DanielD.Gryko等，Chem.Commun.，2016，52，5108[出版日期：2016年3月31日]报道了在520-740nm范围内具有强烈荧光的基于二吡咯并[1,2-b:10,20-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(DPND)的发红色染料的合成。在二氯甲烷中测量的DPND染料的光物理性能示于表2中：aStokes位移，即以cm-1表示的最低能量吸收带和最高能量发射带之差。b参照：在EtOH中的若丹明6G(θfl＝0.94)。c参照：在MeOH中的甲酚紫(θfl＝0.54)。所有化合物1a-f显示出最大值在约500nm处的强烈结构化吸收带和24000-29000M-1cm-1的分子吸收系数。除了1e外，所有样品显示出良好的荧光量子产率(0.58-0.71)和小的Stokes位移(～1000cm-1)。苯基乙炔基取代基在染料7a-d中的存在引起与起始DPND1c相比为80-140nm的大的吸收红移。WO08107089涉及甲硅烷基乙炔基化杂并苯类以及用这些化合物制备的配制剂和电子器件。WO13050401涉及包含一个或多个式的(重复)单元的聚合物和式的化合物，其中Y、Y15、Y16和Y17相互独立地为式的基团，以及其作为IR吸收剂，在有机器件中，尤其是在有机光伏器件和光电二极管中，或者在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的有机半导体的用途。WO14072292涉及包含一个或多个式的(重复)单元的聚合物和式的化合物，其中Y、Y15、Y16和Y17相互独立地为式的基团，以及其作为IR吸收剂，在有机器件中，尤其是在有机光伏器件和光电二极管中，或者在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的有机半导体的用途。本发明涉及下式化合物：R10-Ar-Y-Ar’-R10’(I)，其中Ar为式-[Ar3]c-[Ar2]b-[Ar1]a-**的基团，Ar’为式**-[Ar1’]a’-[Ar2’]b’-[Ar3’]c’-的基团，Y为式的基团，**表示与Y键合，a为0、1、2或3，a’为0、1、2或3；b为0、1、2或3；b’为0、1、2或3；c为0、1、2或3；c’为0、1、2或3；m1为0、1或2，m2为0、1或2，U1为O或S，U2为O或S，T1、T2、T3和T4相互独立地为氢、卤素、氰基、-COOR103、-OCOR103、-NR112COR103、-CONR112R113、-OR103’、-SR103’、-SOR103’、-SO2R103’、-NR112SO2R103’、-NR112R113、-NO2、可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的C7-C25芳烷基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C1-C100烷基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C2-C100链烯基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C2-C100炔基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C3-C12环烷基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次的C6-C24芳基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次的C2-C20杂芳基；-CO-C1-C18烷基、-CO-C5-C12环烷基或-COO-C1-C18烷基；Ar1和Ar1’相互独立地为Ar2、Ar2’、Ar3和Ar3’相互独立地具有Ar1的含义或者相互独立地为其中X为O、S、Se、Te或NR8，X’为O或S，X1、X2和X3相互独立地为S、O、NR107-、-Si(R117)(R117’)-、-Ge(R117)(R117’)-、-C(R108)(R109)-、-C(＝O)-、-C(＝CR110R111)-、X4和X4’相互独立地为S、O、NR107-、-Si(R117)(R117’)-、-Ge(R117)(R117’)-、-C(R108)(R109)-、-C(＝O)-、-C(＝CR110R111)-，R3和R3’相互独立地为氢，卤素，卤代C1-C25烷基，尤其是CF3，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基或C1-C25烷氧基；R4、R4’、R5、R5’、R6和R6’相互独立地为氢，卤素，卤代C1-C25烷基，尤其是CF3，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基或C1-C25烷氧基；R7、R7’、R9和R9’相互独立地为氢，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；或C7-C25芳烷基，R8和R8’相互独立地为氢，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；或C7-C25芳烷基，R10和R10’相互独立地为氢，卤素，NO2，NR112R113，氰基，C1-C25烷基，被E取代一次或多次(CF3)和/或被D间隔一次或多次的C1-C25烷基，COO-C1-C18烷基，C4-C18环烷基，被G取代的C4-C18环烷基，C2-C18链烯基，C2-C18炔基，C1-C18烷硫基，C1-C18烷氧基，被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷氧基，C7-C25芳烷基，被G取代的C7-C25芳烷基或者式IVa-IVk的基团：X5为O、S、Se、Te或NR59，R11和R11’相互独立地为C1-C25烷基、C7-C25芳烷基或可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基；R12和R12’相互独立地为氢、卤素、氰基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基、C1-C25烷氧基、C7-C25芳烷基或R13为C1-C10烷基或三(C1-C8烷基)甲硅烷基；R22-R26和R29-R58相互独立地表示H，卤素，氰基，NO2，NR112R113，C1-C25烷基，被E取代和/或被D间隔的C1-C25烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20杂芳基，被G取代的C2-C20杂芳基，C4-C18环烷基，被G取代的C4-C18环烷基，C2-C18链烯基，C2-C18炔基，C1-C25烷硫基，C1-C25烷氧基，被E取代和/或被D间隔的C1-C25烷氧基，C7-C25芳烷基或被G取代的C7-C25芳烷基，R27和R28相互独立地为氢，C1-C25烷基，卤素，氰基或C7-C25芳烷基，或者R27和R28一起表示可以可以均经由氧和/或硫原子与噻吩基键合且可以均具有至多25个碳原子的亚烷基或亚链烯基，R59为氢，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；或C7-C25芳烷基，R60为氢，C1-C18卤代烷基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；C1-C18链烷酰基或C7-C25芳烷基，R103和R103’相互独立地为氢，C1-C100烷基，被E取代和/或被D间隔的C1-C25烷基，C2-C25链烯基，被E取代和/或被D间隔的C2-C25链烯基，C7-C25芳烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20杂芳基或被G取代的C2-C20杂芳基，R104和R104’相互独立地为氢，CN，C1-C18烷基，可以任选被G取代的C6-C10芳基或可以任选被G取代的C2-C8杂芳基，R105、R105’、R106和R106’相互独立地为氢，卤素，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基或C1-C18烷氧基，R107为氢，C7-C25芳烷基，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18全氟烷基，可以被-O-或-S-间隔的C1-C25烷基，或者-COOR103；R103如上所定义；R108和R109相互独立地为H，C1-C25烷基，被E取代和/或被D间隔的C1-C25烷基，C7-C25芳烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20杂芳基，被G取代的C2-C20杂芳基，C2-C18链烯基，C2-C18炔基，C1-C18烷氧基，被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷氧基，或C7-C25芳烷基，或者R108和R109一起形成式＝CR110R111的基团，其中R110和R111相互独立地为H，C1-C18烷基，被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20杂芳基或被G取代的C2-C20杂芳基，或者R108和R109一起形成可以任选被C1-C18烷基，被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C2-C20杂芳基，被G取代的C2-C20杂芳基，C2-C18链烯基，C2-C18炔基，C1-C18烷氧基，被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基取代的5或6员环，D为-CO-、-COO-、-S-、-O-或-NR112-，E为C1-C8烷硫基，C1-C8烷氧基，CN，-NR112R113，-CONR112R113或卤素，G为E或C1-C18烷基，以及R112和R113相互独立地为H，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-间隔的C1-C18烷基，R114为可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，R115和R115’相互独立地为氢，卤素，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，C1-C25烷氧基，C7-C25芳烷基或R116为C1-C10烷基或三(C1-C8烷基)甲硅烷基；R117和R117’相互独立地为C1-C25烷基，尤其是C1-C8烷基，C7-C25芳烷基或可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基；R118、R119、R120和R121相互独立地为氢，卤素，卤代C1-C25烷基，尤其是CF3，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基或C1-C25烷氧基；R122和R122’相互独立地为氢，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；或C7-C25芳烷基，以及R124和R124’相互独立地为氢，氰基，COOR103，C1-C25烷基，C6-C24芳基或C2-C20杂芳基，ESi为-SiR161R162R163或-O-SiR161R162R163；R161、R162和R163相互独立地为氢，C1-C25烷基，可以任选被C1-C4烷基取代的C3-C12环烷基；C1-C25卤代烷基，C2-C25链烯基，-O-SiR164R165R166，-(O-SiR164R165)d-R166，C1-C25烷氧基，C3-C24(杂)芳氧基，NR167R168，卤素，C1-C25酰氧基，苯基，被C1-C24烷基、卤素、氰基或C1-C25烷氧基取代1-3次的苯基；R164、R165和R166相互独立地为氢，C1-C25烷基，可以任选被C1-C4烷基取代的C3-C12环烷基；C1-C25卤代烷基，C2-C25链烯基，-O-SiR169R170R171，-(O-SiR169R170)d-R171，C1-C25烷氧基，C3-C24(杂)芳氧基，NR167R168，卤素，C1-C25酰氧基，苯基，被C1-C24烷基、卤素、氰基或C1-C25烷氧基取代1-3次的苯基；R169、R170和R171相互独立地为氢，C1-C25烷基，可以任选被C1-C4烷基取代的C3-C12环烷基，C1-C25卤代烷基，C2-C25链烯基，-O-Si(CH3)3，C1-C25烷氧基，C3-C24(杂)芳氧基，NR167R168，卤素，C1-C25酰氧基，苯基，被C1-C24烷基、卤素、氰基或C1-C25烷氧基取代1-3次的苯基；R167和R168相互独立地为氢，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；或C7-C25芳烷基；d为1-50的整数；R214和R215相互独立地为氢，C1-C18烷基、C6-C24芳基，C2-C20杂芳基，-CN或COOR216；以及R216为C1-C25烷基，C1-C25卤代烷基，C7-C25芳烷基，C6-C24芳基或C2-C20杂芳基。图1说明VGS＝10V至-30V的由聚合物P9制造的PET在VDS＝-30V的0.5V步进尺寸下的代表性转换特征。漏电流(黑色实线)、栅电流(灰色虚线)、漏电流的平方根(灰色实线)和平方根的拟合斜率(黑色短划线)。式(I)化合物可以在染料敏化和体异质结太阳能电池、有机发光二极管、光电二极管、有机场效应晶体管、荧光成像、传感器和固态染料激光器中用作功能染料。式(I)化合物还可以显示出非常强的荧光和双光子吸收。由于这些特征，这些染料是用于如下领域的优异候选物：荧光成像、阳离子的检测和艺术家油漆或工业油漆的着色。Y优选为式的基团，其中T1、T2、T3、T4、U1和U2如上文和下文所定义。在更优选的实施方案中，Y为式的基团，尤其是式的基团，其中T1、T2、T3、T4、U1和U2如上文和下文所定义。在另一更优选的实施方案中，Y为式的基团，尤其是式其中T1、T2、T3、T4、U1和U2如上文和下文所定义。