嵌段共聚物的制作方法
【专利摘要】本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性，并因此可有效地应用于多种用途。
【专利说明】
嵌段共聚物
技术领域
[0001] 本申请设及一种嵌段共聚物。
【背景技术】
[0002] 嵌段共聚物具有运样的分子结构:其中具有化学上彼此不同结构的聚合物亚单元 通过共价键连接。嵌段共聚物能够通过相分离形成周期性排列的结构，例如球形、柱形或层 状。通过嵌段共聚物的自组装而形成的结构的区域尺寸可在宽的范围内调节，并可制备多 种形状的结构。因此，其可用于通过光刻的图案形成方法、多种磁记录介质或新一代纳米装 置(例如金属点、量子点或纳米线）、高密度磁储存介质等。
【发明内容】
[000引技术目的
[0004] 本申请提供了嵌段共聚物及其应用。
[0005] 技术方案
[0006] 除非另有定义，否则如本文中使用的术语"烷基"可指具有1至20个、1至16个、1至 12个、1至8个、或1至4个碳原子的烷基。烷基可具有线性、支化或环状结构，并且可任选地被 至少一个取代基取代。
[0007] 除非另有定义，否则如本文中使用的术语"烷氧基"可指具有1至20个、1至16个、1 至12个、1至8个、或1至4个碳原子的烷氧基。烷氧基可具有线性、支化或环状结构，并且可任 选地被至少一个取代基取代。
[000引除非另有定义，否则如本文中使用的术语"締基或烘基"可指具有2至20个、2至16 个、2至12个、2至8个、或2至4个碳原子的締基或烘基。締基或烘基可具有线性、支化或环状 结构，并且可任选地被至少一个取代基取代。
[0009] 除非另有定义，否则如本文中使用的术语"亚烷基"可指具有1至20个、1至16个、1 至12个、1至8个、或1至4个碳原子的亚烷基。亚烷基可具有线性、支化或环状结构，并且可任 选地被至少一个取代基取代。
[0010] 除非另有定义，否则如本文中使用的术语"亚締基或亚烘基"可指具有2至20个、2 至16个、2至12个、2至8个、或2至4个碳原子的亚締基或亚烘基。亚締基或亚烘基可具有线 性、支化或环状结构，并且可任选地被至少一个取代基取代。
[0011] 除非另有定义，否则如本文中使用的术语"芳基或亚芳基"可为衍生自W下的一价 或二价取代基:包含一个苯环结构或者其中至少两个苯环W共享一个或两个碳原子或通过 任选的连接基团连接的结构的化合物，或此化合物的衍生物。除非另有定义，否则芳基或亚 芳基可为具有6至30个、6至25个、6至21个、6至18个、或6至13个碳原子的芳基。
[0012] 如本文中使用的术语"芳族结构"可指芳基或亚芳基。
[0013] 除非另有定义，否则如本文中使用的术语"脂环族结构"可指不为芳族环状结构的 环状控结构。除非另有定义，否则脂环族结构可为具有3至30个、3至25个、3至21个、3至18 个、或3至13个碳原子的结构。
[0014] 如本文中使用的术语"单键"可指其中在相应位置没有原子的情况。例如，其中在 由"A-B-C"表示的结构中"B"是单键的情况意指在"B"位置没有原子，并因此由"A-C'表示的 结构通过"A"直接与连接而形成。
[0015] 可任选地取代烷基、締基、烘基、亚烷基、亚締基、亚烘基、烷氧基、芳基、亚芳基、 链、芳族结构等的取代基可为径基、面原子、簇基、缩水甘油基、丙締酷基、甲基丙締酷基、丙 締酷氧基、甲基丙締酷氧基、硫醇基、烷基、締基、烘基、亚烷基、亚締基、亚烘基、烷氧基或芳 基，但不限于此。
[0016] 本申请的示例性嵌段共聚物可包含由下式1表示的嵌段：
[0017] [式 1]
[0018
[0019] 在式1中，&可W是单键、氧原子、硫原子、-s(=0)2-、亚烷基、亚締基、亚烘基瓜至 Rs可各自独立地为氨、具有1至8个碳原子的烷基、或具有9个或更多个成链原子的直链，并 且Ri至化中的至少一个可为具有9个或更多个成链原子的直链。
