一种螺硅芴衍生物及其有机发光器件的制作方法

文档序号:11210925阅读:1685来源:国知局

本发明涉及有机光电材料技术领域,具体涉及一种螺硅芴衍生物及其有机发光器件。



背景技术:

有机电致发光是指有机材料在电场作用下,受到电流和电场的激发而发光的现象。在oled的研究中,按照技术进步的进程可以主要分成三代,第一代是以荧光材料为主,基于这些电致发光的内量子效率远远不能突破25%的理论限制;第二代以磷光材料为主,但这些器件多采用掺杂金属配合物的方式,因此成本较高,外量子效率还是不能突破25%的限制;第三代是热活化延迟荧光特性的有机荧光材料。但无论是第几代的发光材料,材料的热稳定性、玻璃化转化温度,都是制约技术进步的重要因素。而含硅的主体材料具有较好的玻璃化转化温度和热稳定性,因此含硅主体材料成为近年来研究的一个热点。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种螺硅芴衍生物及其有机发光器件。本发明衍生物以螺硅芴衍生物为核,得到一种新颖的、热稳定性良好的主体材料。采用本发明所述含螺硅芴衍生物制备的有机发光器件,在发光效率、驱动电压及使用寿命等方面具有良好的发光性能。

本发明首先提供了一种螺硅芴衍生物,具有如式(i)所述的结构式:

其中,a1、a2独立的选自氢、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳胺、取代或未取代的c3-c50杂芳基中的任意一种;

x选自s、cr1r1或nr1,

r1选自取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c1-c50的烷基中的任意一种。

优选的,所述螺硅芴衍生物具有以下任一结构:

其中,r1选自取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c1-c30的烷基中的任意一种;

a1、a2独立的选自取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳胺、取代或未取代的c3-c30杂芳基中的任意一种。

优选的,所述的螺硅芴衍生物,如式1~27任一项所示:

本发明还提供一种有机发光器件,包括第一电极、第二电极和置于两电极之间的一个或多个有机层,至少一个有机层包含本发明所述的螺硅芴衍生物。

本发明的有益效果:

本发明提供一种螺硅芴衍生物及其有机发光器件,该螺硅芴衍生物具有式(ⅰ)所示结构。本发明所述衍生物以螺硅芴衍生物为核,得到一种新颖的主体材料应用于有机发光器件。

与现有技术相比,本发明提供的螺硅芴衍生物结构中刚性、扭曲的芴环结构可以明显的提高材料的抗结晶能力,而且材料的玻璃化转换温度也明显提高。实际测试结果表明,本发明提供的螺硅芴衍生物玻璃化转化温度最大达到195℃,热稳定性良好;采用本发明螺硅芴衍生物制备的有机发光器件发光效率最高可达10.4cd/a,并且驱动电压最低可达到3.5v,驱动寿命达到3.8(以对比样品为基准),证明本发明提供的螺硅芴衍生物是一种优异的oled材料。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

需要说明的是,除非另有规定,本发明所使用的科技术语的含义与本领域技术人员通常所理解的含义相同。

本发明首先提供一种螺硅芴衍生物,其结构通式如式(i)所示:

其中,a1、a2独立的选自氢、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳胺、取代或未取代的c3-c50杂芳基中的任意一种;

x选自s、cr1r1或nr1,

r1选自取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c1-c50的烷基中的任意一种。

按照本发明,所述烷基是烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基,其可以为直链烷基或支链烷基,例如可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基等,但不限于此。

所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后,剩下一价基团的总称,其可以为单环芳基或稠环芳基,例如可选自苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等,但不限于此。

所述芳胺是指具有芳香性取代基的胺,即-nh2、-nh-或含氮基团连接到芳香烃上。

所述杂芳基是指芳香族烃基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称,所述杂原子包括但不限于氧、硫和氮原子,所述芳族杂环可以为单环或稠环,例如可选自吡啶基、嘧啶基、苯并嘧啶基、咔唑基、三嗪基、苯并噻唑基或苯并咪唑基等,但不限于此。

按照本发明,所述螺硅芴衍生物优选具有以下任一结构:

