杂环化合物、包括杂环化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备的制作方法

杂环化合物、包括杂环化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备
1.对相关申请的交叉引用
2.本技术要求2020年12月25日在日本专利局提交的日本专利申请no.2020-216562和2021年4月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2021-0053758的优先权，将其公开内容全部通过引用引入本文中。
技术领域
3.本公开内容涉及杂环化合物、包括所述杂环化合物的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。


背景技术：

4.有机发光器件(oled)是与常规的器件相比具有宽的视角、高的对比度、短的响应时间以及优异的亮度、驱动电压和响应速度特性，并且产生全色图像的自发射器件。
5.oled包括阳极、阴极、以及在阳极和阴极之间并且包括发射层的有机层。空穴传输区域可在阳极和发射层之间，和电子传输区域可在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动，并且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态，从而产生光。


技术实现要素：

6.一种或多种实施方式涉及杂环化合物、包括所述杂环化合物的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备，并且更特别地，涉及可改善有机发光器件的发光效率的杂环化合物，所述杂环化合物具有窄的发射光谱宽度和改善的色纯度(颜色纯度)并且发射蓝色光。
7.另外的方面将部分地在随后的描述中阐明，并且部分地将从所述描述明晰，或者可通过本公开内容的所呈现的实施方式的实践而获悉。
8.根据一种实施方式的方面，杂环化合物由式1和(加)式2表示：
9.式1
[0010][0011]
式2
[0012][0013]
其中，在式1和2中，
[0014]
ar
1-ar5各自独立地为具有6个或更多且14个或更少成环原子的芳族烃环或者具有5个或更多且14个或更少成环原子的杂芳族环，
[0015]r1-r5各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烷基烷基、取代或未取代的环烯基、取代或未取代的环烯基烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的杂环烷基烷基、取代或未取代的杂环烯基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的卤代环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的环烷硫基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳基烷基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳基烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的杂芳硫基、或者取代或未取代的氨基，
[0016]
n1为0、1、2、3、4、5、或6，
[0017]
n2和n5各自独立地为0、1、2、3、4、5、6、7、或8，
[0018]
n3和n4各自独立地为0、1、2、3、4、5、6、或7，
[0019]
当n1为2或更大时，两个或更多个r1可彼此相同或不同，
[0020]
当n2为2或更大时，两个或更多个r2可彼此相同或不同，
相同的含义，除非上下文清楚地另外说明。
[0039]“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部组合。将进一步理解，术语“包含”或“包括”当用在本说明书中时，表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分，但不排除存在或添加一种或多种另外的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分、和/或其集合。
[0040]
此外，在本文中可使用相对术语如“下部”或“底部”和“上部”或“顶部”来描述如图中所示的一个元件与另外的元件的关系。将理解，除图中所示的方位之外，相对术语还意图涵盖器件的不同方位。例如，如果将图之一中的器件翻转，被描述为在其它元件的“下部”侧上的元件则将定向在所述其它元件的“上部”侧上。因此，取决于图的具体方位，示例性术语“下部”可涵盖“下部”和“上部”两种方位。类似地，如果将图之一中的器件翻转，被描述为“在”其它元件“下面”或“下方”的元件则将定向“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在......下面”或“在......下方”可涵盖在......上方和在......下面两种方位。
[0041]
如本文中使用的“约”或“大约”包括所陈述的值且意味着在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的限制)而确定的对于具体值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意味着相对于所陈述的值在一种或多种标准偏差的范围内，或者在
±
10％或5％的范围内。
[0042]
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同。将进一步理解，术语，例如在常用字典中定义的那些，应被解释为其含义与它们在本公开内容和相关领域的背景中的含义一致，并且将不在理想化或过于形式的意义上进行解释，除非在本文中清楚地如此定义。
[0043]
在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述示例性实施方式。这样，将预料到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图的形状的偏差。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所图示的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可典型地具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，图示的尖锐的角可为圆化的。因此，图中图示的区域在本质上是示意性的并且它们的形状不意图说明区域的精确形状且不意图限制本权利要求的范围。
[0044]
除非另外定义，否则操作和物理性质的测量可在室温(约20℃或更高且约25℃或更低)下和在约40％或更大且约50％或更小的相对湿度(rh)下进行。
[0045]
如本文中使用的术语“x和y可各自独立地(为)”可被理解成x和y可彼此相同或不同。
[0046]
如本文中使用的术语“得自环的基团”指的是通过除去与环结构中的成环原子结合的氢原子而获得的基团。
[0047]
杂环化合物
[0048]
所述杂环化合物可由式1和式2表示：
[0049]
式1
[0050][0051]
式2
[0052][0053]
其中，在式1和2中，
[0054]
ar
1-ar5可各自独立地为具有6个或更多且14个或更少成环原子的芳族烃环或者具有5个或更多且14个或更少成环原子的杂芳族环，
[0055]r1-r5可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烷基烷基、取代或未取代的环烯基、取代或未取代的环烯基烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的杂环烷基烷基、取代或未取代的杂环烯基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的卤代环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的环烷硫基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳基烷基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳基烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的杂芳硫基、或者取代或未取代的氨基，
[0056]
n1可为0、1、2、3、4、5、或6，
[0057]
n2和n5可各自独立地为0、1、2、3、4、5、6、7、或8，
[0058]
n3和n4可各自独立地为0、1、2、3、4、5、6、或7，
[0059]
当n1为2或更大时，两个或更多个r1可彼此相同或不同，
[0060]
当n2为2或更大时，两个或更多个r2可彼此相同或不同，
[0061]
当n3为2或更大时，两个或更多个r3可彼此相同或不同，
[0062]
当n4为2或更大时，两个或更多个r4可彼此相同或不同，
[0063]
当n5为2或更大时，两个或更多个r5可彼此相同或不同，和
[0064]
式2中的*表示与式1中的ar1的成环原子、式1中的ar2的成环原子、式1中的ar3的成环原子、或其组合的结合位点。
[0065]
在式1和2中，r1、r2、r3、r4、或r5的两个或更多个相邻基团任选地彼此连接以形成取代或未取代的c
5-c
30
碳环基团或者取代或未取代的c
1-c
30
杂环基团。
[0066]
在式1和2中，当n1-n5各自为0时，与n1-n5对应的r
1-r5可不存在，并且包括r
1-r5的各环可不被r
1-r5取代，并且代之以氢原子与环结合。
[0067]
所述杂环化合物可包括一个式1的结构和一个、两个、或三个式2的结构。当所述杂环化合物包括两个或三个式2的结构时，所述两个或三个式2的结构可彼此相同或不同。例如，式2可如下结合至式1：
[0068]
1.当所述杂环化合物包括一个式2的结构时，
[0069]
(1-1)式2可仅结合至式1中的ar1的成环原子，
[0070]
(1-2)式2可仅结合至式1中的ar2的成环原子，或
[0071]
(1-3)式2可仅结合至式1中的ar3的成环原子。
[0072]
2.当所述杂环化合物包括两个式2的结构时，
[0073]
(2-1)一个式2的结构可结合至式1中的ar1的成环原子，并且另一式2的结构可结合至式1中的ar2的成环原子，
[0074]
(2-2)一个式2的结构可结合至式1中的ar1的成环原子，并且另一式2的结构可结合至式1中的ar3的成环原子，
[0075]
(2-3)一个式2的结构可结合至式1中的ar2的成环原子，并且另一式2的结构可结合至式1中的ar3的成环原子，
[0076]
(2-4)一个式2的结构可结合至式1中的ar1的成环原子，并且另一式2的结构可结合至式1中的ar1的成环原子，
[0077]
(2-5)一个式2的结构可结合至式1中的ar2的成环原子，并且另一式2的结构可结合至式1中的ar2的成环原子，或
[0078]
(2-6)一个式2的结构可结合至式1中的ar3的成环原子，并且另一式2的结构可结合至式1中的ar3的成环原子。
[0079]
3.当所述杂环化合物包括三个式2的结构时，
[0080]
(3-1)一个式2的结构可结合至式1中的ar1的成环原子，另一式2的结构可结合至式1中的ar2的成环原子，并且还一式2的结构可结合至式1中的ar3的成环原子。
[0081]
在一些实施方式中，所述杂环化合物可为(1-1)的形式。
[0082]
在一些实施方式中，由式1和式2表示的杂环化合物可由式1-1至1-4之一表示。当所述杂环化合物由式1-1至1-4之一表示时，所述杂环化合物可具有较窄的蓝色发射光谱和较高的色纯度。因此，包括所述杂环化合物的有机发光器件可具有改善的发光效率：
[0083]
式1-1
[0084][0085]
式1-2
[0086][0087]
式1-3
[0088][0089]
式1-4
[0090][0091]
其中，在式1-1至1-4中，
