一种有机化合物及包含其的电子器件和电子装置的制作方法

1.本发明属于有机材料技术领域，尤其涉及一种有机化合物及包含其的电子器件和电子装置。


背景技术：

2.随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子器件的应用范围越来越广泛。该类电子器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
3.以有机电致发光器件为例，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的有机发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
4.现有技术中，如us20200119282a1公开了可以在有机电致发光器件中制备的发光层材料，但是由该发光层材料制备的有机电致发光器件的性能、寿命或效率欠佳。因此，依然有必要继续研发新型的材料，以进一步提高电子器件的性能。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种有机化合物及包含其的电子器件和电子装置，可延长器件寿命。
6.为实现上述发明目的，本技术采用如下技术方案：
7.根据本发明的第一个方面，提供一种有机化合物，其具有如化学式1表示的结构：
[0008][0009]
其中，ar选自碳原子数为6
‑
40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
‑
40的取代或未取代的杂芳基；
[0010]
l1单键、碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0011]
l2选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0012]
m为l2的数量，m为1、2；且当m为2时，任意两个l2相同或不同；
[0013]
r1和r2相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基；
[0014]
n1、n2以n
t
表示，r1、r2以r
t
表示，t为变量，表示1、2的任意整数，n
t
表示取代基r
t
的个数；当t为1或2时，n
t
选自0、1、2、3、4；当n
t
大于1时，任意两个r
t
相同或者不相同；
[0015]
所述ar、l1和l2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为3
‑
10的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
20的芳基、碳原子数为5
‑
20的杂芳基；或者，在ar中，任意两个相邻的取代基形成6
‑
15元不饱和环。
[0016]
根据本发明的第二个方面，提供一种电子器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的有机化合物。按照本发明的一种实施方式，所述功能层包括空穴传输层或电子阻挡层，所述空穴传输层或电子阻挡层包含所述的有机化合物。
[0017]
根据本发明的第三个方面，提供了一种电子装置，包括上述的电子器件。
[0018]
本发明的有机化合物结构中为三芳胺结构，保证了其具有空穴传输或电子阻挡性能，1,8
‑
二苯基取代的萘基不仅可以提高空穴迁移率，而且可以调整材料的立体构型，提高成膜性，从而提升材料在器件中的稳定性。另外，9位
‑
咔唑基具有较高的t1值，可以有效地阻挡发光层中激子的扩散，从而提高器件的发光效率、外量子效率和使用寿命，显著改善有机电致发光器件的性能。
附图说明
[0019]
图1是本发明一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0020]
图2是本发明一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
[0021]
附图标记
[0022]
100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；321、空穴传输层；322、电子阻挡层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；400、第一电子装置。
具体实施方式
[0023]
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施例的充分理解。
[0024]
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0025]
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本技术的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本技术的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本技术的主要技术创意。
[0026]
本发明提供一种有机化合物，其具有如化学式1表示的结构：
[0027][0028]
其中，ar选自碳原子数为6
‑
40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
‑
40的取代或未取代的杂芳基；
