芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件的制作方法

文档序号:8344115阅读:164来源:国知局
芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件。例如,涉及具有三 亚苯骨架以及二苯并呋喃骨架和二苯并噻吩骨架的一者或两者的芳香族胺衍生物以及使 用其的有机电致发光元件。
【背景技术】
[0002] -般有机电致发光(EL)元件由阳极、阴极和夹在阳极和阴极之间的1层以上有机 薄膜层构成。如果在两电极间施加电压,则电子由阴极侧、空穴由阳极侧注入发光区域,所 注入的电子和空穴在发光区域再结合,形成激发状态,激发状态返回基态时发光。因此,将 电子或空穴高效地传输至发光区域,使电子和空穴的再结合变得容易的化合物的开发对于 得到高效率有机EL元件是重要的。
[0003] 通常,如果将有机EL元件在高温环境下驱动或保管,则产生发光色的变化、发光 效率的降低、驱动电压的上升、发光寿命的缩短等问题。为了防止这样的问题,作为空穴传 输材料,专利文献1公开了具有N-咔唑基直接键合于9, 9-二苯基芴骨架的结构的芳香族 胺衍生物,专利文献2公开了具有3-咔唑基直接键合于9, 9-二甲基芴骨架的结构的芳香 族胺衍生物,专利文献3公开了具有N-咔唑基苯基通过氮原子键合于9, 9-二苯基芴骨架 的结构的芳香族胺衍生物,专利文献4公开了具有3-咔唑基通过氮原子键合于9, 9-二苯 基芴骨架的结构的芳香族胺衍生物。专利文献5记载了具有选自芴骨架、咔唑骨架、二苯并 呋喃骨架、二苯并噻吩骨架中的骨架的芳香族胺衍生物。
[0004] 但是,专利文献1~5中公开的芳香族胺衍生物对于驱动电压的降低、低电压驱动 时的效率和长寿命化的改善不能说是充分的,要求进一步改善。
[0005] 专利文献6记载了具有三亚苯骨架和二苯并呋喃骨架(或二苯并噻吩骨架)的芳香 族胺化合物。这样的芳香族胺化合物的例示化合物的大半必须具有咔唑骨架或末端二芳基 氨基。专利文献6还记载了下述化合物。
[0006][化 1]
【主权项】
1.下式(1)表示的芳香族胺衍生物, [化1]
式中,HAr1表示选自下式(2)~(5)中的基团, [化2]
式(2)~(5)中,η为0-4的整数,R分别独立地表示取代或未取代的碳数为广20的烷 基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳基、取代或未取代的环原子数为:Γ50的杂环基、卤 素原子、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数为1~20的烷氧基、取 代或未取代的碳数为1~20的氟烷氧基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳氧基或氰基,R 存在多个时,该多个R可以相同也可以不同,
L^L3可以相同也可以不同,分别独立地表示单键、下式(6)表示的基团或下式(7)表示 的基团, [化3] Ar2表示取代或未取代的碳数为厂20的烷基、取代或未取代的环碳数为f 50的芳基、 取代或未取代的环原子数为3~50的杂环基、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷基、取代或 未取代的碳数为1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷氧基、取代或未取代的 碳数为6~50的芳氧基或选自下式(8) ~ (11)中的基团,其中,Ar2不包括咔唑骨架和取代 或未取代的氨基, [化4]
式(8)~(11)中,η为0-4的整数,R分别独立地表示取代或未取代的碳数为广20的 烷基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳基、取代或未取代的环原子数为:Γ50的杂环基、 卤素原子、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数为1~20的烷氧基、 取代或未取代的碳数为1~20的氟烷氧基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳氧基或氰基, R存在多个时,该多个R可以相同也可以不同。
2. 根据权利要求1所述的芳香族胺衍生物,其用下式(12)表示, [化5]
式中,祖1'1、41'2、1^2和1^3分别如上式(1)中所定义。
3. 根据权利要求1或2所述的芳香族胺衍生物,其中,上述式Ar2为取代或未取代的环 碳数为6~50的芳基、或选自上式(8)~(11)中的基团。
4. 根据权利要求1~3中任一项所述的芳香族胺衍生物,其中,L3为单键、或下式(13)或 式(14)表示的基团, [化6]
5. 有机电致发光元件,其具有阳极、阴极和该阳极与阴极之间的1层以上的有机薄膜 层,该1层以上的有机薄膜层含有发光层,其特征在于,该有机薄膜层的至少1层含有权利 要求1~4中任一项所述的芳香族胺衍生物。
6. 根据权利要求5所述的有机电致发光元件,其中,上述有机薄膜层具有空穴注入层 或空穴传输层,该空穴注入层或空穴传输层含有上述芳香族胺衍生物。
【专利摘要】下式(1)表示的芳香族胺衍生物作为有机EL元件的构成成分是有用的,实现即使低电压驱动效率也高,且寿命长的有机EL元件。(式中,HAr1为二苯并呋喃基或二苯并噻吩基,Ar2是烷基、芳基或杂环基等,L1~L3分别独立地是单键或亚苯基)。
【IPC分类】C07D333-76, C09K11-06, C07D307-91, H01L51-50, C07D409-12
【公开号】CN104662010
【申请号】CN201380045222
【发明人】加藤朋希, 佐土贵康, 藤山高广
【申请人】出光兴产株式会社, 三井化学株式会社
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年8月29日
【公告号】EP2891653A1, US20150263292, WO2014034793A1
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