[0092]
ar
1-ar5、r
1-r5、和n1-n5可各自通过参照本文中提供的ar
1-ar5、r
1-r5、和n1-n5的描述而理解。
[0093]
式1、2、和1-1至1-4中的ar
1-ar5可各自独立地为具有6个或更多且14个或更少成环原子的芳族烃环或者具有5个或更多且14个或更少成环原子的杂芳族环。
[0094]
式1、2、和1-1至1-4中的r
1-r5可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的环烷基烷基、取代或未取代的环烯基、取代或未取代的环烯基烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的杂环烷基烷基、取代或未取代的杂环烯基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的卤代环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的环烷硫基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳基烷基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的杂芳基烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的杂芳硫基、或者取代或未取代的氨基。
[0095]
在式1、2、和1-1至1-4中，所述芳族烃环可为单个环或者由两个或更多环构成的稠环。所述芳族烃环中的成环原子的数量可为6个或更多且14个或更少、6个或更多且10个或更少、或者6个。例如，所述芳族烃环可为苯环、萘环、蒽环、或菲环。在一些实施方式中，所述芳族烃环可为苯环。
[0096]
在式1、2、和1-1至1-4中，所述杂芳族环可为单个环或者由两个或更多环构成的稠环。所述杂芳族环可包括至少一个杂原子(例如，n、o、p、s、或si)作为成环原子，并且其它成环原子可为c。所述杂原子可为n、o、或s。在一些实施方式中，所述杂原子可为n。所述杂芳族环中的成环原子的数量可为5个或更多且14个或更少、5个或更多且13个或更少、5个或更多且12个或更少、或者5个或更多且10个或更少。所述杂芳族环中的杂原子的数量可为1个或更多且3个或更少、1个或更多且2个或更少、或1个。例如，所述杂芳族环可为呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、吡咯环、吲哚环、异吲哚环、噻吩环、苯并噻吩环、苯并(c)噻吩环、硒吩环、苯并硒吩环、苯并(c)硒吩环、咪唑环、苯并咪唑环、嘌呤环、吡唑环、吲唑环、唑环、苯并唑环、异唑环、苯并异唑环、噻唑环、苯并噻唑环、吡啶环、喹啉环、异喹啉环、吡嗪环、喹喔啉环、吖啶环、嘧啶环、喹唑啉环、哒嗪环、噌啉环、1,2,3-三嗪环、1,2,4-三嗪环、1,3,5-三嗪环、二苯并呋喃环、或二苯并噻吩环。例如，所述杂芳族环可为吡啶环、哒嗪环、嘧啶环或吡嗪环。
[0097]
在一些实施方式中，在式1、2、和1-1至1-4中，ar
1-ar5可各自独立地为苯环、萘环、蒽环、菲环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、或吡嗪环。
[0098]
在一些实施方式中，在式1、2、和1-1至1-4中，ar
1-ar5可各自独立地为苯环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、或吡嗪环。
[0099]
在一些实施方式中，在式1、2、和1-1至1-4中，ar
1-ar5可各自同时为苯环。
[0100]
如本文中使用的，术语“烷基”指的是直链或支化的饱和的脂族烃单价基团。如本文中使用的，术语“环烷基”指的是单价饱和烃环状基团。烷基和环烷基的实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、或金刚烷基。
[0101]
如本文中使用的，术语“烯基”指的是通过在烷基的中间或末端处包括至少一个碳-碳双键而形成的烃基团，并且其实例包括乙烯基、丙烯基、和丁烯基。
[0102]
如本文中使用的，术语“环烯基”指的是在其环中具有至少一个碳-碳双键并且不具有芳香性的单价单环基团，并且其非限制性实例包括环戊烯基、环己烯基、和环庚烯基。
[0103]
如本文中使用的，术语“炔基”指的是通过在烷基的中间或末端处包括至少一个碳-碳三键而形成的烃基团，并且其实例包括乙炔基、和丙炔基。
[0104]
如本文中使用的，术语“环烷基烷基”指的是连接至亚烷基的单价饱和烃环状基团。如本文中使用的，“亚烷基”指的是具有与烷基相同的结构的二价基团。环烷基烷基的非限制性实例包括-ch
2-环丙基。
[0105]
如本文中使用的，术语“杂环烷基”指的是具有至少一个杂原子作为成环原子的单价饱和单环基团。其非限制性实例包括四氢呋喃基、和四氢噻吩基。
[0106]
如本文中使用的，术语“杂环烯基”指的是在其环中具有至少一个杂原子作为成环原子并且具有至少一个碳-碳双键的单价单环基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例为2,3-二氢呋喃基、和2,3-二氢噻吩基。
[0107]
如本文中使用的，术语“杂环烷基烷基”指的是连接至亚烷基的具有至少一个杂原子作为成环原子的单价饱和单环基团。其非限制性实例包括-ch
2-四氢呋喃基。
[0108]
如本文中使用的，术语“卤代烷基”指的是被卤素取代的亚烷基。所述烷基可为直链形式或者支化形式。卤代烷基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为1个或更多且20个或更少、或者例如10个或更少或者4个或更少。在式1、2、和1-1至1-4中，术语“卤代环烷基”指的是被卤素取代的单价环烷基。卤代环烷基可被直链或支化的烷基取代。卤代环烷基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为3个或更多且10个或更少、或者例如8个或更少或者6个或更少。卤代烷基和卤代环烷基的实例没有特别限制。烷基和环烷基中的至少一个氢原子可被卤素原子代替。所述卤素原子可为氟原子、氯原子、溴原子、和/或碘原子。在一些实施方式中，卤代烷基的实例包括氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、二溴甲基、三溴甲基、碘甲基、二碘甲基、三碘甲基、氟乙基、氯乙基、溴乙基、和碘乙基。
[0109]
如本文中使用的，术语“烷氧基”指的是由-oa
101
(其中a
101
为烷基)表示的单价基团。所述烷基可为直链形式或支化形式。烷氧基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为1个或更多且20个或更少、或者例如10个或更少或者4个或更少。如本文中使用的，术语“环烷氧基”指的是由-oa
102
(其中a
102
为环烷基)表示的单价基团。环烷氧基可被直链或支化的烷基取代。环烷氧基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为3个或更多且10个或更少、或者例如8个或更少或者6个或更少。烷氧基和环烷氧基的实例没有特别限制。烷氧基和环烷氧基的实例可包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、2-乙基丁氧基、3,3-二甲基丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、环戊氧基、1-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、2-乙基戊氧基、4-甲基-2-戊氧基、正己氧基、1-甲基己氧基、2-乙基己氧基、2-丁基己氧基、环己氧基、4-甲基环己氧基、4-叔丁基环己氧基、正庚氧基、1-甲基庚氧基、2,2-二甲基庚氧基、2-乙基庚氧基、2-丁基庚氧基、正辛氧基、叔辛氧基、2-乙基辛氧基、2-丁基辛氧基、2-己基辛氧基、3,7-二甲基辛氧基、环辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、和金刚烷氧基。
[0110]
如本文中使用的，术语“烷硫基”指的是由-sa
110
(其中a
110
为烷基)表示的单价基团。所述烷基可为直链形式或支化形式。烷硫基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为1个或更多且20个或更少、或者例如10个或更少或者4个或更少。如本文中使用的，术语“环烷硫基”指的是由-sa
111
(其中a
111
为环烷基)表示的单价基团。环烷硫基可被直链或支化的烷基取代。环烷硫基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为3个或更多且10个或更少、或者例如8个或更少或者6个或更少。
[0111]
如本文中使用的，术语“芳基”指的是得自部分地或者整体上具有芳香性的烃环的基团。当芳基包括部分地或者整体上具有芳香性的烃环时，所述烃环可经由单键结合或者为稠合的。当芳基包括部分地或者整体上具有芳香性的烃环时，多个烃环可共用一个原子。芳基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为6个或更多且30个或更少、6个或更多且12个或更少、或者6个或更少。芳基的实例没有特别限制。芳基的实例包括苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、蒽基、四联苯基、戊芬基、己芬基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并芴基、和基。在一些实施方式中，芳基可为苯基。
[0112]
如本文中使用的，术语“芳基烷基”指的是连接至亚烷基的单价芳基。芳基烷基的非限制性实例包括-ch
2-苯基。
[0113]
如本文中使用的，术语“杂芳基”指的是得自部分地或者整体上具有芳香性的杂环的基团。当杂芳基包括部分地或者整体上具有芳香性的杂环时，所述杂环可经由单键结合或者为稠合的。当杂芳基包括部分地或者整体上具有芳香性的杂环时，多个杂环可共用一个原子。杂芳基中包括的杂原子没有特别限制。例如，杂芳基可包括至少一个杂原子(例如，n、o、p、s、si、se、或ge)作为成环原子并且包括3-30个碳原子。杂芳基中的成环原子的数量没有特别限制。成环原子的数量可为5个或更多且30个或更少、5个或更多且14个或更少、或者5个或更多且13个或更少。杂芳基中的杂原子的数量没有特别限制。杂原子的数量可为1个或更多且3个或更少、1个或更多且2个或更少、或者1个。杂芳基的实例包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异唑基、二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基、和氧杂蒽酮基。
[0114]
如本文中使用的，术语“杂芳基烷基”指的是连接至亚烷基的单价杂芳基。杂芳基烷基的非限制性实例包括-ch
2-吡啶基。
[0115]
如本文中使用的，术语“芳氧基”指的是由-oa
104
(其中a
104
为芳基)表示的单价基团。芳氧基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为6个或更多且30个或更少、6个或更多且12个或更少、或者6个或更少。芳氧基的实例包括苯基氧基、联苯基氧基、三联苯基氧基、萘基氧基、芴基氧基、蒽基氧基、四联苯基氧基、戊芬基氧基、苯并[9,10]菲基氧基、芘基氧基、苯并芴氧基、和基氧基。
[0116]
如本文中使用的，术语“芳硫基”指的是由-sa
105
(其中a
105
为芳基)表示的单价基团。芳硫基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为6个或更多且30个或更少、6个或更多
且12个或更少、或者6个或更少。芳硫基的实例没有特别限制。芳硫基可为苯基硫基、联苯基硫基、三联苯基硫基、萘基硫基、芴基硫基、蒽基硫基、四联苯基硫基、戊芬基硫基、苯并[9,10]菲基硫基、芘基硫基、苯并芴基硫基、基硫基、或其组合。
