专利名称：大容量光存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及在一次性写入存储介质上光存储信息，信息凹坑(pit)因写入位置处或未写入位置处着色剂的光学性质不同而被区分。这种技术通常称为“WORM”(例如“CD-R”/“DVD-R”)；这些术语已经保留在本文中。
通过使用在630到690纳米发射的小型高性能二极管激光器，与具有蓝色层或绿色层的介质相比，原则上有可能实现数据存储密度提高4到5倍，存储容量增加6到8倍，这是因为可以减小道间距(两条信息轨道之间的距离)和凹坑的大小到例如常规CD值的约一半。
然而，这对待用记录层提出了格外高的要求，如高折射率、在不同长度的脉冲持续时间下的脚本宽度的均一性以及在日光下的高的光稳定性，同时对高能激光照射的高灵敏度。已知记录层的这些性质不令人满意。
JP-A-02/55189和JP-A-03/51182公开了光存储介质，其中记录层基本上包括花青染料和偶氮金属络合物，包括例如下式的偶氮络合物， US-6168843、US-6242067和JP-A-2000/198273公开了适合使用波长为635纳米的激光进行记录的存储介质，其包括花青染料或酞菁染料与对氨基取代的偶氮金属络合物和对硝基取代的偶氮金属络合物或对卤素取代的偶氮金属络合物的混合物，例如下式的化合物，
这些偶氮金属络合物可另外被羟基取代。然而，US-6 242 067的比较例2公开了羟基取代基导致溶解性不足。另外，US-6 168 843的化合物的敏感性仅足够用于1倍速(1×)，或者在US-6 242 067的化合物中，仅够用于2倍速(2×)，DVD-记录速度。
US-4 686 143公开了可写入的光学信息介质，其可在780纳米下写入，并包括单偶氮化合物的金属络合物，单偶氮化合物具有芳环和N-杂芳环。N-杂芳环可未被取代或被电子受体取代基取代，并且两个环都可被电子供体取代基取代，例如，通过下式的配体“NBTADMAP”说明 类似地，JP-A-2002/002118同样公开了可在780纳米下使用的可写入的光学信息介质，其包括杂环偶氮化合物的金属络合物，例如下式的化合物，
JP-A-2002/293031提出了将JP-A-02/55189和JP-A-03/51182的金属络合物与US-6 168 843、US-6 242 067和JP-A-2000/198273的那些并用。
所有这些公开中的主题是在偶氮基团对位的氨基是光学信息介质具有良好性能所必需的。
US-5 441 844公开了可写入的光学信息介质，其包括双偶氮三苯胺或三偶氮三苯胺，例如下式的那些， 或
最大吸收λmax分散在418到605纳米的宽范围，而摩尔吸光系数ε为43000到126000(未指明溶剂)。
然而，已经发现，已知记录介质的性质仍然有一些不令人满意的地方，特别是考虑到使用波长为约658±5纳米的激光的记录质量(DVD-R)。
另一方面，JP-A-03/132669公开了电子照相术用调色剂，其包括下式的金属络合物作为炭黑的替代品， 这些粉状的黑-紫色颜料嵌入热塑性塑料中并且作为调色剂对潮气、温度和其它环境条件、以及全填充量具有良好稳定性。在合成实施例3中，将2-氨基-5-氯酚偶氮化，与间苯三酚偶合，然后与乙酸铬金属化，伴随的结构式错误地表示为2-氨基-4-硝基酚。
非在前公开申请WO-03/098617和WO-03/098618公开了五环若丹明，与其联合的特别是下式所列举的阴离子
本发明的目的是提供光记录介质，其记录层具有高存储容量和其它优异性质。这种记录介质应该在600到700纳米(优选630到690纳米)波长范围内的相同波长既是可写入的又是可读出的。本发明记录层的主要特征是在激光二极管的所述波长范围内极高的初始反射率，其可用较高灵敏度调节；高折射率；在固态下的窄吸收带；在不同的脉冲持续时间下脚本宽度的良好均一性；优异的光稳定性；和在极性溶剂中的良好溶解性，以及与记录和重放用的不同波长的激光源的优异相容性。
非常令人惊讶地，通过利用某些金属络合物阴离子作为记录层或者作为记录层的附加，已经可以提供具有性质令人惊讶地好于至今已知的记录介质的性质的光记录介质。其更加引人注目是因为本发明的金属络合物阴离子比已知的金属络合物阴离子相比具有显著低的消光系数。然而，相当出人意料地是，在固体层中，折射率惊人地高。特别对这种金属络合物阴离子与呫吨阳离子的组合感兴趣。
因此，本发明涉及包括基材、反射层和记录层的光记录介质，其中记录层包括式[L1Mr-4L2]o[Am-]p[Zn+]q(I)、[L1Mr-3L3]o[Am-]p[Zn+]q(II)或[L3Mr-2L4]o[Am-]p[Zn+]q(III)的化合物，式(I)、(II)或(III)的化合物也可为内消旋形式或者互变异构形式，其中L1和L2各自独立地为 和
L3和L4各自独立地为 M分别是指式(I)、(II)或(III)中Mr-4、Mr-3或Mr-2的位置； 是 或 Q1为CR1或N，Q2为O、S、NR10或Q5＝Q8，Q3是CR3或N，Q4是O、S、NR10或Q7＝Q8，Q5是CR5或N，Q6是CR6或N，Q7是CR7或N，Q8是CR8或N，并且Q9是O、S、NR10或Q6＝Q8，优选要么Q1是CR1且Q3是CR3，要么Q1和Q3都是N，和/或Q8在Q5＝Q8、Q6＝Q8或Q7＝Q8中相对于 的氮原子位于β位，并且在互变异构体的情况下，Q1也可是NR1和/或Q3也可是NR3；R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为H、卤素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)；C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13和/或SO3R9；或C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9杂芳基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代R10、卤素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；R2是OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN；R9各自独立地为R15、COR15、COOR15、CONR12R13、CN或负电荷，优选为H或负电荷；R10、R11和R14各自独立地为氢、C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、[C2-C8亚烷基-O-]k-R16、[C2-C8亚烷基-NR17-]k-R16或C7-C12芳烷基，对于NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN中的R10可能另外为可离域的负电荷；R12、R13和R15各自独立地为H；C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