5250DN”)中。该图像形成装置具备施加直流电压的接触式带电辊，其作为带电部。带电辊使带电性套筒接触到感光体，从而使感光体表面带电。带电性套筒是由在环氧氯丙烷树脂中分散了导电碳的带电橡胶构成的。还有，该图像形成装置采用中间转印方式。为了使图像形成装置的感光体的动作稳定，对字母图像进行了1小时的印刷。接下来，印刷1枚图像A。图像A形成在1小时印刷后的感光体的第1圈中。图像A是由中心空白的圆环形图案构成的图像。中心空白的圆环形图案是两个同心圆为一组而构成的。图像A的图像部的图像浓度是100％。图像A在印刷方向上的长度相当于感光体1圈的长度。接下来，印刷1枚整面半色调的图像B(图像浓度12.5％)。图像B形成在形成图像A后的感光体的第2圈中。将图像B作为图像重影的评价用样品。图像B在印刷方向上的长度相当于感光体1圈的长度。

目测观察所得评价用样品，确认有无源自图像A的图像重影。基于以下基准，评价图像重影的有无。另外，评价A和B为合格。

评价A：未观察到源自图像A的图像重影。

评价B：观察到轻微的源自图像A的图像重影。

评价C：观察到了源自图像A的图像重影。评价用样品中观测到的图像重影与未观测到图像重影的非图像部之间的对比不明显。

评价D：清晰地观察到了源自图像A的图像重影。评价用样品中观测到的图像重影与未观测到图像重影的非图像部之间的对比明显。

关于实施例26～29的感光体(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)以及比较例9～10的感光体(B-1)和(B-5)的图像故障评价，除了安装了这些感光体的图像形成装置中的带电部是施加交流电压的接触式带电辊以外，与带电部施加直流电压而进行的图像故障评价一样地进行评价。

【表1】

【表2】

如表1和表2所示，在施加直流电压的带电条件下，实施例1～25的感光体(A-1)～(A-25)的转印记忆电位是-13V以上-8V以下。在施加直流电压的带电条件下，比较例1～8的感光体(B-1)～(B-8)的转印记忆电位是-56V以上-49V以下。因此，表明了如下信息：含有三芳胺衍生物(I)的感光体(A-1)～(A-25)与感光体(B-1)～(B-8)相比，在施加直流电压的带电条件下，抑制了转印记忆的发生。

还有，如表1和表2所示，在施加直流电压的带电条件下，具备实施例1～25的感光体(A-1)～(A-25)的图像形成装置的图像评价是A或者B。在施加直流电压的带电条件下，具备比较例1～8的感光体(B-1)～(B-8)的图像形成装置的图像评价全都是D。因此，表明了如下信息：具备感光体(A-1)～(A-25)的图像形成装置与具备感光体(B-1)～(B-8)的图像形成装置相比，在施加直流电压的带电条件下，抑制了图像重影的发生。

如表1和表2所示，在施加交流电压的带电条件下，实施例26～29的感光体(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)的转印记忆电位是-12V以上-8V以下。在施加交流电压的带电条件下，比较例9～10的感光体(B-1)和(B-5)的转印记忆电位是-25V以上-23V以下。因此，表明了如下信息：含有三芳胺衍生物(I)的感光体(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)与感光体(B-1)和(B-5)相比，在施加交流电压的带电条件下，抑制了转印记忆的发生。

还有，如表1和表2所示，在施加交流电压的带电条件下，具备实施例26～29的感光体(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)的图像形成装置的图像评价全都是A。在施加交流电压的带电条件下，具备比较例9～10的感光体(B-1)和(B-5)的图像形成装置的图像评价全都是C。因此，表明了如下信息：具备感光体(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)的图像形成装置与具备感光体(B-1)和(B-5)的图像形成装置相比，在施加交流电压的带电条件下，抑制了图像重影的发生。

由上述可明显得知：本发明所涉及的感光体可以对转印记忆的发生进行抑制，具备这种感光体的图像形成装置可以对图像故障的发生进行抑制。

还有，对于实施例1～29的感光体(A-1)～(A-25)进行了耐磨损性评价。施加直流电压的带电条件下的实施例1～25的感光体(A-1)～(A-25)与施加交流电压的带电条件下的实施例26～29的感光体(A-1)、(A-5)、(A-9)和(A-13)相比，磨耗量较少。