[0117]
如本文中使用的，术语“杂芳氧基”指的是由-oa
106
(其中a
106
为杂芳基)表示的单价基团。杂芳氧基中包括的杂原子没有特别限制。例如，杂芳氧基可包括至少一个杂原子(例如，n、o、p、s、si、se、或ge)作为成环原子并且包括3-30个碳原子。杂芳氧基中的成环原子的数量没有特别限制。成环原子的数量可为5个或更多且30个或更少、5个或更多且14个或更少、或者5个或更多且13个或更少。杂芳氧基中的杂原子的数量没有特别限制。杂原子的数量可为1个或更多且3个或更少、1个或更多且2个或更少、或者1个。杂芳氧基的实例没有特别限制。杂芳氧基的实例包括噻吩基氧基、呋喃基氧基、吡咯基氧基、咪唑基氧基、噻唑基氧基、唑基氧基、二唑基氧基、三唑基氧基、吡啶基氧基、联吡啶基氧基、嘧啶基氧基、三嗪基氧基、三唑基氧基、吖啶基氧基、哒嗪基氧基、喹啉基氧基、喹唑啉基氧基、喹喔啉基氧基、吩嗪基氧基、酞嗪基氧基、吡啶并嘧啶基氧基、吡啶并吡嗪基氧基、吡嗪并吡嗪基氧基、异喹啉基氧基、吲哚基氧基、咔唑基氧基、苯并咔唑基氧基、苯并唑基氧基、苯并咪唑基氧基、苯并噻唑基氧基、苯并噻吩基氧基、二苯并噻吩基氧基、噻吩并噻吩基氧基、苯并呋喃基氧基、菲咯啉基氧基、噻唑基氧基、异唑基氧基、二唑基氧基、噻二唑基氧基、吩噻嗪基氧基、二苯并噻咯基氧基、二苯并呋喃基氧基、和氧杂蒽酮基氧基。
[0118]
在式1、2、和1-1至1-4中，术语“杂芳硫基”指的是由-sa
107
(其中a
107
为杂芳基)表示的单价基团。杂芳硫基中包括的杂原子没有特别限制。例如，杂芳硫基可包括至少一个杂原子(例如，n、o、p、s、si、se、或ge)作为成环原子并且包括3-30个碳原子。杂芳硫基中的成环原子的数量没有特别限制并且可为5个或更多且30个或更少、5个或更多且14个或更少、或者5个或更多且13个或更少。杂芳硫基中的杂原子的数量没有特别限制。杂原子的数量可为1个或更多且3个或更少、1个或更多且2个或更少、或者1个。杂芳硫基的实例没有特别限制并且包括噻吩基硫基、呋喃基硫基、吡咯基硫基、咪唑基硫基、噻唑基硫基、唑基硫基、二唑基硫基、三唑基硫基、吡啶基硫基、联吡啶基硫基、嘧啶基硫基、三嗪基硫基、三唑基硫基、吖啶基硫基、哒嗪基硫基、喹啉基硫基、喹唑啉基硫基、喹喔啉基硫基、吩嗪基硫基、酞嗪基硫基、吡啶并嘧啶基硫基、吡啶并吡嗪基硫基、吡嗪并吡嗪基硫基、异喹啉基硫基、吲哚基硫基、咔唑基硫基、苯并咔唑基硫基、苯并唑基硫基、苯并咪唑基硫基、苯并噻唑基硫基、苯并噻吩基硫基、二苯并噻吩基硫基、噻吩并噻吩基硫基、苯并呋喃基硫基、菲咯啉基硫基、噻唑基硫基、异唑基硫基、二唑基硫基、噻二唑基硫基、吩噻嗪基硫基、二苯并噻咯基硫基、二苯并呋喃基硫基、和氧杂蒽酮基硫基。
[0119]
在式1、2、和1-1至1-4中，卤素原子没有特别限制。例如，卤素原子可为氟原子、氯原子、溴原子、或碘原子。在一些实施方式中，卤素原子可为氟原子。
[0120]
在式1、2、和1-1至1-4中，氨基可为-nh2或由-nhr表示的单取代氨基或者由-nrr
′
表示的二取代氨基，其中r和r
′
可各自独立地为有机基团。r和r
′
可各自没有特别限制。例如，r和r
′
可各自为取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，并且r和r
′
可彼此相同或不同。
[0121]
r和r
′
中的烷基、烯基、和炔基可各自为直链形式、支化形式、或环形式，或者例如，
直链形式。所述烷基、烯基、和炔基中的碳原子的数量没有特别限制并且可为1个或更多且20个或更少、或者例如10个或更少或者4个或更少。所述烷基的实例没有特别限制，并且所述烷基可为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、或金刚烷基。所述烯基没有特别限制。所述烯基可为乙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-甲基-2-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-甲基-2-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、或1-乙基-2-丙烯基。所述炔基没有特别限制。所述炔基可为2-丁炔基、3-戊基、己炔基、庚炔基、辛炔基、或癸炔基。
[0122]
r和r
′
中的芳基可分别通过参照本文中提供的芳基的描述而理解。在一些实施方式中，r和r
′
中的芳基可为得自具有6个或更多成环原子的芳族烃环的单价基团。此外，所述具有6个或更多成环原子的芳族烃环可通过参照本文中提供的芳族烃环的描述而理解。
[0123]
r和r
′
中的杂芳基可分别通过参照本文中提供的杂芳基的描述而理解。在一些实施方式中，r和r
′
中的杂芳基可为得自具有5个或更多成环原子的杂芳族环的单价基团。此外，所述具有5个或更多成环原子的杂芳族环可通过参照本文中提供的杂芳族环的描述而理解。
[0124]
在一些实施方式中，氨基可为由-nrr
′
表示的二取代氨基。r和r
′
可各自独立地为芳基或杂芳基。氨基的实例没有特别限制。氨基的实例可包括n,n-二芳基氨基、n,n-二杂芳基氨基、或n-芳基-n-杂芳基氨基。此外，r和r
′
可各自独立地为得自具有6个或更多且30个或更少成环原子的芳族烃环的单价基团或者得自具有5个或更多且30个或更少成环原子的杂芳族环的单价基团。特别地，r和r
′
可各自独立地为得自具有6个或更多且30个或更少成环原子的芳族烃环的单价基团。所述芳族烃环和所述杂芳族环可分别通过参照本文中提供的芳族烃环和杂芳族环的描述而理解。在一些实施方式中，氨基可为n,n-二苯基氨基。
[0125]
在式1、2、和1-1至1-4中，烷基、烯基、炔基、环烷基、环烷基烷基、环烯基、环烯基烷基、杂环烷基、杂环烷基烷基、卤代烷基、卤代环烷基、烷氧基、环烷氧基、烷硫基、环烷硫基、芳基、芳基烷基、杂芳基、杂芳基烷基、芳氧基、杂芳氧基、芳硫基、杂芳硫基、和氨基可各自被取代。取代基没有特别限制，并且取代基可为例如烷基、环烷基、烯基、炔基、氘原子、卤素原子、氰基、烷氧基、烷硫基、甲硅烷基、甲锗烷基、被卤素取代的烷基、和被氘原子取代的烷基。在一些实施方式中，所述取代基可为氟原子或烷基，例如，所述取代基可为甲基、叔丁基、或氟原子。在式1、2、和1-1至1-4中，氨基可为单取代氨基或二取代氨基，并且形成所述氨基的结合至烷基、烯基、或炔基的取代基可为例如氘原子、卤素原子、或氰基。在式1、2、和1-1至1-4中，氨基可为单取代氨基或二取代氨基，并且与所述单取代氨基和二取代氨基的n原子结合的基团包括芳基和/或杂芳基。与所述单取代氨基和二取代氨基的n原子结合的芳基和/或杂芳基可被至少一个取代基取代。取代基可包括例如烷基、环烷基、烯基、炔基、氘原子、卤素原子、氰基、烷氧基、烷硫基、甲硅烷基、甲锗烷基、被卤素取代的烷基、和被氘原子取代的烷基。在一些实施方式中，所述取代基可为氟原子或烷基，例如甲基、叔丁基、或氟
原子，或者例如，甲基或氟原子。此外，所述取代基，包括烷基、烯基、炔基、卤素原子、和被氘原子取代的烷基，可分别通过参照本文中提供的烷基、烯基、炔基、卤素原子、和被氘原子取代的烷基的描述而理解。
[0126]
在一些实施方式中，所述烷基可不被烷基取代，并且卤代烷基可不进一步被烷基和/或卤素原子取代。
[0127]
在一些实施方式中，在式1、2、和1-1至1-4中，r
1-r5可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、直链或支化的未取代的具有1个或更多且20个或更少碳原子的烷基、直链或支化的未取代的具有2个或更多且20个或更少碳原子的烯基、直链或支化的未取代的具有2个或更多且20个或更少碳原子的炔基、取代或未取代的具有3个或更多且10个或更少碳原子的环烷基、取代或未取代的具有4个或更多且10个或更少碳原子的环烷基烷基、取代或未取代的具有3个或更多且10个或更少碳原子的环烯基、取代或未取代的具有4个或更多且10个或更少碳原子的环烯基烷基、取代或未取代的具有2个或更多且10个或更少碳原子的杂环烷基、取代或未取代的具有3个或更多且10个或更少碳原子的杂环烷基烷基、未取代的具有1个或更多且20个或更少碳原子的直链或支化的卤代烷基、取代或未取代的具有3个或更多且10个或更少碳原子的卤代环烷基、直链或支化的未取代的具有1个或更多且20个或更少碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有3个或更多且10个或更少碳原子的环烷氧基、取代或未取代的具有1个或更多且20个或更少碳原子的烷硫基、取代或未取代的具有3个或更多且10个或更少碳原子的环烷硫基、取代或未取代的具有6个或更多且30个或更少碳原子的芳基、取代或未取代的具有7个或更多且30个或更少碳原子的芳基烷基、取代或未取代的具有6个或更多且30个或更少碳原子的芳氧基、取代或未取代的具有6个或更多且30个或更少碳原子的芳硫基、取代或未取代的具有3个或更多且30个或更少碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有4个或更多且30个或更少碳原子的杂芳基烷基、取代或未取代的具有3个或更多且30个或更少碳原子的杂芳氧基、取代或未取代的具有3个或更多且30个或更少碳原子的杂芳硫基、或者由-nrr
′
表示的二取代氨基，和
[0128]
r和r
′
可各自独立地为得自具有6个或更多且30个或更少成环原子的芳族烃环的单价基团或者得自具有5个或更多且30个或更少成环原子的杂芳族环的单价基团。
[0129]
在一些实施方式中，在式1、2、和1-1至1-4中，r
1-r5可各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、直链或支化的未取代的具有1个或更多且20个或更少碳原子的烷基、取代或未取代的具有3个或更多且10个或更少碳原子的环烷基、或者取代或未取代的具有6个或更多且30个或更少碳原子的芳基。
[0130]
在一些实施方式中，在式1、2、和1-1至1-4中，r
1-r5可各自独立地为氢原子、氘原子、-f、-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、由式9-1至9-39之一表示的基团、其中至少一个氢原子被氘原子代替的由式9-1至9-39之一表示的基团、其中至少一个氢原子被-f代替的由式9-1至9-39之一表示的基团、由式10-12至10-130之一表示的基团、其中至少一个氢原子被氘原子代替的由式10-12至10-130之一表示的基团、其中至少一个氢原子被-f代替的由式10-12至10-130之一表示的基团、由式10-359至10-380之一表示的基团、其中至少一个氢原子被氘原子代替的由式10-359至10-380之一表示的基团、或其中至少一个氢原子被-f代替的由式10-359至10-380之一表示的基团：
[0131]
[0132]
[0133]
[0134]
[0135][0136]
其中，在式9-1至9-39、10-12至10-130、和10-359至10-380中，
[0137]
*表示与相邻原子的结合位点，“ph”表示苯基，“tms”表示三甲基甲硅烷基，并且“tmg”表示三甲基甲锗烷基。
[0138]“其中至少一个氢被氘代替的由式9-1至9-39之一表示的基团”可为，例如，由式9-501至514之一表示的基团：
[0139][0140]“其中至少一个氢被-f代替的由式9-1至9-39之一表示的基团”可为，例如，由式9-701至710之一表示的基团：
[0141][0142]“其中至少一个氢被氘代替的由式10-12至10-130之一表示的基团”可为，例如，由式10-505至10-576之一表示的基团：
[0143]
[0144]
[0145][0146]“其中至少一个氢被-f代替的由式10-1至10-130之一表示的基团”可为，例如，由式10-601至10-617之一表示的基团：
[0147][0148]
在一些实施方式中，在式1、2、和1-1至1-4中，r
1-r5可各自独立地为氟原子、甲基、叔丁基、苯基、叔丁基苯基、或2,4,6-三甲基苯基。
[0149]
在一些实施方式中，式1可由式1a表示，并且式2可由式2a表示：