、OR10、SR10、NR10R14、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR10、SO3-、CONR11R14、SO2NR11R14、SO2R10和/或SO3R10；或C7-C12芳烷基、C6-C12芳基或C5-C9杂芳基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代R10、卤素、OR10、SR10、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR14、SO3-、CONR11R14、SO2R10、SO2NR11R14、SO3R10、PO3-、PO(OR10)(OR11)、NR11R14、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；或NR12R13、NR11R14或NR10R15是5元或6元杂环，其可含有另外的N或O原子，并且其可以被C1-C8烷基单取代或多取代；R16和R17各自独立地为单取代或多取代的C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基、C3-C12杂环烷基、C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9杂芳基；Mr是具有r个正电荷的过渡金属阳离子；
Am-是无机、有机或有机金属阴离子，或其混合物；Zn+是质子、金属、铵或鏻阳离子、带正电的有机或有机金属发色团、或其混合物；相同或不同配体L1、L2、L3和/或L4的基团，所述基团各自选自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R14、R15和R16可能彼此成对地以直接键合或-O-、-S-或-N(R17)-桥的方式连接，和/或对于0到p个阴离子Am-和/或0到q个阳离子Zn+，各自将与相同或不同配体L1、L2、L3和/或L4的任何基团R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16或R17或与Mr以直接键合或-O-、-S-或-N(R17)-桥的方式连接；k是1-6的整数；m、n和r各自独立地为1-4的整数；优选m和n为1或2，且r是2或3；和o、p和q各自为0-4的数字，o、p和q彼此之间的比，根据有关子结构的电荷，使得在式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷；并且进一步的前提条件是当R1、R3、R4、R5、R7和R8全部为H，R2是OH，R6是NO2，M是Co且r是3时，[Zn+]q不能为下式， 或 其中R18和R28各自独立地为氢；C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR35CONR35R36、OR35、SR35、COO-、COOH、COOR35、CHO、CR37OR35OR36、COR35、SO2R35、SO3-、SO3H、SO3R35或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C4-C12杂芳基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR37CONR35R36、R35、OR35、SR35、CHO、COR35、CR37OR35OR36、SO2R35、SO3-、SO3R35、SO2NR35R36、COO-、COOR35、CONR35R36、PO3-、PO(OR35)(OR36)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；但是R18和R28不同时为氢；R19、R20、R26和R27各自独立地为C1-C12烷基，其未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、OR37、SR37、NO2、CN、NR40R41、COO-、COOH、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R37，R19和R20和/或R26和R27和/或R31和R32和/或R33和R34有可能彼此成对地以直接键合或-O-、-S-或-NR42-桥的方式连接在一起形成5-12元环；R21和R25各自独立地为C1-C3亚烷基或C1-C3亚烯基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、R42、OR42、SR42、NO2、CN、NR43R44、COO-、COOH、COOR42、SO3-、SO3H或SO3R42；R22、R24、R29和R30各自独立地为氢、卤素、OR45、SR45、NO2、NR45R46；或C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C3-C12杂环烷基或C7-C18芳烷基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、OR45、SR45、NO2、CN或NR45R46；R23是氢；(CH2)kCOO-、(CH2)kCOOR47、C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基或C3-C24环烯基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NR47R48或OR48；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR47R48、SO3-、SO3R47、SO2NR47R48、COO-、(CH2)kOR47、(CH2)kOCOR47、COOR47、CONR47R48、OR47、SR47、PO3-、PO(OR47)(OR48)或SiR37R38R39；R31、R32、R33和R34各自独立地为C1-C12烷基，其未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、OR35、SR35、NO2、CN、NR40R41、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R35；R35、R36、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48各自独立地为氢；C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、OR37、SR37、COO-、COOH、COOR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO3H、SO3R37或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