[0029]
l1选自单键、碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0030]
l2选自碳原子数为6
‑
30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0031]
m为l2的数量，m为1、2；且当m为2时，任意两个l2相同或不同；
[0032]
r1和r2相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
‑
5的烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基；
[0033]
n1、n2以n
t
表示，r1、r2以r
t
表示，t为变量，表示1、2的任意整数，n
t
表示取代基r
t
的个数；当t为1或2时，n
t
选自0、1、2、3、4；当n
t
大于1时，任意两个r
t
相同或者不相同；
[0034]
所述ar、l1和l2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为3
‑
10的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
20的芳基、碳原子数为5
‑
20的杂芳基；或者，在ar中，任意两个相邻的取代基形成6
‑
15元不饱和环，举例而言，任意两个相邻的取代基形成芴环等。
[0035]
在本发明中，是指与其他取代基或结合位置结合的位置。
[0036]
在本技术中，所采用的描述方式“各
……
独立地为”与
“……
分别独立地为”和
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，“其中，各q独立地为0、1、2或3，各r”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式q
‑
1表示苯环上有q个取代基r”，各个r”可以相同也可以不同，每个r”的选项之间互不影响；式q
‑
2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基r”，两个苯环上的r”取代基的个数q可以相同或不同，各个r”可以相同也可以不同，每个r”的选项之间互不影响。
[0037]
在本技术中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1
‑
10的卤代烷基、碳原子数为3
‑
10的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
20的芳基、碳原子数为5
‑
20的杂芳基，或者，任意两个所述取代基相互连接以与它们所连接的原子一起形成6
‑
15元不饱和环。在本技术中，“取代的”官能
团可以被上述rc中的一个或2个以上的取代基取代；当同一个原子上连接有两个取代基rc时，这两个取代基rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成环；当官能团上存在两个相邻的取代基rc时，相邻的两个取代基rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。
[0038]
在本技术中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若l2选自取代的碳原子数为12的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。例如：ar为则其碳原子数为10；l2为其碳原子数为12。
[0039]
在本技术中，当没有另外提供具体的定义时，“杂”是指在一个官能团中包括至少1个b、n、o、s、p、si或se等杂原子且其余原子为碳和氢。
[0040]
在本技术中，“烷基”可以包括直链烷基或支链烷基。烷基可具有1至5个碳原子，在本技术中，诸如“1至5”的数值范围是指给定范围中的各个整数；例如，"1至5个碳原子”是指可包含1个碳原子、2个碳原子、3个碳原子、4个碳原子、5个碳原子的烷基。具体施例包括但不限于，甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基和戊基。
[0041]
在本技术中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本技术的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。本技术的“芳基”可含有6
‑
40个碳原子，在一些实施例中，芳基中的碳原子数可以是6
‑
30个，在一些实施例中，芳基中的碳原子数可以是6
‑
25个，在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是6
‑
20个，在另一些实施例中芳基中的碳原子数可以是6
‑
12个。举例而言，本技术中，芳基的碳原子数量可以是6个、10个、12个、13个、14个、15个、18个、20个、24个、25个、30个、35个、40个，当然，碳原子数还可以是其他数量，在此不再一一列举。在本技术中，联苯基可以理解为苯基取代的芳基，也可以理解为未取代的芳基。
[0042]
在本技术中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0043]