[0150]
式1a
[0151][0152]
式2a
[0153][0154]
其中，在式1a和2a中，
[0155]
ar
1-ar5、r
1-r5、和n1-n5可各自通过参照本文中提供的ar
1-ar5、r
1-r5、和n1-n5的描述而理解，
[0156]
式2a中的*表示与式1a中的ar1的成环原子、式1a中的ar2的成环原子、式1a中的ar3的成环原子、或其组合的结合位点，
[0157]
x
11-x
17
和x
21-x
25
可各自独立地为碳原子，和
[0158]
x
11
和x
12
之间的键、x
13
和x
14
之间的键、x
14
和x
15
之间的键、x
16
和x
17
之间的键、x
21
和x
22
之间的键、x
22
和x
23
之间的键、以及x
24
和x
25
之间的键可各自独立地为单键或双键。
[0159]
例如，在式1a和2a中，ar
1-ar5可各自独立地为苯环、萘环、蒽环、菲环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、或吡嗪环。
[0160]
在一些实施方式中，在式1a和2a中，ar
1-ar5可各自独立地为苯环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、或吡嗪环。
[0161]
在一些实施方式中，在式1a和2a中，ar
1-ar5可同时为苯环。
[0162]
在式1a和2a中，当ar
1-ar5各自独立地为6元环时，
[0163]
式1a中的ar1可由式3-1表示，
[0164]
式1a中的ar2可由式3-2表示，
[0165]
式1a中的ar3可由式3-3表示，
[0166]
式2a中的ar4可由式3-4表示，和
[0167]
式2a中的ar5可由式3-5表示：
[0168][0169]
其中，在式3-1至3-5中，
[0170]y11
可为c(r
101
)或n，y
12
可为c(r
102
)或n，y
13
可为c(r
103
)或n，y
14
可为c(r
104
)或n，y
15
可为c(r
105
)或n，y
16
可为c(r
106
)或n，y
17
可为c(r
107
)或n，y
18
可为c(r
108
)或n，z
11
可为c(r
111
)或n，z
12
可为c(r
112
)或n，z
13
可为c(r
113
)或n，y
21
可为c(r
201
)或n，y
22
可为c(r
202
)或n，y
23
可为c(r
203
)或n，y
24
可为c(r
204
)或n，z
21
可为c(r
211
)或n，z
22
可为c(r
212
)或n，并且z
23
可为c(r
213
)或n，
[0171]
式2a中的*结合至式1a中的选自y
11-y
18
和z
11-z
13
的两个，和
[0172]r101-r
108
、r
111-r
113
、r
201-r
204
、和r
211-r
213
可各自为与式2a中的*的结合位点、氘原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的卤代烷基、取代或未取代的卤代环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的环烷硫基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的杂芳硫基、或者取代或未取代的氨基。
[0173]
在一些实施方式中，在式3-1至3-5中，x
11-x
17
、x
21-x
25
、y
11-y
18
、y
21-y
24
、z
11-z
13
、和z
21-z
23
可各自独立地为碳原子。
[0174]
在一些实施方式中，由式1和式2表示的杂环化合物可由式1-11至1-13、1-21至1-23、1-31、和1-41之一表示：
[0175]
式1-11
[0176][0177]
式1-12
[0178][0179]
式1-13
[0180][0181]
式1-21
[0182][0183]
式1-22
[0184][0185]
式1-23
[0186][0187]
式1-31
[0188][0189]
式1-41
[0190][0191]
其中，在式1-11至1-13、1-21至1-23、1-31、和1-41中，
[0192]
x
11-x
17
和x
21-x
25
各自独立地为碳原子，
[0193]y11
可为c(r
101
)或n，y
12
可为c(r
102
)或n，y
13
可为c(r
103
)或n，y
14
可为c(r
104
)或n，y
15
可为c(r
105
)或n，y
16
可为c(r
106
)或n，y
17
可为c(r
107
)或n，y
18
可为c(r
108
)或n，z
11
可为c(r
111
)或n，z
12
可为c(r
112
)或n，z
13
可为c(r
113
)或n，y
21
可为c(r
201
)或n，y
22
可为c(r
202
)或n，y
23
可为c(r
203
)或n，y
24
可为c(r
204
)或n，z
21
可为c(r
211
)或n，z
22
可为c(r
212
)或n，并且z
23
可为c(r
213
)或n，和
[0194]r101-r
108
、r
111-r
113
、r
201-r
204
、和r
211-r
213
可各自通过参照本文中提供的r1的描述而理解。
[0195]
在一些实施方式中，所述杂环化合物可选自化合物1至27，但是实施方式不限于此：
[0196]
[0197]
[0198][0199]
其中，化合物16和17中的“ph”表示未取代的苯基。
[0200]
在一些实施方式中，所述杂环化合物可选自化合物1至3。
[0201]
多种化合物正被认为是用于有机发光器件中的发光材料。特别地，作为发射蓝色光的材料，含有杂原子的杂环化合物正被考虑。此外，从改善不仅使用单线态激子而且使用三线态激子的有机发光器件的效率的观点来看，最近已经进行了对发射延迟荧光的材料的研究。
[0202]
通常，具有相对小的δe
st
值的化合物可发射热活化(激活)延迟荧光(tadf)。然而，即使本发明的杂环化合物的δe
st
值相对大，例如，所述杂环化合物可满足条件1-4，所述杂环化合物也可发射tadf，并且包括所述杂环化合物的有机发光器件可具有改善的效率：
[0203]
条件1
[0204]
δe
st
》δe
st2
+δe’tt
[0205]
条件2
[0206]
0ev《δe
st2
+δe’tt
≤1.0ev
[0207]
条件3
[0208]
0ev《δe’tt
≤0.15ev
[0209]
条件4
[0210]
δe
st2
》0ev
[0211]
其中，在条件1-4中，
[0212]
δe
st
表示以所述杂环化合物的s1平衡结构计算的最低激发单线态能级和以所述杂环化合物的t1平衡结构计算的最低激发三线态能级之间的差值，
[0213]
δe
st2
表示以所述杂环化合物的s1平衡结构计算的最低激发单线态能级和以所述
杂环化合物的t2平衡结构计算的第二低激发三线态能级之间的差值，和
[0214]
δe
′
tt
表示以所述杂环化合物的t2平衡结构计算的第二低激发三线态能级和以所述杂环化合物的t2平衡结构计算的最低激发三线态能级之间的差值。
[0215]
此外，通过使用所述杂环化合物作为敏化剂，转移至三线态的能量可经历反向系间窜越(risc)至单线态。然后，所述杂环化合物的单线态能量可通过能量转移被转移至掺杂剂。因此，所述有机发光器件可同时具有改善的效率和寿命。
[0216]
在一些实施方式中，所述杂环化合物可满足条件5：
[0217]
条件5
[0218]
δe
st2
≤0.1ev
[0219]
其中，在条件5中，
[0220]
δe
st2
表示以所述杂环化合物的s1平衡结构计算的最低激发单线态能级和以所述杂环化合物的t2平衡结构计算的第二低激发三线态能级之间的差值。
[0221]
在一些实施方式中，所述杂环化合物可满足条件6：
[0222]
条件6
[0223]
δe
st
》0.2ev
[0224]
其中，在条件6中，
[0225]
δe
st
表示以所述杂环化合物的s1平衡结构计算的最低激发单线态能级和以所述杂环化合物的t1平衡结构计算的最低激发三线态能级之间的差值。
[0226]
即，根据一种或多种实施方式的杂环化合物即使在δe
st
大于0.2ev时也可发射tadf。
[0227]
由于所述杂环化合物具有其中芳族烃环或杂芳族环稠合的刚性结构，因此激发态中的结构弛豫可被抑制。结果，所述杂环化合物可具有窄的蓝色发射光谱宽度和改善的色纯度。
[0228]
根据一种或多种实施方式的杂环化合物的最高占据分子轨道(homo)能级没有特别限制并且可为约-6.5ev或更高、或者例如约-6.3ev或更高。当homo能级在该范围内时，所述有机发光器件可具有低的驱动电压。此外，从与形成发射层的其它通常材料的能量图的一致性和在大气中的稳定性的观点来看，根据实施方式的杂环化合物的homo能级可为约-5.0ev或更低。
[0229]
根据一种或多种实施方式的杂环化合物的最低未占分子轨道(lumo)能级没有特别限制并且可为约-2.5ev或更低、或者例如约-2.6ev或更低。当lumo能级在该范围内时，所述有机发光器件可具有低的驱动电压。此外，从与形成发射层的其它通常材料的能量图的一致性的观点来看，根据实施方式的杂环化合物的lumo能级可为约-4.0ev或更高。
[0230]
分别地，homo能级可使用大气光电子能谱仪测量和/或计算，和lumo能级可使用大气光电子能谱仪和分光光度计测量和/或计算。测量和/或计算方法描述于实施例中。
[0231]
根据实施方式的杂环化合物的光致发光(pl)光谱中的峰值波长没有特别限制并且可为约430纳米(nm)或更大。在一些实施方式中，所述峰值波长可为约435nm或更大、约440nm或更大、约450nm或更大、约460nm或更大、约500nm或更大、约490nm或更大、或者约480nm或更大。当所述峰值波长在任意这些范围内时，根据实施方式的杂环化合物可更适合于蓝色光发射。
[0232]
根据一种或多种实施方式的杂环化合物可具有拥有pl峰值波长的峰的小的半宽度(fwhm)。在一些实施方式中，fwhm可为约45nm或更小、约40nm或更小、约35nm或更小、约30nm或更小、约25nm或更小、约20nm或更小、或者约15nm或更小。当fwhm在任意这些范围内时，根据实施方式的杂环化合物可具有更加改善的色纯度。
[0233]
pl光谱中的峰值波长和拥有pl峰值波长的峰的fwhm可使用荧光分光光度计测量和/或计算。测量和/或计算方法描述于实施例中。
[0234]
根据一种或多种实施方式的杂环化合物的δe
st
为通过从荧光光谱的单线态能量(s1)扣除磷光光谱的三线态能量(t1)而获得的值。单线态能量s1、三线态能量t1、和δe
st
可通过使用荧光分光光度计在77k下测量荧光光谱和磷光光谱而测量和/或计算。测量和/或计算方法描述于实施例中。
[0235]
根据一种或多种实施方式的杂环化合物的合成方法没有特别限制并且可根据已知合成方法合成。特别地，其可根据或者考虑到实施例中描述的方法合成。例如，在实施例中描述的方法中，根据一种或多种实施方式的杂环化合物可通过例如如下的改动而合成：改变原材料和反应条件，增加或排除一些过程，或者适当地与其它已知合成方法组合。
[0236]
确认根据一种或多种实施方式的杂环化合物的结构的方法没有特别限制。根据一种或多种实施方式的含有氮的杂环化合物可通过已知方法例如nmr或lc-ms确认。
[0237]
图1-3的描述
[0238]
下文中，参照图1-3，将详细地描述有机发光器件10的实施方式。
[0239]
图1为根据一种示例性实施方式的有机发光器件的示意图。根据实施方式的有机发光器件10可包括基板1、第一电极2、空穴传输区域3、发射层4、电子传输区域5、和第二电极6，其以所陈述的次序顺序地层叠。
[0240]
图2为根据另一示例性实施方式的有机发光器件的示意图。根据实施方式的有机发光器件10可包括基板1、第一电极2、空穴传输区域3、发射层4、电子传输区域5、和第二电极6。如图2中所示，空穴传输区域3可包括空穴注入层31和空穴传输层32，其以所陈述的次序顺序地层叠。此外，如图2中所示，电子传输区域5可包括电子传输层52和电子注入层51，其以所陈述的次序顺序地层叠.