、R37、OR37、SR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO2NR37R38、COO-、COOR39、CONR37R38、PO3-、PO(OR37)(OR38)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；或NR35R36、NR40R41、NR43R44、NR45R46或NR47R48为5或6元杂环，其可含有另外的N或O原子并且其可被C1-C8烷基单取代或多取代；R37、R38和R39各自独立地为氢、C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基或C7-C18芳烷基，R37和R38有可能彼此以直接键合或-O-、-S-或-NC1-C8烷基-桥的方式连接在一起形成5或6元环；选自R18、R19、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48的1-4个基团有可能彼此成对地以直接键合或-O-、-S-或-N(G)-桥的方式连接或只与Am-和/或Zn+连接，其中G是单取代或多取代的C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C3-C12杂环烷基、C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基。
Q5＝Q8、Q6＝Q8或Q7＝Q8各自表示Q5、Q6、Q7和Q8定义中的两个原子或基团以双键连接。
有利地，p和q不同时为1-4的数字，但是p或q中的一个是0。优选地，p是0且q是1-4，特别是1。当数字p和q不是整数时，式(I)、(II)或(III)可解释为某一摩尔组成的混合物，其中各个组分也可具有不同的化学计量。
过渡金属阳离子为例如Co2+、Co3+、Cu+、Cu2+、Zn2+、Cr3+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Al3+、Ce2+、Ce3+、Mn2+、Mn3+、Si4+、Ti4+、V3+、V5+或Zr4+，优选Co2+、Co3+、Cr3+、Ni2+、Fe3+或Si4+。
阴离子为例如氢氧根、氧负离子、氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、高氯酸根、高碘酸根、碳酸根、碳酸氢根、硫酸根、硫酸氢根、磷酸根、磷酸氢根、磷酸二氢根、四氟硼酸根、六氟锑酸根、乙酸根、草酸根、甲磺酸根、三氟甲磺酸根、甲苯磺酸根、单甲酯硫酸根、酚根、苯甲酸根或带负电的金属络合物。
金属、铵或鏻阳离子为，例如，Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、Cu2+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Co2+、Co3+、Zn2+、Sn2+、Cr3+、La3+、甲基铵、乙基铵、十五烷基铵、异丙基铵、二环己基铵、四甲基铵、四乙基铵、四丁基铵、苄基三甲基铵、苄基三乙基铵、甲基三辛基铵、三(十二烷基)甲基铵、四丁基鏻、四苯基鏻、丁基三苯基鏻或乙基三苯基鏻、或质子化Primene 81RTM或Rosin Amine DTM。优选H、Na+、K+、NH4+、伯、仲、叔或季铵以及阳离子发色团。
对于带正电荷的有机发色团，可使用在300到1500纳米范围内吸收的任何阳离子，特别是在300到800纳米范围内吸收的任何阳离子。所属技术领域的专业人员将特别优选先前已经提出用在光学信息介质中的发色团阳离子，例如花青、呫吨、二吡咯亚甲基(dipyrromethene)、苯乙烯基型、三苯基次甲基(triphenylmethine)、偶氮、金属络合物、醌二亚铵、联吡啶鎓及其它阳离子。花青、呫吨、二吡咯亚甲基、偶氮金属络合物、和苯乙烯基阳离子是优选的。其它适合以阳离子形式使用的发色团可在WO 01/75873中找到，但是这些例子不被认为是限制性的选择。
烷基、链烯基或炔基可以为直链或支链的。链烯基是具有单不饱和度或多不饱和度的烷基，其中两个或多个双键可以分离或共轭。炔基是具有一个或多个双重不饱和度的烷基或链烯基，其中三键可以彼此或与双键分离或共轭。环烷基或环烯基分别是单环状或多环状的烷基或链烯基。
因此，C1-C24烷基可以是，例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲丙基、正己基、庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基或二十四烷基。
因此，C3-C24环烷基可以是，例如，环丙基、环丙基-甲基、环丁基、环戊基、环己基、环己基-甲基、三甲基环己基、苧基、降冰片基、冰片基、降蒈烷基、蒈烷基、薄荷基、降蒎基、蒎基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、5α-甾烷基(gonyl)或5ξ-孕甾烷基(pregnyl)。
C2-C24链烯基为，例如，乙烯基、烯丙基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、1，3-丁二烯-2-基、2-戊烯-1-基、3-戊烯-2-基、2-甲基-1-丁烯-3-基、2-甲基-3-丁烯-2-基、3-甲基-2-丁烯-1-基、1，4-戊二烯-3-基、或己烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十二烯基、十四烯基、十六烯基、十八烯基、二十烯基、二十一烯基、二十二烯基、二十四烯基、己二烯基、辛二烯基、壬二烯基、癸二烯基、十二烷二烯基、十四烷二烯基、十六烷二烯基、十八烷二烯基或二十烷二烯基的任何异构体。
C3-C24环烯基为，例如，2-环丁烯-1-基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基、3-环己烯-1-基、2，4-环己二烯-1-基、1-对-薄荷烯-8-基、4(10)-苧烯-10-基、2-降冰片烯-1-基、2，5-降冰片二烯-1-基、7，7-二甲基-2，4-降蒈二烯-3-基或莰烯基。
C2-C24炔基为，例如，1-丙炔-3-基、1-丁炔-4-基、1-戊炔-5-基、2-甲基-3-丁炔-2-基、1，4-戊二炔-3-基、1，3-戊二炔-5-基、1-己炔-6-基、顺式-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、反式-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、1，3-己二炔-5-基、1-辛炔-8-基、1-壬炔-9-基、1-癸炔-10-基或1-二十四炔-24-基。