在本技术中，取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、叔丁基、三氟甲基、杂芳基、三甲基硅基、烷基、环烷基、烷氧基、烷硫基等基团取代。应当理解地是，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基及其取代基的总碳原子数为18。
[0044]
在本技术中，作为取代的芳基，具体实例包括但不限于：苯基、萘基、蒽基、菲基、二甲基芴基、联苯基、等等。
[0045]
在本技术中，杂芳基是指环中包含1、2、3、4、5、6或7个杂原子的一价芳香环或其衍生物，所述杂原子可以是b、o、n、p、si、se和s中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧
啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及n
‑
芳基咔唑基(如n
‑
苯基咔唑基)、n
‑
杂芳基咔唑基(如n
‑
吡啶基咔唑基)、n
‑
烷基咔唑基(如n
‑
甲基咔唑基)等，而不限于此。其中，噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基，n
‑
芳基咔唑基、n
‑
杂芳基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本技术的“杂芳基”可含有3
‑
40个碳原子，在一些实施例中，杂芳基中的碳原子数可以是3
‑
30个，在一些实施例中，杂芳基中的碳原子数可以是5
‑
24个，在另一些实施例中杂芳基中的碳原子数可以是3
‑
20个，在另一些实施例中杂芳基中的碳原子数可以是3
‑
12个。举例而言，其碳原子数量可以是3个、4个、5个、7个、12个、13个、15个、18个、20个、24个、25个或30个，当然，碳原子数还可以是其他数量，在此不再一一列举。
[0046]
在本技术中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
[0047]
在本技术中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三甲基硅基、烷基、环烷基、烷氧基、烷硫基等基团取代。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
[0048]
在本技术中，作为取代的杂芳基，具体实例包括但不限于：吡啶基、嘧啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基。
[0049]
在本技术中，卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯等。
[0050]
本技术中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。
[0051]
举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f
‑
1)～式(f
‑
10)所示出的任一可能的连接方式。
[0052][0053]
再举例而言，如下式(x')中所示地，式(x')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(x'
‑
1)～式(x'
‑
4)所示出的任一可能的连接方式。
[0054][0055]
下文中对于不定位连接或不定位取代的含义与此处相同，后续将不再进行赘述。
[0056]
在本技术的一种实施方式中，r1和r2相同或不同，且各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基。
[0057]
在本技术的一种实施方式中，所述ar选自碳原子数为6
‑
25的取代或未取代的芳基、碳原子数为6
‑
24的取代或未取代的杂芳基。
[0058]
在本技术的一种实施方式中，所述ar选自碳原子数为6
‑
25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12
‑
18的取代或未取代的杂芳基；
[0059]
所述ar中的取代基为一个或多个，各取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1
‑
5的卤代烷基、碳原子数为3
‑
6的三烷基硅基、碳原子数为6
‑
12的芳基、碳原子数为5
‑
12的杂芳基；或者，在ar中，任意两个相邻的取代基形成芴环。
[0060]
在本技术的一种实施方式中，所述ar选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的芴基、未取代的螺二芴基；
[0061]
可选地，所述ar中的取代基为一个或多个，各取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氟、氯、氰基、三氟甲基、三甲基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、咔唑基。
[0062]
在本技术的一种实施方式中，所述ar选自取代或未取代的基团w，其中未取代的基团w选自以下基团：
[0063][0064]