[0241]
图3为根据又一示例性实施方式的有机发光器件的示意图。根据实施方式的有机发光器件10可包括基板1、第一电极2、空穴传输区域3、发射层4、电子传输区域5、和第二电极6。如图3中所示，空穴传输区域3可包括空穴注入层31、空穴传输层32、和电子阻挡层33，其以所陈述的次序顺序地层叠。此外，如图3中所示，电子传输区域5可包括空穴阻挡层53、电子传输层52、和电子注入层51，其以所陈述的次序顺序地层叠。
[0242]
一种实施方式可包括，例如，有机电致发光器件，其包括第一电极、第二电极、以及单个或多个发射层。所述第二电极可在所述第一电极上。
[0243]
在本说明书中，“在
……
上”可不仅适用于“刚好在”另一部分“上”的情况，并且也可包括在其间可存在另外的部分的情况。类似地，当一个部分例如层、膜、区域、板等被描述为“在”另外部分“下面”或“之下”时，可包括“刚好在”另一部分“之下”的情况以及在其间存在另外的部分的情况。
[0244]
在本说明书中，“布置”可包括其中一个部分不仅布置在上部部分上，而且布置在下部部分上的情况。
[0245]
有机发光器件10可包括根据一种或多种实施方式的杂环化合物。例如，根据一种或多种实施方式的杂环化合物可被包括在第一电极2和第二电极6之间的有机层中。在一些实施方式中，所述杂环化合物可被包括在发射层4中。
[0246]
以下将描述其中发射层包括根据一种或多种实施方式的杂环化合物的实施方式。
[0247]
发射层4
[0248]
发射层4可通过荧光或磷光发射光。
[0249]
发射层4可为包括单一材料的单层或者包括多种不同材料的单层。此外，发射层4可具有拥有包括单一材料或多种不同材料的多个层的多层结构。
[0250]
在发射层4中，所述杂环化合物可单独使用或者可将其两种或更多种组合。
[0251]
在一些实施方式中，发射层4可进一步包括主体，换言之，发射层4可包括所述主体和所述杂环化合物，所述主体和所述杂环化合物可彼此不同。所述主体可不发射光，并且所述杂环化合物可发射光。即，所述杂环化合物可为掺杂剂。
[0252]
在一些实施方式中，发射层4可进一步包括主体和掺杂剂，换言之，发射层4可包括所述主体、所述掺杂剂、和所述杂环化合物，其中所述主体、所述掺杂剂、和所述杂环化合物可彼此不同。在该实施方式中，所述主体和所述杂环化合物可各自不发射光，并且所述掺杂剂可发射光。
[0253]
在实施例中，将更详细地描述所述主体和所述掺杂剂。
[0254]
发射层4可包括已知的主体材料和已知的掺杂剂材料。
[0255]
例如，所述主体可包括如下的至少一种：双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、4,4
′‑
双(咔唑-9-基)联苯(cbp)、3,3
′‑
双(咔唑-9-基)联苯(mcbp)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf)、4,4
′
,4"-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、1,3,5-三(n-苯基-苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘)蒽(adn)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、联苯乙烯亚芳基(联苯乙烯类，distyrylarylene(dsa))、4,4
′‑
双(9-咔唑)-2,2
′‑
二甲基-联苯(dmcbp)、4,5
′‑
双(9-咔唑基)-2,2
′‑
二甲基-联苯(cdbp)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、六苯基环三磷腈(cp1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(ugh2)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3)、八苯基环四硅氧烷(dpsio4)、和2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并呋喃(ppf)、或其任意组合。
[0256]
例如，所述掺杂剂可包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-n-乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb)、4-(二-对-甲苯基氨基)-4
′‑
[(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(dpavb)、n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-n-苯基苯胺(n-bdavbi))，苝或其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(tbp))，芘或其衍生物(例如，1,1-联芘、1,4-二芘基苯或1,4-双(n,n-二苯基氨基)芘)，红荧烯或其衍生物，香豆素或其衍生物，4-二氰基亚甲基-2-(对-二甲基氨基苯乙烯基)-6-甲基-4h-吡喃(dcm)或其衍生物，铱络合物例如双[2-(4,6-二氟苯基)吡啶]吡啶甲酸合铱(iii)(firpic)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(iii)(ir(piq)2(acac))、三(2-苯基吡啶)合铱(iii)(ir(ppy)3)、或三(2-(3-对-二甲苯基)苯基)吡啶合铱(iii)(掺杂剂)，锇络合物，或铂络合物，但是实施方式不限于此。
[0257]
当所述发射层包括所述主体和所述掺杂剂时，基于约100重量份的所述主体，所述掺杂剂的量可选自约0.01重量份-约15重量份的范围，但是实施方式不限于此。
[0258]
所述发射层的厚度没有特别限制并且可在约1nm-约100nm、或者例如约10nm-约70nm的范围内。
[0259]
所述有机发光器件的发射波长没有特别限制。然而，所述有机发光器件可发射具有在约430nm或更大且约500nm或更小、约435nm或更大至约490nm或更小、约440nm或更大至约480nm或更小、或者约450nm或更大至约470nm或更小的波长区域内的峰的光。
[0260]
所述有机发光器件的发射光谱的fwhm可为约45nm或更小、约40nm或更小、约35nm或更小、约30nm或更小、约25nm或更小、或者约0nm或更大。
[0261]
第一实施方式-图4a的描述
[0262]
在第一实施方式中，所述杂环化合物可为荧光发射体。根据第一实施方式，所述发射层可进一步包括主体(下文中称作“主体a”，并且主体a可不与所述杂环化合物相同)。主体a可通过参照本文中提供的主体材料的描述而理解，但是实施方式不限于此。主体a可为荧光主体。
[0263]
可根据图4a说明第一实施方式的大体能量转移。
[0264]
可由所述发射层中的主体a产生单线态激子，并且由主体a产生的单线态激子可通过能量转移(fret)被转移至荧光发射体。
[0265]
由主体a产生的单线态激子的比率可为25％，并且因此，75％的由主体a产生的三线态激子可彼此融合以被转化为单线态激子。因此，所述有机发光器件的效率可被进一步改善。即，通过利用三线态-三线态融合(ttf)机理，有机发光器件的效率可被进一步改善。
[0266]
根据第一实施方式，从所述杂环化合物发射的发射分量对从所述发射层发射的总发射分量的比率可为约80％或更大、例如约90％或更大。在一些实施方式中，从所述杂环化合物发射的发射分量对从所述发射层发射的总发射分量的比率可为约95％或更大。
[0267]
所述杂环化合物可发射荧光，并且所述主体可不发射光。
[0268]
在第一实施方式中，当所述发射层除了所述杂环化合物之外进一步包括主体a时，基于100重量份的所述发射层，所述杂环化合物的含量可为约50重量份或更小、例如约30重量份或更小，并且基于100重量份的所述发射层，所述发射层中的主体a的含量可为约50重量份或更大、例如约70重量份或更大，但是实施方式不限于此。
[0269]
在第一实施方式中，当所述发射层除了所述杂环化合物之外进一步包括主体a时，主体a和所述杂环化合物可满足条件a：
[0270]
条件a
[0271]
e(ha)
s1
》e
s1
[0272]
其中，在条件a中，
[0273]
e(ha)
s1
表示主体a的最低激发单线态能级，和
[0274]es1
表示所述杂环化合物的最低激发单线态能级。
[0275]
此处，e(ha)
s1
和e
s1
可根据密度泛函理论(dft)方法(其中在b3lyp和6-31g(d,p)的水平上进行结构优化)通过使用gaussian程序评价。
[0276]
第二实施方式-图4b的描述
[0277]
在第二实施方式中，所述杂环化合物可为延迟荧光发射体。根据第二实施方式，所述发射层可进一步包括主体(下文中称作“主体b”，并且主体b可不与所述杂环化合物相同)。主体b可通过参照本文中提供的主体材料的描述而理解，但是实施方式不限于此。
[0278]
可根据图4b说明第二实施方式的大体能量转移。
[0279]
25％的由所述发射层中的主体b产生的单线态激子可通过fret被转移至延迟荧光发射体。此外，75％的由所述发射层中的主体b产生的三线态激子可通过dexter能量转移被转移至延迟荧光发射体。转移至延迟荧光发射体的三线态的能量可经历risc至单线态。因此，由所述发射层产生的单线态激子和三线态激子可被转移至所述杂环化合物。因此，所述有机发光器件可具有改善的效率。
[0280]
根据第二实施方式，从所述杂环化合物发射的发射分量对从所述发射层发射的总发射分量的比率可为约80％或更大、例如约90％或更大。在一些实施方式中，从所述杂环化合物发射的发射分量对从所述发射层发射的总发射分量的比率可为约95％或更大。
[0281]
此处，所述杂环化合物可发射荧光和/或延迟荧光，并且所述杂环化合物的发射分量可为所述杂环化合物的瞬时发射分量和所述杂环化合物的通过risc的延迟荧光分量的总和。此外，主体b可不发射光。
[0282]
在第二实施方式中，当所述发射层除了所述杂环化合物之外进一步包括主体b时，基于100重量份的所述发射层，所述杂环化合物的含量可为约50重量份或更小、例如约30重量份或更小，并且基于100重量份的所述发射层，所述发射层中的主体b的含量可为约50重量份或更大、例如约70重量份或更大，但是实施方式不限于此。
[0283]
在第二实施方式中，当所述发射层除了所述杂环化合物之外进一步包括主体b时，主体b和所述杂环化合物可满足条件b：
[0284]
条件b
[0285]
e(hb)
s1
》e
s1
[0286]
其中，在条件b中，
[0287]
e(hb)
s1
表示主体b的最低激发单线态能级，和
[0288]es1
表示所述杂环化合物的最低激发单线态能级。
[0289]
此处，e(hb)
s1
和e
s1
可根据密度泛函理论(dft)方法(其中在b3lyp和6-31g(d,p)的水平上进行结构优化)通过使用gaussian程序评价。
[0290]
第三实施方式和第四实施方式
[0291]
第三实施方式-图4c的描述
[0292]
在第三实施方式中，所述杂环化合物可用作荧光发射体，并且所述发射层可包括敏化剂例如延迟荧光敏化剂。在第三实施方式中，所述发射层可进一步包括主体(下文中，所述主体可称作“主体c”，并且主体c可不与所述杂环化合物和所述敏化剂相同)和敏化剂(下文中，所述敏化剂可称作“敏化剂a”，并且敏化剂a可不与主体c和所述杂环化合物相同)。主体c可通过参照本文中提供的主体材料的描述而理解，并且敏化剂a可为本领域中的常规敏化剂材料例如延迟荧光敏化剂，但是实施方式不限于此。
[0293]
在第三实施方式中，所述杂环化合物的发射分量对从所述发射层发射的总发射分量的比率可为约80％或更大、例如约90％或更大(或者例如约95％或更大)。例如，所述杂环化合物可发射荧光。此外，主体c和敏化剂a可各自不发射光。
[0294]
可根据图4c说明第三实施方式的大体能量转移。
[0295]
可由所述发射层中的主体c产生单线态和三线态激子，并且由主体c产生的单线态和三线态激子可通过fret被转移至敏化剂a，然后转移至所述杂环化合物。25％的由主体c
产生的单线态激子可通过fret被转移至敏化剂a，并且75％的由主体c产生的三线态激子的能量可被转移至敏化剂a的单线态和三线态。转移至敏化剂a的三线态的能量可经历risc至单线态，然后敏化剂a的单线态能量可通过fret被转移至所述杂环化合物。
[0296]
因此，由所述发射层产生的单线态激子和三线态激子可被转移至所述掺杂剂。因此，所述有机发光器件可具有改善的效率。此外，所述有机发光器件的能量损失可为显著小的。因此，所述有机发光器件可具有改善的寿命特性。
[0297]
在第三实施方式中，当所述发射层除了所述杂环化合物之外进一步包括主体c和敏化剂a时，主体c和敏化剂a可满足条件c-1和/或c-2：
[0298]
条件c-1
[0299]
s1(hc)≥s1(sa)
[0300]
条件c-2
[0301]
s1(sa)≥s1(hc)
[0302]
其中，在条件c-1和c-2中，
[0303]
s1(hc)表示主体c的最低激发单线态能级，
[0304]
s1(sa)表示敏化剂a的最低激发单线态能级，和