C7-C24芳烷基为，例如，苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基-乙基、9-芴基、α，α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、ω-苯基-辛基、ω-苯基-十二烷基或3-甲基-5-(1′，1′，3′，3′-四甲基-丁基)-苄基。C7-C24芳烷基也可以为，例如，2，4，6-三-叔丁基-苄基或1-(3，5-二苄基-苯基)-3-甲基-2-丙基。当C7-C24芳烷基被取代时，芳烷基基团的烷基部分和芳基部分都可以被取代，优选后一方案。
C6-C24芳基为，例如，苯基、萘基、联苯基、2-芴基、菲基、蒽基或三联苯基。
卤素为氯、溴、氟或碘，优选氯或溴。
C4-C12杂芳基是具有4n+2个共轭π电子的不饱合或芳香基团，例如，为2-噻吩基、2-呋喃基、1-吡唑基、2-吡啶基、2-噻唑基、2-噁唑基、2-咪唑基、异噻唑基、三唑基或任何其它环系统，所述环系统包括噻吩、呋喃、吡啶、噻唑、噁唑、咪唑、异噻唑、噻二唑、三唑、吡啶和苯环，且未被取代或被1-6个乙基、甲基、乙撑和/或甲撑取代基取代。
另外，芳基和芳烷基也可为与金属连接的芳香基团，例如为本领域已知的过渡金属的金属茂形式，更具体是
或 其中R49为CH2OH、CH2OR15或COOR15。
C3-C12杂环烷基为不饱和的或部分不饱和的环系基团，例如环氧、氧杂环丁烷、1-氮杂环丙烷；四唑基、吡咯烷基、哌啶基、哌嗪基、咪唑啉基、吡唑烷基、吡唑啉基、吗啉基、奎宁环基；或其它单氢化或多氢化的C4-C12杂芳基。
5-12元环为，例如环戊基、环己基、环庚基和环辛基，优选环戊基，特别为环己基。
特别提及以下作为R1到R17的取代基-CH2-CH2-OH、-CH2-O-CH3、-CH2-O-(CH2)7-CH3、-CH2-CH2-O-CH2-CH3、-CH2-CH(OCH3)2、-CH2-CH2-CH(OCH3)2、-CH2-C(OCH3)2-CH3、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH3、-(CH2)3-OH、-(CH2)6-OH、-(CH2)7-OH、-(CH2)8-OH、-(CH2)9-OH、-(CH2)10-OH、-(CH2)11-OH、-(CH2)12-OH、-CH2-Si(CH3)3、-CH2-CH2-O-Si(CH3)2-C(CH3)3、-(CH2)3-O-Si(CH3)2-C(CH3)3、-(CH2)4-O-Si(C6H5)2-C(CH3)3、-CH2-CH2-CH(CH3)-CH2-CH2-CH(OH)-C(CH3)2-OH、-(CH2)5-O-Si(CH(CH3)2)3、-CH2-CH(CH3)-CH2-OH、-CH2-C(CH3)2-CH2-OH、-CH2-C(CH2-OH)3、-CH2-CH(OH)-CH3，-CH2-CH(OH)-CH2-OH， 、和-(CH2)2CH＝N-R50，其中R50为C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基、C7-C12芳烷基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基、C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或被一个或多个相同或不同的上述定义中的基团取代，或为金属络合物。当R50为C1-C12烷基时，其可未被中断或被1-3个氧原子和/或硅原子中断。特别有利的是烷基，其未被取代或被一个或两个羟基取代基取代或被金属茂基或偶氮金属络合物基团取代，具体为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、3-戊基、正戊基、叔戊基、新戊基、2，2-二甲基-丁-4-基、2，2，4-三甲基-戊-5-基、环丙基、环丙基甲基、环丁基、环丁基甲基、环戊基、环戊基甲基、环己基、环己基甲基、环己-4-烯基-甲基、5-甲基-环己-4-烯基-甲基或2-乙基己基。这些基团作为R9或R15特别重要。
R2优选为OR9、SR9或NR10CN，特别优选OR9，特别是其中R9和R10为负电荷时，在式(II)中特别有利，导致在内消旋形式中与金属的附加键。与优选的R2联合或非联合的独立形式中，特别优选R5、R6、R7和R8中的至少一个为CF3、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-或PO(OR10)(OR11)；特别地R6或R7为CF3、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-或SO3R9。
本发明的记录介质除了包括式(I)、(II)或者(III)的化合物之外，还另外包括盐，例如氯化铵、氯化十五烷基铵、氯化钴(II)、氯化钠、硫酸钠、甲磺酸钠或者单甲酯硫酸钠，其中的离子可例如来源于所用组分。
优选式(I)、(II)或(IH)的化合物，其中R2和R4为羟基、O-、巯基或S-，R6或R7为硝基或氰基；Zn+为呫吨；和/或R10为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、3-戊基、正戊基、叔戊基、新戊基、2，2-二甲基-丁-4-基、2，2，4-三甲基-戊-5-基、环丙基、环丙基甲基、环丁基、环丁基甲基、环戊基、环戊基甲基、环己基、环己基甲基、环己-4-烯基-甲基、5-甲基-环己-4-烯基-甲基或2-乙基己基，它们各自未被取代或被氟单取代或多取代。
特别优选式(I)、(II)或(III)的化合物，其中R2和R4为羟基或O-，和/或R6或R7为硝基。C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基、C3-C12杂环烷基、C7-C12芳烷基、C6-C10芳基和C5-C9杂芳基通常优选为C1-C8烷基、C2-C8链烯基、C2-C8炔基、C3-C8环烷基、C3-C8环烯基、C3-C8杂环烷基、C7-C8芳烷基、苯基和C5-杂芳基，特别优选C1-C4烷基、C2-C4链烯基、C2-C4炔基、C3-C4环烷基、C3-C4环烯基和C3-C4杂环烷基。
当R10和R11通过直接键合或-O-、-S-或-NR17-桥彼此连接时，它们优选连接形成5或6元环。
将上述优选条件应用于式(I)、(II)或(III)中所含的子结构的每一种，在每种情况下与可存在的任何其它子结构相互独立，条件是满足式(I)、(II)或(III)固有的条件，即，所得化合物没有过量的正电荷或负电荷。式(I)、(II)或(III)的子结构理解为是它们的三个部分，[金属络合物r-4]0、(Am-)p和(Zn+)q，如上所述，它们可彼此连接。从上述定义中可知，子结构可彼此连接或多个相同或不同的子结构可例如为二聚物的形式。彼此连接的Mr+和Am-的例子为(但并非排他性的)Fe(OH)2+、Fe(Cl)2+、Ti(O)2+和V(O)3+。