其中，取代的基团w为未取代的w被一个或者多个选自氘、氟、氯、氰基、三氟甲基、三甲基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、咔唑基的取代基所取代而形成的基团，且当w上的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0065]
在本技术的一种实施方式中，所述ar选自以下基团：
[0066][0067][0068]
在本技术的一种实施方式中，所述l1选自单键、碳原子数为6～20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
12的取代或未取代的亚杂芳基；
[0069]
所述l2选自碳原子数为6～20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
12的取代或未取代的亚杂芳基；
[0070]
所述l1和l2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6
‑
12的芳基。
[0071]
在本技术的一种实施方式中，所述l1选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基；
[0072]
所述l2选自取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基；
[0073]
所述l1和l2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氟、氯、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基。
[0074]
在本技术的一种实施方式中，所述l1选自单键、取代或未取代的基团v；其中，未取代的基团v选自以下基团组成的组：
[0075]
所述l2选自取代或未取代的基团v；其中，未取代的基团v选自以下基团组成的组：
[0076][0077]
其中，取代的基团v上具有一个或多个取代基，所述取代基各自独立地选自：氘、氟、氯、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基；当v的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
[0078]
在本技术的一种实施方式中，所述l1选自单键或以下基团：
[0079]
所述l2选自以下基团：
[0080][0081][0082]
在本技术的一种实施方式中，所述有机化合物选自以下化合物所组成的组，但不限于此：
[0083]
[0084]
[0085]
[0086]
[0087]
[0088]
[0089]
[0090]
[0091]
[0092][0093]
本发明还提供了一种电子器件，所述电子器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的有机化合物。
[0094]
本发明所提供的有机化合物可以用于形成功能层中的至少一个有机膜层，以改善电子器件的电压特性、效率特性和寿命特性。可选的，包含有本发明的有机化合物的有机膜层位于阳极和电子器件的能量转化层之间，以便改善电子在阳极与能量转化层之间的传输。进一步地，所述功能层包括空穴传输层或电子阻挡层，所述空穴传输层或电子阻挡层包括所述的有机化合物。
[0095]
举例而言，电子器件可以为一种有机电致发光器件。
[0096]
如图1所示，有机电致发光器件包括相对设置的阳极100和阴极200，以及设于阳极100和阴极200之间的功能层300；功能层300包含本发明所提供的有机化合物。
[0097]
可选地，本发明所提供的有机化合物可以用于形成功能层300中的至少一个有机薄层，以改善有机电致发光器件的寿命特性、效率特性并且降低驱动电压；在某些实施例中，还可以提高有机电致发光器件的电化学稳定性和热稳定性，提高量产的有机电致发光器件的性能的均一性。
[0098]
可选的，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；组合的金属和氧化物如zno:al或sno2:sb；或导电聚合物如聚(3
‑
甲基噻吩)、聚[3,4
‑
(亚乙基
‑
1,2
‑
二氧基)噻吩](pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ito)作为阳极的透明电极。
[0099]
可选的，阴极200包括以下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括：金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和
铅或它们的合金；或多层材料如lif/al、liq/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca，但不限于此。优选包括包含镁和银的金属电极作为阴极。
[0100]
如图1所示，有机电致发光器件的功能层300包括依次层叠设置的空穴传输层321、电子阻挡层322、有机发光层330、电子传输层340。其中，所述有机发光层330设于所述空穴传输层321远离所述阳极100的一侧。所述电子传输层340设于所述有机发光层330靠近所述阴极200的一侧。所述空穴传输层321设于电子阻挡层322靠近阳极100的表面。
[0101]