[0305]
s1(hc)表示所述杂环化合物的最低激发单线态能级。
[0306]
s1(hc)、s1(sa)、和s1(hc)可根据其中在b3lyp和6-31g(d,p)的水平上进行结构优化的dft方法例如根据gaussian程序评价。
[0307]
当主体c、敏化剂a、和所述杂环化合物满足条件c-1和/或c-2时，从敏化剂a向所述杂环化合物的fret可被促进，并且因此，所述有机发光器件可具有改善的发光效率。
[0308]
第四实施方式-图4d的描述
[0309]
在第四实施方式中，所述杂环化合物可用作荧光发射体，并且所述发射层可包括敏化剂例如磷光敏化剂。在第四实施方式中，所述发射层可进一步包括主体(下文中，所述主体可称作“主体d”，并且主体d可不与所述杂环化合物和所述敏化剂相同)和敏化剂(下文中，所述敏化剂可称作“敏化剂b”，并且敏化剂b可不与主体d和所述杂环化合物相同)。主体d可通过参照本文中提供的主体材料的描述而理解，并且敏化剂b可为本领域中的常规敏化剂材料例如磷光敏化剂材料，但是实施方式不限于此。
[0310]
在第四实施方式中，所述杂环化合物的发射分量对从所述发射层发射的总发射分量的比率可为约80％或更大、例如约90％或更大(或者例如，约95％或更大)。例如，所述杂环化合物可发射荧光。此外，主体d和敏化剂b可各自不发射光。
[0311]
可根据图4d说明第四实施方式的大体能量转移。
[0312]
75％的由所述发射层中的主体d产生的三线态激子可通过dexter能量转移被转移至敏化剂b，并且25％的由主体d产生的单线态激子的能量可被转移至敏化剂b的单线态和三线态，转移至敏化剂b的单线态的能量可经历isc至三线态，并且然后，敏化剂b的三线态能量可通过fret被转移至所述杂环化合物。
[0313]
因此，由所述发射层产生的单线态激子和三线态激子可被转移至所述掺杂剂。因此，所述有机发光器件可具有改善的效率。此外，所述有机发光器件的能量损失可为显著小的。因此，所述有机发光器件可具有改善的寿命特性。
[0314]
在第三实施方式中，当所述发射层除了所述杂环化合物之外进一步包括主体d和
敏化剂b之外，主体d和敏化剂b可满足条件d-1和/或d-2：
[0315]
条件d-1
[0316]
t1(hd)≥t1(sb)
[0317]
条件d-2
[0318]
t1(sb)≥s1(hc)
[0319]
其中，在条件d-1和d-2中，
[0320]
t1(hd)表示主体d的最低激发三线态能级，
[0321]
t1(sb)表示敏化剂b的最低激发三线态能级，和
[0322]
s1(hc)表示所述杂环化合物的最低激发单线态能级。
[0323]
t1(hd)、t1(sb)、和s1(hc)可根据dft方法(其中在b3lyp和6-31g(d,p)的水平上进行结构优化)例如根据gaussian程序评价。
[0324]
当主体d、敏化剂b、和所述杂环化合物满足条件d-1和/或d-2时，从敏化剂b向所述杂环化合物的fret可被促进，并且因此，所述有机发光器件可具有改善的发光效率。
[0325]
在第三实施方式和第四实施方式中，所述发射层中的所述敏化剂的含量可在约5重量百分比(重量％)-约50重量％、或者例如约10重量％-约30重量％的范围内。当所述含量在该范围内时，所述发射层中的能量转移可有效地发生。因此，所述有机发光器件可具有高的效率和长的寿命。
[0326]
在第三实施方式和第四实施方式中，所述发射层中的所述杂环化合物的含量可在约0.01重量％-约15重量％、或者例如约0.05重量％-约3重量％的范围内，但是实施方式不限于此。
[0327]
在第三实施方式和第四实施方式中，所述杂环化合物可进一步满足条件7：
[0328]
条件7
[0329]
0μs《t
衰减
(hc)《5μs
[0330]
其中，在条件7中，
[0331]
t
衰减
(hc)表示所述杂环化合物的衰减时间。
[0332]
所述杂环化合物的衰减时间是由通过在10-7
托的真空压力下将所述发射层中包括的所述主体和所述杂环化合物以90:10的重量比真空沉积在石英基板上而形成的具有40nm厚度的膜(下文中称作“膜(hc)”)在室温下的时间分辨光致发光(trpl)光谱测量的。
[0333]
第五实施方式-图4e的描述
[0334]
在第五实施方式中，所述杂环化合物可用作延迟荧光发射体，并且所述发射层可包括敏化剂例如延迟荧光敏化剂。在第五实施方式中，所述发射层可进一步包括主体(下文中，所述主体可称作“主体e”，并且主体e可不与所述杂环化合物和所述敏化剂相同)和敏化剂(下文中，所述敏化剂可称作“敏化剂c”，并且敏化剂c可不与主体e和所述杂环化合物相同)。主体e可通过参照本文中提供的主体材料的描述而理解，并且敏化剂c可为本领域中的常规敏化剂材料例如延迟荧光敏化剂，但是实施方式不限于此。
[0335]
在第五实施方式中，所述杂环化合物的发射分量对从所述发射层发射的总发射分量的比率可为约80％或更大、例如90％或更大(或者例如95％或更大)。在一些实施方式中，所述杂环化合物可发射荧光和/或延迟荧光。此外，主体e和敏化剂c可各自不发射光。
[0336]
此处，所述杂环化合物可发射荧光和/或延迟荧光，并且所述杂环化合物的发射分
量可为所述杂环化合物的瞬时发射分量和所述杂环化合物的通过risc的延迟荧光分量的总和。
[0337]
可根据图4e说明第五实施方式的大体能量转移。
[0338]
25％的由所述发射层中的主体e产生的单线态激子可通过fret被转移至敏化剂c的单线态，并且75％的由主体e产生的三线态激子的能量可被转移至敏化剂c的三线态，并且然后敏化剂c的单线态能量可通过fret被转移至所述杂环化合物。随后，敏化剂c的三线态能量可通过dexter能量转移被转移至所述杂环化合物。转移至敏化剂c的三线态的能量可经历risc至单线态。进一步地，在敏化剂c的情况下，由敏化剂c产生的三线态激子的能量可经历向主体e和然后向所述杂环化合物的反向转移，从而通过反向系间转移而发射。
[0339]
因此，由所述发射层产生的单线态激子和三线态激子可被转移至所述掺杂剂。因此，所述有机发光器件可具有改善的效率。此外，所述有机发光器件的能量损失可为显著小的。因此，所述有机发光器件可具有改善的寿命特性。
[0340]
在第五实施方式中，当所述发射层除了所述杂环化合物之外进一步包括主体e和敏化剂c时，主体e和敏化剂c可满足条件e-1、e-2、和/或e-3：
[0341]
条件e-1
[0342]
s1(he)≥s1(sc)
[0343]
条件e-2
[0344]
s1(sc)≥s1(hc)
[0345]
条件e-3
[0346]
t1(sc)≥t1(hc)
[0347]
其中，在条件e-1、e-2、和e-3中，
[0348]
s1(he)表示主体e的最低激发单线态能级，
[0349]
s1(sc)表示敏化剂c的最低激发单线态能级，
[0350]
s1(hc)表示所述杂环化合物的最低激发单线态能级，
[0351]
t1(sc)表示敏化剂c的最低激发三线态能级，和
[0352]
t1(hc)表示所述杂环化合物的最低激发三线态能级。
[0353]
s1(he)、s1(sc)、s1(hc)、t1(sc)、和t1(hc)可根据dft方法(其中在b3lyp和6-31g(d,p)的水平上进行结构优化)例如根据gaussian评价。
[0354]
当主体e、敏化剂c、和所述杂环化合物满足条件e-1、e-2、和/或e-3时，从敏化剂c向所述杂环化合物的dexter转移fret可被促进，并且因此，所述有机发光器件可具有改善的发光效率。
[0355]
在第五实施方式中，所述发射层中的敏化剂c的含量可在约5重量％-约50重量％、或者例如约10重量％-约30重量％的范围内。当所述含量在该范围内时，所述发射层中的能量转移可有效地发生。因此，所述有机发光器件可具有高的效率和长的寿命。
[0356]
在第五实施方式中，所述发射层中的所述杂环化合物的含量可在约0.01重量％-约15重量％、或者例如约0.05重量％-约3重量％的范围内，但是实施方式不限于此。
[0357]
下文中，将详细地描述除发射层4之外的各区域和各层。
[0358]
基板1
[0359]
有机发光器件10可包括基板1。基板1可为有机发光器件中通常使用的任何合适的
基板。例如，基板1可为具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易操作性、和防水性的玻璃基板、硅基板、或透明塑料基板，但是实施方式不限于此。
[0360]
第一电极2
[0361]
第一电极2可形成于基板1上。第一电极2可为阳极并且由选自金属、合金、导电化合物、及其组合的具有相对高的功函的材料形成，以促进空穴注入。第一电极2可为像素电极。第一电极2可为反射性电极、半透射性电极、或透射性电极。用于形成第一电极2的材料没有特别限制并且当第一电极2为透明电极时可为，例如，具有优异的透明度和导电性的氧化铟锡(ito)、氧化锌锡(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等。当第一电极2为半透射性或反射性电极时，可包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、in、lif/ca、lif/al、mo、ti、或其混合物(例如，ag和mg的混合物或者mg和in的混合物)。
[0362]
第一电极2可为包括单一材料的单层或者包括多种不同材料的单层。在一些实施方式中，第一电极2可具有包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0363]
第一电极2的厚度没有特别限制并且可为约10nm或更大且约1,000nm或更低、或者约100nm或更大且约300nm或更低。
[0364]
空穴传输区域3
[0365]
空穴传输区域3可设置在第一电极2上。
[0366]
空穴传输区域3可包括如下的至少一个：空穴注入层31、空穴传输层32、电子阻挡层33、空穴缓冲层(未示出)、或其任意组合。
[0367]
空穴传输区域3可为包括单一材料的单层或者包括多种不同材料的单层。在一些实施方式中，空穴传输区域3可具有包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0368]
空穴传输区域3可包括仅空穴注入层31或者仅空穴传输层32。在一些实施方式中，空穴传输区域3可为包括空穴注入材料和/或空穴传输材料的单层。空穴传输区域3可具有空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴缓冲层结构、空穴注入层/空穴传输层/空穴缓冲层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中各结构的层以各自陈述的次序顺序地堆叠在第一电极2上。
[0369]
形成包括在空穴传输区域3中的空穴注入层31和其它层的层没有特别限制，并且可包括已知的空穴注入材料和/或空穴传输材料。所述空穴注入材料和/或所述空穴传输材料可包括例如如下的至少一种：含有聚(醚酮)的三苯基胺(tpapek)、四(五氟苯基)硼酸4-异丙基-4
′‑
甲基二苯基碘鎓(ppbi)、二吡嗪并[2,3-f:2
′
,3
′‑
h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)、n,n
′‑
二苯基-n,n
′‑
双-[4-(苯基-间-甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4
′‑
二胺(dntpd)、酞菁化合物例如铜酞菁、4,4
′
,4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-mtdata)、n,n
′‑
二(1-萘基)-n,n
′‑
二苯基联苯胺(npb)、4,4
′
,4"-三(二苯基氨基)三苯基胺(tdata)、4,4
′
,4"-三(n,n-2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-tnata)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(pedot/pss)、聚苯胺/10-樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-磺苯乙烯)(pani/pss)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(tapc)、咔唑衍生物例如n-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑、基于芴的衍生物、n,n
′‑
双(3-甲基苯基)-n,n
′‑
二苯基-[1,1-联苯]-4,4
′‑
二胺(tpd)、4,4
′
,4"-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、n,n
′‑
二(1-萘基)-n,n
′‑
二苯基联苯胺(npb)、n,n,n
′
,n
′‑
四(3-甲基苯基)-3,3
′‑
二甲基联苯胺(hmtpd)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp)、聚(9,9-二辛基-芴-共-n-(4-丁基苯
