本发明涉及卡套，具体地，涉及防磁卡套及其制备方法。
背景技术：
卡套是卡片的保护套，主要起到保护卡片的作用，如防潮、防水、防折断等。现有的卡套大部分是高分子卡套，基本能够满足防潮、防水、防折断的功能。但是现有的卡片大部分是磁卡，如银行卡、校园卡、身份证等均是带有芯片或者磁条的。磁条卡使用中会受到诸多外界磁场因素的干扰，经常存在消磁的情况：如磁条卡在钱包、皮夹中距离磁扣太近，甚至与磁扣发生接触；与女士皮包、男士手包磁扣太近或接触；与带磁封条的通讯录、笔记本接触；与手机套上的磁扣、汽车钥匙等磁性物体接触；与手机等能够产生电磁辐射的设备长时间放在一起；与电视机、收录机等有较强磁场效应的家用电器距离过近；在超市使用时，与超市中防盗用的消磁设备距离太近甚至接触；多张磁条卡放在一起时，两张卡的磁条互相接触。
但是，现有的卡套往往不能有效地起到防磁的功能，进而使得卡片产生消磁现象，导致芯片中数据遗失。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种防磁卡套及其制备方法，通过该方法制得的该防磁卡套具有优异的抗磁性能和力学性能，同时该制备方法具有原料易得、工序简单以及易于推广的特性。
为了实现上述目的，本发明提供了一种防磁卡套的制备方法，包括：
1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡、纳米氧化钆、硫酸钙晶须、二硫化二苯并噻唑、滑石粉、氮化硼和乙烯基三甲氧基硅烷进行混炼以制得混炼物；
2)将松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须、玉米皮粉、腈纶铜络合纤维、木质纤维与混炼物进行混炼、成型以制得防磁卡套。
本发明还提供了一种防磁卡套，该防磁卡套通过上述的制备方法制备而得。
在上述技术方案中，本发明通过各步骤以及各原料的协同作用，使得制得的防磁卡套具有优异的的抗磁性能和力学性能，同时该制备方法具有原料易得、工序简单以及易于推广的特性。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供了一种防磁卡套的制备方法，包括：
1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡、纳米氧化钆、硫酸钙晶须、二硫化二苯并噻唑、滑石粉、氮化硼和乙烯基三甲氧基硅烷进行混炼以制得混炼物；
2)将松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须、玉米皮粉、腈纶铜络合纤维、木质纤维与混炼物进行混炼、成型以制得防磁卡套。
在本发明的步骤1)中，各物料的用量可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，相对于100重量份的聚乙烯，乙烯-乙烯醇共聚物的用量为47-56重量份，纳米硫酸钡的用量为11-14重量份，纳米氧化钆的用量为0.8-1.6重量份，硫酸钙晶须的用量为3-7重量份，二硫化二苯并噻唑的用量为21-28重量份，滑石粉的用量为30-37重量份，氮化硼的用量为4-8重量份，乙烯基三甲氧基硅烷的用量为14-19重量份。
在本发明的步骤1)中，纳米硫酸钡与纳米氧化钆的粒径可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，纳米硫酸钡与纳米氧化钆各自独立地满足以下条件：粒径为20-40nm。
在本发明的步骤1)中，硫酸钙晶须的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，硫酸钙晶须满足以下条件：直径为1-8um，长度为30-200um。
在本发明的步骤1)中，混炼的条件可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤1)中，混炼满足以下条件：混炼温度为215-230℃，混炼时间为4-6h。
在本发明的步骤2)中，各物料的用量可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，相对于100重量份的混炼物，松香季戊四醇酯的用量为34-55重量份，钛酸钾晶须的用量为4-11重量份，玉米皮粉的用量为31-36重量份，腈纶铜络合纤维的用量为10-18重量份，木质纤维的用量为9-21重量份。
在本发明的步骤2)中，钛酸钾晶须的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，钛酸钾晶须满足以下条件：直径为0.2-1.2um，长度为10-100um。
