有机光电材料以及包括该有机光电材料的有机电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机光电材料以及包括该有机光电材料的有机电致发光器件，有机光电材料由下述式Ⅰ所示，其中Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6～36的芳基、碳原子数为6～40的芳胺基以及含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基中的一种，X选自O原子或S原子，Ar1、Ar2和Ar3中的至少一者选自碳原子数为6～40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6～40的芳胺基。该有机光电材料具有高的热稳定性和高的玻璃化温度，易于形成良好的无定形薄膜，可应用于有机电致发光器件中，尤其是作为空穴注入材料应用在有机电致发光器件中，从而能够使得有机电致发光器件实现高亮度，高的量子效率、高的电流效率、高的功率效率以及低的驱动电压的效果。
【专利说明】
有机光电材料以及包括该有机光电材料的有机电致发光器件
技术领域
[0001 ]本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种有机光电材料以及包括该有机光电材料 的有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件(organic light emitting diode,简称为0LED)的相关研究始 于19世纪60年代，直到80年代末0LED才蓬勃发展起来。由于0LED具有全固态、低压驱动、主 动发光、响应快速、宽视角、发光面积大、发光波长覆盖整个可见光区以及色彩丰富等优点， 从而在实现全色大面积显示领域具有很大的优势，成为极具前景的平板显示器件。有机电 致发光器件的发光亮度正比于空穴和电子的浓度以及激子的复合概率的乘积，想要获得较 高的发光效率，不仅需要空穴和电子能够有效注入、传输及复合，而且要求空穴和电子注入 达到平衡。因此，在有机电致发光器件中，有机层之间及有机层与两电极的能带匹配对器件 复合发光非常重要。
[0003] 为了优化和平衡0LED的各项性能，人们引入了多种不同作用的功能层，例如空穴 注入层、空穴阻挡层等。在氧化铟锡(简称为ΙΤ0)为阳极材料的阳极层和空穴传输层之间加 入空穴注入层的作用主要表现在降低界面势皇、增加空穴传输层与ΙΤ0电极的黏附能力、提 高其稳定性以及平衡电子和空穴注入等方面。根据有机电致发光器件所包含的膜层种类， 用于制备有机电致发光器件所用到的材料大致为如下几种:空穴注入材料，空穴传输材料， 发光材料，电子传输材料和电子注入材料。
[0004] 然而，在现有技术中，电子传输材料、空穴注入材料以及空穴传输材料是阻挡0LED 技术全面实用化的较大障碍，其直接限制了 0LED的发光效率、使用寿命及操作电压等。
[0005] 目前除三芳胺衍生物或咔唑衍生物以外，可用作空穴注入材料主要为六氮杂三亚 苯衍生物，尤其需要指出的空穴注入材料是氰基取代物(HaT-CN，具体参见W0 01/049806)， 但其使用寿命、效率及操作电压等还需一直改善。
【发明内容】
[0006] 为了解决上述问题，本发明提供了一种有机光电材料，由下述式I所示，该有机光 电材料具有高的热稳定性和高的玻璃化温度，易于形成良好的无定形薄膜，可应用于有机 电致发光器件中，尤其是作为空穴注入材料应用在有机电致发光器件中，从而能够使得有 机电致发光器件实现高亮度，高的量子效率、高的电流效率、高的功率效率以及低的驱动电 压的效果
[0007]
[0008] 在上述式I中，Ari、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6~36的芳基、碳原子数为 6~40的芳胺基以及含有芳族杂环基且碳原子数为6~40的芳胺基中的一种，X选自0或S， An、Ar2和Ar3中的至少一者选自碳原子数为6~40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子 数为6~40的芳胺基。当An、Ar 2和Ar3中只有一者选自碳原子数为6~40的芳胺基或者含有 芳族杂环基且碳原子数为6~40的芳胺基，则剩余的两者可为相同的取代基，也可为不同的 取代基。当An、Ar 2和Ar3中有两者均选自碳原子数为6~40的芳胺基或者含有芳族杂环基且 碳原子数为6~40的芳胺基，则上述两者可为相同的取代基，也可为不同的取代基。
