本发明涉及一种耐高温的聚酰亚胺薄膜。
背景技术：
聚酰亚胺薄膜（PI膜）自上世纪60年代投入应用以来，以其优异的热性能，介电性能和机械性能等使其成为电子和航天等工业领域的首选材料。随着电子产业的发展，对聚酰亚胺特性要求越来越高，传统的耐热温度已经无法满足现有的市场需求。因此需要研究一种耐高温的聚酰亚胺薄膜。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种耐高温的聚酰亚胺薄膜。
为了实现上述目的，本发明所设计的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，各组分的重量配比为聚酰胺酸70~80份、溶剂10~30份、耐高温填料2~5份、偶联剂2~3份、催化剂2~3份、稀土1~2份和金属钴2~4份，其中稀土与金属钴的重量比为1：2，所述耐高温填料中各组分的重量配比为氧化硅10~40份、氧化钛20~40份、氧化锑10~20份和氮化硼20~30份。
所述稀土为钕、钷、钐和铕中的一种。所述溶剂为二甲基乙酰胺。所述偶联剂为异氰酸酯或钛酸酯。所述催化剂为三乙胺或二乙基吡啶。
上述耐高温填料由氧化硅、氧化钛、氧化锑和氮化硼这4种无机物组成，可以促进聚酰胺酸的成膜性，并提高聚酰亚胺薄的耐热性；同时通过加入稀土与金属钴，则能有效地促进耐高温填料发挥其特性，使得聚酰亚胺薄膜能在高温下长期使用。
本发明得到的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，有较高的耐热性，经测试，该聚酰亚胺薄膜能够在高温下能保持优良的电气绝缘性，适用于耐高温标识及印刷电路板打印等，广泛应用于各大主机板、笔记本电脑和手机等电子电器行业。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步说明。
实施例1：
本实施例提供的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，各组分的重量配比为聚酰胺酸70份、溶剂10份、耐高温填料2份、偶联剂2份、催化剂2份、稀土1份和金属钴2份，所述耐高温填料中各组分的重量配比为氧化硅10份、氧化钛200份、氧化锑10份和氮化硼20份。所述稀土为钕。所述溶剂为二甲基乙酰胺。所述偶联剂为异氰酸酯。所述催化剂为三乙胺。
经测试，本实施例所得到的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，其在300℃下的击穿电压为5KV，表面电阻率为1.0×1013Ω。
实施例2：
本实施例提供的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，各组分的重量配比为聚酰胺酸80份、溶剂30份、耐高温填料5份、偶联剂3份、催化剂3份、稀土2份和金属钴4份，所述耐高温填料中各组分的重量配比为氧化硅40份、氧化钛40份、氧化锑20份和氮化硼30份。
所述稀土为钐。所述溶剂为二甲基乙酰胺。所述偶联剂为异氰酸酯。所述催化剂为三乙胺。
经测试，本实施例所得到的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，其在300℃下的击穿电压为4KV，表面电阻率为1.0×1013Ω。
实施例3：
本实施例提供的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，各组分的重量配比为聚酰胺酸80份、溶剂20份、耐高温填料3份、偶联剂3份、催化剂2份、稀土1份和金属钴2份，所述耐高温填料中各组分的重量配比为氧化硅30份、氧化钛30份、氧化锑10份和氮化硼20份。
所述稀土为铕。所述溶剂为二甲基乙酰胺。所述偶联剂为钛酸酯。所述催化剂为三乙胺。
经测试，本实施例所得到的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，其在300℃下的击穿电压为5KV，表面电阻率为1.8×1013Ω。
实施例4：
本实施例提供的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，各组分的重量配比为聚酰胺酸80份、溶剂20份、耐高温填料4份、偶联剂3份、催化剂3份、稀土2份和金属钴4份，所述耐高温填料中各组分的重量配比为氧化硅20份、氧化钛20份、氧化锑20份和氮化硼20份。
所述稀土为钐。所述溶剂为二甲基乙酰胺。所述偶联剂为钛酸酯。所述催化剂为二乙基吡啶。
经测试，本实施例所得到的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，其在300℃下的击穿电压为4KV，表面电阻率为1.5×1013Ω。
实施例5：
本实施例提供的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，各组分的重量配比为聚酰胺酸75份、溶剂20份、耐高温填料5份、偶联剂3份、催化剂3份、稀土1份和金属钴2份，所述耐高温填料中各组分的重量配比为氧化硅40份、氧化钛30份、氧化锑10份和氮化硼20份。
所述稀土为钷。所述溶剂为二甲基乙酰胺。所述偶联剂为异氰酸酯。所述催化剂为二乙基吡啶。
经测试，本实施例所得到的一种耐高温的聚酰亚胺薄膜，其在300℃下的击穿电压为5KV，表面电阻率为1.5×1013Ω。