式(I)化合物为式的化合物，其中T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar、Ar’、R10和R10’如上文和下文所定义。式(I)化合物更优选为式的化合物或式的化合物，其中T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar、Ar’、R10和R10’如上文和下文所定义。T1和T2优选为H，可以任选被C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、氰基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-或-NR60-间隔的C1-C38烷基，其中R60为C1-C25烷基或可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基，其中ESi为-SiR161R162R163；R161、R162和R163相互独立地为C1-C8烷基、可以任选被C1-C4烷基取代的C5-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR164R165R166、-(O-SiR164R165)d-R166或苯基；R164、R165和R166相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR169R170R171、-(O-SiR169R170)d-R171或苯基；R169、R170和R171相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-Si(CH3)3或苯基；d为1-10的整数。T3和T4优选为H，可以任选被C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、氰基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-或-NR60-间隔的C1-C38烷基，其中R60为C1-C25烷基或可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基，其中ESi为-SiR161R162R163；R161、R162和R163相互独立地为C1-C8烷基、可以任选被C1-C4烷基取代的C5-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR164R165R166、-(O-SiR164R165)d-R166或苯基；R164、R165和R166相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR169R170R171、-(O-SiR169R170)d-R171或苯基；R169、R170和R171相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-Si(CH3)3或苯基；d为1-10的整数。式(Ia-1)化合物尤其为式的化合物。式(Ia-2)化合物尤其为式的化合物。T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar、Ar’、R10和R10’如上所定义。U1和U2优选为O。式的基团的实例是式和的基团。式的基团的实例是式的基团。式的基团的实例是式的基团。式的基团的实例是式的基团。式的基团的实例是式的基团。式的基团的实例是式的基团。Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3和Ar3’优选为其中R3和R3’相互独立地为氢、F、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基，R8为氢或C1-C25烷基并且R104和R104’相互独立地为氢、氰基、COOR103或C1-C25烷基，其中R103为可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C25烷基。甚至更优选式(XIa-1)、(XIa-2)、(XIa-4)、(XId)、(XIf)和(XIv)的基团。-Ar-R10和-Ar’-R10’优选为H、F、氰基、C1-C25烷基、被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基、-Ar-R10和-Ar’-R10’更优选为H或R3和R3’相互独立地为氢、F、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基，R22、R23、R25、R26、R27、R28和R29-R33相互独立地表示H、F、氰基、C1-C25烷氧基、被一个或多个F取代的C1-C25烷基、被一个或多个-O-间隔的C1-C25烷基或C1-C25烷基，以及R24为H、F、氰基、NO2、NR112R113、苯基、C1-C25烷氧基、C1-C25烷硫基、被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基(CF3)、被一个或多个-O-间隔的C1-C25烷基或C1-C25烷基；X为O、S、Se或NR8，X5为O、S、Se或NR59，R58为H、F、氰基、苯基、C1-C25烷氧基、C1-C25烷硫基、被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基(CF3)或C1-C25烷基；R8和R59为氢、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代1-3次的C6-C18芳基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔和/或任选被一个或多个F取代的C1-C25烷基或C7-C25芳烷基，R112和R113相互独立地为氢、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代1-3次的C6-C18芳基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔和/或任选被一个或多个F取代的C1-C25烷基或C7-C25芳烷基。在特别优选的实施方案中，本发明涉及式(Ia-1)的化合物，其中U1和U2为O，T1和T2为H，可以任选被-O-、-S-或-NR60-间隔的C1-C38烷基，其中R60为C1-C25烷基，或者可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基，T3和T4为H，可以任选被-O-、-S-或-NR60-间隔的C1-C38烷基，其中R60为C1-C25烷基，或者可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基，以及-Ar-R10和-Ar’-R10’相互独立地为H、F、氰基、被一个或多个氟原子取代的C1-C25烷基、C1-C25烷基、其中R3和R3’相互独立地为氢、F、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基，R22、R23、R25、R26、R27、R28和R29-R33相互独立地表示H、F、氰基、C1-C25烷氧基、被一个或多个F取代的C1-C25烷基、被一个或多个-O-间隔的C1-C25烷基或C1-C25烷基，以及R24为H、F、氰基、NO2、NR112R113、CF3、苯基、C1-C25烷氧基、被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基、被一个或多个-O-间隔的C1-C25烷基或C1-C25烷基；X为O、S、Se或NR8，X5为O、S、Se或NR59，R58为H、F、氰基、苯基、C1-C25烷氧基、C1-C25烷硫基、被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基(CF3)或C1-C25烷基；R8和R59为氢、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代1-3次的C6-C18芳基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间个和/或任选被一个或多个F取代的C1-C25烷基，或C7-C25芳烷基，以及R112和R113相互独立地为氢、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代1-3次的C6-C18芳基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔和/或任选被一个或多个F取代的C1-C25烷基，或C7-C25芳烷基。在所述实施方案中，T3和T4优选为H且本发明优选涉及式(Ia-1a)化合物。T1和T2优选为H、C1-C38烷基或可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基。在另一特别优选实施方案中，本发明涉及式(Ia-2)的化合物，其中U1和U2为O，T1和T2为H，可以任选被-O-、-S-或-NR60-间隔的C1-C38烷基，其中R60为C1-C25烷基，或者可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基，T3和T4为H，可以任选被-O-、-S-或-NR60-间隔的C1-C38烷基，其中R60为C1-C25烷基，或者可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基，以及-Ar-R10和-Ar’-R10’相互独立地为H、F、氰基、被一个或多个氟原子取代的C1-C25烷基、C1-C25烷基、其中R3和R3’相互独立地为氢、F、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基，R22、R23、R25、R26、R27、R28和R29-R33相互独立地表示H、F、氰基、C1-C25烷氧基、被一个或多个F取代的C1-C25烷基、被一个或多个-O-间隔的C1-C25烷基或C1-C25烷基，以及R24为H、F、氰基、NO2、NR112R113、CF3、苯基、C1-C25烷氧基、可以被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基、被一个或多个-O-间隔的C1-C25烷基或C1-C25烷基；X为O、S、Se或NR8，X5为O、S、Se或NR59，R58为H、F、氰基、苯基、C1-C25烷氧基、C1-C25烷硫基、被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基(CF3)或C1-C25烷基；R8和R59为氢、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代1-3次的C6-C18芳基、可以任选被一个或多氧或硫原子间隔和/或任选被一个或多个F取代的C1-C25烷基或C7-C25芳烷基，以及R112和R113相互独立地为氢、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代1-3次的C6-C18芳基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔和/或任选被一个或多个F取代的C1-C25烷基或C7-C25芳烷基。在所述实施方案中，T1和T2优选为H且本发明优选涉及式(Ia-2a)化合物。T3和T4优选为H、C1-C38烷基或可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基-C1-C4烷基。式(I)化合物的实例为权利要求9中所示化合物(A-1)-(A-15)和下式化合物：生产式的化合物的方法包括：(a)使式的化合物与式T1COOH(XIIa)和T2COOH(XIIb)或T1COOH(XIIa)的化合物在溶剂如二氯甲烷中在酸和/或酸酐如三氟乙酸和/或三氟乙酸酐存在下反应，其中T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar、Ar’、R10和R10’如上所定义且在式(XI)化合物仅与式(XIIa)化合物反应的情况下，式(Ia)中的T2具有T1的含义。代替酸T1COOH(XIIa)和T2COOH(XIIb)，可以使用其酸酐(T1CO)2O和(T2CO)2O。式(XI)、(XIIa)和(XIIb)化合物可以市购或者可以根据本领域已知的程序制备。生产式的化合物的另一方法包括：(a)使式或(XIIIa)的化合物与式ClCO(CH2)2COCl(XIV)的化合物在溶剂如二甲基甲酰胺(DMF)或二氯甲烷中在碱如4-二甲氨基吡啶、三甲胺或碳酸钾存在下反应，其中T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar、Ar’、R10和R10’如上所定义且在式(XIV)化合物仅与式(XIIIa)化合物反应的情况下，式(Ia)中的T2具有T1的含义。该方法可以用于生产其中T1和T2为H的式(Ia)化合物，如化合物(A-1)。式(XIIIa)、(XIIIa)和(XIV)化合物可以市购或者可以根据本领域已知的程序制备。化合物(C-1)例如可以如下列反应方案所示由化合物(A-3)开始制备：溴化在合适的溶剂如氯仿中使用2当量N-溴代琥珀酰亚胺在-30℃至+50℃，优选-10℃至室温的温度下，例如在0℃下进行。有利的是，式I化合物或包含式I化合物的有机半导体材料、层或组件可以用于有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中或用于有机场效应晶体管(OFET)中。含有式I化合物的混合物导致半导体层包含式I化合物(通常为0.1-99.9999重量％，更具体为1-99.9999重量％，甚至更具体为5-99.9999重量％，尤其是20-85重量％)和至少另一物质。该另一物质可以是但不限于另一式I化合物，本发明聚合物，半导体聚合物，非导电聚合物，有机小分子，碳纳米管，富勒烯衍生物，无机颗粒(量子点、量子棒、量子三倍体、TiO2、ZnO等)，导电颗粒(Au，Ag等)，绝缘体材料如对栅极介电层所述那些(PET，PS等)。因此，本发明还涉及一种包含式I化合物的有机半导体材料、层或组件以及包含式I化合物和/或有机半导体材料、层或组件的半导体器件。该半导体优选用于有机光伏(PV)器件(太阳能电池)、光电二极管或有机场效应晶体管中。