其中,r1优选为取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c1-c30的烷基中的任意一种,更优选为c6-c18的芳基或c1-c10的烷基,最优选为苯基、联苯基或甲基;a1、a2优选独立的选自取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳胺、取代或未取代的c3-c30杂芳基中的任意一种。

作为举例,所述螺硅芴衍生物,没有特别限定,优选如下式1~27任一项所示:

以上列举了本发明所述螺硅芴衍生物的一些具体的结构形式,但本发明所述螺硅芴衍生物并不局限于所列的这些化学结构,凡是以式(i)所示结构为基础,a1、a2和x为如上所限定的基团都应该包含在内。

本发明式(i)所述螺硅芴衍生物,可采用本领域常规的有机合成反应制备得到,本发明对此并无特殊限制,例如当x为nr1时,可采用如下反应路线制备得到:

当x为s时,可采用如下反应路线制备得到:

当x为cr1r1时,可采用如下反应路线制备得到:

本发明对上述各类反应的反应条件没有特殊要求,以本领域技术人员熟知的此类反应的常规条件即可。本发明对上述各类反应中所采用的原料的来源没有特别的限制,可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。其中,所述a1、a2和x的选择同上所述,在此不再赘述。

本发明还提供一种有机发光器件,所述有机发光器件为本领域技术人员所熟知的有机发光器件即可,本发明所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和置于两电极之间的一个或多个有机层。所述有机层优选包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层与电子注入层中的至少一层,更优选发光层中含有本发明所述螺硅芴衍生物。

实施例1:化合物1的制备

step1,取100mmol的化合物1-1,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加2.5当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加1-2100mmol,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,蒸干溶剂,粗品过硅胶柱得到1-3,82mmol。

step2,82mmol的化合物1-3,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加3当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加硼酸三甲脂,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,到入水中,有固体物质析出过滤,粗品过硅胶柱得到1-4,69mmol。

step3,取69mmol的化合物1-4,加入69mmol的1-5,210mmol碳酸钠,0.7mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品60mmol化合物1-6。

step4,取60mmol的化合物1-6,加入足量的邻二甲苯溶解,5当量的亚磷酸三乙酯。160℃反应24h。反应完成后,用水洗涤溶剂,减压蒸干,粗品过硅胶柱得到1-7,42mmol。

step5,取42mmol的化合物1-7,加入42mmol的r9-i,120mmo叔丁醇钾,0.4mmolpd2(dba)3,甲苯,氩气置换三次,加入0.8mmol三叔丁基膦,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品38mmol化合物1-8。

step6,取38mmol的化合物1-8,加入38mmol的a2-b(oh)2,120mmol碳酸钠,0.4mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品30mmol化合物1-9。

step7,取30mmol的化合物1-9,加入30mmol的a1-b(oh)2,90mmol碳酸钠,0.3mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品23mmol化合物1。

质谱m/z:649.98(计算值649.22),上述结果证实获得产物为目标产品。

dsc测得材料的玻璃化转化温度为105℃。

实施例2:化合物2的合成

step1,取100mmol的化合物2-1,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加2.5当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加2-2100mmol,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,蒸干溶剂,粗品过硅胶柱得到2-3,82mmol。

step2,82mmol的化合物2-3,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加3当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加硼酸三甲脂,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,到入水中,有固体物质析出过滤,粗品过硅胶柱得到2-4,69mmol。

step3,取69mmol的化合物2-4,加入69mmol的2-5,210mmol碳酸钠,0.7mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品60mmol化合物2-6。

step4,将60mmol产品2-6溶解在溶剂三氟甲磺酸中,室温搅拌24h。反应完成后加入水和吡啶体积比为8:1的混合溶剂中。加热混合溶剂至回流,反应过夜。粗品过硅胶柱,得到产品2-749mmol。

step5,取49mmol的化合物2-7,加入50mmol的a2-b(oh)2,150mmol碳酸钠,0.5mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品36mmol化合物2-8。

step6,取36mmol的化合物2-8,加入40mmol的a1-b(oh)2,100mmol碳酸钠,0.36mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产30mmol化合物2。

