一种化合物的晶型a及其制备方法和应用

文档序号:8374709
一种化合物的晶型a及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明属于医药技术领域,涉及一种含有脱氧葡萄糖结构的苯基C-葡萄糖苷 衍生物的晶型,具体涉及一种4-(6-脱氧-D-吡喃葡萄糖基)-2-[5-(4-氟苯基)噻 吩-2-甲基]-1-甲基苯的晶型A,以及该晶型的制备方法和应用。
【背景技术】
[0002] 本发明人已就4-(6-脱氧-D-批喃葡萄糖基)-2-[5-(4-氟苯基)噻吩-2-甲 基]-1-甲基苯(为描述方便,以下简称为CD-6)作为Na+-葡萄糖共转运子2 (或称为2型 钠葡萄糖共转运子,sodium-dependentglucosecotransporter2,缩写为SGLT2)抑制剂提 交了发明专利申请(CN201310213608.8)。该化合物可用于制备治疗糖尿病的药物组合物, 其化学结构式如下:
【主权项】
1. 一种4-(6-脱氧-3-D-吡喃葡萄糖基)-2-[5-(4-氟苯基)噻吩-2-甲基]-1-甲 基苯(⑶-6)的晶型A,其特征在于,该晶型X-射线粉末衍射特征吸收峰(2 0 )值为:8. 26、 9. 04、9. 72、10. 32、10. 78、12. 08、12. 40、13. 60、15. 24、16. 98、17. 70、18. 18、19. 18、20. 32、 20. 76、21. 48、22. 60、23. 28、23. 70、24. 56、25. 06、25. 86、26. 42、27. 38、28. 00、29. 00、 30. 66、32. 82、33. 58 ;2 0 测量误差为 ±0. 2 ;
2. 根据权利要求1所述的晶型A,其特征在于,所述X-射线粉末衍射特征吸收峰(2 0 ) 与晶面间距d值具有如下对应关系:
3. 根据权利要求1或2所述的晶型A,其特征在于,所述X-射线粉末衍射图谱如说明 书附图2所示。
4. 根据权利要求1或2所述的晶型A,其特征在于,其差热分析图谱在118°C有放热峰, 在141°C处具有吸热峰。
5. -种如权利要求1或2所述的4-(6-脱氧-P-D-吡喃葡萄糖基)-2-[5-(4-氟苯 基)噻吩-2-甲基]-1-甲基苯的晶型A的制备方法,其特征在于,将4- (6-脱氧-@ -D-批 喃葡萄糖基)-2_[5-(4-氟苯基)噻吩-2-甲基]-1-甲基苯溶于一种良性溶剂中,缓慢加 入一种不良溶剂,搅拌下析晶,抽滤、干燥,得到晶型A。
6. 根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述良性溶剂为乙酸、丙酮、甲醇、乙 醇、异丙醇;所述不良溶剂为水。
7. 根据权利要求5-6任一所述的制备方法,其特征在于,所述4-(6-脱氧-0 -D-吡喃 葡萄糖基)-2-[5-(4-氟苯基)噻吩-2-甲基]-1-甲基苯与良性溶剂和不良溶剂的用量比 例为1 :5~10 :3~30 ;所述比例为质量-体积-体积比;单位为g/mL/mL,优选比例为1 : 7 :7。
8. -种药物组合物,其特征在于,所述药物组合物包含有效量的如权利要求1~2任一 项所述的晶型A和一种或多种药学上可接受的辅料。
9. 根据权利要求8所述的药物组合物,其特征在于,所述药物组合物为固体口服制剂、 液体口服制剂或注射剂;优选地,所述固体口服制剂包括分散片、肠溶片、咀嚼片、口崩片、 胶囊或颗粒剂;所述液体口服制剂包括口服溶液剂;所述注射剂包括注射用水针、注射用 冻干粉针、大输液或小输液。
10. 权利要求1或2所述的晶型A在制备用于治疗糖尿病的药物中的用途。
【专利摘要】本发明属于医药技术领域,涉及一种化合物的晶型A及其制备方法和应用,具体公开了一种脱氧C-葡萄糖苷类SGLT2抑制剂4-(6-脱氧-β-D-吡喃葡萄糖基)-2-[5-(4-氟苯基)噻吩-2-甲基]-1-甲基苯(CD-6)的晶型A及其制备方法和用途。该晶型X-射线粉末衍射特征吸收峰(2θ)值为:8.26、9.04、9.72、10.32、10.78、12.08、12.40、13.60、15.24、16.98、17.70、18.18、19.18、20.32、20.76、21.48、22.60、23.28、23.70、24.56、25.06、25.86、26.42、27.38、28.00、29.00、30.66、32.82、33.58;2θ测量误差为±0.2。该晶型具有外观状态稳定、能进一步提高该化合物的纯度、保存稳定等特点,具备直接供应原料药的特点。
【IPC分类】A61K31-381, A61P3-10, C07D409-10
【公开号】CN104693192
【申请号】CN201310667343
【发明人】赵桂龙, 韩书文, 谢亚非, 刘钰强, 王玉丽, 吴疆, 李川, 徐为人, 汤立达, 邹美香
【申请人】天津药物研究院
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2013年12月9日
再多了解一些
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