[0020] 在一个实施方案中，式1的X2可W是单键或氧原子;或者可W是单键，但不限于此。
[0021] 在式1中，扣至1?5可各自独立地为氨、具有1至8个碳原子的烷基、或者包含9个或更 多个成链原子的直链。扣至化中的至少一个可为包含9个或更多个成链原子的直链。
[0022] 在一个实施方案中，在Ri至R日中，Ri、R2、R4和R日可各自独立地为氨或具有1至8个碳 原子的烷基;或者可各自独立地为氨或具有1至4个碳原子的烷基;或可为氨;并且R3可为具 有9个或更多个成链原子的直链。
[0023] 如本文中使用的术语"成链原子"是指形成某一链的线性结构的原子。所述链可具 有线性或支化结构;然而，成链原子的数目仅W形成最长直链的原子的数目计算。因此，在 其中成链原子是碳原子的情况下，其他原子(例如与碳原子连接的氨原子等)不计入成链原 子的数目。此外，在支链的情况下，成链原子的数目是形成最长链的原子的数目。例如，链为 正戊基，所有的成链原子是碳原子且其数目为5。如果链是2-甲基戊基，所有的成链原子也 为碳原子且其数目为5。成链原子可W是碳、氧、硫或氮等，并且合适的成链原子可W是碳、 氧或氮;或者碳或氧。成链原子的数目可为8或更多、9或更多、10或更多、11或更多、或者12 或更多。成链原子数可为30或更少、25或更少、20或更少、或者16或更少。
[0024] 式1的单元使得嵌段共聚物能够显示出优异的自组装特性。
[0025] 在一个实施方案中，链可为线性控链，如线性烷基。在运种情况下，所述烷基可为 包含9个或更多个、9至30个、9至25个、9至20个、或9至16个碳原子的烷基。烷基的碳原子中 的至少一个碳原子可任选地被氧原子取代，并且烷基的至少一个氨原子可任选地被另外的 取代基取代。
[0026] 任选地，线性控链可包含至少一个杂原子。所述杂原子可W是氧原子或氮原子。
[0027] 链可为例如烷基、烷氧基或烷氧基烷基。在运种情况下，烷基、烷氧基或烷氧基烧 基中的碳原子和氧原子的数目可为9或更多、9至30、9至25、9至20、或9至16。
[0028] 可与第一嵌段一起包含在嵌段共聚物中的另一种嵌段(在下文中，可称为"第二嵌 段"）没有特别限制。
[0029] 例如，第二嵌段可为聚乙締化咯烧酬嵌段、聚乳酸嵌段、聚乙締化晚嵌段、聚苯乙 締嵌段(如聚苯乙締嵌段或聚=甲基甲娃烷基苯乙締）、聚环氧烧嵌段(如聚环氧乙烧嵌段） 或聚締控嵌段(如聚乙締嵌段或聚异戊二締嵌段或聚下二締嵌段）。
[0030] 在一个实施方案中，第二嵌段可由下式2表示。
[0031] 嵌段共聚物可还包含可由下式2表示的第二嵌段。
[0032] [式 2]
[0033]
[0034] 在式2中，Ri可W是氨或烷基，并且化可W是烷基。
[0035] 在一个实施方案中，式2的Ri可W是氨或具有1至4个碳原子的烷基;或者可W是氨 或甲基;或可W是甲基。
[0036] 在一个实施方案中，式2的R2可W是包含1至20个、1至16个、1至12个、1至8个、或1 至4个碳原子的烷基。
[0037] 用于制备嵌段共聚物的具体方法没有特别限制，只要其包括通过使用能够形成嵌 段的单体形成嵌段共聚物的至少一个嵌段的步骤即可。
[0038] 例如，可使用单体通过活性自由基聚合反应化RP)制备嵌段共聚物。例如，存在W 下方法:例如阴离子聚合反应，其中在无机酸盐(如碱金属盐或碱±金属盐)的存在下，通过 使用有机稀±金属配合物或有机碱金属化合物作为聚合引发剂合成嵌段共聚物；阴离子聚 合反应，其中在有机侣化合物的存在下，通过使用有机碱金属化合物作为聚合引发剂合成 嵌段共聚物；使用原子转移自由基聚合剂作为聚合控制剂的原子转移自由基聚合反应 (ATRP);电子转移再生活化剂(ARGET)的原子转移自由基聚合反应ATRP，使用原子转移自由 基聚合剂作为聚合控制剂，在产生电子的有机或无机还原剂的存在下进行聚合反应；引发 剂持续再生活化剂（ICAR)的原子转移自由基聚合反应ATRP;使用无机还原剂作为可逆加 成-开环链转移剂的可逆加成-开环链转移(RAFT)聚合反应；W及使用有机蹄化合物作为引 发剂的方法，合适的方法可选自上述方法。
