一种用于oled的含芴有机化合物及其应用
【技术领域】
[0001] 本发明设及0L邸材料技术领域，尤其是设及一种含有巧基团和氮芳香杂环的化 合物及其作为发光层中空穴传输层或者发光层主体材料在有机发光二极管上的应用。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光（0LED:0rganicLi曲t血issionDiodes)器件技术既可W用来制 造新型显示产品，也可W用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和巧光灯照明， 应用前景十分广泛。
[0003] 当前，0L邸显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电 视等大尺寸应用领域扩展。但是，和实际的产品应用要求相比，0L邸器件的发光效率，使用 寿命等性能还需要进一步提升。
[0004] 0L邸发光器件犹如Ξ明治的结构，包括电极材料膜层，W及夹在不同电极膜层之 间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成0L邸发光器件。 作为电流器件，当对0L邸发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料 膜层中正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生0L邸电致发光。
[0005] 对于0L邸发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光 效率，提高器件的使用寿命等。为了实现0L邸器件的性能的不断提升，不但需要从0L邸 器件结构和制作工艺的创新，更需要0L邸光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能 0L邸的功能材料。
[0006] 针对当前0L邸器件的产业应用要求，W及0L邸器件的光电特性需求，必须选择更 适合，具有高性能的发光层材料，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。
[0007] 就当前0L邸显示照明产业的实际需求而言，目前0L邸材料的发展还远远不够，落 后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料的开发显得尤为重 要。
【发明内容】
[0008] 针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种用于0L邸的含巧有机化合 物及其应用。本发明化合物制作出的0L邸器件具有良好的光电性能，能够满足面板制造企 业的要求。
[0009] 本发明的技术方案如下：
[0010] 一种用于0L邸的含巧有机化合物，该有机化合物结构的通式结构如通式（1)所 示：
[0011]
[001引通式（1)中，Ri、R2分别为Cl1。的烷基、取代或未取代的苯基、巧喃基、嚷吩基、联苯 基、糞基、蔥基、菲基、巧基、化咯基、化晚基；
[001引通式（1)中，R3、R4分别为氨、
:;Rs与R4不能同时为氨；
[0014] 其中，X表示。1。烷基取代或未取代的碳原子、硫原子、氧原子或砸原子；
[0015] Ar表示苯、联苯、糞、蔥或9, 9-二甲基巧。
[0016] 所述化合物通式（1)中，Ri、R2分别为甲基、苯基、嚷吩基或巧喃基；
[0017] R3、R4分别为氨
尺3与尺4 不能同时为氨；
[0018] 其中，X表示二甲基取代的碳原子、硫原子、氧原子或砸原子；
[0019] Ar表示苯、二联苯、糞、蔥或9, 9-二甲基巧。
[0020] 所述化合物通式（1)中，Ri与R2为相同的取代基。
[002。 所述化合物通式（1)中，Ri与R2为不同的取代基。
[0022] 所述化合物结构式为：
[0023]
[0030] -种所述化合物制备的发光器件，所述化合物作为发光层主体材料或空穴传输层 材料，用于有机电致发光二极管。
[0031] 本发明所述化合物可W通过C-N偶联反应制备，反应流程如下：
[0033] 本发明的目的化合物是一种新型高效空穴传输层或者发光层主体材料并可用于 有机电致发光器件。本发明的有机电致发光器件包括基板，于基板上形成的阳极层，于阳极 层上依次蒸锻空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层W及电子注入层和阴极。
[0034] 本发明有益的技术效果在于：
[0035] 本发明所述含巧有机化合物可应用于0L邸发光器件制作，并且可W获得良好的 器件表现，所述含巧有机化合物作为0L邸发光器件的空穴传输层或者发光层主体材料使 用时，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升 非常明显。本发明含巧有机化合物在0L邸发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产 业化前景。
【附图说明】
[0036] 图1是本发明所列举的材料应用的0L邸器件的结构示意图；
[0037] 其中，1为透明基板层，2为IT0, 3为空穴注入层，4为空穴传输\电子阻挡层，5为 发光层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为阴极反射电极层。
[00測 实施方式
[0039] 为了更加清楚的了解本发明的技术手段和实用目的，通过列举实施例和比较例， 同时辅W必要的图片加W说明。
[0040] 实施例1化合物1的合成
[0041]
[0042] 现提供该化合物的具体合成路线：
[0043]
[0044] 250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入O.Olmol4-(4-漠苯基）-9,9-二苯 基巧，0. 025mol19, 10-二氨-9, 9-二甲基日丫晚，0. 03mol叔下醇钢，0. 3 克Pd2(clba)3,〇.25 克Ξ叔下基憐，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋 蒸，过硅胶柱，得到目标产物，纯度99. 1 %，收率68. 00%。
[0045] 元素分析结构（分子式C55H44N2):理论值C，91. 81化5.86;N，2. 33;测试值： C，91.78 ;H，5. 93 ;N，2. 29。