可选地，空穴传输层321可以包括本发明所提供的有机化合物，还可以包括其他空穴传输层材料，其他空穴传输层材料选自咔唑多聚体化合物、咔唑连接三芳胺类化合物，本发明对此不做特殊的限定。也就是说本发明所制的有机电致发光器件，空穴传输层321可以只包含本发明所提供的有机化合物，也可以包含本发明所提供的有机化合物和其他空穴传输层材料的混合物。例如，空穴传输层321包含本发明所提供的有机化合物。
[0102]
可选地，电子阻挡层322包括一种或多种电子阻挡材料，电子阻挡材料可以选自咔唑多聚体或者其他类型化合物，本发明对此不做特殊的限定。例如，电子阻挡层322包含本发明所提供的有机化合物。
[0103]
可选地，有机发光层330可以由单一发光材料组成，也可以包括主体材料和客体材料。可选地，有机发光层330由主体材料和客体材料组成，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。
[0104]
可选地，有机发光层330的主体材料包含金属螯合化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物，本发明对此不做特殊的限制。举例而言，主体材料由化合物α,β
‑
adn组成。
[0105]
可选地，有机发光层330的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料，本发明对此不做特殊的限制。举例而言，有机发光层330的客体材料可以为bd
‑
1。
[0106]
可选地，电子传输层340可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料可以选自苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料，本发明对此不做特殊的限定。举例而言，在本发明的一种实施方式中，电子传输层340可以由tpbi和liq组成。
[0107]
可选地，所述功能层300还可以包括空穴注入层310，空穴注入层310设于空穴传输层321与阳极100之间，以增强向空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本发明对此不做特殊的限制。例如，空穴注入层310由化合物hat
‑
cn组成。
[0108]
可选地，所述功能层300还可以包括电子注入层350，电子注入层350设于电子传输层340与阴极200之间，以增强向电子传输层340注入电子的能力。电子注入层350可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。在本发明的一种实施方式中，电子注入层350可以由化合物yb组成。
[0109]
再举例而言，如图2所示，本发明提供一种电子设备400，该电子设备400包括上述有机电致发光器件实施方式所描述的任意一种有机电致发光器件。该电子设备400可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子设备，例如可以包括但不限于电脑屏
幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。由于该电子设备400属于上述有机电致发光器件实施方式所描述的任意一种有机电致发光器件，因此具有相同的有益效果，本发明在此不再赘述。
[0110]
下面将结合实施例详细描述本发明，但是，以下描述是用于解释本发明，而不是以任意方式限制本发明的范围。
[0111]
合成实施例
[0112]
1、中间体1a
‑
x的合成
[0113]
中间体1a
‑
1的合成：
[0114][0115]
在n2保护下，将1
‑
溴
‑
8苯基萘(25.00g，88.0mmol)、对氯苯硼酸(15.15g，96.89mmol)，碳酸钾(24.40g，177.0mmol)、四丁基溴化胺(0.29g，0.90mmol)以及四三苯基磷钯(0.51g，0.5mmol)加入三口瓶中，加入甲苯150ml、乙醇40ml、水20ml，反应8h。而后冷却至室温，反应液使用水洗后加入硫酸镁干燥，过滤后将滤液减压除去溶剂；使用甲苯体系对粗品进行重结晶提纯，得到白色固体中间体1a
‑
1(17g，收率61％)。
[0116]
参照中间体1a
‑
1的方法合成表1中的中间体，不同的是，使用原料2替代为对氯苯硼酸，所采用的主要原料以及相应合成的中间体结构及收率如表1所示。
[0117]
表1
[0118][0119]
2、中间体a
‑
x的合成
[0120]
中间体a
‑
147的合成：
[0121][0122]
在n2保护下，将咔唑(30.00g，179.42mmol)、7
‑
溴
‑
联萘
‑2‑
胺(43.83g，197.36mmol)、碳酸钾(61.99g，448.53mmol)、溴化亚铜(1.28g，8.97mmol)、18
‑
冠醚(2.37g，8.97mmol)、1
‑
10菲咯啉(3.23g，17.94mmol)加入三口瓶中，加入甲苯250ml，利用机械搅拌并加热至回流，点板检测反应情况并补充溴化亚铜，80h后停止反应，而后冷却至室温，反应液使用水洗后加入硫酸镁干燥，过滤后将滤液减压除去溶剂；使用甲苯体系对粗品进行重
结晶提纯，得到白色固体中间体a
‑
147(11.1g，收率20％)。
[0123]
参照中间体a
‑
147的方法合成表2中的中间体，不同的是，使用原料3替代咔唑，使用原料4替代7
‑
溴
‑
联萘
‑2‑
胺，所采用的主要原料以及相应合成的中间体结构及收率如表2所示。
[0124]
表2
[0125][0126]
3、中间体2a
‑
x的合成
[0127]