[0039] 在一个实施方案中，嵌段共聚物可通过包括如下的方法制备:在自由基引发剂和 活性自由基聚合试剂的存在下，通过活性自由基聚合反应使包含能够形成嵌段的单体的材 料聚合。
[0040] 在嵌段共聚物的制备中，用于形成与由上述单体形成的嵌段一起包含在嵌段共聚 物中的其他嵌段的方法没有特别限制，并且其他嵌段可考虑到待形成的嵌段种类通过选择 合适的单体来形成。
[0041] 用于制备嵌段共聚物的方法还可包括使通过上述方法产生的聚合产物在非溶剂 中沉淀。
[0042] 考虑到聚合效率可适当地选择自由基引发剂的种类而没有特别限制，并且可使用 偶氮化合物(如偶氮二异下腊(AIBN)或2,2'-偶氮双-(2,4-二甲基戊腊））或过氧化物化合 物(如过氧化苯甲酯(BPO)或二叔下基过氧化物(DTBP))。
[0043] LRP可在溶剂例如二氯甲烧、1,2-二氯乙烧、氯苯、二氯苯、苯、甲苯、丙酬、氯仿、四 氨巧喃、二氧六环、单甘醇二甲酸(monoglyme)、二甘醇二甲酸、二甲基甲酯胺、二甲亚讽或 二甲基乙酷胺中进行。
[0044] 作为非溶剂，例如，可W使用醇（如甲醇、乙醇、正丙醇或异丙醇）、二醇（如乙二 醇）、或酸化合物(如正己烧、环己烧、正庚烧或石油酸)而没有限制。
[0045] 由于嵌段共聚物包含通过共价键彼此连接的两个或更多个聚合物链，所W其可相 分离。本申请的嵌段共聚物显示出优异的相分离特性，如果必要的话，可通过微相分离形成 纳米尺寸结构。纳米尺寸结构的形状或尺寸可通过嵌段共聚物的尺寸(分子量等)或嵌段的 相对比例来控制。通过相分离形成的结构可包括球形、柱形、螺旋形、层状和反向结构，并且 形成上述结构的能力可称为自组装特性。
[0046] 嵌段共聚物的数均分子量(Mn)可在例如约3，000至300,000的范围内。如本文中使 用的术语"数均分子量"可指通过GPC(凝胶渗透色谱法)测量的相对于标准聚苯乙締的转换 值。除非另有定义，否则如本文中使用的术语"分子量"可指数均分子量。在另一个实施方案 中，分子量(Mn)可为例如3000或更高、5000或更高、7000或更高、9000或更高、11000或更高、 13000或更高、或15000或更高。在另一个实施方案中，分子量(Mn)可为例如250000或更低、 200000或更低、180000或更低、160000或更低、140000或更低、120000或更低、100000或更 低、90000或更低、80000或更低、70000或更低、60000或更低、50000或更低、40000或更低、 30000或更低、或25000或更低。嵌段共聚物的多分散性(Mw/Mn)可在1.01至1.60的范围内。 在另一个实施方案中，多分散性可为约1.1或更高、约1.2或更高、约1.3或更高、或约1.4或 更局。
[0047] 在上述范围内，嵌段共聚物可显示出合适的自组装特性。考虑到目标自组装结构， 可控制嵌段共聚物的数均分子量等。
[004引如果嵌段共聚物至少包含第一和第二嵌段，则嵌段共聚物中的第一嵌段(例如，包 含所述链的嵌段)的占比可在10摩尔％至90摩尔％的范围内。
[0049] 本申请设及包含嵌段共聚物的聚合物层。所述聚合物层可用于多种应用。例如，其 可用于生物传感器、记录介质如闪存、磁存储介质或图案形成方法或电气器件或电子器件 等。
[0050] 在一个实施方案中，聚合物层中的嵌段共聚物可通过自组装形成周期性结构，包 括球形、柱形、螺旋形或层状。
[0051] 例如，在嵌段共聚物中的第一嵌段或第二嵌段或者通过共价键与上述嵌段连接的 其他嵌段的一个链段中，其他链段可形成规则结构，如层状形式、柱形形式等。
