具有茚并9,10-二氢吖啶环结构的化合物以及有机电致发光器件的制作方法

文档序号:8287254阅读:360来源:国知局
具有茚并9,10-二氢吖啶环结构的化合物以及有机电致发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及适于各种显示装置的自发光器件即有机电致发光器件中适用的化合 物和该器件,详细而言,涉及具有茚并9, 10-二氢吖啶环结构的化合物以及使用该化合物 的有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件为自发光性器件,因此与液晶器件相比更明亮,可视性优异,能 够进行清晰的显示,因此进行了积极的研究。
[0003] 1987年伊士曼柯达公司的C. W. Tang等人通过开发将各种功能分担于各材料的层 叠结构器件而令使用有机材料的有机电致发光器件实用化。他们将能够输送电子的荧光 体、三(8-羟基喹啉)铝(后文简称为Alq 3)以及能够输送空穴的芳香族胺化合物层叠,将 两者的电荷注入到荧光体层中使其发光,从而在IOV以下的电压下得到lOOOcd/m 2以上的 高亮度(例如,参见专利文献1和专利文献2)。
[0004] 迄今,为了有机电致发光器件的实用化而进行了许多改良,将各种功能进一步细 分,利用在基板上依次设有阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入 层、阴极的电致发光器件达成了高效率和耐久性(例如,参见非专利文献1)。
[0005] 另外,为了进一步提高发光效率而尝试了三重态激子的利用,研究了磷光发光体 的利用(例如,参见非专利文献2)。
[0006] 此外,也开发了利用基于热激活迟滞荧光(TADF)的发光的器件。2011年九州大学 的安达等人利用使用热激活迟滞荧光材料的器件实现了 5. 3%的外量子效率(例如,参见 非专利文献3)。
[0007] 发光层通常也可以在被称为主体材料的电荷输送性的化合物中掺杂荧光体、磷光 发光体而制作。如上述研讨会论文集中记载那样,有机电致发光器件中的有机材料的选择 对该器件的效率、耐久性等各特性造成较大的影响。
[0008] 有机电致发光器件中,自两电极注入的电荷在发光层中再结合而得到发光,如何 使空穴、电子两种电荷效率良好地传递到发光层中是重要的,通过提高空穴注入性,提高阻 挡自阴极注入的电子的电子阻挡性,从而能够提高空穴与电子再结合的概率,进而将所生 成的激子禁锢在发光层内,由此能够得到高发光效率。因此,空穴输送材料所实现的作用是 重要的,要求空穴输送材料的空穴注入性高、空穴的迁移率大、电子阻挡性高、而且对电子 的耐久性高。
[0009] 另外,关于器件的寿命,材料的耐热性、非晶性也是重要的。对于耐热性低的材料, 由于器件驱动时产生的热,即使在较低的温度下也会发生热分解,材料劣化。对于非晶性低 的材料,即使在短时间内也会发生薄膜的结晶化,导致器件劣化。因此对所使用的材料要求 耐热性高、非晶性良好的性质。
[0010] 作为一直以来用于有机电致发光器件的空穴输送材料,已知有N, Ν' -二苯 基-Ν,Ν' -二(α -萘基)联苯胺(后文简称为NPD)、各种芳香族胺衍生物(例如,参见专 利文献1和专利文献2)。NPD具有良好的空穴输送能力,但作为耐热性的指标的玻璃化转 变温度(Tg)低,为96°C,在高温条件下发生由结晶化造成的器件特性的降低(例如,参见非 专利文献4)。另外,前述专利文献1、专利文献2中记载的芳香族胺衍生物当中,已知具有 空穴的迁移率为l〇_ 3cm2/Vs以上这样优异的迁移率的化合物,但电子阻挡性不充分,因此, 电子的一部分穿过发光层,无法期待发光效率的提高等,为了进一步的高效率化,要求电子 阻挡性更高、薄膜更稳定且耐热性高的材料。
[0011] 作为改良了耐热性、空穴注入性、电子阻挡性等特性的化合物,提出了由下述式表 示的具有取代9, 10-二氢吖啶结构的芳基胺化合物(例如,化合物A?C)。(例如,参见文 献3?5参照)。
