液晶化合物及包含该化合物的液晶介质的制作方法

文档序号:8276374阅读:355来源:国知局
液晶化合物及包含该化合物的液晶介质的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于液晶化合物及其应用领域,涉及一种新型环戊基乙烯类负介电异性化 合物及其制备方法与应用,还涉及包含此种化合物的液晶介质,此种液晶介质适用于无源 或有源驱动液晶显示技术。
【背景技术】
[0002] 目前TFT-IXD已经广泛地应用于工业领域和家庭消费领域,几乎完全替代了传统 的CRT显示器市场。根据液晶显示方式的不同,液晶显示元件可以分为扭曲向列相(TN)模 式、超扭曲向列相(STN)模式、共面(IPS)模式、垂直配向(VA)模式等多种模式。
[0003] 当前的液晶显示元件多为扭曲向列相(TN)模式,但其存在对比度低、视野角窄的 缺点,而垂直配向(VA)模式的显示以其宽视野角、高对比度和无须摩擦配向等优势,已经 得到广泛应用,并成为大尺寸TV用TFT-IXD的常见显示模式,另外,VA模式显示的对比度 对液晶的双折射率、液晶层的厚度和入射光的波长依赖度较小,因此,VA模式成为了现在极 具前景的液晶显示技术。
[0004] 对于VA模式的显示方式所用的液晶材料,要求低电压驱动、快速响应、宽的温度 范围和良好的低温稳定性。换言之,也就要求我们开发负介电各向异性绝对值大、低黏度、 大的K33值和向列相范围宽的液晶化合物。
[0005] 另外,由于在不同区域,环境温度不同,对混合液晶的向列相范围要求也会不同, 比如在维度较高地区,冬季气温能到零下30°C,就要求混合液晶在零下30°C正常工作,这 就要求混合液晶的结晶点至少在零下40°C以下,现有的VA单体液晶种类偏少,不能满足混 合液晶的开发需求,开发更多种类性能优异的负性液晶单体就成为必要。

【发明内容】

[0006] 针对目前VA液晶存在的问题,本发明给出以下方案:
[0007] 本发明提供了一种新的环戊基乙烯类负介电液晶化合物(I)
[0008] 提供一种包含通式I所代表液晶化合物的液晶介质;
[0009] 式I所示化合物由于环戊基、乙烯的引入,提供了较大的K值,同时旋转粘度也较 低,清亮点较高,具有优异的低温互溶性;另外由于烯键在环戊烷和环己烷中间引入,它的 稳定性要高于端烯类液晶化合物;烯键在环戊烷和环己烷中间引入,在延长分子长度的同 时,保持了很好的线性构型,提高了液晶的向列相宽度;由于烯键属于刚性基团,在两个环 之间引入,大大的提高了液晶分子的K33,VA模式响应时间为
【主权项】
1.式I所示液晶化合物
Ri选自Ci-Ci。的直链烧基或C2-C1。的直链締基,其中另外地,该些基团中任意的-邸2-可 被-邸2〇-、-0邸2-、-C = C-代替,任意的-H可被-F代替; Zi、Z2各自独立地选自单键、-C2H4-、-ch = CH-、^一、-coo-、-ooc-、-ch2〇-、-och2-、
-CF20-、-0CF2-,其中另外地,该些基团中任意-H原子可被-F代替; m、n各自独立地表示0、1或2,且m+n《3。
2.根据权利要求1所述的液晶化合物,其特征在于,所述式I所示液晶化合物为式I a 至式I j所示化合物
其中
Ri各自独立地选自Ci-Ci。的直链烧基或C2-C1。的直链締基,其中另外地,该些基团中任 意的-邸2-可被-邸2〇-、-0邸2-、-C = C-代替,任意的-H可被-F代替。
3.根据权利要2所述的液晶化合物,其特征在于, 所述式I a所示化合物为式I a-1至式I a-3所示化合物
所述式I b所示化合物为式I b-1至式I b-4所示化合物

所述式I e所示化合物为式I e-1至式I e-6所示化合物
所述式I f所示化合物为式I f-1至式I f-6所示化合物
所述式I g所示化合物为式I g-1至式I g-6所示化合物


所述式I h所示化合物为式I h-1至式I h-7所示化合物
所述式I i所示化合物为式I i-1至式I i-2所示化合物
所述式I j所示化合物为式I j-1至式I j-4所示化合物