基)-二苯基胺)(tfb)、化合物htp1、化合物ad1、化合物p-1、化合物fa-14、或其任意组合：
[0370][0371]
(n为1或更大的整数)
[0372][0373]
(n为1或更大的整数)
[0374][0375]
除了前述材料之外，空穴传输区域3还可包括电荷产生材料，以改善所述空穴传输区域的导电性质。所述电荷产生材料可基本上均匀地或不均匀地分散在空穴传输区域3中。
[0376]
所述电荷产生材料没有特别限制并且可为例如p-掺杂剂。所述p-掺杂剂的实例包括醌衍生物，例如四氰基醌二甲烷(tcnq)或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(f4-tcnq)；金属氧化物例如氧化钨或氧化钼；和含有氰基的化合物，但是实施方式不限于此。
[0377]
所述空穴缓冲层(未示出)可通过根据由发射层4发射的光的波长补偿光学谐振距离而提高发光效率。用于形成所述空穴缓冲层(未示出)的材料没有特别限制，并且可使用已知的空穴缓冲层材料，例如，可被包括在空穴传输区域3中的化合物。
[0378]
电子阻挡层33可防止电子从电子传输区域5注入至空穴传输区域3。用于形成电子阻挡层33的材料没有特别限制，并且可使用已知的电子阻挡层材料，例如，可被包括在空穴传输区域3中的化合物。
[0379]
空穴传输区域3的厚度没有特别限制并且可为约1nm或更大且约1,000nm或更低、或者例如约10nm或更大且约500nm或更低。此外，空穴注入层31的厚度没有特别限制并且可为约3nm或更大且约100nm或更低。此外，空穴传输层32的厚度没有特别限制并且可为约3nm或更大且约100nm或更低。此外，电子阻挡层33的厚度没有特别限制并且可为约1nm或更大且约100nm或更低。此外，所述空穴缓冲层(未示出)的厚度没有特别限制，只要所述空穴缓冲层可未不利地影响有机发光器件的功能。当空穴传输区域3、空穴注入层31、空穴传输层32、或电子阻挡层33的厚度在这些范围内时，可获得优异的空穴传输特性而没有驱动电压的显著增加。
[0380]
发射层4
[0381]
空穴传输区域3可设置在发射层4上。发射层4可通过参照以上描述的发射层4的描述而理解。
[0382]
电子传输区域5
[0383]
电子传输区域5可设置在发射层4上。电子传输区域5可包括如下的至少一个：空穴阻挡层53、电子传输层52、电子注入层51、或其任意组合。
[0384]
电子传输区域5可为包括单一材料的单层或者包括多种不同材料的单层。在一些实施方式中，电子传输区域5可具有包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0385]
电子传输区域5可包括仅电子传输层52或者仅电子注入层51。在一些实施方式中，电子传输区域5可为包括电子注入材料和/或电子传输材料的单层。在一些实施方式中，电子传输区域5可包括电子传输层/电子注入层结构或者空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其顺序地堆叠在发射层4上。
[0386]
电子注入层51没有特别限制并且可包括例如已知的电子注入材料。例如，所述电子注入层材料可包括yb，锂化合物例如(8-羟基喹啉)锂(liq)和氟化锂(lif)，氯化钠(nacl)，氟化铯(csf)、氟化铷(rbcl)，氧化锂(li2o)，或氧化钡(bao)。
[0387]
在一些实施方式中，电子注入层51可包括所述电子传输材料和绝缘有机金属盐。所述金属盐没有特别限制并且可为例如，具有约4ev或更高的能带隙的材料。所述有机金属盐可包括，例如，乙酸金属盐、苯甲酸金属盐、乙酸金属盐、乙酰基丙酮金属盐、或硬脂酸金属盐。
[0388]
电子传输层52没有特别限制并且可包括例如已知的电子传输材料。所述电子传输材料可为例如三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、balq、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3
′‑
(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(n-苯基苯并咪唑-1-基-苯基)-9,10-二萘基蒽、3-(4-苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、1,3,5-三(n-苯基-苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(tbu-pbd)、klet-01、klet-02、klet-03、klet-10、或klet-m1(可得自chemipro kasei)。
[0389]
空穴阻挡层53可防止空穴从空穴传输区域3注入至电子传输区域5。空穴阻挡层53中包括的材料没有特别限制，并且可使用已知的空穴阻挡材料。空穴阻挡层53可为例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)等。
[0390]
电子传输区域5的厚度没有特别限制并且可为约0.1nm或更大且约210nm或更低、或者例如约100nm或更大且约150nm或更低。电子传输层52的厚度没有特别限制并且可为约10nm或更大且约100nm或更低、或者例如约15nm或更大且约50nm或更低。空穴阻挡层53的厚度没有特别限制并且可为约10nm或更大且约100nm或更低、或者例如约15nm或更大且约50nm或更低。电子注入层51的厚度没有特别限制并且可为约0.1nm或更大且约10nm或更低、或者例如约0.3nm或更大且约9nm或更低。当电子注入层51的厚度在任意这些范围内时，可获得优异的电子注入特性而没有驱动电压的显著增加。当电子传输区域5、电子注入层51、电子传输层52、或空穴阻挡层53的厚度在这些范围内时，可获得优异的空穴传输特性而没有驱动电压的显著增加。
[0391]
第二电极6
[0392]
第二电极6可形成于电子注入层51上。第二电极6可为阴极并且由选自金属、合金、或导电化合物的具有相对低的功函的材料形成，以促进电子注入。第二电极6可为通常的电极。第二电极6可为反射性电极、半透射性电极、或透射性电极。第二电极6可具有单层结构或包括多个层的多层结构。用于形成第二电极6的材料没有特别限制，并且例如，当第二电极6为透明电极时，第二电极6可包括透明金属氧化物例如ito、izo、zno、或itzo。当第二电极6为半透射性或反射性电极时，可包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、in、lif/ca、lif/al、mo、ti、或其混合物(例如，ag和mg的混合物或者mg和in的混合物)。
[0393]
第二电极6可为包括单一材料的单层或者包括多种不同材料的单层。在一些实施方式中，第二电极6可具有包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0394]
此外，第二电极6的厚度没有特别限制并且可为约10nm或更大且约1,000nm或更低。
[0395]
第二电极6可进一步连接至辅助电极(未示出)。当第二电极6连接至辅助电极时，第二电极6的电阻可进一步降低。
[0396]
此外，封装层(未示出)可在第二电极6上。所述封装层(未示出)可为例如α-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4
′
,n4
′‑
四(苯基-4-基)联苯-4,4
′‑
二胺(tpd15)、tcta、或n,n
′‑
双(萘-1-基)。
[0397]
此外，根据实施方式的有机发光器件10的堆叠结构不限于之前的描述。根据实施方式的有机发光器件10可具有本领域中已知的不同的堆叠结构。例如，有机发光器件10可不包括选自空穴注入层31、空穴传输层32、电子传输层52、和电子注入层51的至少一个或者可进一步包括另外的层。在一些实施方式中，有机发光器件10的各层可作为单层或作为多层形成。
[0398]
形成根据一种或多种实施方式的有机发光器件10的各层的方法没有特别限制。例如，在形成其各层时，可使用真空沉积、溶液涂布、激光印刷方法、朗缪尔-布罗杰特(lb)方法、或者激光诱导热成像(liti)。
[0399]
所述溶液涂布可包括旋涂、流延、微凹版涂布、凹版涂布、棒涂、辊涂、线棒涂布、浸涂、喷涂、丝网印刷、柔版印刷、胶版印刷、或喷墨印刷。
[0400]
所述溶液涂布中使用的溶剂可包括甲苯、二甲苯、二乙基醚、氯仿、乙酸乙酯、二氯甲烷、四氢呋喃、丙酮、乙腈、n,n-二甲基甲酰胺、二甲亚砜、苯甲醚、六甲基磷酸三酰胺、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、邻-二氯苯、二氧六环、环己烷、正戊烷、正己烷、正庚
烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、甲乙酮、环己酮、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯、乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、二缩三乙二醇单乙基醚、甘油、1,2-己二醇、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇、n-甲基-2-吡咯烷酮、或其任意组合。然而，所述溶剂没有特别限制。可使用可溶解用于形成各层的材料的任何合适的溶剂。
[0401]
考虑到涂布性等，溶液的浓度可为约0.1重量百分比(重量％)或更大且10重量％或更小、并且更特别地约0.5重量％或更大且5重量％或更小，但是实施方式不限于此。
[0402]
所述真空沉积可于在约100℃-约500℃的范围内的沉积温度下、于在约10-8
托-约10-3
托的范围内的真空压力下、和以在约0.01nm/秒(nm/s)-约10nm/s的范围内的沉积速率进行，尽管所述条件可取决于所使用的化合物以及期望的层的结构和热性质而改变。
[0403]
在一些实施方式中，第一电极2可为阳极，并且第二电极6可为阴极。
[0404]
例如，第一电极2可为阳极，第二电极6可为阴极，并且有机层可包括在第一电极2和第二电极6之间的发射层4并且可进一步包括在第一电极2和发射层4之间的空穴传输区域3以及在发射层4和第二电极6之间的电子传输区域5，其中空穴传输区域3可包括如下的至少一个：空穴注入层31、空穴传输层32、空穴缓冲层、电子阻挡层33、或其任意组合，并且电子传输区域5可包括如下的至少一个：空穴阻挡层53、电子传输层52、电子注入层51、或其任意组合。
[0405]
在一些实施方式中，第一电极2可为阴极，并且第二电极6可为阳极。
[0406]
前文中，已经参照图1-3描述了有机发光器件10，但是实施方式不限于此。
[0407]
下文中，将详细地描述其中所述杂环化合物被包括在发射层4中的实例。
[0408]
电子设备
[0409]
所述有机发光器件可被包括在多种电子设备中。
[0410]
除了所述有机发光器件之外，所述电子设备可进一步包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可包括源电极、漏电极、和活性层，其中所述源电极和所述漏电极之一可电连接至所述有机发光器件的第一电极和第二电极之一。
[0411]
下文中，将参照合成实施例和实施例更详细地描述根据实施方式的有机发光器件；然而，本公开内容不限于此。在描述合成实施例时使用的措辞“使用b代替a”意指使用相等摩尔当量的b替代a。
[0412]
实施例
[0413]
质量(质谱)分析
[0414]
将化合物以0.1重量％的浓度溶解在四氢呋喃(thf)中并且通过使用lc-ms测量设备1260infinity-4quadrupole 6100ms(可得自agilent technologies)进行质量(质谱)分析。
[0415]
nmr谱的测量
[0416]
使用氘代thf(thf-d8)溶解化合物，并且通过使用avance iii(300mhz，bruker)在室温下测量所述化合物的1h-nmr谱。
[0417]
实施例1
[0418]
合成实施例1：中间体(11)的合成
[0419][0420]
将21克(g)(89毫摩尔(mmol))间-二溴苯(10)、17.4g(187mmol)苯胺、21.4g(223mmol)叔丁醇钠(naotbu)、815mg(0.89mmol)三(二亚苄基丙酮)钯(0)(pd2(dba)3)、和1.66g(2.67mmol)的(
±
)2,2
′‑
双(二苯基膦基)-1,1
′‑
联萘(binap)添加至1l 3颈烧瓶，之后添加300ml甲苯并且在氮气气氛中在回流下加热3小时。在冷却至室温之后，使反应溶液通过佛罗里西硅土(florisil)和硅胶垫，并且将溶剂蒸馏掉。将所获得的残留物通过柱层析法(洗脱剂：己烷-乙酸乙酯)纯化以获得中间体(11)(产率：7.5g，32％)。
[0421]
合成实施例2：中间体(13)的合成
[0422][0423]
将1.56g(6.0mmol)中间体(11)、5.8g(18mmol)的2-碘-1,3-苯二甲酸二甲酯(化合物(12))、5.5g(18mmol)碳酸铯、114mg(1.8mmol)铜粉末、228mg(1.2mmol)的碘化铜、和24ml二丁基醚添加至100ml的schlenk管，之后在氮气气氛中在回流下加热5天。在冷却至室温之后，向反应溶液添加水。在分离有机层之后，将水层通过使用乙酸乙酯萃取。将有机层用饱和盐水洗涤并且使用无水硫酸镁干燥。在除去该干燥剂之后，将有机溶剂蒸馏掉。将所获得的残留物通过硅胶柱层析法(洗脱剂：二氯甲烷-乙酸乙酯)纯化以获得中间体(13)(产率：1.65g，43％)。