[0009] 在上述式I中，取代基An、Ar2和Ar3如下所述。
[0010] 碳原子数为6~36的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一个苯基的芳基如联苯基、 三联苯基等均可，还可举出稠环芳烃基如萘基、蒽基、菲基等均可，此外联苯基和稠环芳烃 基还可被烷基或是芳基如苯基所取代。优选地，选择碳原子数为6~25的芳基，进一步优选 地，选择碳原子数为6~20的芳基，更进一步优选地，选择碳原子数为6~18的芳基。
[0011] 作为芳基的实例，具体可以举出如下各式所示的基团：
[0012]
[0013] 更具体地，作为芳基的实例，具体可以举出如下各式所示的基团：
[0014]
[0015]碳原子数为6~40的芳胺基，其中可由例如氨(NH3)上的氢被芳基如苯基取代后形 成，形成的基团中，与其他基团键合的单键优选位于芳基上，芳基的取代个数可为1个、2个 或3个，其中芳基优选上述所提及芳基，故此不再赘述。优选地，选择碳原子数为6~30的芳 胺基，更进一步优选地，选择碳原子数为20~30的芳胺基，最优选碳原子数为24~30的芳胺 基。
[0016]类似的，含有芳族杂环基且碳原子数为6~40的芳胺基，则可由氨(NH3)上的至少 一个氢被芳族杂环基例如咔唑基所取代后所形成，形成的基团中，与其他基团键合的单键 优选位于芳基或者芳族杂环基上，优选与其他基团键合的单键位于芳基上，另外同样的，被 取代的氢原子的个数可为1个、2个或3个。芳族杂环基优选含有N原子，N原子的个数并不受 到具体的限制，例如可为1个、2个、3个、4个或5个。在芳族杂环基中，优选碳原子的个数为6 ~25,进一步优选地，碳原子的个数为10~25,更进一步优选地，碳原子的个数为18~22。芳 族杂环基的实例可包括稠合杂环基、单环芳族杂环基和多环芳族杂环基等，其中稠合杂环 基，可由单环芳族或非芳族杂环(杂环可以不同）缩合而得到。在所述芳族杂环基中，杂原子 上还可以键合取代基例如烷基、芳基如苯基或者烯基，此外，单环芳族杂环基上的氢还可被 其他基团例如芳基或者芳族杂环基所取代。优选地，选择碳原子数为6~38的含有芳族杂环 基的芳胺基，进一步优选地，选择碳原子数为20~35的含有芳族杂环基的芳胺基，更进一步 优选地，选择碳原子数为30~34的含有芳族杂环基的芳胺基。
[0017] 作为芳族杂环基的实例，具体可以举出：
[0018]
[0019] 更具体地，可举出如下实例：
[0020]
[0021] 优选地，所述芳胺基、含有芳族杂环基的芳胺基依次由下述式π、式m所示，也就 是说，Ari、Ar2和Ar3中的至少一者可由下述式Π 或式ΙΠ 所示：
[0022]
[0023] 在上述式Π 以及式ΙΠ 中，Ar?和Ar51各自独立地选自碳原子数为6~15的亚芳基， Ar42和Ar43各自独立地选自碳原子数为6~25的芳基，Ar52和Ar53各自独立地选自碳原子数为 6~25的芳基或者碳原子数为6~25的芳族杂环基，且Ar52和Ar53中的至少一者为芳族杂环 基。
[0024] 在上述式Π 以及式ΙΠ 中，取代基4141、4151、4^2、4143、4152和4^3如下所述。
[0025] 碳原子数为6~15的亚芳基，例如可为亚苯基、亚苯烷基、至少含有一个苯基的亚 芳基例如亚联苯基、亚稠环芳烃基，其中在亚联苯基和亚稠环芳烃基上的碳可以键合烷基 和/或烯基。亚芳基中碳原子数优选的上限值可为7、8、9、10、12、14，优选的下限值可为6、7、 8、9〇
[0026]作为亚芳基的实例，具体可以举出如下基团：
[0027]