Ri各自独立地选自Ci-Ci。的直链烧基或C2-C1。的直链締基,其中另外地,该些基团中任 意的-CHg-可被-C&O-、-OCHg-、-C = C-代替,任意的-H可被-F代替。
4. 一种液晶介质,其特征在于,所述液晶介质包含权利要求1至3中任一所述液晶化合 物中的一种或多种。
5. 根据权利要求4所述的液晶介质,其特征在于,所述液晶介质还包含一种或多种结 构式II所示化合物作为第二组分:
其中,R2、Rs各自独立地表示下列①-⑨所示基团中的任意一种 ① 碳原子数为1-10的烧基、碳原子数为2-10的链締基或碳原子数为1-7的直链烧氧 基; ② 所述①所不基团中 或多个-CHg-被-邸2〇-、-OCHg-、-〇-、-CO〇-、-〇OC-、-CH = CH-取代所形成基团; ⑨所述①、②所示基团中一个或多个-H被-F、-Cl、-CH =邸2或-CH = CH-CH 3取代所 形成的基团; 环B、C、D、E各自独立地选自如下基团;

m、n、o各自独立的表示0或1 ; 23、24、25各自独立地表示单键、-〔2!14-、-邸=邸-、^一、-C00-、-00C-、-CH20-、-0CH 2-、-CF2O-或-OCF2-,其中另外地,该些基团中任意-H可被-F代替。
6.根据权利要求5所述的液晶介质,其特征在于,所述一种或多种结构式II所示化合 物为如下式II a至式II 0所示化合物中的一种或多种化合物:

其中;R2、R3各自独立地表示下列①-⑨所示基团中的任意一种: ① 碳原子数为1-7的直链烧基或碳原子数为1-7的直链烧氧基; ② 所述①所不基团中一个或多个-CHg-被-〇-、-〔0〇-、-〇OC-、-CH = CH-取代所形成基 团; ⑨所述①、②所示基团中一个或多个-H被-F、-C1、-CH =邸2或-CH = CH-CH 3取代所 形成的基团;
各自独立地表示下列基团中的任一基团:


7. 根据权利要求5或6所述的液晶介质,其特征在于,所述液晶介质还包含一种或多种 结构式III所示化合物作为第=组分。
其中,R4、咕各自独立地表示下列①-⑨所示基团中的任意一种 ① 碳原子数为1-10的烧基、碳原子数为2-10的链締基或碳原子数为1-7的直链烧氧 基; ② 所述①所不基团中 或多个-CHg-被-邸2〇-、-OCHg-、-〇-、-CO〇-、-〇OC-、-CH = CH-取代所形成基团; ⑨所述①、②所示基团中一个或多个-H被-F、-Cl、-CH =邸2或-CH = CH-CH 3取代所 形成的基团; 环F、G、H、I各自独立地表示如下基团:
P、q、r各自独立的表示0或1 ; Ze、Z7、Zs各自独立的代表单键、-C2H4-、-ch = -coo-、-ooc-、-ch2〇-、-och 厂、-CF2O-、-OCF2-,其中任意-H原子可被-F代替。
8. 根据权利要求7所述的液晶介质,其特征在于,所述一种或多种结构式III所示化合 物为如下式III a至式III P所示化合物中的一种或多种化合物:


其中,R4、咕各自独立地表示下列①-⑨所示基团中的任意一种: ① 碳原子数为1-7的直链烧基或碳原子数为1-7的直链烧氧基; ② 所述①所不基团中一个或多个-CHg-被-〇-、-〔0〇-、-〇OC-、-CH = CH-取代所形成基 团; ⑨所述①、②所示基团中一个或多个-H被-F、-C1、-CH =邸2或-CH = CH-CH 3取代所 形成的基团; (巧表示H或F。
【专利摘要】本发明涉及包含结构式Ⅰ的新型负介电液晶化合物,和涉及包括结构式Ⅰ的至少一种化合物的液晶介质,和涉及含有这一类型的液晶介质的电光学显示器。此类化合物具有高的负介电、较大的K值,较低的旋转粘度,适用于快速响应VA液晶,尤其适用于VA-TFT,VA-IPS液晶显示。
【IPC分类】C09K19-44, C09K19-46, C07C25-24, C07C43-225
【公开号】CN104591982
【申请号】CN201510066237
【发明人】孟劲松, 员国良, 孟欢, 王瑾, 邸玉静, 张莉, 王晓娜
【申请人】石家庄诚志永华显示材料有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月9日
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