该OFET器件的结构和组分下文更详细说明。因此，本发明提供了包含式I化合物的有机光伏(PV)器件(太阳能电池)。有机光伏器件(太阳能电池)的结构例如描述于C.Deibel等，Rep.Prog.Phys.73(2010)096401以及ChristophBrabec，EnergyEnviron.Sci2.(2009)347-303中。该PV器件以该顺序包括：(a)阴极(电极)，(b)任选地，过渡层，如碱金属卤化物，尤其是氟化锂，(c)光活性层，(d)任选地，平滑层，(e)阳极(电极)，(f)基材。该光活性层包含式I化合物。优选该光活性层由作为电子供体的式I化合物和作为电子受体的受体材料，如富勒烯，特别是官能化富勒烯PCBM制成。如上所述，该光活性层还可以含有聚合物粘合剂。式I的小分子与该聚合物粘合剂的比例可以在5-95％内变化。优选该聚合物粘合剂为半结晶聚合物如聚苯乙烯(PS)，高密度聚乙烯(HDPE)，聚丙烯(PP)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。可以用于本发明中的富勒烯类可以具有宽范围的尺寸(每分子的碳原子数)。本文所用术语富勒烯包括纯碳的各种笼状分子，包括Buckminster富勒烯(C60)和相关的“球形富勒烯”以及碳纳米管。富勒烯类可以选自本领域已知的那些，例如C20-C1000。优选该富勒烯选自C60-C96的范围。最优选该富勒烯为C60或C70，如[60]PCBM或[70]PCBM。还允许利用化学改性的富勒烯类，条件是该改性的富勒烯保持受体类型和电子迁移特性。该受体材料还可以是选自如下的材料：另一式III化合物或任何半导体聚合物，例如式I的聚合物，条件是这些聚合物保持受体类型和电子迁移特性，有机小分子，碳纳米管，无机颗粒(量子点、量子棒、量子三倍体、TiO2、ZnO等)。该光活性层由作为电子供体的式I化合物和作为电子受体的富勒烯，特别是官能化富勒烯PCBM制成。将这两种组分与溶剂混合并通过例如旋涂法、滴涂法、Langmuir-Blodgett(“LB”)方法、喷墨印刷方法和滴落法作为溶液施用于平滑层上。也可以使用刮刀或印刷方法来用该光活性层涂敷更大表面。代替典型的甲苯，优选将分散剂如氯苯用作溶剂。考虑到操作容易性和成本，在这些方法中特别优选真空沉积法、旋涂法、喷墨印刷方法和流延法。在通过旋涂法、流延法和喷墨印刷方法形成层的情况下，涂敷可以使用通过将该组合物以0.01-90重量％的浓度溶于或分散于合适有机溶剂如苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、丙酮、乙腈、茴香醚、二氯甲烷、二甲亚砜、氯苯、1,2-二氯苯及其混合物中而制备的溶液和/或分散体进行。该光伏(PV)器件还可以由相互叠置加工的多结太阳能电池构成以吸收更多太阳光谱。该类结构例如描述于App.Phys.Let.90，143512(2007)，Adv.Funct.Mater.16，1897-1903(2006)和WO2004/112161中。所谓的‘串接太阳电池’以此顺序包括：(a)阴极(电极)，(b)任选地，过渡层，如碱金属卤化物，尤其是氟化锂，(c)光活性层，(d)任选地，平滑层，(e)中间电极(如Au、Al、ZnO、TiO2等)(f)任选地，匹配能级的额外电极，(g)任选地，过渡层，如碱金属卤化物，尤其是氟化锂，(h)光活性层，(i)任选地，平滑层，(j)阳极(电极)，(k)基材。该PV器件还可以例如如US20070079867和US20060013549所述在纤维上加工。本发明的OFET器件优选包括：-源电极，-漏电极，-栅电极，-半导体层，-一个或多个栅极绝缘体层，以及-任选地，基材，其中该半导体层包含式I化合物。OFET器件中的栅电极、源电极和漏电极以及绝缘和半导体层可以以任何顺序排列，条件是源电极和漏电极通过绝缘层与栅电极分隔，栅电极和半导体层均接触该绝缘层，以及源电极和漏电极均接触该半导体层。优选该OFET包括具有第一侧和第二侧的绝缘体、位于绝缘体第一侧上的栅电极、位于绝缘体第二侧上的包含式I化合物的层以及位于该聚合物层上的漏电极和源电极。本发明还涉及包含下式的重复单元的聚合物：-[(Ar)z1-Y-(Ar’)z2]-(V)，其中z1和z2相互独立地为0或1，Y、Ar和Ar’如上或如下所定义。式(V)的重复单元优选为式的重复单元，z1和z2相互独立地为0或1并且T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar和Ar’如上或如下所定义。在更优选的实施方案中，式(V)的重复单元为式的重复单元，尤其是式的重复单元，其中z1、z2、T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar和Ar’如上文和下文所定义。在另一更优选的实施方案中，式(V)的重复单元为式的重复单元，尤其是式的重复单元，其中z1、z2、T1、T2、T3、T4、U1、U2、Ar和Ar’如上文和下文所定义。U1和U2优选为O。优选T1、T2、T3和T4相互独立地为H，可以任选被C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C38烷基；或者可以任选被C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-或-S-间隔的C2-C38链烯基；其中ESi为-SiR161R162R163。更优选T1、T2、T3和T4相互独立地为H，可以任选被C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C38烷基，其中ESi为-SiR161R162R163。甚至更优选T1、T2、T3和T4相互独立地为H或可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C38烷基。最优选T1、T2、T3和T4为H或C1-C38烷基。R161、R162和R163相互独立地为C1-C8烷基、可以任选被C1-C4烷基取代的C5-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR164R165R166、-(O-SiR164R165)d-R166或苯基；R164、R165和R166相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR169R170R171、-(O-SiR169R170)d-R171或苯基；R169、R170和R171相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-Si(CH3)3或苯基；d为1-10的整数。优选R161、R162和R163相互独立地为C1-C8烷基、-O-SiR164R165R166或-(O-SiR164R165)d-R166。优选R164、R165和R166相互独立地为C1-C8烷基、-O-SiR169R170R171或-(O-SiR169R170)d-R171。优选R169、R170和R171相互独立地为C1-C8烷基或-O-Si(CH3)3。d优选为1-5的整数。-Ar-和-Ar’-优选为单键、其中R3和R3’相互独立地为氢、F、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基，R8为氢或C1-C25烷基并且R104和R104’相互独立地为氢、氰基、COOR103或C1-C25烷基，其中R103为可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C25烷基。R3和R3’优选为氢。优选R104和R104’相互独立地为氢或氰基，最优选氢。甚至更优选式(XIa-1)、(XIa-2)、(XIa-4)、(XId)、(XIf)和(XIv)的基团。在另一实施方案中，本发明涉及包含式的重复单元的聚合物，其中A为式(V)的重复单元，以及-COM1-为具有Ar2的含义的重复单元，其中Ar2如权利要求1所定义或为式的基团，s为1，t为1，u为0或1，v为0或1，以及Ar4和Ar5相互独立地为式的基团，Ar14、Ar15、Ar16和Ar17相互独立地为式的基团，其中X7和X8之一为N且另一个为CR14，R14、R14’、R17和R17’相互独立地为H、F、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基，R200和R200’相互独立地为H或F，R201和R202相互独立地为H，可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C1-C100烷基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C2-C100链烯基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C3-C100炔基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-、-S-、-NR60-、CONR60-、NR60CO-、-COO-、-CO-或-OCO-间隔的C3-C12环烷基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次的C6-C24芳基；可以任选被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、卤素、C5-C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或ESi取代一次或多次的C2-C20杂芳基；并且ESi如权利要求1所定义，R60为氢、C1-C18卤代烷基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基、C1-C18链烷酰基或C7-C25芳烷基，R206为氢或C1-C25烷基或C6-C18芳基；被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基；或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基；以及R304和R304’相互独立地为氢、氰基、COOR305或C1-C25烷基，其中R305为可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C25烷基。Ar4和Ar5优选为式的基团。R14、R14’、R17和R17’优选为H。优选Ar14、Ar15、Ar16和Ar17相互独立地为式的基团。ESi优选为-SiR161R162R163；R161、R162和R163相互独立地为C1-C8烷基、可以任选被C1-C4烷基取代的C5-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR164R165R166、-(O-SiR164R165)d-R166或苯基；R164、R165和R166相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-SiR169R170R171、-(O-SiR169R170)d-R171或苯基；R169、R170和R171相互独立地为C1-C8烷基、C1-C8卤代烷基、C2-C8链烯基、-O-Si(CH3)3或苯基；d为1-10的整数。优选R161、R162和R163相互独立地为C1-C8烷基、-O-SiR164R165R166或-(O-SiR164R165)d-R166。优选R164、R165和R166相互独立地为C1-C8烷基、-O-SiR169R170R171或-(O-SiR169R170)d-R171。优选R169、R170和R171相互独立地为C1-C8烷基或-O-Si(CH3)3。d优选为1-5的整数。优选R201和R202相互独立地为H，可以任选被卤素或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C50烷基或者可以任选被卤素或ESi取代一次或多次和/或可以任选被-O-或-S-间隔的C2-C50链烯基。更优选R201和R202相互独立地为可以任选被-O-或-S-间隔的C1-C50烷基。最优选R201和R202为C1-C50烷基。优选R304和R304’相互独立地为氢或氰基。更优选R304和R304’为氢。包含式(V)的重复单元的聚合物的实例是权利要求6中所示聚合物(P-1)-(P-10)和下式的聚合物：为了制备对应于式-[-[A]-[COM]-]n-(VII)的聚合物，在Pd和三苯基膦的催化作用下使式X6-A-X6的二卤化物与(等摩尔)量的对应于式的二硼酸或二硼酸酯反应；或者使式的二卤化物与(等摩尔)量的对应于式X6′-A-X6′的二硼酸或二硼酸酯反应，其中X6为卤素，尤其是Cl、Br或I，非常尤其为Br，并且X6’在每次出现时独立地为-B(OH)2、-B(OY1)2、其中Y1在每次出现时独立地为C1-C10烷基且Y2在每次出现时独立地为C2-C10亚烷基，如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地为氢或C1-C10烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-、-CH2C(CH3)2CH2-或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-，以及Y13和Y14相互独立地为氢或C1-C10烷基。该反应通常在约0-180℃下在芳族烃溶剂如甲苯、二甲苯中进行。其他溶剂如二甲基甲酰胺、二烷、二甲氧基乙烷和四氢呋喃也可以单独使用或者以与芳族烃的混合物使用。将含水碱，优选碳酸钠或碳酸氢钠、磷酸钾、碳酸钾或碳酸氢钠用作硼酸、硼酸盐的活化剂以及用作HBr清除剂。聚合反应可以进行0.2-100小时。有机碱如四烷基氢氧化铵和相转移催化剂如TBAB可以促进硼的活性(例如参见Leadbeater&Marco；Angew.Chem.Int.Ed.Eng.42(2003)1407及其中引用的参考文献)。反应条件的其他变化由T.I.Wallow和B.M.Novak在J.Org.Chem.59(1994)5034-5037中以及M.Remmers，M.Schulze和G.Wegner在Macromol.RapidCommun.17(1996)239-252中给出。分子量的控制可以通过使用过量二溴化物、二硼酸或二硼酸盐或链终止剂进行。