[0028] 碳原子数为6~25的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一个苯基的芳基如联苯基、 三联苯基等均可，还可举出稠环芳烃基如萘基、蒽基、菲基等均可，此外联苯基和稠环芳烃 基还可被烷基或是芳基如苯基所取代。优选地，选择碳原子数为6~20的芳基，进一步优选 地，选择碳原子数为6~18的芳基。作为芳基的具体实例在前述中已经提到，故此不再一一 赘述。
[0029] 碳原子数为6~25的芳族杂环基，优选含有N原子，N原子的个数并不受到具体的限 制，例如可为1个、2个、3个、4个或5个。优选地，芳族杂环基的碳原子的个数为10~25,进一 步优选地，芳族杂环基的碳原子的个数为18~22。芳族杂环基的实例可包括稠合杂环基、单 环芳族杂环基和多环芳族杂环基等，其中稠合杂环基，可由单环芳族或非芳族杂环(杂环可 以不同）缩合而得到。在所述芳族杂环基中，杂原子上还可以键合取代基例如烷基、芳基如 苯基或者烯基，此外，单环芳族杂环基上的氢还可被其他基团例如芳基或者芳族杂环基所 取代。
[0030] 作为芳族杂环基的实例如前所述，故此不再赘述。
[0031] 作为芳胺基的实例，具体可以举出如下基团：
[0032]
[0033] '-- '-·，}.?- .一 .〇
[0034] 作为含有芳族杂环基的芳胺基的实例，具体可以举出如下基团：
[0035]
[0036] 经本发明人研究发现，本发明提供的有机光电材料通过以呋喃或者噻吩为母体， 在含有〇或者S的五元环上，也就是说在呋喃或者噻吩的2、3、5位上引入上述提及的芳基、芳 胺基、含有芳族杂环基的芳胺基，则该有机光电材料具有高的热稳定性和高的玻璃化温度， 易于形成良好的无定形薄膜。尤其是在2、3、5位中的至少一位引入式Π 或者式m所示的基 团，进一步能够提高有机光电材料的热稳定性以及玻璃化温度，且更易于形成良好的无定 形薄膜。由于本发明提供的有机光电材料具有上述优异的性能，可应用于制备有机电致发 光器件中，尤其是作为空穴注入材料应用在有机电致发光器件中，从而能够使得有机电致 发光器件实现高亮度，高的量子效率、高的电流效率、高的功率效率以及低的驱动电压的效 果。
[0037] 作为式I所示的有机光电材料的实例，具体可以举出如下基团：
[0038]
[0041]
[0042] 本发明制备所提供的有机材料，也就是式I所示的化合物的方法，采用常规方法进 行合成即可，并不受到具体的限制，
[0043]在X为0时，通过在有正丁基锂的作用下，起始原料与苯甲醛或卤代苯甲醛进行反 应，反应完毕后，再由酸性物质处理，例如三氟乙酸，获得到中间体，然后将中间体再进行 碳-氮偶联反应得到目标产物。具体可参见下述文献制备：L e e e t al.J.Am.Chem.Soc.2000,122,4992-4993〇
[0044]当X为S时，起始原料与N-溴代丁二酰亚胺(简称NBS)反应，然后与对溴碘苯进行铃 木偶联得到中间体，之后将中间体再进行碳-氮偶联反应得到目标产物，X为S时的合成反应 均为常规反应。具体的合成路线可参见下述过程。
[0045]
[0046] 以上反应原料物质、催化剂及提供碱性环境的物质均为本技术领域常用物质，可 通过商购获得也可通过常规方法合成获得。
[0047] 本发明的另一目的在于提供一种有机电致发光器件，包括透明基板层、阳极、空穴 注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，在透明基板层上依次叠置有 阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，空穴注入层 由本发明提供的空穴注入材料制成。
[0048] 在上述有机电致发光器件中，对上述各个膜层，也就是说对空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层和电子注入层的厚度均无特别限定，可根据各个膜层中所选用的材 料的性质而进行设定，优选2nm~5000nm，进一步优选地，膜层的厚度均为10nm~lOOOnm，更 近一步优选地，膜层的厚度均为20nm~500nm，最优选为30nm~1 OOnm。