[0052] 本申请还设及通过使用嵌段共聚物形成聚合物层的方法。所述方法可包括在基底 上W自组装状态形成包含嵌段共聚物的聚合物层。例如，所述方法可包括通过涂覆等在基 底上形成嵌段共聚物或涂覆溶液(其中，嵌段共聚物在适当的溶剂中稀释）的层，并且如果 必要的话，然后老化或热处理所述层。
[0053] 老化或热处理可基于例如嵌段共聚物的相转变溫度或玻璃化转变溫度进行，并且 例如，可在高于所述玻璃化转变溫度或相转变溫度的溫度下进行。热处理的时间没有特别 限制，并且热处理可进行约1分钟至72小时，但是如果必要的话可W改变。此外，聚合物层的 热处理溫度可为例如l〇〇°C至250°C，但是考虑本文中使用的嵌段共聚物可改变。
[0054] 形成的层可在非极性溶剂和/或极性溶剂中于室溫下老化约1分钟至72小时。
[0055] 本申请还设及图案形成方法。所述方法可包括从层合体上选择性地移除嵌段共聚 物的第一或第二嵌段，所述层合体包含基底和在基底表面上形成且包含自组装嵌段共聚物 的聚合物层。所述方法可为用于在上述基底上形成图案的方法。例如，所述方法可包括在基 底上形成聚合物层，选择性地移除聚合物层中嵌段共聚物的一种嵌段或两种或更多种嵌 段;然后蚀刻所述基底。通过上述方法，例如，可形成纳米尺寸的微图案。此外，根据聚合物 层中嵌段共聚物的形状，可通过上述方法形成多种形状的图案（如纳米棒或纳米孔）。如果 必要的话，为了形成图案，可将嵌段共聚物与另外的共聚物或均聚物混合。可选择应用于此 方法的基底的种类而没有特别限制，例如，可使用氧化娃等。
[0056] 例如，根据所述方法，可形成具有高纵横比的氧化娃纳米尺寸图案。例如，通过在 氧化娃上形成聚合物层，在其中聚合物层中的嵌段共聚物W预定结构形成的状态下选择性 地移除嵌段共聚物的任一种嵌段，并且W多种方法(例如，反应性离子蚀刻)蚀刻氧化娃，可 形成多种类型的图案(如纳米棒或纳米孔图案）。此外，根据上述方法，可形成具有高纵横比 的纳米图案。
[0057] 例如，可形成尺寸为数十纳米的图案，并且运样的图案可用于多种用途，包括新一 代信息电子磁记录介质。
[0化引例如，可通过上述方法形成其中宽度为约3nm至40nm的纳米结构(例如，纳米线）W 约6nm至SOnm的间距设置的图案。在另一个实施方案中，可实现其中宽度例如直径为约3nm 至40nm的纳米孔W约6nm至SOnm的间距设置的结构。
[0059] 此外，在此结构中，可形成具有高纵横比的纳米线或纳米孔。
[0060] 在此方法中，选择性地移除嵌段共聚物的任一种嵌段的方法没有特别限制，并且 例如，可W使用通过对聚合物层照射合适的电磁波(例如，紫外线）W移除相对软的嵌段的 方法。在运种情况下，紫外照射的条件可根据嵌段共聚物的嵌段的类型确定，并且波长为约 254nm的紫外线可照射1分钟至60分钟。
[0061] 此外，紫外照射之后，可用酸处理聚合物层W进一步移除被紫外线降解的链段。
[0062] 此外，使用聚合物层(从其中选择性地移除嵌段)的基底的蚀刻可通过使用CF4/Ar 离子的反应性离子蚀刻并且随后通过上述方法进行，并且可进一步通过氧等离子体处理从 基底上移除聚合物层。
[0063] 效果
[0064] 本申请可提供嵌段共聚物及其应用。所述嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相 分离，并且必要时可自由地赋予其多种所需的功能。
【附图说明】
[0065] 图1至2为聚合物层的AFM图。
【具体实施方式】
[0066] 在下文中，将参照实施例和比较例对本申请进行详细说明，但本申请的范围不限 于W下实施例。
[0067] 1. NM 吩析
[0068] 通过使用包括具有S重共振5mm探针的Varian Unity Inova(SOOMHz)波谱仪的 NMR波谱仪，在室溫下进行醒R分析。将待分析的样品在用于醒R分析的溶剂(CDCl3)中稀释 至约1 Omg/ml的浓度后使用，并且化学位移(S) Wppm表示。