WO2010/136352中所述方法例如可以用于制备式(VII)的聚合物。该聚合在如下组分存在下进行：a)包含钯催化剂和有机膦或化合物的催化剂/配体体系，b)碱，c)溶剂或溶剂混合物。优选的有机膦选自下式的三取代膦：1)R5”和R6”一起形成环2)R3”和R4”一起形成环优选催化剂的实例包括下列化合物：乙酰丙酮钯(II)，钯(0)二亚苄基-丙酮配合物，丙酸钯(II)，Pd2(dba)3：[三(二亚苄基丙酮)二钯(0)]，Pd(dba)2：[二(二亚苄基丙酮)钯(0)]，Pd(PR3)2，其中PR3为式VI的三取代膦，Pd(OAc)2：[乙酸钯(II)]]，氯化钯(II)，溴化钯(II)，四氯钯(II)酸锂，PdCl2(PR3)2，其中PR3为式VI的三取代膦；钯(0)二烯丙基醚配合物，硝酸钯(II)，PdCl2(PhCN)2：[二氯二(苄腈)钯(II)]，PdCl2(CH3CN)：[二氯二(乙腈)钯(II)]，以及PdCl2(COD)：[二氯(1,5-环辛二烯)钯(II)]。尤其优选PdCl2、Pd2(dba)3、Pd(dba)2、Pd(OAc)2或Pd(PR3)2。最优选Pd2(dba)3和Pd(OAc)2。该钯催化剂以催化量存在于反应混合物中。术语“催化量”是指基于所用(杂)芳族化合物的当量明显小于1当量(杂)芳族化合物，优选0.001-5mol％，最优选0.001-1mol％的量。反应混合物中膦或盐的量基于所用(杂)芳族化合物的当量优选为0.001-10mol％，最优选0.01-5mol％。Pd:膦的优选比例为1:4。该碱可以选自所有含水和非水碱并且可以是无机或有机的。优选反应混合物中存在至少1.5当量的所述碱/官能硼基团。合适的碱例如为碱金属和碱土金属氢氧化物、羧酸盐、碳酸盐、氟化物和磷酸盐，如氢氧化钠和氢氧化钾、乙酸钠和乙酸钾、碳酸钠和碳酸钾、氟化钠和氟化钾以及磷酸钠和磷酸钾或者还有金属醇盐。还可以使用碱的混合物。该碱优选为锂盐，如锂醇盐(例如甲醇锂和乙醇锂)，氢氧化锂，羧酸锂，碳酸锂，氟化锂和/或磷酸锂。最优选的碱是含水LiOH×H2O(LiOH的一水合物)和(无水)LiOH。该反应通常在约0-180℃，优选20-160℃，更优选40-140℃，最优选40-120℃下进行。聚合反应可以进行0.1-100小时，尤其是0.2-100小时。在本发明的优选实施方案中，该溶剂为THF，该碱为LiOH*H2O且该反应在THF的回流温度(约65℃)下进行。该溶剂例如选自甲苯、二甲苯类、茴香醚、THF、2-甲基四氢呋喃、二烷、氯苯、氟苯或包含一种或多种溶剂的溶剂混合物，如THF/甲苯和任选地，水。最优选THF或THF/水。聚合有利地在如下物质存在下进行：a)乙酸钯(II)或Pd2(dba)3、(三(二亚苄基丙酮)二钯(0))和有机膦PN-1至PN-8，b)LiOH或LiOH×H2O；以及c)THF和任选地，水。若使用LiOH的一水合物，则无需加入水。该钯催化剂基于所用(杂)芳族化合物的当量以优选约0.5mol％的量存在。反应混合物中膦或盐的量基于所用(杂)芳族化合物的当量优选为约2mol％。优选的Pd:膦之比为约1:4。优选聚合反应在惰性条件下在无氧存在下进行。将氮气以及更优选氩气用作惰性气体。WO2010/136352中所述方法适合大规模应用，容易得到且以高产率、高纯度和高选择性将原料转化成相应聚合物。该方法可以提供重均分子量为至少10,000，更优选至少20,000，最优选至少30,000的聚合物。最优选的聚合物具有30,000-80,000道尔顿的重均分子量。分子量根据使用聚苯乙烯标准的高温凝胶渗透色谱法(HT-GPC)测定。聚合物优选具有1.01-10，更优选1.1-3.0，最优选1.5-2.5的多分散性。需要的话，在该类反应中可以将单官能芳基卤化物或芳基硼酸酯，如用做链终止剂，这导致形成末端芳基。可以通过控制Suzuki反应中单体进料的顺序和组成而在所得共聚物中控制单体单元的定序。本发明聚合物还可以通过Stille偶联合成(例如参见Babudri等，J.Mater.Chem.，2004，14，11-34；J.K.Stille，Angew.ChemieInt.Ed.Engl.1986，25，508)。为了制备对应于式VII的聚合物，使式X6-A-X6的二卤化物与式的化合物或式的二卤化物与式X6′-A-X6′的化合物在惰性溶剂中在0-200℃的温度下在含钯催化剂存在下反应，其中X6’为基团-SnR207R208R209且X6如上所定义，其中R207、R208和R209相同或不同且为H或C1-C6烷基，其中两个基团任选形成共同环并且这些基团是支化或未支化的。这里必须确保所有使用的单体整体具有高度平衡的有机锡官能团/卤素官能团比例。此外，可能证明有利的是在反应结束时通过用单官能试剂封端而除去任何任何过量的反应性基团。为了进行该方法，优选将锡化合物和卤素化合物引入一种或多种惰性有机溶剂中并在0-200℃，优选30-170℃的温度下搅拌1-200小时，优选5-150小时的时间。粗产物可以通过本领域熟练技术人员已知并且适合相应聚合物的方法，例如反复再沉淀或者甚至渗析提纯。适合所述方法的有机溶剂例如为醚类，例如乙醚、二甲氧基乙烷、二甘醇二甲基醚、四氢呋喃、二烷、二氧戊环、二异丙基醚和叔丁基甲基醚，烃类，例如己烷、异己烷、庚烷、环己烷、苯、甲苯和二甲苯，醇类，例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、乙二醇、1-丁醇、2-丁醇和叔丁醇，酮类，例如丙酮、乙基甲基酮和异丁基甲基酮，酰胺类，例如二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮，腈类，例如乙腈、丙腈和丁腈，以及它们的混合物。应类似于对Suzuki方案的描述选择钯和膦组分。或者，本发明聚合物还可以通过使用其中X12为卤素或卤化物的锌试剂A-(ZnX12)2和其中X6’为卤素或三氟甲磺酸酯的COM1-(X6’)2或者使用A-(X6’)2和COM1-(ZnX12)2的Negishi反应合成。例如参见E.Negishi等，Heterocycles18(1982)117-22。或者，本发明聚合物还可以通过使用其中R210、R211和R212相同或不同且为卤素或C1-C6烷基的有机硅试剂A-(SiR210R211R212)2和其中X6’为卤素或三氟甲磺酸酯的COM1-(X6’)2或者使用A-(X6’)2和COM1-(SiR210R211R212)2的Hiyama反应合成。例如参见T.Hiyama等，PureAppl.Chem.66(1994)1471-1478和T.Hiyama等，Synlett(1991)845-853。或者，本发明聚合物还可以通过使用单体A-(H)2和其中X6’为卤素的COM1-(X6’)2或者使用A-(X6’)2和其中X6’为卤素的COM1-(H)2的直接芳基化聚合反应合成。例如参见P.Homyak等，Macromolecules2015，48，6978-6986，T.Nakanishi等，J.Mater.Chem.A，2015，3，4229-4238或J.Kuwabara，JournalofPolymerScience，PartA：PolymerChemistry2016，54，2337-2345。在另一实施方案中，本发明涉及(A)n类型的均聚物。(A)n类型的均聚物可以经由其中X6为卤素，尤其是Cl、Br或I，非常尤其是Br的二卤化物X6-A-X6的Yamamoto偶联得到。或者，(A)n类型的均聚物可以经由其中X6为氢的单元X6-A-X6例如使用FeCl3作为氧化剂的氧化聚合得到。式X6-Ar-Y-Ar’-X6’(X)的化合物是本发明聚合物生产中的新中间体并且形成本发明的另一主题。Y、Ar和Ar’如权利要求1所定义，以及X6和X6’相互独立地为卤素，尤其是Cl、Br或I，非常尤其是Br或I，ZnX12，-SnR207R208R209，其中R207、R208和R209相同或不同且为H或C1-C6烷基，其中两个基团任选形成共同环并且这些基团任选是支化或未支化的，以及X12为卤原子；或者-OS(O)2CF3，-OS(O)2-芳基，-OS(O)2CH3，-B(OH)2，-B(OY1)2，-BF4Na或-BF4K，其中Y1在每次出现时独立地为C1-C10烷基，并且Y2在每次出现时独立地为可以任选被一个或多个C1-C8烷基取代的C2-C10亚烷基，如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地为氢或C1-C10烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-、-CH2C(CH3)2CH2-或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-，并且Y13和Y14相互独立地为氢或C1-C10烷基。式(X)化合物的实例是权利要求23中所示化合物(C-1)至(C-5)以及式的化合物。在本发明上下文中，除非另有说明，术语卤素、C1-C25烷基(C1-C18烷基)、C2-C25链烯基(C2-C18链烯基)、C2-25炔基(C2-18炔基)、脂族基团、脂族烃基、亚烷基、亚链烯基、脂环族烃基、环烷基、环烯基、C1-C25烷氧基(C1-C18烷氧基)、C1-C18全氟烷基、氨基甲酰基、C6-C24芳基(C6-C18芳基)、C7-C25芳烷基和杂芳基各自如下所定义：卤素为氟、氯、溴和碘，尤其是氟。C1-C25烷基(C1-C18烷基)可能的话通常是线性或支化的。实例是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-四甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基和2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基、二十四烷基或二十五烷基。C1-C8烷基通常为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基和2-乙基己基。C1-C4烷基通常为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。卤代C1-C25烷基(C1-C25卤代烷基)为其中部分或全部氢原子被卤原子替代的C1-C25烷基，例如CF3。C2-C25链烯基(C2-C18链烯基)是直链或支化的链烯基，例如乙烯基、烯丙基、甲代烯丙基、异丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、异丁烯基、正戊-2,4-二烯基、3-甲基丁-2-烯基、正辛-2-烯基、正十二碳-2-烯基、异十二碳烯基、正十二碳-2-烯基或正十八碳-4-烯基。C2-25炔基(C2-18炔基)是直链或支化的，优选可以未被取代或者被取代的C2-8炔基，例如乙炔基、1-丙炔-3-基、1-丁炔-4-基、1-戊炔-5-基、2-甲基-3-丁炔-2-基、1,4-戊二炔-3-基、1,3-戊二炔-5-基、1-己炔-6-基、顺式-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、反式-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、1,3-己二炔-5-基、1-辛炔-8-基、1-壬炔-9-基、1-癸炔-10-yl或1-二十四炔-24-基。C1-25链烷酰基(C2-18链烷酰基)涉及基团Rw-(C＝O)-，其中Rw为C1-25烷基(C1-18烷基)。其具体实例包括乙酰基、正丙酰基、异丙酰基、正丁酰基和叔丁酰基。亚烷基是二价烷基，即具有两个(而不是一个)游离价键的烷基，例如三亚甲基或四亚甲基。亚链烯基是二价链烯基，即具有两个(而不是一个)游离价键的链烯基，例如-CH2-CH＝CH-CH2-。环烷基-烷基是被环烷基取代的烷基，例如环己基-甲基。式IV的基团—其中个相互相邻的两个基团R22-R26一起表示具有至多8个碳原子的亚烷基或亚链烯基，由此形成环—例如为下式基团：其中个在式XXXII的基团中，R23和R24一起表示1,4-亚丁基且在式XXXIII的基团中，R23和R24一起表示1,4-丁-2-烯亚基。C1-C25烷氧基(C1-C18烷氧基)是直链或支化烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基或叔戊氧基、庚氧基、辛氧基、异辛氧基、壬辛氧基、癸辛氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基。C1-C8烷氧基的实例是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1,1,3,3-四甲基丁氧基和2-乙基己氧基，优选C1-C4烷氧基，如通常是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基。术语“C1-C25烷硫基”是与烷氧基相同的基团，不同的是醚键的氧原子被硫原子替代。C1-C18全氟烷基，尤其是C1-C4全氟烷基是支化或未支化基团，如-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3和-C(CF3)3。C3-C12环烷基或C4-C12环烷基通常为C5-C12环烷基，如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、环十一烷基、环十二烷基，优选可以未被取代或被取代的环戊基、环己基、环庚基或环辛基。该环烷基，尤其是环己基可以与可以被C1-C4-烷基、卤素和氰基取代一次或多次的苯基稠合一次或两次。该类稠合环己基的实例是尤其是其中R151、R152、R153、R154、R155和R156相互独立地为C1-C8-烷基、C1-C8烷氧基、卤素和氰基，尤其是氢。C6-C24芳基(C6-C18芳基)通常为可以未被取代或被取代的苯基、茚基、甘菊环基、萘基、联苯基、as-引达省基、s-引达省基、苊烯基、芴基、菲基、荧蒽基、三联苯基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、二苯并[b,h]菲基、并六苯基、芘基或蒽基，优选苯基，1-萘基、2-萘基、4-联苯基、9-菲基、2-或9-芴基、3-或4-联苯基。C6-C12芳基的实例是可以未被取代或被取代的苯基、1-萘基、2-萘基、3-或4-联苯基、2-或9-芴基或9-菲基。