[0049] 在上述有机电致发光器件中，上述各个膜层，也就是说空穴注入层、空穴传输层、 发光层、电子传输层和电子注入层均可通过真空蒸镀法、旋涂法或浇铸法等方法将各个膜 层相对应的材料制成薄膜所形成。此外，为了各个膜层的材料薄膜化且易于获得均匀的膜 层，与此同时，不易生成针孔，优选蒸镀法。选用蒸镀法时，其中加热温度、真空度、蒸镀速度 以及基板的温度可根据实际需求进行选择，在进行蒸镀时，一般优选在舟皿中进行，加热温 度优选为50°C~400°C，真空度优选为10- 6Pa~10-3Pa、蒸镀速度优选为0.01nm/s~50nm/s， 基板温度优选为-150 °C~300 °C。
[0050] 在上述有机电致发光器件中，阳极能够将空穴注入到其他膜层例如空穴传输层， 阳极通常选自下述物质中的一种或多种：铝、金、银、镍、钯以及铂等金属；如氧化铟、氧化 锡、氧化锌、铟锡复合氧化物以及铟锌复合氧化物等金属氧化物;碘化铜等金属卤化物;炭 黑;部分导电高分子等。
[0051] 在上述有机电致发光器件中，空穴传输层能够将从阳极注入的空穴有效地且高效 率地传输注入。因此，要求空穴传输层材料的电离势低、对可见光的透过性高、空穴迀移率 高、以及性质稳定，与此同时，为了避免成为阱（trap)的杂质，还需要在制备或者使用时不 易产生光。另外由于空穴传输层与发光层相接触，还要求空穴传输层不使来自发光层的光 消光，且不与发光层之间形成激基复合物而降低效率。空穴传输材料，可以为含有两个以上 叔胺的芳香族二胺、三苯胺类具有星形放射结构的芳香胺类化合物、以及咔唑类衍生物等。 作为空穴传输材料的实例，具体可以举出:N，N' -(1-萘基)-N，N' -二苯基-[1，Γ -联苯]-4， 4'_二胺(NPB)。这些化合物既可以单独使用，也可以混合使用两种以上。空穴传输材料也可 选用由本发明提供的有机光电材料。也就是说，空穴传输层由本发明提供的有机光电材料 制成。
[0052]另外，可以选用空穴传输材料中一种或多种作为在空穴注入材料。空穴注入材料 优选由本发明提供的有机光电材料。也就是说，空穴注入层由本发明提供的有机光电材料 制成。
[0053]在上述有机电致发光器件中，发光层由发光物质之制备得到，由于在施加了电场 的电极之间，这种发光物质因空穴和电子的再结合而激发，从而表现出强发光。通常发光层 含有掺杂材料和主体材料。掺杂材料可为单纯的荧光材料，或者磷光材料，或者由不同的荧 光和磷光搭配组合而成。
[0054]发光层的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输性质，同时需要恰当的能级， 将激发能量有效地传递到客体发光材料，这一类的材料可以举出二苯乙烯基芳基衍生物、 均二苯乙烯衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物、蒽衍生物、芘衍生物以及六苯并苯衍生 物等。
[0055] 相对于主体材料，掺杂材料的掺入量优选为0.01重量％以上，20重量％以下。
[0056]在上述有机电致发光器件中，制备电子传输层6的材料，也就是电子传输材料可从 具备电子传输性质的材料中任意进行选择，作为电子传输材料的实例，具体可以举出：1，3， 5-三（1-萘基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(简称TPBI)等苯并咪唑类衍生物，三(8-羟基喹啉)铝 (Alq3)等金属配合物，2_(4'_叔丁苯基)-5-(4'_联苯基)-1，3,4_噁二唑(PBD)等噁二唑衍 生物，4，7-二苯基-1，10-菲啰啉(BPhen)等二氮杂菲衍生物，三唑衍生物，喹啉衍生物，喹喔 啉衍生物等。发光层的掺杂材料优选由本发明提供的有机光电材料。
[0057]在上述有机电致发光器件中，阴极材料可选用功函数小于4eV的金属、合金、以及 导电性化合物中的一种或多种。具体可以举出：铝、钙、镁、锂、镁合金、铝合金等。为了高效 地获取0LED的发光，较理想的是将电极的至少一者的透过率设为10%以上。阴极可通过干 法如真空蒸镀、气相沉积或溅射形成。
[0058] 本发明提供的有机电致发光器选用常规方法制备即可，并无特别的需求。
[0059] 在本发明提供的有机电致发光器中，由于含有本发明提供的有机光电材料，能够 大大提高有机电致发光器的量子效率、电流效率、功率效率以及亮度，与此同时，还降低了 驱动电压，由此显著提高了有机电致发光器的寿命。