质谱m/z:589.98(计算值590.15)上述结果证实获得产物为目标产品。

dsc测得材料的玻璃化转化温度为183℃。

实施例3:化合物3的合成

step1,取100mmol的化合物3-1,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加2.5当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴3-2100mmol,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,蒸干溶剂,粗品过硅胶柱得到3-3,82mmol。

step2,82mmol的化合物3-3,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加3当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加硼酸三甲脂,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,到入水中,有固体物质析出过滤,粗品过硅胶柱得到3-4,69mmol。

step3,取69mmol的化合物3-4,加入69mmol的3-5,210mmol碳酸钠,0.7mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品60mmol化合物3-6。

step4,取60mmol化合物3-6,溶解在足量的thf中,氮气保护下,加入甲基溴化镁4当量,回流温度下反应3小时。反应用饱和氯化铵淬灭,dcm萃取,旋干,粗品过硅胶柱得到3-7,53mmol。

step5,取53mmol化合物3-7,加入10当量的多聚磷酸,40℃反应3h。水淬灭反应,dcm萃取,旋干,粗品过硅胶柱得到3-8,40mmol。

step6,取40mmol的化合物3-8,加入40mmol的a2-b(oh)2,120mmol碳酸钠,0.4mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品32mmol化合物3-9。

step7,取32mmol的化合物3-9,加入32mmol的a1-b(oh)2,90mmol碳酸钠,0.32mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产25mmol化合物3。

质谱m/z:600.36(计算值600.23)上述结果证实获得产物为目标产品。

dsc测得材料的玻璃化转化温度为174℃。

实施例4:化合物4的合成

step1,取100mmol的化合物4-1,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加2.5当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加4-2100mmol,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,蒸干溶剂,粗品过硅胶柱得到4-3,82mmol。

step2,82mmol的化合物4-3,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加3当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加硼酸三甲脂,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,到入水中,有固体物质析出过滤,粗品过硅胶柱得到4-4,69mmol。

step3,取69mmol的化合物4-4,加入69mmol的4-5,210mmol碳酸钠,0.7mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品60mmol化合物4-6。

step4,取60mmol的化合物4-6,加入足量的邻二甲苯溶解,5当量的亚磷酸三乙酯。160℃反应24h。反应完成后,用水洗涤溶剂,减压蒸干,粗品过硅胶柱得到4-7,42mmol。

step5,取42mmol的化合物4-7,加入42mmol的r1-i,120mmo叔丁醇钾,0.4mmolpd2(dba)3,甲苯,氩气置换三次,加入0.8mmol三叔丁基膦,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品38mmol化合物4-8。

step6,取38mmol的化合物4-8,加入38mmol的二苯胺,120mmol叔丁醇钠,0.4mmolpd2(dba)3,甲苯,氩气置换三次,加入三叔丁基膦0.8mmol,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品29mmol化合物4-9。

step7,取29mmol的化合物4-9,加入29mmol的二苯胺,90mmol叔丁醇钠,0.3mmolpd2(dba)3,甲苯溶剂,氩气置换三次,加入三叔丁基膦0.6mmol,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品20mmol化合物4。

质谱m/z:831.63(计算值831.31)上述结果证实获得产物为目标产品。

dsc测得材料的玻璃化转化温度为195℃。

实施例5:化合物5的合成

step1,取100mmol的化合物5-1,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加2.5当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加5-2100mmol,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,蒸干溶剂,粗品过硅胶柱得到5-3,82mmol。

step2,取82mmol的化合物5-3,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加3当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加硼酸三甲脂,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,到入水中,有固体物质析出过滤,粗品过硅胶柱得到5-4,69mmol。

step3,取69mmol的化合物5-4,加入69mmol的5-5,210mmol碳酸钠,0.7mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品60mmol化合物5-6。

step4,将60mmol产品5-6溶解在溶剂三氟甲磺酸中,室温搅拌24h。反应完成后加入水和吡啶体积比为8:1的混合溶剂中。加热混合溶剂至回流,反应过夜。粗品过硅胶柱,得到产品5-749mmol。

step5,取49mmol的化合5-7,加入49mmol的二苯胺,150mmol叔丁醇钠,0.5mmolpd2(dba)3,甲苯,氩气置换三次,加入三叔丁基膦1.0mmol,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品39mmol化合物5-8。

step6,取39mmol的化合物5-8,加入39mmol的二苯胺,120mmol叔丁醇钠,0.4mmolpd2(dba)3,甲苯溶剂,氩气置换三次,加入三叔丁基膦0.8mmol,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品25mmol化合物5。