优选金属络合物，其中式(I)、(II)或(III)的两个配体通过例如直接键合或-O-、-S-或-NR17-桥在式(I)、(II)或(III)内的任何取代基之间桥接，桥接的配体L1和L2、L1和L3或L3和L4有可能与相同的金属阳离子配合或任选地与不同的金属阳离子配合，在后一种情况中，形成了低聚物，该低聚物当然也被认为是本发明的主题。通过L1、L2、L3或L4的N原子桥接，无论是发色团或取代基上的N原子，是特别有利的。这些低聚物的形成通过以下例子(但并非排他地)说明，其中X可为，例如，-CH2-、-CH2-CH2-、-CH2-O-CH2-或-CH2-NH-CH2- 这种低聚物和类似低聚物的制备方法为本领域技术人员公知。
例如，式(I)、(II)或(III)的化合物可包括呫吨子结构阳离子，它们在US-5851621中公开并要求保护。特别优选WO-03/098617和WO-03/098618中公开和要求保护的所有呫吨阳离子，上述文献的教导在本文作为参考。
还特别优选式(I)、(II)或(III)的化合物，其中n、o和q为1，p为0，r为2或3。
所感兴趣的式(I)的化合物特别是下式的那些，
和 所感兴趣的式(III)的化合物特别是下式的那些，
和 所感兴趣的式(II)的化合物特别是具有式(I)和(II)的子结构的那些。它们可简单地通过配体L1和L3同时进行金属化的混合合成制备。式(II)的化合物可通过常规方法分离或优选以式(1)和(III)化合物的混合物的形式使用。
式(I)、(II)或(III)化合物中的某些为已知化合物。那些新型的化合物可类似地通过已知化合物的本身已知的合成方法制备。
本发明使用的金属络合物在固体形式具有令人惊讶的极窄的吸收带。
基材作为对其施用各层的裁体有利地为半透明(T≥10％)或优选为透明的(T≥90％)。裁体的厚度可以为0.01-10毫米，优选0.1-5毫米。
记录层优选设置在透明基材和反射层之间。记录层的厚度为10到1000纳米，优选30到300纳米，特别为约80纳米，例如为60到120纳米。记录层的吸收在最大吸收峰下通常为0.1到1.0。根据在读出波长条件下的非写入状态和写入状态下各自的折射率，特别地选择层厚度，使得在非写入状态下获得相长干涉，而在写入状态下获得相消干涉，或反之亦然。
厚度可为10到150纳米的反射层优选具有高反射率((R≥45％，特别地R≥60％)，以及具有低透光度(T≤10％)。在其它实施方案中，例如在具有多个记录层的介质中，反射层可同样地是半透明的，也就是说可具有比较而言比较高的透光度(例如T≥50％)和比较低的反射率(例如R≤30％)。
最上层例如反射层或者记录层，根据层结构，有利地另外具有厚度为0.1到1000微米，优选为0.1到50微米，特别为0.5到15微米的保护层。如果需要，这种保护层也可作为施用于其上的第二基材的粘合促进剂，第二基材优选厚度为0.1到5毫米，并由与裁体基材相同的材料制成。
整个记录介质的反射率优选为至少15％，特别为至少40％本发明记录层的主要特征在于在激光二极管的所述波长范围内具有极高的初始反射率，其可用高灵敏度调节；高折射率；在固态下特别窄的吸收带；在不同的脉冲持续时间下脚本宽度的良好一致性；以及良好的光稳定性和在极性溶剂中的良好溶解性。
本发明的记录介质使用根据Orange Book Standard的规定的常规CD设备的红外激光二极管既不可写又不可读。结果是，在很大程度上防止了在错误地试图使用分辨率不够高的设备写入时的受损风险，这是有利的。使用式(I)、(II)或者(III)的染料有利地得到均一、无定形和低散射的记录层，该记录层具有高折射率，吸收边沿即使在固相下也令人惊讶地尤其陡峭。另外的优点是在目光下和在小功率密度激光照射下的高的光稳定性，同时，在大功率密度激光照射下的高灵敏度，均一的脚本宽度、高反差以及良好的热稳定性和储藏稳定性。
在相对高的记录速度，所得结果令人惊讶地好于先前已知的记录介质。相对于周围介质更精确地限定了标记，不发生热诱导变形。出错率(BLER)和在标记长度内的统计变化(抖动(jitter))在正常记录速度和提高的记录速度下也较低，使得在很宽的速度范围内可以完成无差错记录和重放。事实上在较高的记录速度下也没有次品，并且已写入介质的读出不因纠错而慢下来。在600到700纳米(优选630到690纳米)的全程范围内获得了上述优点，但在640到680纳米、更优选650到670纳米，特别在658±5纳米特别显著。
适当的基材为，例如，玻璃、矿物质、陶瓷和热固性或者热塑性塑料。优选的裁体为玻璃以及均聚物型塑料或共聚物型塑料。适当的塑料为，例如，热塑性的聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰亚胺、热固性的聚酯和环氧树脂。基材可以为纯的形式或也可包括常规的添加剂，例如，UV吸收剂或染料，如JP 04/167 239中建议的，以为记录层提供光稳定性。在后一种情况下，加入到载体基材中的染料以具有最大吸收值相对于记录层的染料蓝移至少10纳米，优选至少20纳米是有利的。
基材在600到700纳米范围(优选上述范围)的至少一部分内透明是有利的，使得其能透过写入或读出波长的入射光的至少90％。基材优选在覆层一侧具有槽深为50到500纳米、槽宽为0.2到0.8微米和两条轨道之间的道间距为0.4到1.6微米的螺旋形导槽，特别是槽深为100到200纳米，槽宽为0.3微米和两条轨道之间的道间距为0.6到0.8微米。依赖于凹槽深度，记录层在凹槽内外具有不同厚度是有利的；在凹槽内的记录层的厚度通常比其在凹槽外厚度厚约2到20倍，通常为5-10倍。记录层也可只位于凹槽内。
本发明的存储介质因此特别有利地适用于具有目前常规的0.4微米最小坑长度0.4微米和0.74微米道间距的DVD介质的光学记录。相对于已知介质增加的记录速度使得可同步记录或，对于特定效果，甚至可加速记录具有优异图像质量的视频序列。
记录层不仅仅只包括式(I)、(II)或者(III)的单一化合物，可替代地可包括这些化合物的混合物，例如本发明的2、3、4或者5种金属偶氮染料。通过使用混合物，例如异构体或者同系物的混合物以及不同结构的混合物，通常可提高溶解性和/或改善非晶含量。如果需要，离子对化合物的混合物可具有不同的阴离子、不同的阳离子、或既具有不同的阴离子又具有不同的阳离子。
对于进一步增加稳定性，如果需要，也可能加入常规量的已知的稳定剂，例如JP 04/025 493中所述的二硫醇镍(nickel dithiolate)作为光稳定剂。
记录层包括式(I)、(II)或者(III)的化合物或这些化合物的混合物，其量有利地为足够对折射率施加实质性影响，例如至少10重量％，优选至少30到70重量％，特别是至少40到60重量％。记录层可特别有益地包括式(I)、(II)或者(III)的化合物或多种这些化合物的混合物作为主要成分，或者，也可只是或者基本上由一种或多种式(I)、(II)或者(III)的化合物构成。
其它常规组分可能为，例如其它发色团(例如在300到1000纳米具有最大吸收值的那些)、UV吸收剂和/或其它稳定剂，1O2-，三线态-或发光-猝灭剂、熔点降低剂、分解加速剂或者任何其它已经在光记录介质中描述的添加剂如成膜剂。
当记录层包括其它发色团时，这些发色团原则上可为任何可在记录期间通过激光照射分解或者改变的染料，或者它们对于激光照射可以是惰性的。当其它的发色团通过激光照射分解或者改变时，这可通过激光照射的吸收直接发生或者可通过本发明式(I)、(II)或者(III)的化合物的分解间接诱导例如通过热力的作用。
