柱中，依靠重力自然下流，待液体流完，收集溶液。
[0034]步骤2.2:将步骤2.1收集的溶液全部倒入实施例1制备的第一层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完收集溶液；再把收集的溶液全部倒入该第一层析柱中，重复步骤2的前述操作3次；
[0035]步骤2.3:对经过步骤2.2处理后的第一层析柱进行加热解配，加热温度为120°C，并在层析柱底部以真空泵抽真空为动力，收集解配的三甲基铝可得到约19.2g三甲基铝。
[0036]对步骤2.3得到的三甲基铝进行ICP-OES和NMR分析，可以确认收集到的三甲基铝的纯度为99.9999% (6N)。
[0037]实施例4
[0038]以CH3Li和AlX3 (X为I或Br)为原料，以乙醚为溶剂，合成反应后经过粗提得到纯度为99.0%的三甲基铝。以该三甲基铝粗品进行包括以下步骤的提纯操作。
[0039]步骤2.1:把该三甲基铝倒入实施例1制备的第二层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完，收集溶液。
[0040]步骤2.2:将步骤2.1收集的溶液全部倒入实施例1制备的第一层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完收集溶液；再把收集的溶液全部倒入该第一层析柱中，重复步骤2的前述操作3次；
[0041]步骤2.3:对经过步骤2.2处理后的第一层析柱进行加热解配，加热温度为100°C，并在层析柱底部以真空泵抽真空为动力，收集解配的三甲基铝可得到约19.0g三甲基铝。
[0042]对步骤2.3得到的三甲基铝进行ICP-OES和NMR分析，可以确认收集到的三甲基铝的纯度为99.9999% (6N)。
[0043]实施例5
[0044]以卤代烷CH3X(X为I或Br)、铝和锂为原料，以乙醚为溶剂，合成反应后经过粗提得到纯度为99.0%的三甲基铝。以该三甲基铝粗品进行包括以下步骤的提纯操作。
[0045]步骤2.1:把该三甲基铝倒入实施例1制备的第二层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完，收集溶液。
[0046]步骤2.2:将步骤2.1收集的溶液全部倒入实施例1制备的第一层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完收集溶液；再把收集的溶液全部倒入该第一层析柱中，重复步骤2的前述操作3次；
[0047]步骤2.3:对经过步骤2.2处理后的第一层析柱进行加热解配，加热温度为120°C，并在层析柱底部以真空泵抽真空为动力，收集解配的三甲基铝可得到约19.2g三甲基铝。
[0048]对步骤2.3得到的三甲基铝进行ICP-OES和NMR分析，可以确认收集到的三甲基铝的纯度为99.9999% (6N)。
[0049]对比例
[0050]以二正丁胺、三丙胺替代实施例1的三正辛胺制作层析柱，采用实施例的提纯操作，经过ICP-OES和NMR分析发现，不仅不能去除其中的乙醚或甲基四氢呋喃溶剂，以及金属杂质离子，而且还会引入二正丁胺和三丙胺。
[0051]对于本领域的普通技术人员而言，具体实施例只是对本发明进行了示例性描述，本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:包括以下步骤:①以乙醚为溶剂，制备三甲基铝粗品；②对步骤①得到的三甲基铝粗品进行纯化，所述纯化方法包括采用第一层析柱对所述三甲基铝粗品进行提纯的步骤；并且所述第一层析柱采用的固定相为接枝二氧化娃，所述接枝二氧化娃为表面接枝有三正辛胺的二氧化娃。
2.根据权利要求1所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:所述三甲基铝粗品的纯度为95.0?99.0%。
3.根据权利要求1所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:所述三甲基铝粗品通过以下反应(I)?(4)的任何一种得到:CH3MgX+AlX3— Al (CH 3) 3+MgX2，X 为 I 或(I)CH3X+Al+Mg — Al (CH3) 3+MgX2+CH3MgX，X 为 I 或 (2)CH3X+AI+L1 — Al (CH3) 3+L1 X，X 为 I 或 Br (3)CH3Li+AlX3— Al (CH 3) 3+Li X，X 为 I 或 Br (4)
4.根据权利要求1所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:所述接枝二氧化硅通过以下方法制备得到:首先利用氨基硅烷对二氧化硅进行表面处理，然后再接枝三正辛胺。
5.根据权利要求1所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:所述接枝二氧化硅通过以下方法制备得到:将硅胶粉分散于酸性溶液中，在60?70°C搅拌10?20h，冷却至40?60°C，加入氨基硅烷继续搅拌10?20h，然后加入三正辛胺，搅拌4?8h，过滤即可得到接枝二氧化硅。
6.根据权利要求5所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:所述硅胶粉、氨基硅烷以及三正辛胺的质量比为:100:3?6:8?12。
7.根据权利要求4所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:所述氨基硅烷选自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、苯氨基甲基三乙氧基硅烷、苯氨基甲基二甲氧基娃烧、N-β (氛乙基)-γ _氛丙基二乙氧基娃烧、N-β (氛乙基)_y_氛丙基二甲氧基娃烧或Ν-β (氨乙基)-γ-氨丙基甲基二乙氧基娃烧中的至少一种，优选为γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
8.根据权利要求1所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:所述纯化的操作如下:(2.1)把三甲基铝倒入固定相为二氧化硅的第二层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完，收集溶液；(2.2)将收集的溶液倒入第一层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完收集溶液；再把收集的溶液再倒入第一层析柱中，重复操作2?5次；(2.3)对经过(2.2)处理后的第一层析柱进行加热解配，并在层析柱底部抽真空收集即可得到纯化的三甲基铝。
9.根据权利要求8所述的高纯三甲基铝的制备方法，其特征在于:步骤(2.3)中，加热解配的温度为100?120°C。
【专利摘要】本发明涉及一种高纯三甲基铝的制备方法，属于元素周期表第Ⅲ族金属化合物制备的技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：①以乙醚为溶剂，制备三甲基铝粗品；②对步骤①得到的三甲基铝粗品进行纯化，所述纯化方法包括采用第一层析柱对所述三甲基铝粗品进行提纯的步骤；并且所述第一层析柱采用的固定相为接枝二氧化硅，所述接枝二氧化硅为表面接枝有三正辛胺的二氧化硅。本发明的制备方法采用合成和分离两个步骤得到了纯度可以达到6N的三甲基铝；尤其是采用的纯化方法结合了固液分离的手段，将特定的配位剂负载在二氧化硅上，不仅操作简单，而且也进一步提高了纯化效果。
【IPC分类】C07F5-06
【公开号】CN104774218
【申请号】CN201510193873
【发明人】顾宏伟, 茅嘉原, 李敏, 王士峰, 洪海燕
【申请人】苏州普耀光电材料有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月23日