C7-C25芳烷基通常为苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基乙基、α,α-二甲基苄基、ω-苯基丁基、ω,ω-二甲基-ω-苯基丁基、ω-苯基十二烷基、ω-苯基十八烷基、ω-苯基二十烷基或ω-苯基二十二烷基，优选C7-C18芳烷基如苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基乙基、α,α-二甲基苄基、ω-苯基丁基、ω,ω-二甲基-ω-苯基丁基、ω-苯基十二烷基或ω-苯基十八烷基，特别优选C7-C12芳烷基如苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基乙基、α,α-二甲基苄基、ω-苯基丁基或ω,ω-二甲基-ω-苯基丁基，其中脂族烃基和芳族烃基均可以是未被取代或者被取代的。优选的实例是苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基、萘基乙基、萘基甲基和枯基。杂芳基通常为C2-C20杂芳基，即具有5-7个环原子的环或稠合环体系，其中氮、氧或硫是可能的杂原子，并且通常为具有5-30个原子且具有至少6个共轭π-电子的不饱和杂环基团，如可以未被取代或者被取代的噻吩基、苯并[b]噻吩基、二苯并[b,d]噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、吲嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、二氮杂萘基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、异噻唑基、吩噻嗪基、异唑基、噻吩并噻吩基、呋咱基或吩嗪基。上述基团的可能取代基是C1-C8烷基、羟基、巯基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷硫基、卤素、卤代-C1-C8烷基、氰基、氨基甲酰基、硝基或甲硅烷基，尤其是C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷硫基、卤素、卤代-C1-C8烷基或氰基。被一个或多个O间隔的C1-C25烷基例如为(CH2CH2O)1-9-Rx，其中Rx为H或C1-C10烷基，CH2-CH(ORy')-CH2-O-Ry，其中Ry为C1-C18烷基且Ry'包括与Ry相同的定义或者为H。被一个或多个S间隔的C1-C25烷基例如为(CH2CH2S)1-9-Rx，其中Rx为H或C1-C10烷基，CH2-CH(SRy')-CH2-S-Ry，其中Ry为C1-C18烷基且Ry'包括与Ry相同的定义或者为H。若取代基如T3在基团中出现不止一次，则它可能在每次出现时不同。含有本发明聚合物的混合物得到包含本发明聚合物(通常为5-99.9999重量％，尤其是20-85重量％)和至少另一物质的半导体层。该另一物质可以是但不限于具有不同分子量的本发明相同聚合物的部分、另一种本发明聚合物、半导体聚合物、有机小分子、碳纳米管、富勒烯衍生物、无机颗粒(量子点、量子棒、量子三倍体、TiO2、ZnO等)、导电颗粒(Au、Ag等)、绝缘体材料如对栅极介电层所述那些(PET、PS等)。本发明聚合物可以与本发明的式(I)化合物或例如在WO2009/047104、WO2010108873、WO09/047104、US6,690,029、WO2007082584和WO2008107089中所述小分子共混。该聚合物可以含有小分子或两种或更多种小分子化合物的混合物。因此，本发明还涉及包含本发明聚合物的有机半导体材料、层或组件。本发明聚合物可以在半导体器件中用作半导体层。因此，本发明还涉及包含本发明聚合物或有机半导体材料、层或组件的半导体器件。该半导体器件尤其为有机光伏(PV)器件(太阳能电池)、光电二极管或有机场效应晶体管。本发明聚合物可以单独或者组合用作半导体器件的有机半导体层。该层可以通过任何有用的手段，如气相沉积(对于具有相对低分子量的材料)和印刷技术提供。本发明化合物可以充分可溶于有机溶剂中并且可以溶液沉积和图案化(例如通过旋涂、浸涂、喷墨印刷、照相凹版印刷、凸版印刷、胶版印刷、丝网印刷、微接触(波)印刷、滴落或分区流延或其他已知技术)。本发明聚合物可以用于包括许多OTFT的集成电路以及各种电子制品中。该类制品例如包括射频识别(RFID)标签，柔性显示器底板(例如用于个人电脑、手机或手持器件)，智能卡，医疗设备，存储器件，传感器(例如光-、图像-、生物-、化学-、机械-或温度传感器)，尤其是光电二极管或安全装置等。本发明的另一方面是包含一种或多种本发明聚合物的有机半导体材料、层或组件。另一方面是本发明聚合物或材料在有机光伏(PV)器件(太阳能电池)、光电二极管或有机场效应晶体管(OFET)中的用途。另一方面是包含本发明聚合物或材料的有机光伏(PV)器件(太阳能电池)、光电二极管或有机场效应晶体管(OFET)。本发明聚合物通常以优选小于30微米厚的薄有机层或薄膜形式用作有机半导体。本发明的半导体层通常为至多1微米(＝1μm)厚，但需要的话可以更厚。对于各种电子器件应用，厚度还可以小于约1微米厚。例如，为了用于OFET中，层厚通常可以为100nm或更小。该层的准确厚度例如取决于该层所用于的电子器件的要求。例如，在OFET中漏电极和源电极之间的活性半导体通道可以包含本发明的层。本发明的OFET器件优选包括：-源电极，-漏电极，-栅电极，-半导体层，-一个或多个栅极绝缘体层，以及-任选地，基材，其中该半导体层包含一种或多种本发明聚合物。该OFET器件中的栅电极、源电极和漏电极以及绝缘和半导体层可以以任何顺序排列，条件是源电极和漏电极通过绝缘层与栅电极分隔，栅电极和半导体层均接触该绝缘层，以及源电极和漏电极均接触该半导体层。优选该OFET包括具有第一侧和第二侧的绝缘体、位于绝缘体第一侧上的栅电极、位于绝缘体第二侧上的包含本发明聚合物的层以及位于该聚合物层上的漏电极和源电极。该OFET器件可以是顶栅极器件或底栅极器件。OFET器件的合适结构和制造方法对本领域熟练技术人员而言是一致的且描述于文献，例如WO03/052841中。该栅极绝缘体层例如可以包含氟聚合物，例如市售Cytop或Cytop(来自AsahiGlass)。优选该栅极绝缘体层例如通过旋涂、刮刀涂布、绕线棒涂敷、喷涂或浸涂或其他已知方法由包含绝缘体材料和一种或多种具有一个或多个氟原子的溶剂(氟代溶剂)，优选全氟溶剂的配制剂沉积。合适的全氟溶剂例如为(购自Acros，目录号12380)。其他合适的氟聚合物和氟溶剂在现有技术中是已知的，例如全氟聚合物Teflon1600或2400(来自DuPont)或(来自Cytonix)或全氟溶剂FC(Acros，No.12377)。包含本发明聚合物的半导体层可以额外包含至少另一物质。该另一物质可以为但不限于另一本发明聚合物、半导体聚合物、聚合物粘合剂、不同于本发明聚合物的有机小分子、碳纳米管、富勒烯衍生物、无机颗粒(量子点、量子棒、量子三倍体、TiO2、ZnO等)、导电颗粒(Au、Ag等)以及绝缘体材料如对栅极介电层所述那些(PET、PS等)。如上所述，该半导体层也可以由一种或多种本发明聚合物和聚合物粘合剂的混合物构成。本发明聚合物与聚合物粘合剂的比例可以为5-95％。优选该聚合物粘合剂为半结晶聚合物如聚苯乙烯(PS)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯(PP)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。使用该技术可以避免电气性能的恶化(参见WO2008/001123A1)。本发明聚合物有利地用于有机光伏(PV)器件(太阳能电池)中。因此，本发明提供了包含本发明聚合物的PV器件。具有该构造的器件也具有校正性能，因而也可以称为光电二极管。感光器件用作由光产生电的太阳能电池和测量或检测光的光检测器。该PV器件可以以此顺序包括：(a)阴极(电极)，(b)任选地，过渡层，如碱金属卤化物，尤其是氟化锂，(c)光活性层，(d)任选地，平滑层，(e)阳极(电极)，(f)基材。该光活性层包含本发明聚合物。优选该光活性层由作为电子供体的本发明共轭聚合物和电子受体的受体材料如富勒烯，特别是官能化富勒烯PCBM制成。如上所述，该光活性层还可以含有聚合物粘合剂。式(V)的聚合物与聚合物粘合剂的比例可以在5-95％内变化。优选该聚合物粘合剂为半结晶聚合物如聚苯乙烯(PS)，高密度聚乙烯(HDPE)，聚丙烯(PP)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。对于异质结太阳能电池，该活性层优选包含重量比为1:1-1:3的本发明聚合物和富勒烯，如[60]PCBM(＝6,6-苯基-C61丁酸甲酯)或[70]PCBM的混合物。可以用于本发明的富勒烯可以具有宽范围的尺寸(每分子的碳原子数)。本文所用术语富勒烯包括纯碳的各种笼状分子，包括Buckminster富勒烯(C60)和相关的“球形富勒烯”以及碳纳米管。富勒烯类可以选自本领域已知的那些，例如C20-C1000。优选该富勒烯选自C60-C96的范围。最优选该富勒烯为C60或C70，如[60]PCBM或[70]PCBM。还允许利用化学改性的富勒烯类，条件是该改性的富勒烯保持受体类型和电子迁移特性。该受体材料还可以是选自如下的材料：任何半导体聚合物，例如本发明聚合物，条件是这些聚合物保持受体类型和电子迁移特性，有机小分子，碳纳米管，无机颗粒(量子点、量子棒、量子三倍体、TiO2、ZnO等)。该光活性层由作为电子供体的本发明聚合物和作为电子受体的富勒烯，特别是官能化富勒烯PCBM制成。将这两种组分与溶剂混合并通过例如旋涂法、滴涂法、Langmuir-Blodgett(“LB”)方法、喷墨印刷方法和滴落法作为溶液施用于平滑层上。也可以使用刮刀或印刷方法来用该光活性层涂敷更大表面。代替典型的甲苯，优选将分散剂如氯苯用作溶剂。考虑到操作容易性和成本，在这些方法中特别优选真空沉积法、旋涂法、喷墨印刷方法和流延法。在通过使用旋涂法、流延法和喷墨印刷方法形成层的情况下，涂敷可以使用通过将该组合物以0.01-90重量％的浓度溶于或分散于合适有机溶剂如苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、丙酮、乙腈、茴香醚、二氯甲烷、二甲亚砜、氯苯、1,2-二氯苯及其混合物中而制备的溶液和/或分散体进行。该光伏(PV)器件还可以由相互叠置加工的多结太阳能电池构成以吸收更多太阳光谱。该类结构例如描述于App.Phys.Let.90，143512(2007)，Adv.Funct.Mater.16，1897-1903(2006)和WO2004/112161中。所谓的‘串接太阳电池’以此顺序包括：(a)阴极(电极)，(b)任选地，过渡层，如碱金属卤化物，尤其是氟化锂，(c)光活性层，(d)任选地，平滑层，(e)中间电极(如Au、Al、ZnO、TiO2等)(f)任选地，匹配能级的额外电极，(g)任选地，过渡层，如碱金属卤化物，尤其是氟化锂，(h)光活性层，(i)任选地，平滑层，(j)阳极(电极)，(k)基材。该PV器件还可以例如如US20070079867和US20060013549所述在纤维上加工。仅为说明目的引入下列实施例，这些实施例不限制权利要求书的范围。除非另有说明，所有份数和百分数按重量计。重均分子量(Mw)和多分散性(Mw/Mn＝PD)通过高温凝胶渗透色谱法(HT-GPC)测定[设备：来自Polymerlaboratories(ChurchStretton，UK；现为Varian)的GPCPL220，由折射率(RI)产生响应，色谱条件：柱：3个来自PolymerLaboratories(ChurchStretton，UK)的“PLgelOlexis”；平均粒度小于13ìm(尺寸300×8mmI.D.)。移动相：通过真空蒸馏提纯并由丁羟基甲苯(BHT，200mg/l)稳定的1,2,4-三氯苯，色谱温度：150℃；移动相流速：1ml/min；溶质浓度：约1mg/ml；注入体积：200ìl；检测：RI，分子量校正程序：通过使用一套10个由PolymerLaboratories(ChurchStretton，UK)得到的分子量跨度范围为1’930’000Da-5’050Da的聚苯乙烯校正标样，即PS1’930’000，PS1’460’000，PS1’075’000，PS560’000，PS330’000，PS96’000，PS52’000，PS30’300，PS10’100，PS5’050Da进行相对校正。使用多项式校正计算分子量。下面实施例中所给所有聚合物结构是经由所述聚合程序得到的聚合物产物的理想化表示。若不止两种组分相互共聚，则聚合物中的顺序取决于聚合条件可能是交替或无规的。实施例实施例1通过2-甲酰基吡咯和琥珀酰氯的缩合合成二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1a(A-1))程序1.将2-甲酰基吡咯(1.14g，12.0mmol)和4-二甲氨基吡啶(DMAP，98mg，0.80mmol)溶于25ml无水二氯甲烷中。将该混合物在氩气气氛下搅拌并加入三乙胺(2.2ml，15.8mmol)。然后滴加琥珀酰氯(0.44ml，4.0mmol)。继续在室温下搅拌2小时。反应混合物含有大量黑焦油，通过硅藻土过滤将其除去。然后将硅藻土用二氯甲烷洗涤。向合并的滤液中加入水并分离各层。将水层用二氯甲烷萃取3次。将合并的有机层用水洗涤2次并在Na2SO4上干燥。滤出干燥剂并蒸发溶剂。产物通过柱层析(二氧化硅，二氯甲烷:丙酮19:1)提纯并通过将戊烷缓慢加入产物在少量热氯仿中的溶液而再结晶。以褐色粉末得到化合物1a(32mg，3.4％产率)。Mp.>280℃(分解)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.97(s，1H，CH(6员环))，7.81(dd，J＝3.1，0.7Hz，1H，吡咯：5-H)，6.80(dd，J＝3.6，1.2Hz，1H，吡咯：3-H)，6.54(t，J＝3.4Hz，1H，吡咯：4-H)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ158.4，131.7，125.2，123.6，120.3，118.4，116.2。C14H8N2O2的HRMS(EI)计算值(M+)：236.0586；实测值：236.0580。C14H8N2O2的元素分析计算值(％)：C71.18，H3.41，N11.86；实测值：C71.19，H3.60，N11.65。除了染料1a外，还由反应混合物分离未反应的2-甲酰基吡咯(0.74g，初始量的65％)。程序2.