【附图说明】
[0060] 图1为本发明提供的有机电致发光器的结构示意图。
[0061 ] 附图标号说明：
[0062] 1-透明基板层，2-阳极，3-空穴注入层，4-空穴传输层，5-发光层，6-电子传输层， 7-电子注入层，8-阴极。
【具体实施方式】
[0063] 下面通过对本申请进行详细说明，本申请的特点和优点将随着这些说明而变得更 为清楚、明确。
[0064] 在下述实施例、对比例中，所使用到的试剂、材料以及仪器如没有特殊的说明，均 为常规试剂、常规材料以及常规仪器，均可商购获得，其中所涉及的试剂也可通过常规合成 方法合成获得。
[0065] 实施例一、制备有机光电材料
[0066] 实施例1~28制备前述提到的材料1~28 [0067]材料1~28均按照下述方法进行制备：
[0068] (11)将11.38(4〇111111〇1)原料11加入到15〇1^干燥后的四氢呋喃（简称1'册）中，之后 在氮气保护下，缓慢降温至_78°C，再在0.5小时内滴加18mL含有正丁基锂的正己烷溶液，正 丁基锂在正己烷溶液中的浓度为2.2mol/L，然后控制在不超过-78°C的条件下，保温反应 3.0小时；之后，在约45分钟内向反应体系中滴加含有原料12的50mL THF溶液，其中原料12 为6.5g(35mmol)，滴加毕后，体系在-78°C下保温搅拌反应1.0小时，而后缓慢升温至25°C， 搅拌反应2小时；之后，向体系中加入4mL(52mmo 1)三氟乙酸，再在25°C下搅拌15.0小时后， 加入饱和氯化铵水溶液淬灭反应，然后依次以质量百分数为10 %的碳酸氢钠水溶液、饱和 食盐水和去离子水对反应体系洗涤，再用无水硫酸钠干燥，然后减压脱溶剂至无馏分，获得 的中间体11的粗品，最后将获得的中间体11的粗品由氯仿重结晶，获得纯化后的中间体11， 实例性的给出在制备材料1时的中间体11为4.6g，经计算收率为35.0%，且如下式所示。该 中间体ll经过解析电离质谱(DEI-MS)检测，分子式为C 22H15Br0，检测值[M+l]+为375.18，计 算值为374.03。
[0069]
中间体11
[0070] (12)将3.8g 步骤（11)中获得的中间体11、2.58(1〇!11111〇1)原料13和2.98(3〇111111〇1)叔 丁醇钠加入到150mL甲苯中，在氮气保护下，加入35mg二氯二三苯基膦合钯，然后将体系升 温到110°C下反应12.0小时，保温反应完毕后，体系降温到25°C，之后向体系中加入30g水终 止反应。而后，向体系中依次加入饱和食盐水、去离子水洗涤，洗涤体系至中性，再选用无水 硫酸钠干燥，之后将体系减压脱溶剂至无馏分得到材料的粗品，最后将该粗品由16.2g乙酸 乙酯和32.4无水乙醇进行重结晶，获得材料。
[0071] 实例性的给出获得的材料1为4.6g，收率为85.0%，材料1经过DEI-MS检测，分子式 为C4〇H29NO，检测值[M+1 ]+为 540.15，计算值为 539.22。
[0072]在上述制备材料1~28的过程中，各自所选用的原料11、原料12以及原料13如下表 1中所示。
[0073]表 1
[0075]
[0076] 实施例29~56制备前述提到的材料29~56
[0077] (21)将47.3g(0.2mol)原料21加入到350mL二氯乙烷中，升温至50°C后，大约在1.0 小时内分批加入37.4g(0.21mol )N-溴代丁二酰亚胺（简称NBS)，之后保温反应5.0小时，然 后向体系中加入10 %的亚硫酸钠的水溶液l〇〇g淬灭反应。而后向反应体系中依次加入饱和 食盐水和去离子水进行洗涤，洗涤至中性。最后选用无水硫酸钠对反应体系干燥后，减压脱 溶剂至无馏分，获得中间体21，然后用62.9g乙酸乙酯和135.8正庚烷对中间体21的粗品重 结晶进行纯化，获得纯化后的中间体21，实例性的给出制备材料29时获得的中间体21为3-溴-2，5-二苯基噻吩，纯化后的3-溴-2，5-二苯基噻吩为54.8g，经计算收率为87.0%。