自然地，其它发色团或者有色稳定剂可影响记录层的光学性质。因此优选使用其它发色团或有色稳定剂，其光学性质尽可能与式(I)、(II)或者(III)的化合物的光学性质相符，或者尽可能地与式(I)、(II)或者(III)化合物的光学性质不同，或者其它发色团保持较低的量。
当使用光学性质与式(I)、(II)或者(III)化合物的光学性质尽可能相符的其它发色团时，优选其在最长波长吸收主区的范围内应用。优选其它发色团的转化点的波长和式(I)、(II)或者(III)化合物的转化点的波长相隔最大为40纳米，特别为最大20纳米，更特别为最大10纳米。在这种情况下，其它发色团和式(I)、(II)或者(III)化合物在激光照射方面应该具有相似的性能，使得有可能将已知记录试剂用作其它发色团，其作用被式(I)、(II)或者(III)化合物协同地增强或者提高。
当使用光学性质与式(I)、(II)或者(III)化合物的光学性质尽可能不同的其它发色团或者有色稳定剂时，它们有利地具有相对于式(I)、(II)或者(III)的染料蓝移或者红移的最大吸收值。在这种情况下，最大吸收值相隔优选为至少50纳米，特别是至少100纳米。其例子为相对于式(I)、(II)或者(III)的染料蓝移的UV吸收剂，或是相对于式(I)、(II)或者(III)的染料红移的有色稳定剂，并具有例如在NIR或者IR范围内的最大吸收。其它染料也可加入用于色码识别，色掩盖(color-masking)(″钻石染料″)或者增强记录层的美学外观。在所有情况中，其它发色团或者有色稳定剂对于光和激光照射的性能将优选是尽可能惰性的。
当加入另一种染料用于改进式(I)、(II)或者(III)化合物的光学性质时，其量根据所要到达的光学性质的不同而不同。所属技术领域的专业人员将几乎不费力气地改变其它染料与式(I)、(II)或者(III)化合物的比，直到获得所需结果。
当发色团或者有色稳定剂用于其它目的时，其量将优选较小使得它们对记录层在600到700纳米范围内的总吸收作出的贡献最大为20％，优选最大为10％。在这种情况下，其它染料或者稳定剂的量基于记录层有利地为最大50重量％，优选最大10重量％。
除了式(I)、(II)或者(III)的化合物，其它可任选地用于记录层中的发色团为例如花青和花青金属络合物(US-5 958 650)，苯乙烯基化合物(US-6 103 331)，oxonol染料(EP-A-833 314)，偶氮染料和偶氮金属络合物(JP-A-11/028865)，酞菁(EP-A-232427、EP-A-337 209、EP-A-373643、EP-A-463 550、EP-A-492 508、EP-A-509 423、EP-A-511 590、EP-A-513 370、EP-A-514 799、EP-A-518 213、EP-A-519 419、EP-A-519 423、EP-A-575 816、EP-A-600 427、EP-A-676 751、EP-A-712 904、WO-98/14520、WO-00/09522、CH-693/01)，卟啉和偶氮卟啉(EP-A-822546、US-5 998 093)，二吡咯亚甲基染料及其金属螯合化合物(EP-A-822544、EP-A-903 733)，呫吨染料及其金属络合物盐(US-5 851 621)或quadratic acid化合物(EP-A-568877)，或噁嗪、二噁嗪、二氮杂(diaza)苯乙烯基型、甲_(formazan)、蒽醌或者吩噻嗪；所列并非详尽描述，所属技术领域的专业人员将理解所列还包括其它已知染料。
特别优选的其它发色团具体为花青和呫吨。在花青中，优选benzoindocarbocyanine，在呫吨中，优选若丹明。
然而，特别优选不加入附加发色团，除非其是有色稳定剂。
稳定剂或荧光猝灭剂为，例如，含N或者含S的烯醇、酚、双酚、硫醇或双硫醇的金属络合物，或者为偶氮、甲亚胺(azomethine)或甲_染料的金属络合物，如_Irgalan Bordeaux EL(Ciba Spezial-it_tenchemie AG)，_Cibafast N3(Ciba Spezialit_tenchemie AG)或类似化合物，受阻酚及其衍生物(还任选地作为阴离子X-)，如_CibafastAO(Ciba Spezialit_tenchemie AG)，7，7′，8，8′-四氰基醌-二甲烷(TCNQ)及其化合物(还任选地作为电荷转移络合物的阴离子)，羟基苯基三唑或羟基苯基三嗪或其它UV吸收剂，如_Cibafast W或_Cibafast P(Ciba Spezialit_tenchemie AG)或受阻胺(TEMPO或HALS，还作为硝基氧或NOR-HALS，也任选地作为阴离子X-)。
许多这些结构是已知的，其中的一些也与光学记录介质有关，例如参见US-5 219 707、JP-A-06/199045、JP-A-07/76169或JP-A-07/262604。它们可为，例如，上述公开的金属配合物阴离子与任何所需阳离子如上述公开的阳离子的盐。
适当地也为中性金属络合物，例如，在EP 0 822 544、EP 0 844243、EP 0 903 733、EP 0 996 123、EP 1 056 078、EP 1 130 584或US6 162 520中公开的那些金属络合物，例如下式的化合物， 和 以及其它已知的金属络合物，例如下式所示的化合物，
和 所属技术领域的专业人员将从其它光学信息介质中知道，或容易地识别，哪种添加剂以哪种浓度特别适用于哪个目的。添加剂的适当浓度基于式(I)、(II)或者(III)的记录介质为例如0.001到1000重量％，优选1到50重量％。
本发明的记录介质除了包括式(I)、(II)或者(III)的化合物之外，可另外包括盐，例如氯化铵，氯化十五烷基铵、氯化钴(II)、氯化钠、硫酸钠、甲磺酸钠或者甲基硫酸钠，其中的离子可来源于例如所用组分。如果存在，其它的盐优选存在的量基于记录层的总重量为至多20重量％。
适合于反射层的反射材料特别地包括金属，其提供了用于记录和重放的激光照射的良好反射，例如化学元素周期表的第III、IV和V主族金属和副族的金属。Al、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其合金特别适用。由于其高反射率和易于生产，特别优选铝、银、铜、金或其合金的反射层。
适合于保护层的材料主要包括塑料，其以薄层形式直接地或者在粘合剂层的帮助下施用于裁体或最上层。选择具有良好的表面性质的机械稳定和热稳定的塑料是有利的，其可进一步改变，例如在其上写入。塑料可是热固性塑料或者热塑性塑料。优选照射固化(如使用紫外照射)的保护层，其生产特别简单并且经济。已知各种照射可固化的材料。照射可固化的单体和低聚物的例子为二醇、三醇和四醇的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，芳香四羧酸和在氨基的至少二个邻位具有C1-C4烷基的芳族二胺的聚酰亚胺，和具有二烷基马来酰亚胺基如二甲基马来酰亚胺基的低聚物。
