一种液晶化合物及包含该化合物的液晶介质的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶材料领域，具体的说涉及一种液晶介质，该液晶介质为负介电各 向异性的液晶介质，本发明还涉及该液晶介质在有源矩阵显示元件，如使用ECB、FFS或 IPS、MVA、PVA或HVA效应的有源矩阵显示器中的应用。 技术背景
[0002] 目前TFT-IXD已经广泛地应用于工业领域和家庭消费领域，几乎完全替代了传统 的CRT显示器市场。根据液晶显示方式的不同，液晶显示元件可以分为扭曲向列相（TN)模 式、超扭曲向列相（STN)模式、共面（IPS)模式、垂直配向（VA)模式等多种模式，无论何种 显示模式均需要液晶组合物有以下特性：
[0003] (1)化学，物理性质稳定。
[0004] (2)粘度低。
[0005] (3)具有合适的Ae。
[0006] (4)合适的折射率An。
[0007] (5)与其他液晶化合物的相溶性好
[0008] 当前的液晶显示元件多为扭曲向列相（TN)模式，但其存在对比度低、视野角窄的 缺点，而垂直配向（VA)模式的显示以其宽视野角、高对比度和无须摩擦配向等优势，已经 得到广泛应用，并成为大尺寸TV用TFT-IXD的常见显示模式，另外，VA模式显示的对比度 对液晶的双折射率、液晶层的厚度和入射光的波长依赖度较小，因此，VA模式成为了现在极 具前景的液晶显示技术。
[0009] 对于VA模式等的显示方式所用的液晶材料，要求低电压驱动、快速响应、宽的温 度范围和良好的低温稳定性。换言之，也就要求我们开发负介电各向异性绝对值大、低黏 度、大的K33值和高清亮点的化合物。
【发明内容】
[0010] 本发明的目的是提供一种具有负介电各向异性液晶单体，该液晶单体有好的对光 和热的稳定性，适当的负介电各向异性（Ae)，较大的光学各向异性（An)，较大的K值， 而且合成上无需氢化环己烷，成本低。
[0011] 为了实现上述技术效果，本发明提供了式I所示液晶化合物
【主权项】
1. 式I所示液晶化合物
I 其中，Ri、R。各自独立地表示碳原子数为1-7的烧基、碳原子数为1-7的烧氧基、碳原子 数为2-7的締基、碳原子数为1-7的烧基中一个-C&-被亚环丙基取代所形成的基团、碳原 子数为1-7的烧氧基中一个-C&-被亚环丙基取代所形成的基团或碳原子数为3-7的締基 中一个-C&-被亚环丙基取代所形成的基团，并且所述Ri、R。中有且仅有一个表示含有亚环 丙基的基团，所述亚环丙基与苯环不直接相连； n表示0或1。
2. -种液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或多种式I所示液晶化合物和 一种或多种式II所示液晶化合物，
其中， Ri、R。各自独立地表示碳原子数为1-7的烧基、碳原子数为1-7的烧氧基、碳原子数为 2-7的締基、碳原子数为1-7的烧基中一个-CH2-被亚环丙基取代所形成的基团、碳原子数 为1-7的烧氧基中一个-C&-被亚环丙基取代所形成的基团或碳原子数为3-7的締基中一 个-CH2-被亚环丙基取代所形成的基团，并且所述Ri、R。中有且仅有一个表示含有亚环丙基 的基团，所述亚环丙基与苯环不直接相连； n表示0或1 ; 尺2、Rs各自独立地表示碳原子数为1-7的烧基、碳原子数为1-7的烧氧基、碳原子数为 2-7的直链締基、碳原子数为1-7的烧基中一个或多个-C&-基团被-0-和/或-CH = CH-取 代所形成的基团、碳原子数为1-7的烧氧基中一个或多个-CH厂基团被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团、碳原子数为3-7的直链締基中一个或多个-C&-基团被-0-和/ 或-CH = CH-取代所形成的基团；
各自独立地表示下列基团中的一个或多个基团：
、
P、q各自独立地表示1或2 ; Z表示单键、-邸2-、-邸2邸2-、-邸2〇-、-COO-或-0邸2-。
3.根据权利要求2所述的液晶介质，其特征在于，所述一种或多种式I所示液晶化合 物为式I -1至式I -10所示化合物中的一种或多种化合物，所述一种或多种式II所示液晶 化合物为式II -1至式II -14所示化合物中的一种或多种化合物