在0℃下将由2-甲酰基吡咯(238mg，2.5mmol)、粉末碳酸钾(1.38g，10.0mmol)和10ml无水DMF构成的混合物在氩气气氛下搅拌。滴加琥珀酰氯(110μl，1.0mmol)在1.0ml无水二氯甲烷中的溶液。继续在0℃下搅拌2小时。然后将反应混合物用水稀释并通过硅藻土，将后者用水洗涤2次。然后使两份乙醇和三份氯仿通过硅藻土以回收产物。将这些滤液合并，用水洗涤2次并在Na2SO4上干燥。滤出干燥剂并蒸发溶剂。产物通过将戊烷缓慢加入其在少量热氯仿中的溶液中而再结晶。以褐色粉末得到化合物1a(15mg，6.4％产率)。产物通过与前面合成的样品比较而确认。实施例2通过1,4-二(吡咯-1-基)丁烷-1,4-二酮(3)的Vilsmeier-Haack甲酰化合成二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1a(A-1))将琥珀酰胺(1.16g，10mmol)、2,5-二甲氧基四氢呋喃(3.9ml，30mmol)、一水合对甲苯磺酸(190mg，1.0mmol)和25ml甲苯的混合物在迪安-斯塔克设备下回流2小时。冷却反应混合物并将在该反应中形成的黑色沉淀滤出和用氯仿洗涤。滤液用水洗涤3次并在Na2SO4上干燥。蒸发溶剂并将产物通过柱层析(二氧化硅，己烷类:二氯甲烷1:2)提纯。将产物由乙醇再结晶。以白色粉末得到化合物3(632mg，29％产率)。Mp.162-164℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.36(brs，4H，吡咯：2-H和5-H)，6.36-6.27(m，4H，吡咯：3-H和4-H)，3.34(s，4H，CH2CH2)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ168.2，119.0，113.5，28.9。C12H12N2O2的HRMS(EI)计算值(M+)：216.0899；实测值：216.0910。C12H12N2O2的元素分析计算值(％)：C66.65，H5.59，N12.96；实测值：C66.86，H5.73，N12.92。在氩气气氛下向化合物3(432mg，2.0mmol)在10ml无水1,2-二氯乙烷中的溶液中加入DMF(390μl，5.0mmol)。然后滴加磷(V)酰氯(480μl，5.2mmol)并将该混合物回流2小时。该反应通过加入饱和碳酸氢钠水溶液(10ml)猝灭。将所得混合物搅拌5分钟并用二氯甲烷和水稀释。分离各层并将水层用二氯甲烷萃取3次。将合并的有机层用水洗涤并在Na2SO4上干燥。通过柱层析(二氧化硅，二氯甲烷:丙酮19:1)分离产物。染料1a通过将戊烷缓慢加入其在少量热氯仿中的溶液中再结晶。产物以褐色粉末得到(39mg，8.3％产率)并通过与前面合成的样品相比较而确认。除了化合物1a外，还得到2-甲酰基吡咯(127mg，33％产率)。实施例3用乙酸酰化化合物3(A-2)在氩气气氛下将化合物3(216mg，1.0mmol)溶于4.5ml无水二氯甲烷中并将该溶液冷却至0℃。加入三氟乙酸酐(3.0ml，22mmol)和乙酸(460μl，8.0mmol)并将所得混合物在0℃下搅拌10分钟，然后在室温下搅拌4小时。然后将反应混合物倾入含有10ml饱和NaHCO3水溶液的烧杯中并混合(放出CO2气体)。当再也观察不到二氧化碳的放出时，分离各层。水层用氯仿萃取3次，将合并的有机层用水洗涤并在Na2SO4上干燥。所得混合物使用柱层析(二氧化硅，己烷类:二氯甲烷1:2→纯二氯甲烷)分离而得到两种粗产物，化合物4和1b，其通过将甲醇缓慢加入该染料在少量氯仿中的热溶液中再结晶。6,12-二甲基-3-三氟乙酰基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(4)。以深褐色粉末得到化合物4(34mg，9.4％产率)。Mp.>180℃(分解)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.84(d，J＝1.9Hz，1H，DPND：9-H)，7.19(d，J＝3.9Hz，1H，DPND：1-H)，6.97(d，J＝3.1Hz，1H，DPND：7-H)，6.89(d，J＝4.0Hz，1H，DPND：2-H)，6.56(t，J＝3.4Hz，1H，DPND：8-H)，2.86(s，3H，CH3)，2.81(s，3H，CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ174.1-173.5(m)，158.4，143.3，139.4，137.8，133.4，128.4，124.3，124.3，123.9，119.1，118.9，116.0，116.1(q，J＝290Hz)，114.80，114.54，18.27，17.81。C18H11F3N2O3Na的HRMS(ESI)计算值(M+Na+)：383.0619；实测值：383.0606。C18H11F3N2O3的元素分析计算值(％)：C60.01，H3.08，N7.78；实测值：C59.92，H3.02，N7.68。6,12-二甲基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1b)。以深褐色粉末得到化合物1b(33mg，12％产率)。Mp.>280℃(分解)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.84(d，J＝1.7Hz，2H，吡咯：5-H)，6.95-6.85(m，2H，吡咯：3-H)，6.54(t，J＝3.3Hz，2H，吡咯：4-H)，2.85(s，6H，CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ159.1，140.5，133.7，122.7，117.1，115.6，115.0，18.3。C16H12N2O2Na的HRMS(ESI)计算值(M+Na+)：287.0796；实测值：287.0786。C16H12N2O2的元素分析计算值(％)：C72.72，H4.58，N10.60；实测值：C72.79，H4.50，N10.62。实施例4制备6,12-二取代的DPND衍生物(1b-1e)的通用程序在氩气气氛下将化合物3(108mg，0.50mmol)溶于3.0ml无水二氯甲烷中并将该溶液冷却至0℃。然后向反应烧瓶中缓慢加入羧酸(3.0mmol)，三氟乙酸酐(830μl，6.0mmol)和三氟乙酸(230μl，3.0mmol)。将所得混合物在室温下搅拌给定时间。然后将反应混合物缓慢倾入含有20ml剧烈搅拌的饱和NaHCO3水溶液的烧杯中(放出CO2)。当再也观察不到二氧化碳的放出时，将该混合物用氯仿稀释并分离各层。水层用氯仿萃取4次，将合并的有机层用水洗涤并在Na2SO4上干燥。产物通过柱层析提纯并再结晶(详情见下文)。6,12-二甲基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1b(A-2))。所用羧酸：乙酸(172μl，3.0mmol)。反应时间：5小时。产物使用柱层析(二氧化硅，二氯甲烷)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量氯仿中的热溶液中再结晶。以深褐色粉末得到化合物1b(23mg，17％产率)并通过与前面合成的样品相比较而确认。6,12-二庚基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1c(A-3))。所用羧酸：辛酸(475μl，3.0mmol)。反应时间：3小时。产物通过使用柱层析(二氧化硅，己烷:二氯甲烷2:1→1:1)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量二氯甲烷中的溶液中再结晶。以红色固体得到化合物1c(63mg，29％产率)。Mp.107-109℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.84(dd，J＝3.0，1.3Hz，2H，吡咯：5-H)，6.87(dd，J＝3.7，1.3Hz，2H，吡咯：3-H)，6.54(t，J＝3.4Hz，2H，吡咯：4-H)，3.35-3.22(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.76-1.62(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.58-1.47(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.44-1.35(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.35-1.23(m，8H，CH2(CH2)5CH3)，0.89(t，J＝6.9Hz，6H，CH2(CH2)5CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ158.6，145.6，133.4，122.6，116.7，115.6，114.6，32.1，31.2，30.6，30.5，29.4，22.8，14.3。C28H37N2O2的HRMS(ESI)计算值(M+H+)：433.2855；实测值：433.2848。C28H36N2O2的元素分析计算值(％)：C77.74，H8.39，N6.48；实测值：C77.48，H8.48，N6.33。使用相同程序和如下量的试剂以10倍大的规模重复化合物1c的合成：化合物3(1.08g，5.00mmol)，辛酸(4.75ml，30mmol)，三氟乙酸酐(8.3ml，60mmol)，三氟乙酸(2.30ml，30mmol)和作为溶剂的二氯甲烷(30ml)。在室温下反应3.5小时之后得到525mg产物1c(23％产率)。6,12-二仲丁基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1d(A-4))。所用羧酸：2-甲基丁酸(330μl，3.0mmol)。反应时间：6小时。产物使用柱层析(二氧化硅，己烷:二氯甲烷1:1)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量二氯甲烷中的溶液中再结晶。作为红色晶体得到化合物1d(36mg，21％产率)。Mp.176-178℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.79(dd，J＝2.9，1.0Hz，2H，吡咯：5-H)，7.01(d，J＝3.0Hz，2H，吡咯：3-H)，6.50(t，J＝3.4Hz，2H，吡咯：4-H)，4.74(brs，2H，CH(CH3)CH2CH3)，2.00-1.90(m，2H，CH(CH3)CH2CH3)，1.90-1.79(m，2H，CH(CH3)CH2CH3)，1.46(dd，J＝7.1，1.7Hz，6H，CH(CH3)CH2CH3)，0.96(t，J＝7.4Hz，6H，CH(CH3)CH-2CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ159.7，150.7，130.3，121.6，118.7，116.8，115.2，35.9，30.6，20.5，13.1。C22H24N2O2Na的HRMS(ESI)计算值(M+Na+)：371.1735；实测值：371.1724。C22H24N2O2的元素分析计算值(％)：C75.83，H6.94，N8.04；实测值：C75.63，H6.89，N7.94。6,12-二(4-甲氧基苄基)二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1e(A-5))。所用羧酸：4-甲氧基苯基乙酸(499mg，3.0mmol)。反应时间：6小时。产物通过使用柱层析(二氧化硅，二氯甲烷→二氯甲烷:乙酸乙酯19:1)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量氯仿中的溶液中再结晶。以红色晶体得到化合物1e(25mg，10.5％产率)。Mp.>270℃(分解)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.82(dd，J＝3.0，1.2Hz，2H，吡咯：5-H)，7.24-7.18(AA’BB’，4H，苯：2-H和6-H)，6.91(dd，J＝3.7，1.2Hz，2H，吡咯：3-H)，6.83-6.78(AA’BB’，4H，苯：3-H和5-H)，6.52(t，J＝3.4Hz，2H，吡咯：4-H)，4.69(s，4H，CH2Ar)，3.75(s，6H，OCH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ158.2，158.0，142.4，133.6，130.8，129.3，123.1，118.2，115.8，115.3，113.9，55.2，34.7。C30H24N2O4Na的HRMS(ESI)计算值(M+Na+)：499.1634；实测值：499.1624。C30H24N2O4的元素分析计算值(％)：C75.62，H5.08，N5.88；实测值：C75.65，H5.10，N5.92。6,12-二乙基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1f(A-6))在氩气气氛下将化合物3(216mg，1.0mmol)溶于6.0ml无水二氯甲烷中并将该溶液冷却至0℃。然后向该反应烧瓶中缓慢加入丙酸酐(380μl，3.0mmol)、三氟乙酸酐(1.10ml，7.9mmol)和三氟乙酸(920μl，12.0mmol)。将所得混合物在室温下搅拌2小时。然后将反应混合物缓慢倾入含有20ml剧烈搅拌的饱和NaHCO3水溶液的烧杯中(放出CO2)。当再也观察不到二氧化碳的放出时，将该混合物用氯仿稀释并分离各层。水层用氯仿萃取4次，将合并的有机层用水洗涤并在Na2SO4上干燥。产物通过柱层析(二氧化硅，甲苯)提纯并通过将甲醇缓慢加入产物在少量二氯甲烷中的溶液中再结晶。以深红色晶体得到化合物1f(67mg，23％)。Mp.226-229℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.84(dd，J＝3.0，1.3Hz，2H，吡咯：5-H)，6.89(dd，J＝3.6，1.3Hz，2H，吡咯：3-H)，6.55(t，J＝3.4Hz，2H，吡咯：4-H)，3.33(q，J＝7.4Hz，4H，CH2CH3)，1.35(t，J＝7.4Hz，6H，CH2CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ158.5，146.8，133.0，122.7，116.7，115.7，114.5，24.4，14.5。