[0078] (22)将7.9g(25mmol)步骤（21)中获得的中间体21、7· lg(mmol)原料22、5.3g (50mmol)碳酸钠和47.7g水加入到250mL甲苯中后，在氮气保护下，加入0.45g四三苯基膦合 钯，将体系升温到ll〇°C反应5.0小时，保温反应完毕，降温到25°C，之后向体系加入50g水终 止反应。然后向体系中依次饱和食盐水和去离子水进行洗涤，洗涤至中性，再选用无水硫酸 钠对体系进行干燥后，减压脱溶剂至无馏分，获得中间体22的粗品，所得粗品由9.9g乙酸乙 酯和24.8g乙醇重结晶获得纯化后的中间体22，实例性的给出制备材料29时的中间体22纯 化后为6.7g，经计算收率为67.7 %，且如下式所示。
[0079]
[0080] (23)将4.9g(20mmol)原料23、6.38(2〇!11111〇1)步骤（22)中获得的中间体22和5.8 8 (60mmol)叔丁醇钠加入到250mL甲苯中后，在氮气保护下，加入224mg醋酸钯，将体系升温到 110°C反应12.0小时，保温反应完毕后，降温到25°C，之后向体系加入50g水终止反应。然后 向体系中依次加入饱和食盐水和去离子水洗涤，洗涤至中性后，选用无水硫酸钠干燥体系， 之后将体系减压脱溶剂至无馏分，获得材料的粗品，该粗品由22.2g甲苯和44.4g乙醇重结 晶，获得纯化后的材料。实例性的给出纯化后的材料29为4.6g，经计算收率为41.4 %，材料 29经过DEI-MS检测，分子式C4〇H29NS，检测值[M+1 ]+为556.18，计算值为555.20。
[0081 ]在上述制备材料29~56的过程中，各自所选用的原料21、原料22以及原料23如下 表2中所示。
[0082] 表 2
[0083]
[0085]
[0086] 对上述制备获得材料1~56进行DEI-MS检测，检测各个材料获得的结果如下表3中 所示。
[0087] 表 3
[0088]
[0089]
[0090] 从上述表3中的数据可以得知，本发明已经成功获得了式I所示的有机光电材料。
[0091] 实施例二制备有机电致发光器件（以下简称器件）
[0092] 在下述制备有机电致发光器件的实施例中，所用到的试剂材料如下所示：
[0093]
[0094] 阳极:氧化铟锡（IT0);
[0095] 阴极:A1。
[0096] 实施例1~56器件1~56的制备 [0097]器件1~56均按照下述方法制备获得：
[0098] a)清洗透明基板层上的阳极:分别用去离子水、丙酮以及乙醇各超声清洗15分钟， 然后在等离子体清洗器中处理2分钟；
[0099] b)在阳极上真空蒸镀空穴注入材料获得空穴注入层，所用空穴注入材料为前述实 施例一中制备得到的材料，空穴注入层的厚度为35nm;
[0100] c)在空穴注入层上，通过真空蒸镀方式蒸镀TCTA得到空穴传输层，空穴传输层的 厚度为12nm;
[0101] d)在空穴传输层上蒸镀发光材料获得发光层，发光层的厚度为20nm，其中发光材 料包括主体材料CBP和掺杂材料Ir(ppy) 3,掺杂材料为主体材料的重量的5%;
[0102] e)在发光层上，真空蒸镀Alq3获得电子传输层，电子传输层的厚度为25nm;
[0103] f)在电子传输层上，真空蒸镀电子注入层LiF获得电子注入层，电子注入层的厚度 为1·Onm;
[0104] g)在电子注入层上，真空蒸镀阴极A1获得阴极，阴极的厚度为80nm，获得器件。
[0105] 有上述步骤制备获得的器件，如图1中所示，包括透明基板层1、阳极2、空穴注入层 3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7和阴极8,在透明基板层1上依次叠置 有阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7和阴极8。在制备 获得的器件中，空穴注入层3由本发明提供的空穴注入材料制成。
[0106] 制备各个器件所选用的材料如下表4中所示。
[0107] 表4
[0108]
[0110] 对比例1器件1#的制备
[0111] 重复实施例制备器件的过程，不同的是在蒸镀空穴注入层时，以Nro作为空穴注入 材料，其他不变。