本发明的记录介质还可能具有附加层，例如干涉层。也可能构建成具有多个(例如二、三、四或者五个)记录层的记录介质。这种材料的结构和使用为本领域的技术人员公知。其中存在干涉层时，优选其布置在记录层和反射层之间和/或布置在记录层和基材之间并包括介电材料，例如在EP 353 393中所述的TiO2、Si3N4、ZnS或者有机硅树脂。
本发明的记录介质可通过已知方法生产，根据所用材料及其功能有可能使用各种涂布方法。
适当的涂布方法为，例如漫涂、倾涂、刷涂、刮涂和旋涂，以及在高真空条件下进行的蒸汽淀积方法。当例如使用倾涂方法时，通常使用在有机溶剂中的溶液。当使用溶剂时，应该注意所用裁体要对溶剂不敏感。适当的涂布法和溶剂在例如EP-A-401 791中描述。
优选通过旋涂施用染料溶液而施用记录层，可证明令人满意的溶剂特别为醇，如2-甲氧基乙醇、正丙醇、异丙醇、异丁醇、正丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、戊醇或者3-甲基-1-丁醇，或者优选氟化醇，例如2，2，2-三氟乙醇或者2，2，3，3-四氟-1-丙醇，及其混合物。应理解，其它溶剂或溶剂混合物也可使用，例如那些在EP-A-511 598和EP-A-833 316中描述的溶剂混合物。醚(二丁醚)、酮(2，6-二甲基-4-庚酮、5-甲基-2-己酮)、酯(如已知得自WO 03/098 617的乳酸酯)或者饱和或者不饱和烃(甲苯、二甲苯或者在WO 03/034146中公开的叔丁基苯和类似的化合物)也可使用，还任选地用混合物的形式(如二丁醚/2，6二甲基-4-庚酮)或混合组分。
旋涂技术领域的专业人员通常按照惯例尝试所有他所熟悉的溶剂以及二元和三元的溶剂混合物，以发现带来高质量并同时使包含这种所选固体组分的记录层的成本低收效大的溶剂或者溶剂混合物。已知的工艺工程方法也可以在这种最优化过程使用，使得进行的实验数目可保持在最小限度。
因此本发明还涉及光记录介质的生产方法，其中将在有机溶剂中的式(I)、(II)或者(III)的化合物的溶液施用于具有凹陷的基材上。优选通过旋涂进行施用。
金属反射层的施用优选通过溅射、真空蒸法镀敷或者通过化学气相沉积(CVD)法实现。由于与裁体的高粘合程度，溅射技术特别优选用于金属反射层的施用。这种技术为已知的并在专业文献(如J.L.Vossen和W.Kern，″Thin Film Processes″，Academic Press，1978)中描述。
本发明的记录介质的结构主要受到读出方法控制；已知的工作原理包括测量透射或者优选反射的变化，但是还已知例如测量荧光而不是透射或者反射。
当构建记录材料用于反射变化时，可使用以下结构例如透明裁体/记录层(任选多层)/反射层和，如果有利的话，保护层(不一定透明)；或者载体(不一定透明)/反射层/记录层和，如果有利的话，透明保护层。在第一种情况下，光从裁体一侧入射，而在后一种情况下，照射光从记录层一侧入射，或者，如果适合的话，从保护层一侧入射。在两种情况下，光探测器位于和光源相同的一侧。通常优选本发明的记录材料使用第一种情况中提及的结构。
当构建记录材料用于光透射变化时，可考虑例如以下不同结构透明载体/记录层(任选多层)和，如果有利，透明保护层。用于记录和读出的光可从载体一侧或从记录层一侧入射，或者，如果适合，从保护层一侧入射，在这种情况下光探测器总是位于相对一侧。
适当的激光为波长为600到700纳米的那些，例如市售的波长为602、612、633、635、647、650、670或者680纳米的激光器，特别是半导体激光器，如GaAsAI、InGaAIP或者GaAs激光二极管，其波长特别为约635、650或658纳米。例如通过根据标记长度调节激光和将其照射聚焦在记录层上而以已知方式正确地实现记录。从专业文献中已知其它目前正在开发的方法也适合使用。
本发明的方法使得可以较大的可靠性和稳定性存储信息，以极好的机械稳定性和热稳定性、以及高的光稳定性和陡立的坑边界区域为显著特征。特别的益处包括高对比度、低抖动、和令人惊讶的高信/噪比，从而使得读出优异。在视频和多媒体领域，高存储容量特别有益。
通过使用激光照射记录吸收或者反射的变化，根据已知方法进行信息的读出，例如在″CD-Player und R-DAT Recorder″中所述(ClausBiaesch-Wiepke，Vogel Buchverlag，Würzburg，1992)。
本发明包含信息的介质特别是WORM型的光学信息材料。可使用例如作为可播放的DVD(数字多用盘)、作为计算机用储存材料或者作为身份卡和安全卡，或用于衍射光学元件例如全息照相的生产。
因此本发明还涉及信息的光记录、存储、和重放的方法，其中使用本发明的记录介质。记录和/或重放有利地在600到700纳米，优选在已述波长范围内进行。
本发明还涉及本发明使用的化合物是新型的。因此本发明还涉及式(II)或者(III)的化合物或其互变异构形式或内消旋形式，其中R2为O-、S-、N-COR11、N-COOR9、N-CONR12R13或N-CN。
以下实施例更详细说明了本发明(除非另外说明，所有百分数为重量百分数)。
实施例1将49.8g 2-氨基-5-硝基酚加入到75.0ml的37％的盐酸在750ml乙醇中的溶液中。冷却到0-5℃后，在30分钟内加入79.5ml的4M亚硝酸钠水溶液。在0-5℃下搅拌黄色的悬浮液1小时，然后在30分钟内滴加到33g间苯二酚在600毫升水的冷溶液(pH为9.5-10)中，通过同时滴加165毫升的5M氢氧化钠溶液保持pH在上述值。得到黑紫色溶液，再搅拌1小时使反应完全后，用4M盐酸中和并过滤。残余物用水洗，并在50-55℃/2-5·103帕条件下干燥48小时，得到79.7克下式所示的褐色粉末
实施例2与实施例1相似，得到21.3g的下式所示的褐色粉末 实施例3在70℃下将实施例1的18.2g产品溶解在300毫升乙醇中。向红色溶液中加入7.5g乙酸钴(II)四水合物，颜色由红色变为紫色。在70℃保持2小时后，将混合物冷却到50℃并过滤使变澄清。在23℃下向滤液中慢慢加入1500毫升己烷，将沉淀物滤出。残余物用丙醇洗涤，并在85℃/1帕条件下干燥12小时，得到12.6g下式所示的黑色粉末 该产品含有痕量溶剂，可通过色谱法纯化(硅胶32-63，CB 09332-22/Brunschwig Chemie，洗脱液乙酸乙酯/异丙醇/乙酸/水＝12∶3∶1∶1体积/体积)。
1H-NMR8.48/8.51(d)，7.80/7.83(d)，7.61/7.64(d)，7.40(s)，6.39/6.42(d)，6.05(s)；Rf0.78紫色(硅胶，乙酸丁酯/吡啶/水＝8∶8∶3体积/体积)；
钴12.1％(理论值12.57％)；UV/VIS(乙醇)λmax＝545纳米/ε＝29100；加入NaOH后为λmax＝573纳米/ε＝49400。
实施例4方法与实施例3类似，但用4.1g实施例2的产品取代实施例1的产品，得到1.3g下式所示的黑色粉末 该产品含有痕量溶剂，可通过色谱法纯化(硅胶32-63，CB 09332-22/Brunschwig Chemie，洗脱液乙酸乙酯/异丙醇/乙酸/水＝12∶3∶1∶1体积/体积)。