中间体2a
‑
1的合成：
[0128][0129]
在n2保护下，将中间体1a
‑
1(15.00g，47.65mmol)、1,1
’‑
联苯
‑4‑
胺(17.53g，52.41mmol)加入三口瓶中，加入甲苯150ml，回流搅拌30min后降温至70
‑
80度，加入叔丁醇钠(6.86g，71.47mmol)、2
‑
二环己基磷
‑2’
,6
’‑
二甲氧基联苯(0.39g，0.95mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.44g，0.48mmol)，反应体系稳定后加热至回流搅拌2h，而后冷却至室温，反应液使用水洗后加入硫酸镁干燥，过滤后将滤液减压除去溶剂；使用甲苯体系对粗品进行重结晶提纯，得到白色固体中间体2a
‑
1(23.35g，收率80％)。
[0130]
参照中间体2a
‑
1的方法合成表3中的中间体，不同的是，使用原料5代替1,1
’‑
联苯
‑4‑
胺，中间体1a
‑
x替代1a
‑
1，所采用的主要原料以及相应合成的中间体结构及收率如表3所示。
[0131]
表3
[0132]
[0133]
[0134][0135]
4、化合物的合成
[0136]
化合物1的合成：
[0137][0138]
在n2保护下，将中间体2a
‑
1(15.0g，24.50mmol)、4
‑
(4
‑
溴苯基)
‑
二苯并呋喃(7.92g，24.50mmol)加入三口瓶中，加入甲苯150ml，回流搅拌30min后降温至70
‑
80度，加入叔丁醇钠(3.53g，36.75mmol)、2
‑
二环己基磷
‑
2,4,6
‑
三异丙基联苯(0.20g，0.49mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.22g，0.25mmol)，反应体系稳定后加热至回流搅拌2h，而后冷却至室温，反应液使用水洗后加入硫酸镁干燥，过滤后将滤液减压除去溶剂；使用甲苯体系对粗品进行重结晶提纯，得到白色固体化合物1(14.65g，收率70％)。
[0139]
参照合成化合物1的方法合成表4中的化合物，不同的是，使用原料6替代4
‑
(4
‑
溴苯基)
‑
二苯并呋喃，中间体2a
‑
x替代中间体2a
‑
1，所采用的主要原料以及相应化合物结构及收率如表4所示。
[0140]
表4
[0141]
[0142]
[0143]
[0144]
[0145]
[0146][0147]
部分化合物核磁数据如下表所示：
[0148][0149]
有机电致发光器件制备及评估
[0150]
实施例1
[0151]
通过以下过程制备有机电致发光器件：将镀有ito/ag/ito(120nm)电极的基板切割成40mm
×
40mm
×
0.7mm的尺寸，采用光刻工序，将其制备成具有阴极、阳极以及绝缘层图案的实验基板，利用紫外臭氧以及o2:n2等离子进行表面处理，以增加阳极(实验基板)的功函数的和清除浮渣。
[0152]
在实验基板(阳极)上真空蒸镀化合物hat
‑
cn以形成厚度为的空穴注入层(hil)；接着在空穴注入层上方真空蒸镀npb，以形成厚度为的空穴传输层(htl)。
[0153]
在空穴传输层(htl)上蒸镀化合物1作为电子阻挡层(ebl)，厚度为
[0154]
在电子阻挡层(ebl)上蒸镀以化合物α,β
‑
adn作为主体，同时掺杂重量比为4％的bd
‑
1，形成了厚度为的有机发光层(eml)。
[0155]
在有机发光层(eml)上蒸镀比例为1：1的重量比掺杂tpbi和liq作为电子传输层(etl)，厚度为
[0156]
在电子传输层(etl)上蒸镀的金属yb作为电子注入层(eil)，比例8:2的重量比掺杂银(ag)和镁(mg)作为阴极(cathode)，厚度为
[0157]
在阴极(cathode)上蒸镀化合物cp
‑
1，作为有机覆盖层(cpl)，厚度为
[0158]
蒸镀完成的器件在氮气手套箱(水、氧的含量需严格控制)中用紫外线硬化树脂封装。
[0159]
实施例2～实施例34
[0160]
上述器件结构中，除了在电子阻挡层(ebl)使用表6记载的化合物替代化合物1之外，采用与实施例1相同的方法制造有机电致发光器件，所制备的器件记为实施例2～实施例34。
[0161]
比较例1～比较例4
[0162]
在比较例1～比较例4中，可分别使用化合物a、化合物b、化合物c、化合物d作为电子阻挡层(ebl)的材料替代化合物1之外，采用与实施例1相同的方法制造有机电致发光器件，分别记为对比例1～对比例4。
[0163]
其中，hat
‑
cn、α,β
‑
and、npb、liq、tpbi、cp
‑
1、bd
‑
1、化合物a、化合物b、化合物c、化合物d的结构式如表5所示。
[0164]
表5
[0165][0166]
制备的有机电致发光器件的性能见表6，其中，电压、效率、色坐标是在恒定电流密度10ma/cm2下进行测试，t95器件寿命在恒定电流密度20ma/cm2下进行测试。
[0167]
表6
[0168][0169]
根据上述表6的结果可知，作为电子阻挡层的化合物的实施例1
‑
34与已公知的化合物所对应的器件比较例1
‑
4相比有机电致发光器件的寿命最少提高了13.8％。由上述数据可知，采用本技术的有机化合物作为电子元件的电子阻挡层，该电子元件的发光效率(cd/a)、外量子效率(eqe)以及寿命(t95)都有一定的提高。
[0170]
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。