所述式I -1至式I -10中，Ri各自独立地表示碳原子数为1-7的烧基、碳原子数为1-7 的烧氧基或碳原子数为2-7的締基； 所述式II -1至式II -14中，R2、R3各自独立地表示碳原子数为1-7的烧基、碳原子数为 1-7的烧氧基、碳原子数为2-7的直链締基、碳原子数为1-7的烧基中一个或多个-CH,-基 团被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团、碳原子数为1-7的烧氧基中一个或多 个-C&-基团被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团、碳原子数为3-7的直链締基中 一个或多个-邸2-基团被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团。
4. 根据权利要求2或3所述的液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或多种式 III -a和/或式III -b所示的化合物
其中 尺4、Rs、Re、馬各自独立地表示碳原子数为1-7的烧基或碳原子数为1-7的烧基中一个 或多个-邸2-被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团； Zi、Z2、Zs各自独立地表示单键、-邸2-、-邸2邸2-、-邸2〇-、-C00-或-0邸2-; m表示1或2 ; n表示0或1。
5. 根据权利要求4所述的液晶介质，其特征在于，所述一种或多种式III -a和/或式 III -b所示的化合物为式III -1至式III -12所示化合物中的一种或多种化合物
所述式III -1至式III -12中，R4、Rs、Re、馬各自独立地表示碳原子数为1-7的烧基或碳 原子数为1-7的烧基中一个或多个-C&-被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团。
6. 根据权利要求2-6中任一所述的液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或 多种式IV -1、式IV -2和/或式IV -3所示化合物
其中 Rs、R9、Rw、Ru、Ri2、Ri3各自独立地表示碳原子数为1-7的直链烧基、碳原子数为1-7的 烧氧基、碳原子数为2-7的直链締基、碳原子数为1-7的直链烧基中一个或多个-CH,-基 团被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团、碳原子数为1-7的烧氧基中一个或多 个-CH厂基团被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团、碳原子数为3-7的直链締基中 一个或多个-邸2-基团被-0-和/或-CH = CH-取代所形成的基团。
7. 根据权利要求2至6中任一所述液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含W下一种 或几种添加剂：多色染料、UV稳定剂、抗氧化剂、手征向渗杂剂、聚合起始剂、微粒及纳米粒 子，所述添加剂组分浓度在0. 01% -1 %之间。
8. 根据权利要求1至7中任一所述液晶介质在有源矩阵显示元件，ECB、F!^S或IPS、 MVA、PVA或HVA效应的有源矩阵显示器中的应用。
【专利摘要】本发明公开了一种负介电各向异性液晶单体(通式Ⅰ)和含有此类单体的液晶介质，所述液晶介质包含：一种或多种通式Ⅰ和一种或多种通式II所示的化合物。本发明提供的液晶组合物性能优异，具有适当的负介电各向异性，合适的光学各向异性，较大的K值，可用于含有该液晶介质的有源矩阵显示元件，如ECB,FFS或IPS,MVA.PVA或HVA效应的有源矩阵显示器。
【IPC分类】C07C43-225, G02F1-1333, C09K19-44, C09K19-30, C09K19-42
【公开号】CN104591983
【申请号】CN201510082687
【发明人】翟媛媛, 员国良, 温刚, 丰景义, 高红茹, 贾鹏忠, 孙轩非
【申请人】石家庄诚志永华显示材料有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月15日