[0112] 对上述实施例以及对比例中制备得到的器件，通过PR655光谱扫描辐射度计和美 国Keithley Soure Meter 2400组成的测试系统对所得的器件进行同步测量检测得到所有 器件的驱动电压、量子效率、电流效率、功率效率和亮度，其中上述所有测量均是在室温大 气中进行。检测各个器件所得结果如下表5中所示。
[0113] 表5
[0114]
[0115]
[0116]
[0117] 由上述表5可以得知，本发明所提供的空穴注入材料可应用于有机电致发光器件 中，并且可以获得良好的表现。本发明所提供的作为有机电致发光器件的空穴注入层材料 使用，并且能够有效提高有机电致发光器件的量子效率、电流效率、功率效率以及亮度，也 就是说，大大提高了有机电致发光器件的发光效率，同时有效降低了有机电致发光器件的 驱动电压。
[0118] 根据上述说明书的揭示，本申请所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行 适当的变更和修改。因此，本申请并不局限于上面揭示和描述的【具体实施方式】，对本申请的 一些修改和变更也应当落入本申请的权利要求的保护范围内。
【主权项】
1. 一种有机光电材料，其特征在于，由下述式I所示：其中，Ari、Ar2和Ar3各自独立地选自碳原子数为6~36的芳基、碳原子数为6~40的芳胺 基以及含有芳族杂环基且碳原子数为6~40的芳胺基中的一种，X选自O或S，An、Ar2和Ar3中 的至少一者选自碳原子数为6~40的芳胺基或者含有芳族杂环基且碳原子数为6~40的芳 胺基。2. 根据权利要求1所述的有机光电材料，其特征在于，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自碳 原子数为6~25的芳基、碳原子数为6~30的芳胺基以及含有具有氮原子的芳族杂环基且碳 原子数为6~38的芳胺基中的一种。3. 根据权利要求1所述的有机光电材料，其特征在于，所述芳胺基、含有芳族杂环基的 芳胺基依次由下述式Π 、式m所示：其中，Ani和Ar51各自独立地选自碳原子数为6~15的亚芳基，Ar42和Ar43各自独立地选 自碳原子数为6~25的芳基，ArdPAr53各自独立地选自碳原子数为6~25的芳基或者碳原 子数为6~25的芳族杂环基，且Ar 5^PAr53中的至少一者为芳族杂环基。4. 根据权利要求3所述的有机光电材料，其特征在于，Am和Ar51各自独立地选自碳原子 数为6~12的亚芳基，Ar42和Ar43各自独立地选自碳原子数为6~18的芳基，Ar52和Ar53各自独 立地选自碳原子数为6~18的芳基或者碳原子数为10~25的芳族杂环基。5. 根据权利要求3所述的有机光电材料，其特征在于， Ar41和Ar51选自下述基团：Ar52和Ar53选自下述基团：6.根据权利要求1所述的有机光电材料，其特征在于， 所述芳基选自下述基团：V7. -种有机电致发光器件，其特征在于，包括透明基板层、阳极、空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，在透明基板层上依次叠置有阳极、空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述空穴注入层由权利要 求1~6中任一项所述的有机光电材料制成。8. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层和电子注入层的厚度均为2nm~5000nm〇9. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层和电子注入层均通过真空蒸镀法制备获得。10. 根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，在选用真空蒸镀法制备时， 真空度为10-6Pa~10- 3Pa，蒸链速度为0 .Olnm/s~50nm/s。
【文档编号】C07D307/52GK106008417SQ201610334990
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月19日
【发明人】付文岗, 孙虎, 杨福山, 林存生, 胡葆华, 孟凡民
【申请人】中节能万润股份有限公司