[0012]
【主权项】
1. 一种具有巧并9, 10-二氨吓巧环结构的化合物,其由下述通式(1)表示,
式(1)中,A表示取代或非取代的芳香族姪、取代或非取代的芳香族杂环、或者取代或 非取代的稠多环芳香族的2价基团、或者单键,Ari、Ar2、Ars可W彼此相同或不同,表示取 代或非取代的芳香族姪基、取代或非取代的芳香族杂环基团、或者取代或非取代的稠多环 芳香族基团,Ar2和Ar 3也可W介由单键、取代或非取代的亚甲基、氧原子或者硫原子彼此结 合而形成环,Ri?Rg可W彼此相同或不同,为氨原子、気原子、氣原子、氯原子、氯基、硝基、 任选具有取代基的碳原子数1?6的直链状或支链状的焼基、任选具有取代基的碳原子数 5?10的环焼基、任选具有取代基的碳原子数2?6的直链状或支链状的链帰基、任选具有 取代基的碳原子数1?6的直链状或支链状的焼氧基、任选具有取代基的碳原子数5?10 的环焼氧基、取代或非取代的芳香族姪基、取代或非取代的芳香族杂环基团、取代或非取代 的稠多环芳香族基团、或者取代或非取代的芳氧基,也可W介由单键、取代或非取代的亚甲 基、氧原子或者硫原子彼此结合而形成环,Ri。?R 13可W彼此相同或不同,为任选具有取代 基的碳原子数1?6的直链状或支链状的焼基、任选具有取代基的碳原子数5?10的环焼 基、任选具有取代基的碳原子数2?6的直链状或支链状的链帰基、任选具有取代基的碳原 子数1?6的直链状或支链状的焼氧基、任选具有取代基的碳原子数5?10的环焼氧基、 取代或非取代的芳香族姪基、取代或非取代的芳香族杂环基团、取代或非取代的稠多环芳 香族基团、或者取代或非取代的芳氧基,Ri。和Rii、Ri2和R。也可W介由单键、取代或非取代 的亚甲基、氧原子或者硫原子彼此结合而形成环,此处,A为取代或非取代的芳香族姪、取代 或非取代的芳香族杂环、或者取代或非取代的稠多环芳香族的2价基团时,A和Ar,也可W 介由单键、取代或非取代的亚甲基、氧原子或者硫原子彼此结合而形成环。
2. 根据权利要求1所述的具有巧并9, 10-二氨吓巧环结构的化合物,其由下述通式 (1-1)表不,
式(1-1)中,A表示取代或非取代的芳香族姪、取代或非取代的芳香族杂环、或者取代
或非取代的稠多环芳香族的2价基团、或者单键,Ari、Ar,、Ar河W彼此相同或不同,表示取 代或非取代的芳香族姪基、取代或非取代的芳香族杂环基团、或者取代或非取代的稠多环 芳香族基团,Ar,和Ar 3也可W介由单键、取代或非取代的亚甲基、氧原子或者硫原子彼此结 合而形成环,Ri?Rg可W彼此相同或不同,为氨原子、気原子、氣原子、氯原子、氯基、硝基、 任选具有取代基的碳原子数1?6的直链状或支链状的焼基、任选具有取代基的碳原子数 5?10的环焼基、任选具有取代基的碳原子数2?6的直链状或支链状的链帰基、任选具有 取代基的碳原子数1?6的直链状或支链状的焼氧基、任选具有取代基的碳原子数5?10 的环焼氧基、取代或非取代的芳香族姪基、取代或非取代的芳香族杂环基团、取代或非取代 的稠多环芳香族基团、或者取代或非取代的芳氧基,也可W介由单键、取代或非取代的亚甲 基、氧原子或者硫原子彼此结合而形成环,Ri。?R 13可W彼此相同或不同,为任选具有取代 基的碳原子数1?6的直链状或支链状的焼基、任选具有取代基的碳原子数5?10的环焼 基、任选具有取代基的碳原子数2?6的直链状或支链状的链帰基、任选具有取代基的碳原 子数1?6的直链状或支链状的焼氧基、任选具有取代基的碳原子数5?10的环焼氧基、 取代或非取代的芳香族姪基、取代或非取代的芳香族杂环基团、取代或非取代的稠多环芳 香族基团、或者取代或非取代的芳氧基,Ri。和Rii、Ri2和R。也可W介由单键、取代或非取代 的亚甲基、氧原子或者硫原子彼此
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