高介电性膜的制作方法

文档序号:8385524阅读:348来源:国知局
高介电性膜的制作方法
【专利说明】高介电性膜 【技术领域】
[0001] 本发明设及高介电性膜。 【【背景技术】】
[0002] 关于高介电性膜,由于其相对介电常数高,因而有人提出了将高介电性膜用作电 润湿(electrowetting)用膜等的提案。
[0003] 电润湿是指使用电场使疏水性电介质膜的表面的润湿性(wettability)在疏水 性(疏水性)与亲水性之间变化。利用该电润湿,能够驱动配置在上述表面上的导电性液 体。该机构能够在没有机械可动部的情况下驱动导电性液体,该一点对于装置的小型化和 长寿命化较为有利。因此有人提出了将电润湿器件特别应用于如下各种用途的提案,例如, 显示装置中的光学元件、能够使焦距任意变化的液体透镜、W及检查设备中的少量液体的 传输等。
[0004] 但是,该样的导电性液体的驱动需要高电压,其结果,存在装置的消耗电力增高的 问题。该妨碍了电润湿器件的实用化。
[0005] 另外,上述疏水性衍生物膜的表面润湿性用接触角来表示。
[0006] 已知在施加电压为V时,导电性液体与疏水性电介质膜之间的接触角0V由下述 数学式来表示。
[0007] 【数1】
[000引
【主权项】
1. 一种高介电性膜,其特征在于,其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A),该偏二氟 乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中,偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5~80/20 ;并且 该高介电性膜由a型结晶结构和0型结晶结构构成,0型结晶结构为50%以上。
2. 如权利要求1所述的高介电性膜,其进一步含有无机氧化物颗粒(B)。
3. 如权利要求2所述的高介电性膜,其中,无机氧化物颗粒(B)为选自由下述(B1)、 (B2)和(B3)组成的组中的至少一种: (BI)周期表2族、3族、4族、12族或13族金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机 氧化物复合颗粒; (B2)式(1): M1alM2blOcl 所表示的无机复合氧化物颗粒, 式⑴中,M1为2族金属元素;M2为4族金属元素;al为0. 9~I.I;bl为0. 9~I. 1 ;cl为2. 8~3. 2W1和M2可以分别为两种以上; (B3)周期表2族、3族、4族、12族或13族金属元素的氧化物与氧化硅的无机氧化物复 合颗粒。
4. 如权利要求3所述的高介电性膜,其中,(BI)为选自由Al203、Mg0、Zr02、Y20 3、Be(^P MgO ?Al2O3组成的组中的至少一种颗粒。
5. 如权利要求3或4所述的高介电性膜,其中,(BI)为Y型Al203。
6. 如权利要求3、4或5所述的高介电性膜,其中,(B2)为选自由BaTi03、SrTi03、 CaTi03、MgTi03、BaZr03、SrZr03、CaZrOjPMgZrO3组成的组中的至少一种颗粒。
7. 如权利要求3、4、5或6所述的高介电性膜,其中,(B3)为选自由3A1 203 ? 2Si02、 2Mg0 ?Si02、ZrO2 ?SiOjPMgO?SiO2组成的组中的至少一种颗粒。
8. 如权利要求2、3、4、5、6或7所述的高介电性膜,其中,相对于共聚物(A) 100质量份, 含有0. 01质量份~300质量份的无机氧化物颗粒(B)。
9. 如权利要求2、3、4、5、6、7或8所述的高介电性膜,其中,无机氧化物颗粒(B)的平均 一次粒径为Ium以下。
10. -种电润湿器件,其具有: 第1电极; 第2电极; 导电性液体,其可移动地配置在上述第1电极与上述第2电极之间;以及 权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的高介电性膜,所述高介电性膜按照使上述第1 电极与上述第2电极绝缘的方式配置在上述第1电极与上述导电性液体之间。
11. 一种电润湿器件,其特征在于,其具有: 圆筒状绝缘体; 配置在圆筒状绝缘体外周的环状第1电极; 隔着圆筒状绝缘体配置在与环状第1电极相反的一侧的第2电极;以及 在圆筒状绝缘体的内侧可移动地配置的导电性液体; 上述圆筒状绝缘体由权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的高介电性膜形成。
【专利摘要】本发明的目的在于提供具有高相对介电常数和低介质损耗角正切的膜。本发明的高介电性膜的特征在于,其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A),该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中,偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5~80/20;并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成,β型结晶结构为50%以上。
【IPC分类】G02F1-19, C08J5-18, G02B26-00, C08L27-16, H01G4-18, G02B3-14, G02B26-02, C08K3-20
【公开号】CN104704046
【申请号】CN201380051473
【发明人】立道麻有子, 太田美晴, 横谷幸治, 小松信之, 仲村尚子, 茂内普巳子, 硲武史, 木下雅量, 高明天, 石川卓司, 井口贵视, 内田一畅, 深谷伦行, 北原隆宏, 小谷哲浩
【申请人】大金工业株式会社
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2013年10月16日
【公告号】EP2910604A1, WO2014061700A1
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1