用于电子器件的材料的制作方法
【技术领域】
[0001] 本申请设及下式（I)的具有氧杂慈基本结构的化合物。本申请此外设及用于制备 所述式（I)化合物的方法和设及所述化合物在电子器件中的用途。
【背景技术】
[0002] 在本申请意义上的电子器件被认为是指包含有机半导体材料作为功能材料的所 谓的有机电子器件。特别地，它们被认为是指有机电致发光器件（0LED)和下文提及的其它 电子器件。
[0003] 例如在US4539507、US5151629、EP0676461 和W0 98/27136 中描述了其中将有 机半导体用作功能材料的0LED的结构。一般来说，术语0LED被认为是指包含有机材料并 且在施加电压时发光的电子器件。
[0004] 在电子器件、特别是0L邸的情况下，对于改进性能数据，特别是改进寿命、效率和 工作电压，存在相当大的兴趣。关于该些方面尚未发现完全令人满意的解决方案。
[0005] 对于电子器件的性能数据的主要影响是通过具有空穴传输功能的层来施加的，该 样的层例如是空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和发光层。
[0006] 出于该个目的，正在不断地寻求具有空穴传输性能的新型材料。它们可纯物 质形式、作为主要组分或作为次要组分与其它材料组合的形式用于所述层中。
[0007] 在空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中，具有空穴传输性能的材料通常W纯 物质形式使用。然而，它们还可与渗杂的其它材料的混合物的形式用于该些层中。在 发光层中，特别是在磯光发光层中，具有空穴传输性能的材料在许多情况下用作该层的主 要组分（基质材料、主体材料）之一，与其它材料、例如发光体材料组合。
[0008] 根据现有技术已知使用=芳基胺作为上述层中具有空穴传输性能的材料。该些 可W是如在例如JP1995/053955、W0 2006/123667 和JP2010/222268 中所述的单S芳 基胺，或如在例如US7504163或US2005/0184657中所述的双胺或其它低聚胺。作为用 于0L邸的具有空穴传输性能的材料的=芳基胺化合物的已知实例尤其是=-对联苯胺、 N，N' -二-1-蒙基-N，N' -二苯基-1，1' -联苯-4, 4' -二胺（NPB)和 4, 4'，4"-S- (3-甲 基苯基苯基氨基）S苯胺（MTDATA)。
[0009] 现有技术公开了在0L邸中使用被芳基基团取代的氧杂慈化合物作为磯光发光体 的基质材料扣S7014925)。
[0010] 此外，现有技术公开了具有氧杂慈基本结构并且带有芳基氨基基团的化合物。例 如，JP 2009-191232公开了作为0LED中的发光化合物的氧杂慈-芳基胺化合物。此外，CN 101440082公开了在0L邸中用作发光层中的功能材料的氧杂慈二胺化合物。
【发明内容】
[0011] 令人预料不到的是，现在已发现，可使用如下文所限定的式（I)的氧杂慈化合物 来实现电子器件的优异性能数据，所述化合物含有单个芳基氨基基团。
[0012] 因此，本发明设及式（I)的化合物
[0013]
【主权项】
1?式（I)的化合物
其中： A是任选地被一个或多个基团R1取代的芳基氨基基团，或任选地被一个或多个基团R1 取代的咔唑基团； E是单键； X是0或S ; Z在每次出现时相同或不同地是CR2或N， 其中，在其中基团A与Z键合的情况下，所述基团Z等于C; R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，C( = 0)R3，CN，Si(R3)3，N(R3)2，P(= 0) (R3) 2,S( = 0)R3,S( = 0) 2R3,具有1至20个C原子的直链烷基或烷氧基基团，或具有3 至20个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基 基团，其中上述基团可各自被一个或多个基团R3取代，并且其中上述基团中的一个或多个 012基团可被-R3c=CR3-、-cEc-、Si(R3)2、C= 0、C=NR3、-C( = 0)0-、-c( = 0)NR3-、 NR3、P( = 0) (R3)、-0-、-S-、S0或S02代替，并且其中上述基团中的一个或多个H原子可被 D、F、Cl、Br、I或CN代替，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每 种情况下可被一个或多个基团R3取代，或具有5至30个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基 基团，所述基团可被一个或多个基团R3取代，其中两个或更多个基团R1可彼此连接并且可 形成环； R2在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，C( = 0)R3,CN，Si(R3)3,P( = 0) (R3)2,S( = 0)R3,S( = 0)2R3,具有1至20个C原子的直链烷基或烷氧基基团，或具有3至 20个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基基 团，其中上述基团可各自被一个或多个基团R3取代，并且其中上述基团中的一个或多个CH2 基团可被-R3C=CR3-、-Cec-、Si(R3)2、C= 0、C=NR3、-C( = 0)0-、-C( = 0)NR3-、NR3、 P( = 0) (R3)、-0-、-S-、S0或S02代替，并且其中上述基团中的一个或多个H原子可被D、F、 Cl、Br、I或CN代替，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情 况下可被一个或多个基团R3取代，或具有5至30个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 所述基团可被一个或多个基团R3取代，其中两个或更多个基团R2可彼此连接并且可形成 环； 妒在每次出现时相同或不同地是札0^，(：1，81'，1，(：（ = 0)1?4，^51〇?4)3小〇?4) 2，？