C18H16N2O4Na的HRMS(ESI)计算值(M+Na+)：315.1109；实测值：315.1097。各种6,12-二取代DPND衍生物的合成[a][a]试剂比例：3(0.5mmol)，羧酸(3mmol)，TFAA(6mmol)，TFA(3mmol)。[b]代替羧酸使用丙酸酐。[c]0.5mmol规模。[d]5.0mmol规模。实施例43,9-二溴-6,12-二庚基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(5(C-1))在0℃(水-冰浴)下搅拌化合物1c(108mg，0.25mmol)在5ml氯仿中的溶液。加入新鲜再结晶的N-溴代琥珀酰亚胺(93mg，0.52mmol)并将所得混合物在黑暗(用铝箔保护)中搅拌16小时。在此期间冰浴中的冰融化并将反应混合物温热至室温。将反应混合物用氯仿稀释，用水洗涤3次并在Na2SO4上干燥。产物使用柱层析(二氧化硅，己烷:二氯甲烷3:1→2:1)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量二氯甲烷中的溶液中再结晶。以红色固体得到化合物5(107mg，72％产率)。Mp.133-135℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ6.81(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：3-H)，6.59(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：4-H)，3.24-3.05(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.71-1.59(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.55-1.46(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.41-1.23(m，12H，CH2(CH2)5CH3)，0.89(t，J＝6.8Hz，6H，CH2(CH2)5CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ158.9，143.3，135.0，120.5，115.8，115.4，106.6，31.9，30.3，30.2(2个信号)，29.2，22.7，14.1。C28H34Br2N2O2的HRMS(ESI)计算值(M+)：588.0987；实测值：588.0985。C28H34Br2N2O2的元素分析计算值(％)：C56.96，H5.80，N4.74；实测值：C56.98，H5.77，N4.76。使用相同程序和如下量的试剂以4倍大的规模重复化合物5的合成：化合物1c(433mg，1.00mmol)，N-溴代琥珀酰亚胺(374mg，2.10mmol)和作为溶剂的氯仿(15ml)。得到379mg产物5(64％产率)。实施例53,9-二氰基-6,12-二庚基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(6(A-7))在氩气和140°C下将化合物5(59mg，0.10mmol)、氰化铜(I)(20mg，0.22mmol)和2ml无水NMP的混合物搅拌16小时并在160℃下搅拌5小时。将该混合物用水稀释并通过硅藻土，将后者用水洗涤。然后将产物用一份乙醇和三份氯仿从硅藻土萃取。将有机滤液合并，用水洗涤2次并在Na2SO4上干燥。产物通过柱层析(二氧化硅，己烷:二氯甲烷2:3)提纯。在蒸发洗脱剂之后得到16mg产物(33％产率)，通过将甲醇缓慢加入该染料在少量氯仿中的温热溶液中将其再结晶。以红色晶体得到化合物6(11mg，23％产率)。Mp.222-225℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.19(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：3-H)，6.92(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：4-H)，3.43-3.15(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.76-1.62(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.59-1.47(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.42-1.25(m，12H，CH2(CH2)5CH3)，0.90(t，J＝6.8Hz，6H，CH2(CH2)5CH3).13CNMR(126MHz，CDCl3)δ156.8，146.6，136.2，127.0，116.9，116.0，112.5，106.4，31.8，31.1，30.2，30.1，29.1，22.7，14.1。C30H34N4O2Na(M+Na+)的HRMS(ESI)计算值：505.2579；实测值：505.2574。实施例6化合物5(C-1)与对位取代苯基乙炔类的Sonogashira偶联-合成化合物7a-d的通用程序在含有磁力搅拌棒的Schlenck烧瓶中放入：溴代衍生物5(0.10mmol，59mg)，碘化铜(I)(1.9mg，0.010mmol)，四(三苯基膦)钯(0)(5.8mg，0.005mmol)和对位取代的苯基乙炔(0.30mmol)。将该容器抽空并用氩气回充(3次)，加入无水的脱气THF(3ml)，然后加入无水三乙胺(56μl，0.40mmol)。将该容器紧紧密封并再次小心抽空(直到该混合物开始沸腾)并用氩气回充(3次)。将烧瓶的内容物在70℃(超过沸点)下搅拌20小时。蒸发溶剂并如下所述提纯产物。6,12-二庚基-3,9-二((4-硝基苯基)乙炔基)二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(7a(A-8))。由4-硝基苯基乙炔(44mg，0.30mmol)制备。产物使用柱层析(二氧化硅，己烷:二氯甲烷1:1→1:2)提纯并由甲苯再结晶。以深紫色粉末得到化合物7a(56mg，78％产率)。Mp.>400℃。1HNMR(500MHz，CDCl3，50℃)δ8.26-8.18(AA’BB’，4H，苯：3-H和5-H)，7.77-7.67(AA’BB’，4H，苯：2-H和6-H)，6.89(s，4H，吡咯：3-H和4-H)，3.34-3.27(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.80-1.69(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.61-1.54(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.44-1.23(m，12H，CH2(CH2)5CH3)，0.90(t，J＝6.9Hz，6H，CH2(CH2)5CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3，50℃)δ158.4，147.5，144.3，135.5，132.2，130.3，123.8，118.6，116.9，116.3，96.2，88.1，32.1，31.0，30.5(2个信号)，29.2，22.8，14.2。C44H42N4O6的元素分析计算值(％)：C73.11，H5.86，N7.75；实测值：C73.20，H5.93，N7.71。6,12-二庚基-3,9-二((4-三氟甲基苯基)乙炔基)二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(7b(A-9))。由4-(三氟甲基)苯基乙炔(51mg，0.30mmol)制备。产物使用柱层析(二氧化硅，己烷:二氯甲烷4:1→3:7)提纯并通过将甲醇加入该染料在少量氯仿中的热溶液中再结晶。以深绿色粉末得到化合物7b(44mg，57％产率)。Mp.200-203℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.76-7.67(AA’BB’，4H，苯：3-H和5-H)，7.67-7.58(AA’BB’，4H，苯：2-H和6-H)，6.89(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：3-H)，6.87(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：4-H)，3.34-3.23(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.77-1.68(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.59-1.52(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.48-1.40(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.38-1.29(m，8H，CH2(CH2)5CH3)，0.89(t，J＝7.0Hz，6H，CH2(CH2)5CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ158.5，144.0，135.1，131.8，125.5，125.4，123.4，118.8，116.6，116.1，96.5，85.2，32.1，30.9，30.5，29.9，29.2，22.8，14.3(CF3基团和相邻碳原子的信号由于13C-19F偶联所引起的低强度而未识别)。C46H42F6N2O2的HRMS(ESI)计算值(M+)：768.3150；实测值：768.3153。6,12-二庚基-3,9-二((4-甲氧基苯基)乙炔基)二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(7c(A-10))。由4-甲氧基苯基乙炔(40mg，0.30mmol)制备。产物使用柱层析(二氧化硅，己烷:二氯甲烷3:2→5:4)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量二氯甲烷中的溶液中再结晶。以深紫色粉末得到化合物7c(33mg，48％产率)。Mp.185-187℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.64-7.48(AA’BB’，4H，苯：2-H和6-H)，6.95-6.87(AA’BB’，4H，苯：3-H和5-H)，6.84(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：3-H)，6.77(d，J＝3.9Hz，2H，吡咯：4-H)，3.85(s，6H，OCH3)，3.34-3.21(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.78-1.66(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.60-1.51(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.48-1.39(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.39-1.27(m，8H，CH2(CH2)5CH3)，0.90(t，J＝6.5Hz，6H，CH2(CH2)5CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ160.0，158.6，143.3，134.3，133.2，122.1，119.7，116.0，115.8，115.5，114.1，98.3，81.9，55.3，32.0，30.7，30.3，29.0，22.7，14.2。C46H48N2O4Na的HRMS(ESI)计算值(M+Na+)：715.3512；实测值：715.3506。3,9-二((4-二甲氨基苯基)乙炔基)-6,12-二庚基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(7d(A-11))。由4-(二甲基氨基)苯基乙炔(44mg，0.30mmol)制备。产物使用柱层析(二氧化硅，己烷类:二氯甲烷1:1→1:3)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量二氯甲烷中的溶液中再结晶。以黑色粉末得到化合物7d(40mg，56％产率)。Mp.235-239℃。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.57-7.46(AA’BB’，4H，苯：2-H和6-H)，6.83(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：3-H)，6.74(d，J＝4.0Hz，2H，吡咯：4-H)，6.73-6.59(m，4H，苯：3-H和5-H)，3.32-3.23(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，3.02(s，12H，NCH3)，1.77-1.68(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.59-1.52(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.47-1.40(m，4H，CH2(CH2)5CH3)，1.37-1.30(m，8H，CH2(CH2)5CH3)，0.90(t，J＝6.8Hz，6H，CH2(CH2)5CH3)。