[0069] < 缩写〉
[0070] br=宽信号，S =单峰，d =二重峰，dd =双二重峰，t = S重峰，dt =双S重峰，q = 四重峰，P =五重峰，m =多重峰。
[0071] 2. GPC(凝胶渗透色谱）
[0072] 数均分子量和多分散性通过GPC(凝胶渗透色谱)测量并且测量条件如下。
[0073] <GPC测量条件〉
[0074] 装置：来自Agilent technologies,Co.的 1200系列
[0075] 柱：使用两根来自化Iymer laboratories,Co.,的化gel mixed B
[0076] 溶剂:THF
[0077] 柱溫:35°C
[007引样品浓度：lmg/mL，注射200L
[00 巧]标准样品：聚苯乙締(Mp:3900000、723000、316500、52200、31400、7200、3940、485)
[0080] 将实施例或比较例的待测量的嵌段共聚物或大分子引发剂置于5mL小瓶中，然后 用THF稀释至约Img/血的浓度。然后，将用于校正的标准样品和待分析的样品通过注射器过 滤器（孔径：〇.45叫1)过滤并且然后进行分析。使用来自Agi lent technologies ,Co.的 化emStation作为分析程序。通过将样品的洗脱时间与校正曲线进行比较获得了数均分子 量(Mn)和重均分子量(Mw),并且然后由其比(Mw/Mn)获得了多分散性(PDI)。
[0081] 制备例1.对十二烷基苯乙締(A)的合成
[0082] 如下合成对十二烷基苯乙締。通过如下制备格氏试剂:将4-漠苯乙締（5.Og,27.3 毫摩尔）和Mg屑（0.664g，27.31毫摩尔)置于1 OOmL烧瓶中；将其溶解在30mL除去水的四氨巧 喃中；添加少量舰作为催化剂;并且然后通过在氮气下于室溫下揽拌约6小时使其反应。将 1-漠十二烧放入另一个IOOmL烧瓶中，并且然后在(TC下缓慢添加上述合成的格氏试剂。然 后，向其中添加四氯合铜（II)酸二裡溶液(8.2mL，0.82毫摩尔），将烧瓶加热至室溫并通过 揽拌3小时使混合物反应。反应之后，除去四氨巧喃，并使用己烧作为流动相将目标化合物 在柱色谱中纯化，并由此获得了透明液态目标化合物(2.54g，9.32毫摩尔）。
[0083] <NMR分析结果〉
[0084] ^-NMR(CDCl3):d7.33(dd,2H)；d7.14(dd,2H)；56.70(dd,lH)；d5.71(d,lH)；d5.18 (d,lH)；d2.59(t,2H)；dl.60(p,2H)；dl.31-1.26(m,18H)；d0.89(t,3H)
[0085] 制备例2.对十二烷氧基甲基苯乙締(B)的合成
[0086] 如下合成对十二烷氧基甲基苯乙締（B)。在SOOmL烧瓶中，将4-氯甲基苯乙締 (22. Ig，144.8毫摩尔）和1-十二烧醇(30.0 g，160.1毫摩尔）溶解在300mL四氨巧喃中，并且 然后冷却至〇°C。向其中添加氨化钢(化《(7.7旨，320.8毫摩尔）；通过揽拌1小时使混合物反 应;将混合物加热至70°C并且然后反应24小时。反应之后，使反应产物冷却至室溫，通过使 其与少量水在冰水中反应来除去剩余的氨化钢，并且然后通过过滤除去固体。除去作为反 应溶剂的四氨巧喃;使用二氯甲烧/二次纯化水通过分级萃取收集有机层，并且然后使用己 烧/二氯甲烧作为流动相，通过柱色谱法获得了透明液态目标化合物(23.9g，79.0毫摩尔）。
[0087] <NMR分析结果〉
[008引 IH-NMR(CDCb):d7.39(dd，2H);d7.30(dd，2H);S6.71(dd，lH);d5.74(d，lH);d5.23 (d，lH);d4.49(s，2H);d3.46(t，2H);dl.61(p，2H);dl.37-1.26(m，l細）；d0.89(t，3H).