质谱m/z:772.98(计算值772.24)上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例6:化合物6的合成

step1,取100mmol的化合物6-1,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加2.5当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加6-2100mmol,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,蒸干溶剂,粗品过硅胶柱得到6-3,82mmol。

step2,82mmol的化合物6-3,加入适量的无水thf溶解后,降温到-78℃,滴加3当量的正丁基锂,保温反应0.5小时,快速滴加硼酸三甲脂,缓慢升温到室温,反应过夜。反应完毕后,到入水中,有固体物质析出过滤,粗品过硅胶柱得到6-4,69mmol。

step3,取69mmol的化合物6-4,加入69mmol的6-5,210mmol碳酸钠,0.7mmolpd(pph3)4,甲苯,乙醇、水比例为(4:1:1)的混合溶剂,氩气置换三次回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品60mmol化合物6-6。

step4,取60mmol化合物6-6,溶解在足量的thf中,氮气保护下,加入甲基溴化镁4当量,回流温度下反应3小时。反应用饱和氯化铵淬灭,dcm萃取,旋干,粗品过硅胶柱得到6-7,53mmol。

step5,取53mmol化合物6-7,加入10当量的多聚磷酸,40℃反应3h。水淬灭反应,dcm萃取,旋干,粗品过硅胶柱得到6-8,40mmol。

step6,取40mmol的化合6-8,加入40mmol的二苯胺,120mmol叔丁醇钠,0.4mmolpd2(dba)3,甲苯,氩气置换三次,加入三叔丁基膦0.8mmol,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品33mmol化合物6-9。

step7,取33mmol的化合物6-9,加入33mmol的二苯胺,100mmol叔丁醇钠,0.33mmolpd2(dba)3,甲苯溶剂,氩气置换三次,加入三叔丁基膦0.66mmol,再次氩气置换三次,回流温度下反应10h,粗产品过硅胶柱,得到产品28mmol化合物6。

质谱m/z:782.13(计算值782.31)上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例7:化合物7的合成

将实施例1中的a1和r1基团和实施例4中的a2基团替换为如上所示a1,r1和a2基团,其他步骤均与实施例1、4相同,得到化合物7。

质谱m/z:740.36(计算值:740.26)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例8:化合物8的合成

将实施例2中的a1和r1基团和实施例5中的a2基团替换为如上所示a1和r1和a2基团,其他步骤均与实施例2、5相同,得到化合物8。

质谱m/z:681.30(计算值:681.19)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例9:化合物9的合成

将实施例3中的a1和r1基团和实施例6中的a2基团替换为如上所示a1和r1和a2基团,其他步骤均与实施例3、6相同,得到化合物9。

质谱m/z:691.33(计算值:691.27)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例10:化合物10的合成

将实施例4中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例4相同,得到化合物10。

质谱m/z:827.53(计算值::827.28)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例11:化合物11的合成

将实施例5中的a1和a2基团替换为如上所示a1,和a2基团,其他步骤均与实施例5相同,得到化合物11。

质谱m/z:768.59(计算值:768.21)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例12:化合物12的合成

将实施例6中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例6相同,得到化合物12。

质谱m/z:778.69(计算值:778.28)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例13:化合物13的合成

将实施例4中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例4相同,得到化合物13。

质谱m/993.36(计算值:993.35)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例14:化合物14的合成

将实施例5中的a1和a2基团替换为如上所示a1和a2基团,其他步骤均与实施例5相同,得到化合物14。

质谱m/z:935.62(计算值:935.28)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例15:化合物15的合成

将实施6中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例6相同,得到化合物15。

质谱1069.91(计算值:1069.29)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例16:化合物16的合成