13CNMR(126MHz，CDCl3)δ158.7，150.2，142.8，134.0，132.9，121.5，120.2，115.8，111.9，99.9，81.8，40.3，32.1，30.7，30.4，29.1，22.7，14.2。C48H55N4O2的HRMS(ESI)计算值(M+H+)：719.4325；实测值：719.4325。C48H54N4O2的元素分析计算值(％)：C80.19，H7.57，N7.79；实测值：C80.08，H7.50，N7.72。实施例71,4-二(吡咯-1-基)丁烷-1,4-二酮(3)的合成，改良程序在-40℃下向吡咯(0.54ml，7.74mmol)在THF(20mL)中的溶液中加入正丁基锂(2.94ml，2.7M，在己烷中，7.94mmol)。在0℃下搅拌15分钟之后再次将该溶液冷却至-40℃并滴加琥珀酰氯(0.43ml，3.91mmol)。将反应混合物在室温下搅拌3小时，用水(10mL)猝灭，然后倾于水(150mL)上。产物作为米色粉末沉淀并无需进一步提纯而用于接下来的步骤中。6,12-二壬基二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(1g(A-16))的合成根据对化合物1a-1e所给通用程序制备化合物1g：化合物3(3.00g，14mmol)，癸酸(14.34g，83.0mmol)，三氟乙酸酐(34.97g，166mmol)，三氟乙酸(9.49g，83mmol)，二氯甲烷90ml。反应时间：15小时。使用在硅胶上的柱层析提纯产物。以红色固体得到化合物1g。1HNMR(300MHz，CDCl3)δ7.84(dd，2H)，6.88(dd，2H)，6.54(t，2H)，3.35-3.25(m，4H)，1.71-1.61(m，4H)，1.58-1.45(m，4H)，1.42-1.12(m，20H)，0.93-0.80(t，6H)。实施例8化合物(1h(A-17))的合成根据对化合物1a-1e所给通用程序由化合物3、4-辛基十四烷酸[1448593-51-8]、三氟乙酸酐、三氟乙酸制备化合物1h。反应时间：15小时。使用在硅胶上的柱层析提纯产物。实施例9化合物(1i(A-18))的合成根据对化合物1a-1e所给通用程序由化合物3、十二烷酸、三氟乙酸酐、三氟乙酸制备化合物1i。反应时间：15小时。使用在硅胶上的柱层析提纯产物。实施例10化合物(5a(C-6))的合成根据对化合物5所给通用程序由化合物1i和NBS制备化合物5a。使用在硅胶上的柱层析提纯产物。实施例11合成化合物8a和8b的通用程序在含有磁力搅拌棒的Schlenck烧瓶中放入：化合物5a(C-6)(0.1mmol，72.6mg，1.0eq)，乙酸钯(II)(2.2mg，0.01mmol，10mol％)，三(邻甲苯基)膦(6.1mg，0.02mmol，20mol％)。将该容器抽空并用氩气回充(3次)，加入无水的脱气DMF(6ml)，然后加入氩气化(i-Pr)2NEt(Hünig碱)(0.1mL)和苯乙烯(0.4mmol，4.0eq)。将该容器紧紧密封并再次小心抽空并用氩气回充(3次)。将烧瓶的内容物在90℃下搅拌24小时。蒸发所有挥发分并如下所述提纯产物。3,9-二((E)-4-氰基苯乙烯基)-6,12-二-十二烷基-5H,11H-二吡咯并[1,2-b:1',2'-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(8a(A-19))。由4-氰基苯乙烯(51.7mg，0.4mmol)制备。产物使用柱层析(SiO2，环己烷:二氯甲烷1:1，然后1:2)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量氯仿中的热溶液中再结晶。以深褐色晶体得到化合物8a(44.7mg，56％产率)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ8.50(d，2H，J＝13.2Hz)，7.63(m，8H)，7.06(d，2H，J＝16.4Hz)，6.95(d，2H，J＝4.0Hz)，6.91(d，2H，J＝4.1Hz)，3.25(t，4H，J＝7.7Hz)，1.69(m，4H)，1.56(m，4H+H2O，在CDCl3中)，1.41(m，4H)，1.30(m，24H+溶剂残余物)，0.88(t，6H，J＝6.5Hz)。13CNMR(125MHz，CDCl3)δ160.7，143.3，141.7，138.9，135.5，132.5，128.9，127.1，123.4，119.0，116.7，115.8，114.9，110.7，31.9，30.7，30.5，30.3，29.7，29.7，29.5，29.4，22.7，14.1。C54H62N4O2的HRMS(EI)计算值：798.4873[M·+]，实测值：798.4851。3,9-二((E)-3-甲氧基苯乙烯基)-6,12-二-十二烷基-5H,11H-二吡咯并[1,2-b:1',2'-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(8b(A-20))。由3-甲氧基苯乙烯(53.7mg，0.4mmol，55.5μL)制备。产物使用柱层析(SiO2，环己烷:二氯甲烷3:2)提纯。所得级分用甲醇洗涤直到洗涤液无色，得到足够纯的化合物。以深褐色晶体得到化合物8b(41.3mg，51％产率)。1HNMR(500MHz，CD2Cl2)δ8.35(d，2H，J＝13.2Hz)，7.30(t，2H，J＝6.0Hz)，7.17(d，2H，J＝6.0Hz)，7.08(t，4H，J＝8.7Hz)，6.92(m，4H)，7.08(d，2H，J＝6.4Hz)，3.80(s，6H)，3.26(t，4H，J＝6.0Hz)，1.70(m，4H)，1.55(m，4H)，1.40(m，4H,)1.28(m，24H+溶剂残余物)，0.88(t，6H，J＝5.6Hz)。13CNMR(125MHz，CD2Cl2)δ171.9，161.3，160.5，143.1，140.0，139.2，135.4，131.2，130.0，120.8，119.7，116.8，115.9，114.3，113.9，112.5，55.6，32.3，31.0，30.9，30.7，30.1，30.1，29.9，29.8，23.1，14.3。C54H68N2O4的HRMS(EI)计算值：808.5179[M·+]，实测值：808.5165。实施例12DPND和溴代芳烃直接偶联的通用程序在含有磁力搅拌棒的Schlenck烧瓶中放入：化合物1c(A-3)(0.1mmol，43.3mg，1.0eq)，乙酸钯(II)(1.1mg，0.005mmol，5mol％)，PCy3·HBF4(3.7mg，0.01mmol，10mol％)，新戊酸(3.1mg，0.03mmol，30mol％)，K2CO3(55.2mg，0.4mmol，4.0eq)以及若为固体的话，该溴代芳烃(0.25mmol，2.5eq)。将该容器抽空并用氩气回充(3次)。若该溴代芳烃(0.25mmol，2.5eq)为液体，则接下来使用注射器加入，然后加入无水的脱气甲苯(3mL)。将该容器紧紧密封并再次小心抽空并用氩气回充(3次)。将烧瓶的内容物在120℃下搅拌通常24-72小时。在所示时间之后将该烧瓶冷却至室温并用二氯甲烷萃取3次(3×25mL)，然后再硫酸镁上干燥。蒸发所有溶剂并通过柱层析提纯残余物。4,4'-(6,12-二庚基-5,11-二氧代-5H,11H-二吡咯并[1,2-b:1',2'-g][2,6]二氮杂萘-3,9-二基)二苄腈(9a(A-21))。使用4-溴氰基苯(45.5mg，0.25mmol)制备。产物使用柱层析(SiO2，正己烷:二氯甲烷1:3)提纯并通过将甲醇缓慢加入该染料在少量氯仿中的热溶液中再结晶。以深褐色晶体得到化合物(47.8mg，64％产率)。Rf＝0.42(SiO2，正己烷/DCM，1:3)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.68(d，4H，J＝8.5Hz)，7.56(d，4H，J＝8.5Hz)，6.92(d，2H，J＝3.5Hz)，6.59(d，2H，J＝4.0Hz)，3.20-3.17(m，4H)，1.71-1.67(m，4H)，1.50-1.44(m，4H)，1.37-1.29(m，12H)，0.88(t，6H，J＝6.5Hz)。13CNMR(125MHz，CDCl3)δ159.4，144.2，137.9，137.3，136.0，131.4，129.2，119.5，118.9，116.0，115.9，111.2，31.8，30.5，30.4，30.1，29.1，22.7，14.1。C42H43N4O2的HRMS(ESI)计算值：635.3386[M+H+]，实测值：635.3383。6,12-二庚基-3,9-二(4-硝基苯基)-5H,11H-二吡咯并[1,2-b:1',2'-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(9b(A-22))。使用4-溴硝基苯(43.3mg，0.25mmol)制备。产物使用柱层析(SiO2，环己烷:二氯甲烷1:1)提纯并由甲苯再结晶。以深褐色晶体得到化合物(42.2mg，62％产率)。Rf＝0.30(SiO2，环己烷/DCM，1:1)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ8.26(d，4H，J＝8.5Hz)，7.62(d，4H，J＝7.2Hz)，6.94(d，2H，J＝4.0Hz)，6.64(d，2H，J＝3.5Hz)，3.22-3.20(m，4H)，1.68-1.62(m，4H)，1.50-1.44(m，4H,)1.37-1.25(m，12H)，0.87(t，6H，J＝6.5Hz)。13CNMR(125MHz，CDCl3)δ159.3，147.0，144.4，139.2，137.5，136.2，129.3，123.0，119.8，116.1，116.1，31.8，30.6，30.4，30.1，29.1，22.7，14.1。6,12-二庚基-3,9-二(4-(甲氧基甲基)苯基)-5H,11H-二吡咯并[1,2-b:1',2'-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮(9c(A-23))。由1-溴-4-(甲氧基甲基)苯(43.3mg，0.25mmol，36.0μL)制备。产物使用两次柱层析(SiO2，二氯甲烷)提纯。以具有铜光泽的深褐色晶体得到化合物(14.8mg，22％产率)。Rf＝0.32(SiO2，DCM，1:1)。1HNMR(500MHz，CDCl3)δ7.47(d，4H，J＝8.0Hz)，7.36(d，4H，J＝8.0Hz)，6.85(d，2H，J＝3.5Hz)，6.50(d，2H，J＝3.5Hz)，4.52(s，4H)，3.45(s，6H)，3.21-3.18(m，4H)，1.69-1.63(m，4H)，1.49-1.43(m，4H)1.37-1.25(m，12H)，0.88(t，6H，J＝6.5Hz)。13CNMR(125MHz，CDCl3)δ159.7，143.3，139.8，137.9，135.3，132.3，128.7，126.9，118.2，115.8，115.5，74.5，58.3，31.8，30.5，30.2，29.7，29.2,22.7，14.1。C44H53N2O4的HRMS(ESI)计算值：673.4005[M+H+]，实测值：673.3992。实施例13聚合物(P-9)的合成将化合物A-16(100.0mg，0.205mmol)，DPP[1224430-28-7](231.5mg，0.205mmol)，新戊酸(20.1mg，0.205mmol)，K2CO3(113.1mg，0.818mmol)，Pd(OAc)2(2.3mg，0.01mmol，5mol％)和PCy3·HBF4(7.5mg，0.02mol，10mol％)放入Schlenk烧瓶中。将该容器抽空并用氮气回充(3次)，经由注射器加入无水的脱气甲苯。将该Schlenk烧瓶密封并在120℃下搅拌48小时。将反应混合物冷却至室温并倾入MeOH(150mL)中。在过滤之后使所得固体进行Soxhlet提取(依次使用庚烷和甲苯)。由甲苯级分除去溶剂给出蓝色聚合物。该粗聚合物的HT-GPC：Mn＝29’446Da；Mw＝77’720Da；PD＝2.64。在甲苯中记录该聚合物的UV-Vis光谱，在NIR中显示出强吸收，λmax在866nm处。实施例14聚合物(P-10)的合成根据对聚合物P9所给程序由化合物A-16和DPP[1801150-23-1]制备聚合物P10。Mn＝19’717Da；Mw＝58’259Da；PD＝2.96。实施例15聚合物(P-11)的合成根据对聚合物P9所给程序由化合物A-16和化合物10制备聚合物P11。Mn＝7’265Da；Mw＝15’068Da；PD＝2.07。实施例16聚合物(P-12)的合成根据对聚合物P9所给程序由化合物A-16和化合物11制备聚合物P12。Mn＝8’577Da；Mw＝21’864Da；PD＝2.55。应用实施例A1基于聚合物P9的有机场效应晶体管(OFET)的制造和电气表征背接触顶栅极FET的制备将该化合物以0.75重量％的浓度溶于氯苯中并随后旋涂(1200rpm，15s)于具有以光刻法预图案化的金触点—用作该FET的源电极和漏电极触点—的PET基材上。在完成涂敷之后，立即将相应基材转移到预热的热板上并在90℃下加热30秒。接下来将由CytopCTL-809M构成的栅极介电层旋涂于该有机半导体的顶部(1200rpm，30s)。在旋涂之后再次将基材转移到热板上并在90℃下退火另外30分钟。该介电层的厚度通过轮廓曲线仪测量为620nm。最后通过真空蒸发沉积70nm厚的荫罩图案化银栅电极，以BCTG构造完成FET。电气表征迁移率μ由饱和区域中转移特性曲线(灰色实线)的根表示计算。斜率m由图1中的黑色短划线确定。将图1中的黑色短划线拟合到漏电流ID的平方根表示区域，从而得到该根表示的线性斜率的良好相关性。阈值电压UTh可以由图1中的黑色短划线与X轴部分的交点(VGS)得到。为了计算该OFET的电气性能，使用下列方程式：其中ε0是8.85×10-12As/Vm的真空电容率。对于Cytop而言εr＝2.1且d为该介电层的厚度。宽度/长度比W/L为25。对于相应聚合物已经由27个TFT的平均计算下列迁移率、阈值电压和通/断比：化合物场效应迁移率μ[cm2/Vs]阈值电压UTH[V]通/断比P90.013-7.52E4当前第1页1 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