[0089] 制备例2.对十二烷氧基甲基苯乙締(B)的合成
[0090] 如下合成对十二烷氧基甲基苯乙締（B)。在SOOmL烧瓶中，将4-氯甲基苯乙締 (22. Ig，144.8毫摩尔）和1-十二烧醇(30.0 g，160.1毫摩尔）溶解在300mL四氨巧喃中，并且 然后冷却至〇°C。向其中添加氨化钢(化《(7.7旨，320.8毫摩尔）；通过揽拌1小时使混合物反 应;将混合物加热至70°C并且然后反应24小时。反应之后，使反应产物冷却至室溫，通过使 其与少量水在冰水中反应来除去剩余的氨化钢，并且然后通过过滤除去固体。除去作为反 应溶剂的四氨巧喃;使用二氯甲烧/二次纯化水通过分级萃取收集有机层，并且然后使用己 烧/二氯甲烧作为流动相，通过柱色谱法获得了透明液态目标化合物(23.9g，79.0毫摩尔）。
[0091] <NMR分析结果〉
[0092] ^-NMR(CDCl3):d7.39(dd,2H)；d7.30(dd,2H)；56.71(dd,lH)；d5.74(d,lH)；d5.23 (d，lH);d4.49(s，2H);d3.46(t，2H);dl.61(p，2H);dl.37-1.26(m，l細）；d0.89(t，3H).
[0093] 实施例1
[0094] 通过使甲基丙締酸甲醋与RAFT(可逆加成断裂链转移）试剂和作为热引发剂的 AIBN(偶氮二异下腊）反应合成大分子引发剂（数均分子量(Mn) :7000,多分散性（PDI): 1.16)。将合成的大分子引发剂、制备例1中制备的化合物(A)和偶氮二异下腊(AIBN) W重量 比1:70:0.5化分子引发剂:化合物(A) :AIBN)溶解在甲苯(溶剂:20重量％ )中，并且然后在 氮气下于8(TC下反应16小时，并由此制备了嵌段共聚物。所述嵌段共聚物的数均分子量为 19200且多分散性为1.17。
[00巧]实施例2
[0096] 通过如实施例1中描述的相同的方法合成大分子引发剂(数均分子量(Mn) :8400， 多分散性(PDI): 1.15)，并且然后通过如实施例1中描述的相同的方法制备嵌段共聚物，不 同之处在于使用制备例2中的化合物(B)代替制备例1中的化合物(A)。所述嵌段共聚物的数 均分子量为21900且多分散性为1.19。
[0097] 测试例1
[0098] 通过如下形成聚合物层:通过使用旋涂机，W3000巧m的速度将涂覆溶液(其是通 过将实施例1或2的嵌段共聚物W约1.0重量％的浓度溶解在甲苯中制备的）在娃晶片基底 上涂覆60秒。使所述聚合物层在160°C下经受热处理1小时，并由此在其表面上获得纳米结 构。通过AFM(原子力显微镜)观察所获得的纳米结构。图1为实施例1的结果，并且图2为实施 例2的结果。
【主权项】
1. 一种嵌段共聚物，包含由下式1表示的第一嵌段： [式1]在式1中，Χ2是单键、氧原子、硫原子、-s( =0)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基，R^R5各自独 立地为氢、具有1至8个碳原子的烷基或者具有9个或更多个成链原子的直链，并且办至抱中 的至少一个为所述具有9个或更多个成链原子的直链。2. 根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述X是单键或氧原子。3. 根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述直链包含9至20个成链原子。4. 根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述成链原子是碳、氧、氮或硫。5. 根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述成链原子是碳或氧。6. 根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述直链包含至少一个杂原子。7. 根据权利要求6所述的嵌段共聚物，其中所述杂原子是氧原子。8. 根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述直链是烷基、烷氧基或烷氧基烷基。9. 根据权利要求1所述的嵌段共聚物，还包含由下式2表示的第二嵌段： [式2]在式2中，办是氢或烷基并且R2是烷基。10. 根据权利要求9所述的嵌段共聚物，其中所述式2的办为具有1至4个碳原子的烷基。11. 根据权利要求9所述的嵌段共聚物，其中所述式2的此为具有1至4个碳原子的烷基。12. -种聚合物层，包含根据权利要求1所述的嵌段共聚物的自组装产物。13. -种用于形成聚合物层的方法，包括形成包含根据权利要求1所述的嵌段共聚物的 自组装产物的聚合物层。14. 一种图案形成方法，包括从层合体上选择性地移除嵌段共聚物的第一嵌段或不同 于所述第一嵌段的第二嵌段，所述层合体包含基底和在所述基底上形成且包含根据权利要 求1所述的嵌段共聚物的自组装产物的聚合物层。
【文档编号】C08F220/10GK105873968SQ201480071864
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年12月8日
【发明人】朴鲁振, 金廷根, 李济权, 尹圣琇
【申请人】株式会社Lg化学