（= 0) (R4)2,S( = 0)R4,S( = 0)2R4,具有1至20个C原子的直链烷基或烷氧基基团，或具有3 至20个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基 基团，其中上述基团可各自被一个或多个基团R4取代，并且其中上述基团中的一个或多个 012基团可被-R4c=CR4-、-cEc-、Si(R4)2、C= 0、C=NR4、-C( = 0)0-、-c( = 0)NR4-、 NR4、P( = 0) (R4)、-0-、-S-、S0或S02代替，并且其中上述基团中的一个或多个H原子可被 D、F、Cl、Br、I或CN代替，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每 种情况下可被一个或多个基团R4取代，或具有5至30个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基 基团，所述基团可被一个或多个基团R4取代，其中两个或更多个基团R3可彼此连接并且可 形成环； R4在每次出现时相同或不同地是H，D，F，或具有1至20个C原子的脂族、芳族或杂芳 族有机基团，其中一个或多个H原子还可被D或F代替；此处两个或更多个取代基R4可彼 此连接并且可形成环； i等于〇或1 ; n在每次出现时相同或不同地是0或1，其中所有标记n的总和等于1。
2. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于所述基团A是芳基氨基基团，所述芳基氨 基基团可被一个或多个基团R1取代。
3. 根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于所述作为基团A的芳基氨基基团含 有下式（A-1)的基团，其中Ar*是任何所希望的被取代或未被取代的芳基或杂芳基基团，并 且虚线是与任何所希望的取代基键合的键
4. 根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于它仅含有单个氨基 基团。
5. 根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于所述基团A是下式 (A-II)的基团
式（A-II)，其中： L1在每次出现时相同或不同地是C= 0,Si(R%，PR1，P( = 0) (R1)，0,S，SO,S02，具有 1至20个C原子的亚烷基基团或者具有2至20个C原子的亚烯基或亚炔基基团，其中所述 基团中的一个或多个 〇12基团可被C= 0、C=NR\C= 0-0、C=O-NR^SiOOpNR^PC= 0) (R1)、0、S、S0或S02代替，并且其中上述基团中的一个或多个H原子可被D、F或CN代替， 或具有6至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R1取代； Ar1在每次出现时相同或不同地是具有6至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所 述环系可被一个或多个基团R1取代； R1如权利要求1中所限定的； C?%、^ =C^NOO'CKS'S= (KSOjPNR1;k等于0、1、2或3 ; m等于0或1 ; 其中所述基团A经由用*标记的键而键合至所述式（I)化合物的其余部分。
6. 根据权利要求5所述的化合物，其特征在于所述标记m等于0。
7. 根据权利要求1至6中的一项或多项所述的化合物，其特征在于X等于0。
8. 根据权利要求1至7中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Z等于CR1，其中， 在其中基团A键合至Z的情况下，所述基团Z等于C。
9. 根据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物，其特征在于所述式（I)化合物 符合式（1-1)至（1-8)中的一个
其中存在的符号如权利要求1至8中的一项或多项所限定的。
10. -种用于制备根据权利要求1至9中的一项或多项所述的式（I)化合物的方法，其 特征在于通过使有机金属亲核试剂加成到羰基基团上来制备基本结构。
11. 一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，其含有一种或多种根据权利要求1至9中的 一项或多项所述的式（I)化合物，其中一个或多个形成所述聚合物、低聚物或树枝状大分 子的键可位于式（I)中被R1或R2取代的任何所希望的位置处。
12. -种制剂，其包含至少一种根据权利要求1至9中的一项或多项所述的式（I)化合 物或至少一种根据权利要求11所述的聚合物、低聚物或树枝状大分子，和至少一种溶剂。
13. 根据权利要求1至9中的一项或多项所述的式（I)化合物在电子器件中的用途。
14. 一种电子器件，其包含至少一种根据权利要求1至9中的一项或多项所述的式（I) 化合物。
15. 根据权利要求14所述的电子器件，其特征在于它选自有机集成电路（OIC)、有机 场效应晶体管（OFET)、有机薄膜晶体管（OTFT)、有机发光晶体管（OLET)、有机太阳能电 池（OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（OFQD)、有机发光电化学电池 (OLEC)、有机激光二极管（O-laser)和有机电致发光器件（OLED)。
16. 根据权利要求15所述的有机电致发光器件，其特征在于所述式（I)化合物存在于 空穴传输层、电子阻挡层、空穴注入层中或发光层中。
【专利摘要】本申请涉及式(I)化合物，其适合用作电子器件中的功能材料。
【IPC分类】C09K11-06, C07D405-12, C07D311-90, H01L51-00, C07D311-96
【公开号】CN104781247
【申请号】CN201380058722
【发明人】特雷莎·穆希卡-费尔瑙德, 埃尔维拉·蒙特内格罗, 弗兰克·福格斯, 乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴, 菲利普·施特塞尔
【申请人】默克专利有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2013年10月18日
【公告号】EP2917198A1, WO2014072017A1, WO2014072017A8