[0424]
合成实施例3：中间体(14)的合成
[0425][0426]
将1.62g(2.5mmol)中间体(13)添加至100ml烧瓶，之后添加20ml二氧六环、20ml乙
醇、和20ml水。在添加10g(100mmol)的10摩尔浓度(m)氢氧化钠水溶液之后，将混合物在氮气气氛下加热和回流2小时。在冷却至室温之后，将有机溶剂蒸馏掉。在将残留物冷却至0℃的温度之后，将溶液通过添加盐酸而酸化，直至ph达到2-3。将沉淀的固体过滤掉，用水反复地洗涤，并且真空干燥以获得中间体(14)(产率1.48g，100％)。
[0427]
合成实施例4：化合物1和化合物23的合成
[0428][0429]
将1.38g(2.34mmol)中间体(14)添加至300ml 3颈烧瓶，之后添加120ml二氯甲烷。随后，向其添加n,n
′‑
二甲基甲酰胺(3滴)和0.90ml(10.5mmol)草酰氯，之后在回流下加热。在2小时之后，向其添加四氯化锡(iv)(10.5ml的1m二氯甲烷溶液，10.5mmol)，然后将混合物在回流下加热另外的5小时。在冷却至0℃之后，添加100ml的1m盐酸水溶液。在分离有机层之后，将水层通过使用二氯甲烷萃取。将有机层用饱和氯化铵水溶液洗涤并且在无水硫酸镁上面干燥。在使所得混合物通过硅胶垫以除去该干燥剂之后，将有机溶剂蒸馏掉。将所获得的残留物悬浮在二氯甲烷中，并且通过过滤而分离固体以获得化合物1。此外，将所获得的残留物使用硅胶柱层析法(洗脱剂：二氯甲烷-乙酸乙酯)纯化以获得化合物23。
[0430]
化合物1：产率：0.35g，30％；1h-nmr:δ7.54(brs,2h),7.70-7.56(m,3h),8.40-8.43(m,4h),8.65-8.74(m,6h),9.40-9.43(brs,1h)(参见图5)；lc-ms:517([m+h]
+
)
[0431]
化合物23：产率：0.33g，26％；1h-nmr:δ7.25-7.40(m,2h),7.58-7.68(m,2h),7.73(t,1h,j＝7.8hz)7.82-7.89(m,1h),8.30(d,1h,j＝9hz),8.34-8.40(m,2h),8.45-9.50(m,1h),8.62-8.75(m,4h)(参见图6)；lc-ms:517([m+h]
+
)。
[0432]
实施例2
[0433]
合成实施例5：中间体(17)的合成
[0434][0435]
以与合成实施例1中相同的方式获得中间体(17)，除了如下之外：使用4-叔丁基苯胺代替苯胺(产率86％)。
[0436]
合成实施例6：中间体(19)的合成
[0437][0438]
以与合成实施例2中相同的方式获得中间体(19)，除了如下之外：使用中间体(17)代替中间体(11)，并且使用化合物(18)代替化合物(12)(产率73％)。
[0439]
合成实施例7：中间体(20)的合成
[0440][0441]
以与合成实施例3中相同的方式获得中间体(20)，除了如下之外：使用中间体(19)代替中间体(13)(产率100％)。
[0442]
合成实施例8：化合物2和化合物26的合成
[0443][0444]
以与合成实施例4中相同的方式获得化合物2和化合物26，除了如下之外：使用中间体(20)代替中间体(14)。
[0445]
化合物2：产率30％，lc-ms：741([m+h]
+
)
[0446]
化合物26：产率36％，lc-ms：741([m+h]
+
)。
[0447]
实施例3
[0448]
合成实施例9：中间体(23)的合成
[0449][0450]
以与合成实施例2中相同的方式获得中间体(23)，除了如下之外：使用化合物(18)代替化合物(12)(产率62％)。
[0451]
合成实施例10：中间体(24)的合成
[0452][0453]
以与合成实施例3中相同的方式获得中间体(24)，除了如下之外：使用中间体(23)代替中间体(13)(产率100％)。
[0454]
合成实施例11：化合物3和化合物25的合成
[0455][0456]
以与合成实施例4中相同的方式获得化合物3和化合物25，除了如下之外：使用中间体(24)代替化合物(14)。
[0457]
化合物3：产率20％，lc-ms：629([m+h]
+
)
[0458]
化合物25：产率33％，lc-ms：629([m+h]
+
)。
[0459]
对比例1：对比化合物1的准备
[0460]
准备由下式表示的喹啉并[3,2,1-de]吖啶-5.9-二酮作为对比化合物1。
[0461][0462]
评价实施例1：homo能级和lumo能级的测量
[0463]
将以上获得的化合物和对比化合物各自作为样品固体准备。接着，如下测量homo和lumo能级。
[0464]
1.测量样品的制备
[0465]
(1)制备样品溶液，使得基于100重量份的作为溶剂的苯甲酸甲酯，样品固体为4重量份。
[0466]
(2)将部分(1)中制备的样品溶液通过旋涂方法涂布在ito基板和石英基板的每一个上并且干燥以形成具有50nm的干膜厚度的涂层膜。将所得涂层膜在10-1
pa或更低的真空压力下在120℃下加热1小时。然后，在10-1
pa或更低的真空压力下，将所述涂层膜冷却至室温以形成薄膜层(薄膜样品)。
[0467]
2.homo能级的测量
[0468]
使用在部分1.(2)中制备的在ito基板上的薄膜样品，通过光电子能谱仪ac-3(可得自rikoki co.,ltd.)测量各化合物的homo能级。
[0469]
3.lumo能级的测量
[0470]
使用在部分1.(2)中制备的在石英基板上的薄膜样品，通过分光光度计u-3900(可得自hitachi high-technologies)测量紫外可见光吸收光谱，由此获得在其吸收末端处的能隙(eg)值，并且然后通过方程a计算lumo能级。计算结果示于表1中。
[0471]
方程a
[0472]
lumo＝homo+eg
[0473]
评价实施例2：溶液的光致发光(pl)的测量
[0474]
将所得化合物和对比化合物各自溶解于甲苯中以制备1
×
10-5
m溶液。将该溶液填充在1cm见方的四面透射池中，并且使用荧光分光计f7000(可得自hitachi high-technologies corporation)在室温下进行pl测量。由所获得的发射光谱计算峰值波长、fwhm、和斯托克斯位移。评价的结果示于表1中。
[0475]
评价实施例3：s1值、t1值、和δe
st
值的测量
[0476]
1.测量样品的制备
[0477]
(1)将所得化合物或对比化合物(样品固体)和聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)以99.5:0.5的重量比混合和溶解在甲苯中，以制备5重量％的甲苯溶液。
[0478]
(2)将部分(1)中制备的样品溶液通过使用旋涂器ms-b100(mikasa corporation)旋涂在ito基板和石英基板上并且干燥以形成具有500nm的干燥膜厚度的涂层膜。随后，通
过在120℃的温度下加热1小时，制备了薄膜样品。
[0479]
2.s1值、t1值、和δe
st
值的测量
[0480]
使用在部分1.(2)中制备的在石英基板上的薄膜样品，通过分光光度计(可得自hitachi high-tech co.,ltd.)在77开尔文(k)下测量荧光光谱和磷光光谱。由所获得的荧光光谱计算单线态能量s1，并且由磷光光谱计算三线态能量t1。根据方程b获得δe
st
。评价的结果示于表1中。
[0481]
方程b
[0482]
δe
st
＝s1-t1
[0483]
评价实施例4：plqy的测量
[0484]
在10-5
pa的真空压力下将表1中所示的化合物以相对于主体化合物1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp)的1重量％的重量比率与所述主体化合物一起真空共沉积在石英基板上以制备具有50nm的厚度的薄膜。通过使用quantaurus-qy absolute pl量子产率(plqy)测量系统c11347-01(hamamatsu photonics co.,ltd)测量所制备的薄膜各自的发射光谱以测量plqy。在测量中，从300nm到400nm以10nm的间隔扫描激发波长，并且采用其中化合物吸收值显示出激发光强度的10％或更大的比率的激发波长区域。将plqy的值取作所采用的激发波长区域中的最高值。评价的结果示于表1中。
[0485]
表1
[0486][0487]
实施例4：有机发光器件的制造
[0488]
根据wo 2011/159872中描述的化合物t的制备合成由下式表示的聚合物p-1。通过凝胶渗透色谱法(gpc)测量的p-1的数均分子量(mn)为141,000道尔顿，并且重均分子量(mw)为511,000道尔顿。
[0489]
[0490]
此外，使用us 2016/0315259(通过引用引入本文中)的说明书中描述的方法合成fa-14(参见下式)。
[0491][0492]
作为第一电极(阳极)，准备在其上将条纹形式的氧化铟锡(ito)沉积至150nm的膜厚度的玻璃基板。在该玻璃基板上通过旋涂而施加聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(pedot/pss)(可得自sigma-aldrich)至30nm的干膜厚度，从而形成空穴注入层。
[0493]
接着，通过将p-1和fa-14溶解在作为溶剂的苯甲醚中而制备空穴传输层涂布溶液。将所述空穴传输层涂布溶液制备成使得基于所述空穴传输层的总重量，p-1的量为80％重量，并且基于所述空穴传输层的总重量，fa-14的量为20％重量。随后，将所得空穴传输层涂布溶液通过旋涂方法涂布在所述空穴注入层上以形成涂层膜，使得干膜的厚度为125nm。将所得涂层膜在10-1
pa或更低的真空压力下在230℃下加热1小时。然后，在10-1
pa或更低的真空压力下，将所述涂层膜冷却至室温以形成空穴传输层。
[0494]
接着，将作为主体材料的mcp和作为掺杂剂材料的化合物1以98.5:1.5的重量比共沉积在所述空穴传输层上以形成具有55nm的厚度的发射层。
[0495]
然后，将liq和klet-03(chemipro kasei kaisha ltd.)以2:8的质量比共沉积在所述发射层上以形成具有20nm的厚度的电子传输层。
[0496]
使用真空沉积设备将li沉积在所述电子传输层上以形成具有3.5nm的厚度的电子注入层。
[0497]
随后，使用真空沉积设备将铝沉积在所述电子注入层上以形成具有100nm的厚度的第二电极(阴极)。
[0498]
有机发光器件的评价
[0499]
根据以下方法评价发射峰值波长、fwhm、和最大外量子效率(eqe)。通过使用dc恒电压电源(来自keithley的2400源表)连续地改变施加至所述有机发光器件的电压而容许所述有机发光器件发射光，并且用亮度计(可得自hamamatsu photonics.co.,ltd.的多通道光谱仪pma12)测量此时的亮度和发射光谱。此外，由测量结果计算电流值和eqe(％)。此外，将在eqe对波长图中的显示最大eqe值的波长定义为发射峰值波长(nm)，并且将与发射峰值波长(nm)的一半对应的波长宽度定义为fwhm(nm)。此外，此处显示的最大eqe为在由在驱动时的所述有机发光器件的面积计算的0.1(ma/m2)的电流密度下的eqe值。然而，表2中的eqe(相对值)是作为相对于对比例2的值100的相对值显示的。
[0500]
实施例5和6以及对比例2
[0501]
以与实施例4中相同的方式制造有机发光器件，除了如下之外：在发射层的形成中将化合物1改变为表2中所示的化合物。对所述有机发光器件进行评价。评价的结果示于表2中。
[0502]
表2
[0503][0504]
参照表1的结果，发现根据实施方式的杂环化合物具有拥有蓝色波长区域的峰值波长的窄的发射光谱，并且发射具有高的色纯度的蓝色光。此外，发现根据实施方式的杂环化合物在发射时呈现出高的效率，尽管其具有相对大的δe
st
。
[0505]
参照表2的结果，发现包括根据实施方式的杂环化合物的有机发光器件具有拥有蓝色波长区域的峰值波长的窄的发射光谱，并且发射具有高的色纯度的蓝色光。
[0506]
此外，如表2中所示，与使用可不属于本公开内容的范围的对比化合物1的有机发光器件相比，在实施例4-6的使用属于本公开内容的范围的化合物的有机发光器件中，eqe改善到至少1.5倍，因此发光效率是非常优异的。
[0507]
如从之前的描述明晰的，包括所述杂环化合物的有机发光器件可具有改善的效率和/或色纯度。
[0508]
应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述的意义上考虑并且不用于限制目的。各实施方式中的特征或方面的描述应典型地被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一种或多种实施方式，但是本领域普通技术人员将进一步理解，在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的多种变化。