在本发明的步骤2)中，腈纶铜络合纤维的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，腈纶铜络合纤维至少满足以下条件：直径为10-20um。
在本发明的步骤2)中，木质纤维的尺寸可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，木质纤维至少满足以下条件：直径为25-45um。
在本发明的步骤2)中，混炼的条件可以在宽的范围内选择，但是为了使制得的防磁卡套具有更优异的的抗磁性能和力学性能，优选地，在步骤2)中，所述混炼满足以下条件：混炼温度为205-210℃，混炼时间为40-80min。
本发明还提供了一种防磁卡套，该防磁卡套通过上述的制备方法制备而得。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
实施例1
1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡(粒径为30nm)、纳米氧化钆(粒径为30nm)、硫酸钙晶须(直径为5um，长度为100um)、二硫化二苯并噻唑、滑石粉、氮化硼和乙烯基三甲氧基硅烷按照100：50：12：1.2：5：25：34：6：17的重量比于220℃下进行混炼5h以制得混炼物；
2)将混炼物、松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须(直径为0.8um，长度为70um)、玉米皮粉、腈纶铜络合纤维(直径为15um)、木质纤维(直径为35um)按照100：45：8：34：16：17的重量比于208℃下进行混炼50min、挤出成型以制得防磁卡套A1。
实施例2
1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡(粒径为20nm)、纳米氧化钆(粒径为20nm)、硫酸钙晶须(直径为1um，长度为30um)、二硫化二苯并噻唑、滑石粉、氮化硼和乙烯基三甲氧基硅烷按照100：47：11：0.8：3：21：30：4：14的重量比于215℃下进行混炼4h以制得混炼物；
2)将混炼物、松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须(直径为0.2um，长度为10um)、玉米皮粉、腈纶铜络合纤维(直径为10um)、木质纤维(直径为25um)按照100：34：4：31：10：9的重量比于205℃下进行混炼40min、挤出成型以制得防磁卡套A2。
实施例3
1)将聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、纳米硫酸钡(粒径为40nm)、纳米氧化钆(粒径为40nm)、硫酸钙晶须(直径为8um，长度为200um)、二硫化二苯并噻唑、滑石粉、氮化硼和乙烯基三甲氧基硅烷按照100：56：14：1.6：7：28：37：8：19的重量比于230℃下进行混炼6h以制得混炼物；
2)将混炼物、松香季戊四醇酯、钛酸钾晶须(直径为1.2um，长度为100um)、玉米皮粉、腈纶铜络合纤维(直径为20um)、木质纤维(直径为45um)按照100：55：11：36：18：21的重量比于210℃下进行混炼80min、挤出成型以制得防磁卡套A3。
对比例1
按照实施例1的方法进行制得卡套B1，不同的是，步骤1)中未使用纳米硫酸钡。
对比例2
按照实施例1的方法进行制得卡套B2，不同的是，步骤1)中未使用纳米氧化钆。
对比例3
按照实施例1的方法进行制得卡套B3，不同的是，步骤1)中未使用硫酸钙晶须。
对比例4
按照实施例1的方法进行制得卡套B4，不同的是，步骤1)中未使用氮化硼。
对比例5
按照实施例1的方法进行制得卡套B5，不同的是，步骤2)中未使用钛酸钾晶须。
对比例6
按照实施例1的方法进行制得卡套B6，不同的是，步骤2)中未使用玉米皮粉。
对比例7
按照实施例1的方法进行制得卡套B7，不同的是，步骤2)中未使用腈纶铜络合纤维。
对比例8
按照实施例1的方法进行制得卡套B8，不同的是，步骤2)中未使用木质纤维。
检测例1
检测上述卡套的力学强度和抗磁性能，具体结果见表1。
表1
通过上述实施例、对比例和检测例可知，本发明提供的卡套具有优异的力学性能和抗磁性能。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。