将实施例4中的a1和r1基团和实施例1中的a2基团替换为如上所示a1和r1和a2基团,其他步骤均与实施例4、1相同,得到化合物16。

质谱m/z:905.65(计算值:905.32)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例17:化合物17的合成

将实施例5中的a1基团和实施例2中的a2基团替换为如上所示a1和a2基团,其他步骤均与实施例5,2相同,得到化合物17。

质谱m/z:847.53(计算值:847.25)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例18:化合物18的合成

将实施例15中的a1和r1基团和实施例3中的a2基团替换为如上所示a1,r1和a2基团,其他步骤均与实施例15,3相同,得到化合物18。

质谱m/z:981.01(计算值:981.35)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例19:化合物19的合成

将实施例1中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例1相同,得到化合物19。

质谱m/z:749.55(计算值:749.25)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例20:化合物20的合成

将实施例2中的a1和a2基团替换为如上所示a1和a2基团,其他步骤均与实施例2相同,得到化合物20。

质谱m/z:690.25(计690.18)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例21:化合物21的合成

将实施例3中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例3相同,得到化合物21。

质谱m/z:700.00(计算值:700.26)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例22:化合物22的合成

将实施例1中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例1相同,得到化合物22。

质谱m/z:650.36(计算值:650.22)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例23:化合物23的合成

将实施例2中的a1和a2基团替换为如上所示a1和a2基团,其他步骤均与实施例2相同,得到化合物23。

质谱m/z:591.23(计算值591.15)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例24:化合物24的合成

将实施例3中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例3相同,得到化合物24。

质谱m/z:601.03(计算值:601.22)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例25:化合物25的合成

将实施例16中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例16相同,得到化合物25。

质谱m/z:905.13(计算值:905.32)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例26:化合物26的合成

将实施例17中的a1和a2基团替换为如上所示a1和a2基团,其他步骤均与实施例17相同,得到化合物26。

质谱m/847.05(计算值847.25)。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例27:化合物27的合成

将实施例18中的a1和r1,a2基团替换为如上所示a1和r1,a2基团,其他步骤均与实施例18相同,得到化合物27。

质谱m/z:981.53(计算值:981.35)。上述结果证实获得产物为目标产品。

对比应用实施例1:

取ito透明玻璃为阳极,超声清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5pa,在上述阳极基板上真空蒸镀npb作为空穴传输层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀mcp/firpic作为发光层,掺杂浓度为15wt%,蒸镀速率为0.005nm/s,蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀alq3作为电子传输层,蒸镀速率为0.01nm/s,蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀al层作为阴极,厚度为200nm。

应用实例1:

取ito透明玻璃为阳极,超声清洗后干燥至于真空腔中,抽真空至5×10-5pa,在上述阳极基板上真空蒸镀npb作为空穴传输层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀化合物1/firpic作为发光层,掺杂浓度为15wt%,蒸镀速率为0.005nm/s,蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀alq3作为电子传输层,蒸镀速率为0.01nm/s,蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀al层作为阴极,厚度为200nm。

应用实例2:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物2。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例3:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物3。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例4:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物4。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例5:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物5。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例6:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物6。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例7:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物7。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例8:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物8。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例9:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物9。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例10:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物10。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例11:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物11。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例12:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物12。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例13:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物13。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例14:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物14。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例15:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物15。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例16:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物16。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例17:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物17。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例18:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物18。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例19:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物19。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例20:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物20。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例21:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物21。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例22:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物22。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例23:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物23。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例24:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物24。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例25:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物25。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例26:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物26。测量该器件的发光性能,结果见表1。

应用实例27:

将应用实施例1中的化合物1换成化合物27。测量该器件的发光性能,结果见表1。

测量实施例1:对比样品以及样品1-27的发光性能测定,测量对比样品以及样品1-27是采用keithleysmu235,pr650评价驱动电压、发光效率、寿命。对比样品以及样品1-27进行同样试验,结果列于表1中:

表1本发明实施例制备的发光器件的发光特性

虽然本发明用示范性实施方案进行了特别的描述,但应该理解在不偏离权利要求所限定的本发明的精神与范围的情况下,本领域普通技术人员可对其进行各种形式和细节上的改变。

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