[0046] 实施例2化合物3的合成
[0047]
[0048] 现提供该化合物的具体合成路线：
[0049]
[0050] 250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.Olmol4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基 巧，0. 025mol10H-吩嗯嗦，0. 03mol叔下醇钢，0. 3克Pdz(化日)3,0. 25克Ξ叔下基憐，150ml 甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到目 标产物，纯度99. 21 %，收率78. 90%。
[0051] 元素分析结构（分子式C43H29NO):理论值C，89. 71化5. 08 ;N，2. 43 ;0, 2. 78;测试 值：C, 89. 83 ;H, 5. 23 ;N, 2. 36 ;0, 2. 58。
[0052] 实施例3化合物24的合成
[0053]
[0055] 250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.Olmol3, 3' -二（4-漠苯 基）-9, 9-二苯基巧，0. 025mol10H-吩嗯嗦，0. 03mol叔下醇钢，0. 3克Pdz(化日)3,0. 25克Ξ 叔下基憐，150ml甲苯，加热回流24小时，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸， 过硅胶柱，得到目标产物，纯度99. 39 %，收率78. 40 %。
[0056] 元素分析结构（分子式〇3化术2〇2):理论值C，87. 96化4. 84 ;N，3. 36 ;0, 3. 84;测 试值：C, 88. 05 ;H, 4. 83 ;N, 3. 32 ;0, 3. 80。
[0057] 实施例4化合物42的合成
[0058]
[0060] 250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入4. 88g(0.Olmol) 3, 6-二漠9, 9' -二 (1-嚷吩）螺二巧，5. 0克（0. 025mol) 10H-吩嚷嗦，2. 88克0). 03M)叔下醇钢，0. 3克Pd2(化a)3,0. 25克Ξ叔下基憐，150ml甲苯，加热回流10小时，取样点板，反应完全；自然 冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到5. 80克固体（目标产物：DDASF)，纯度98. 2 %，收率 80.00%。
[0061]元素分析结构（分子式C45H2抓巧：理论值C，74. 55;H，3.89 ;N，3.86;S，17. 69 ;ii试值：C, 74. 69;H, 3.95 ;N,3.75;S,17. 61。
[006引实施例5化合物50
[0063]
[0065] 250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入4. 74g(0.0 lmol) 3,6-二漠9, 9'-螺 二巧，5.23克（0.025111〇1)9，10-二氨-9,9-二甲基日丫晚，2.88克0).031)叔下醇钢，0.3克 pd2(dba)3,0. 25克Ξ叔T基憐，150ml甲苯，加热回流10小时，取样点板，反应完全；自然冷 却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到6. 38克固体（目标产物：DDASF)，纯度99. 21 %，收率 87. 04%。
[0066] 元素分析结构（分子式C55H44N2):理论值C，90. 13化6. 05 ;N，3. 82;测试值： C，90. 20 ;H，6. 02 ;N，3. 78。
[0067] 实施例6化合物19的合成
[0068]
[0069] 现提供该化合物的具体合成路线：
[0070]
[007。制备方法同实施例1，仅将4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基巧变成了 3- (3' -漠-9, 9-二甲基-3-基）-9, 9-二苯基巧，其余不变，制备得到化合物19。
[0072] 实施例7化合物6的合成
[0073]
[0074] 制备方法同实施例4,仅将3, 6-二漠9, 9' -二（1-嚷吩）螺二巧变成了 4- (3-漠 苯基）-9, 9-二苯基巧，其余不变，制备得到化合物5。
[00巧]
[0076] 制备方法同实施例2,仅将4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基巧变成了 4- (4-漠-糞-1-基）-9, 9-二苯基巧，9, 10-二氨-9, 9-二甲基叮晚变成了 10H-吩嗯嗦， 其余不变，制备得到化合物7。
[0077]
[0078] 制备方法同实施例4,仅将3,6-二漠9,9'-二（1-嚷吩）螺二巧变成了 4-(3'-漠 联苯-3-基）-9, 9-二苯基巧，其余不变，制备得到化合物14。
[0079]
[0080] 制备方法同实施例2,仅将4-(4-漠苯基）-9, 9-二苯基巧变成了 3, 6-二-(3-漠 苯基）-9, 9-二苯基巧，其余不变，制备得到化合物27。
[0081] 实施例11化合物62的合成
[0082]
[0083] 制备方法同实施例3,仅将10H-吩嗯嗦变成了 2-漠-吗I噪巧，2, 1-jk]巧挫，其余 不变，制备得到化合物62。
[0084] W下通过实施例12-22和比较例1详细说明本发明合成的含巧有机化合物在器件 中作为空穴传输层的应用效果；实施例12-22与比较例1中器件制作工艺完全相同，并且所 采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，唯一不同之处在于空穴 传输\电子阻挡层4的材料发生了改变。
[0085] 其中器件制作过程中所用的关键材料如下所示：
[0086]
[0087]实施例12
[008引如图1，一种0L邸发光器件，具体制备过程如下：
[008引对IT0透明电极（膜厚为150nm)进行洗涂，即依次进行碱洗涂、纯水洗涂、干燥后 再进行紫外线-臭氧洗涂W清除透明IT0表面的有机残留物。
[0090] 在进行了上述洗涂之后的IT0阳极（即透明基板层1)上，利用真空蒸锻装置，蒸 锻膜厚为lOnm的