一种活性隔热金刚石膜的制作配方的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明提供了一种活性隔热金刚石膜的制作配方，特别是用于电子产业磁盘或磁带表层覆盖的一种活性隔热金刚膜的制作配方。
【背景技术】
[0002]随着计算机等电子产业的广泛普及与应用，对硬盘和磁头等存储介质的性能要求也越来越高。市面上的保护膜也各式各样，金刚石膜可以保护存储的介质受到保护，防止产品的划伤，目前的金刚石膜效仍不理想，使用寿命短，保护部全面。
[0003]为了克服上述问题，本发明公开了一种活性隔热金刚石膜的制作配方，不仅可以极大的减小磨损阻力和防止产品被伤害，提高各种磁记录介质的使用时间，而且由于膜层内采用树脂基成分，具有良好的隔热作用，提高稳定度。
【发明内容】
[0004]本发明的目的就是针对现有技术存在的不足，提供一种用于电子产业磁盘或磁带表层覆盖的一种活性隔热金刚膜的制作配方。
[0005]其技术方案是:主要成分:金刚石粉末37-57%，树脂基12-20%，Ti5-8%、CrlO_18%、Zr7-9%，所有成分均匀配比，加入适量的基钎料。所述的一种活性隔热金刚石膜的制作配方，，其特征在于所述成分均匀配比，基钎料适量，在高温700-900°C钎焊30-50min制成。
[0006]本发明的特点是主要成分金刚石和树脂基，具有较强的隔热抗摩擦的作用，具有高耐磨性和低摩擦的效果，有效的保护磁盘不被氧化，使磁盘寿命延长五倍，在电子领域会得到广泛应用。
【具体实施方式】
[0007]实施例1:金刚石粉末47%，树脂基20%，Ti8%、Crl8%、Zr7%，所有成分均匀配比，力口入适量的基钎料
所述成分均勻配比，基钎料适量，在高温700°C钎焊30min制成。
[0008]实施例2:金刚石粉末57%，树脂基17%, Ti7%、Crl0%、Zr9%，所有成分均匀配比，力口入适量的基钎料
所述成分均勻配比，基钎料适量，在高温900°C钎焊50min制成。
[0009]另外，本发明创造不意味着说明书所局限，在没有脱离设计宗旨的前提下可以有所变化。
【主权项】
1.本发明提供了一种活性隔热金刚石膜的制作配方，特别是用于电子产业磁盘或磁带表层覆盖的一种活性隔热金刚膜的制作配方，其特征在于，主要成分:金刚石粉末37-57%，树脂基12-20%，Ti5-8%、CrlO-18%、Zr7_9%，所有成分均匀配比，加入适量的基钎料。
2.根据权利要求1所述的一种活性隔热金刚石膜的制作配方，其特征在于所述成分均匀配比，基钎料适量，在高温700-900°C钎焊30-50min制成。
【专利摘要】本发明提供了一种活性隔热金刚石膜的制作配方，特别是用于电子产业磁盘或磁带表层覆盖的一种活性隔热金刚膜的制作配方。其特征在于，主要成分：金刚石粉末37-57%，树脂基12-20%，Ti5-8%、Cr10-18%、Zr7-9%，所有成分均匀配比，加入适量的基钎料。本发明的特点是主要成分金刚石和树脂基，具有较强的隔热抗摩擦的作用，具有高耐磨性和低摩擦的效果，有效的保护磁盘不被氧化，使磁盘寿命延长五倍，在电子领域会得到广泛应用。
【IPC分类】C08L101-00, C08K3-08, C08K3-04
【公开号】CN104650608
【申请号】CN201310577483
【发明人】李涛
【申请人】青岛古宇石墨有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月19日