1H-NMR9.10(s)，7.95；7.98(d)，7.79/7.82(d)，6.686.71(d)，6.31；6.34(d)，6.00(s)；Rf0.78橙色(硅胶，乙酸丁酯/吡啶/水＝8∶8∶3体积/体积)；钴12.3％(理论值12.57％)；UV/VIS(乙醇)λmax＝479纳米/ε＝29600；加入NaOH后为λmax＝525纳米/ε＝44000。
实施例5方法与实施例3类似，但用12.1g实施例1的产品和乙酸镍(II)四水合物代替乙酸钴四水合物，得到6.6g下式所示的黑褐色粉末
UV/VIS(乙醇)λmax＝533纳米/ε＝43500；加入NaOH后为λmax＝580纳米/ε＝54200。
比较例1制备US-6 168 843的化合物2
实施例6-7+比较例2将1.0重量％的实施例3和4和比较例的化合物各自溶于1-丙醇中并通过旋涂施用于平坦的聚碳酸酯基材上。通过ETA光谱反射/透射试验仪(Steag ETA-Optik GmbH)测量固体层的光学参数
使用本发明的化合物，固体层的折射率令人惊讶地显著高于比较例的化合物。
实施例80.45g实施例3的化合物和1.35g实施例4的化合物在19.6g 2-乙氧基-乙醇和59.0g正丙醇中的溶液通过聚四氟乙烯(Teflon)过滤器过滤，过滤器的孔径大小为0.2微米，并通过悬涂以1500转/分钟速率施用于0.6毫米厚、直径为120毫米的带凹槽的聚碳酸酯盘(槽深190纳米，槽宽290纳米，道间距为0.74微米)表面上，通过增加转速将过量溶液抛出。当蒸干溶剂时，得到的染料为均一的无定形固体层形式。干燥在70℃的循环空气烘箱中进行(10分钟)。然后在真空涂布设备(Twister，Balzers Unaxis)中，通过雾化法将60纳米厚的银层施用于记录层上。然后通过悬涂向其施用6微米厚的紫外可固化光敏聚合物保护层(TM650-020，DSM)。记录载体在658纳米具有良好的反射率。在市售记录设备(Pioneer A03 DVD-R(G))上，使用激光输出为9.8mW、波长为658纳米的激光二极管以3.5m·s-1的速度写入标记。
实施例9-10与实施例8的过程类似，但使用实施例4或5的化合物代替实施例3的化合物。
实施例11将4.13g实施例2的产品在200毫升水中搅拌并在50℃下用27.0ml的20％的苏打溶液、然后用1.8毫升的15％氢氧化钠溶液溶解。然后，在50-60℃下，在1小时内，用7.0毫升的1M乙酸钴溶液(从黄/橙色变成红色)滴定，用0.4ml的15％的氢氧化钠溶液保持pH值为8.5-9.然后加入40g NaCl，冷却到23℃后，用6.0毫升的2N HCI调整pH值为8.5，然后搅拌2小时，滤出沉淀物，用500毫升的10％NaCl溶液洗涤，并在70℃/1帕条件下干燥12小时，得到8.3g下式所示粗品
如果需要，该粗品可从正丙醇重结晶。
实施例12与前面实施例类似，得到下式所示化合物 实施例13与前面实施例类似，得到下式所示化合物 实施例14将2g下式的化合物
在94克的1-甲氧基-2-丙醇和3克环戊醇中的溶液通过聚四氟乙烯过滤器过滤，该过滤器的孔径大小为0.2微米，并通过悬涂以1800转/分钟的转速施用于0.6毫米厚、直径为120毫米的带凹槽的聚碳酸酯盘(槽深170纳米，槽宽330纳米，道间距0.74微米)的表面上。过量溶液通过增加转速被抛出。当蒸除溶剂时，染料保留为均一的无定形固体层的形式。干燥在70℃的循环空气烘箱中进行(20分钟)。光学值良好(n658＝2.47/k658＝0.056)。然后在真空涂布设备(Twister，BalzersUnaxis)中，通过雾化法将80纳米厚的银层施用于记录层上。然后通过悬涂向其施用紫外可固化光敏聚合物保护层(TM650-020，DSM)。记录载体在658纳米的反射率为46％。在市售测试设备(DDU-1000，Pulstee Japan)上，使用输出为8.7mW、波长为658纳米的激光二极管以3.5m·s-1的速度将标记写入活性层。然后，在市售测试设备(DVDPro，Audio Dev)上，测量以下的动力学参数DTC抖动7.5％，R14H46％，114/114H 0.57；不对称性7.8％。该介质表现出特别高的敏感性。
实施例15与实施例14的过程类似，但是使用下式的化合物得到可媲美的良好结果。
实施例16-17与实施例14-15的过程类似，使用实施例12和13的阴离子代替实施例3和4的阴离子。
实施例18将2.0g下式的化合物 在93.0g的1-甲氧基-2-丙醇和5.0g的2-乙氧基乙醇中的溶液通过聚四氟乙烯过滤器过滤，该过滤器的孔径大小为0.2微米，并通过悬涂以1500转/分钟的转速施用于0.6毫米厚、直径为120毫米的带凹槽的聚碳酸酯盘(槽深170纳米，槽宽330纳米，道间距0.74微米)表面上。过量溶液通过增加转速抛出。当蒸除溶剂时，染料保留为均一的无定形固体层的形式。干燥在70℃的循环空气烘箱中进行(20分钟)。然后在真空涂布设备(Twister，Balzers Unaxis)中，通过雾化法将80纳米厚的银层施用于记录层上。然后通过悬涂向其施用紫外可固化光敏聚合物保护层(TM650-020，DSM)。记录裁体在658纳米具有良好的反射率。在市售记录设备(Pioneer A03 DVD-R(G))上，使用激光输出为11.2mW、波长为658纳米的激光二极管以3.5m·s-1的速度将标记写入活性层。然后在市售测试设备(DVD Pro，Audio Dev)上，测量以下动力学参数DTC抖动，R14H，114/114H。
实施例19-24与实施例8、14、15、16、17和18的过程类似，但是使用7.0m·s-1(2×)的写入速度代替了3.5m·s-1(1×)的写入速度，结果令人满意地好。
实施例25-29与实施例14、15、16、17和18的过程类似，但是使用14.0m·s-1(4×)的写入速度代替了3.5m·s-1(1×)的写入速度。结果优异，特别是在符合DVD-R技术要求的介质中。
实施例30方法与前面实施例类似，但是用了下式的化合物，
以3.5m·s-1(1×)到14.0m·s-1(4×)的写入速度获得极好的试验结果。通过ETA光谱反射/透射试验仪(Steag ETA-Optik GmbH)测量了固体层的光学参数
在市售测试设备(DDU-1000，Pulstec Japan)上，使用波长为658纳米的激光二极管以3.5m·s-1的速度(1×)和14m·s-1的速度(4×)将标记写入活性层。然后，在市售测试设备(DVD Pro，Audio Dev)上，测量以下动力学参数数据对时钟的抖动，R14H，114/114H，不对称性。
实施例31在搅拌下，在23℃将60.0g的97％的2-氨基-5-硝基噻唑溶于880毫升的50(体积)％的硫酸中。将浅褐色溶液冷却到-10℃。在40分钟内，加入100毫升的4N亚硝酸钠水溶液。在-10到-8℃继续搅拌目前变为深蓝-绿色的溶液15分钟。在此时间内，将48g的间苯二酚溶于400毫升乙醇中并冷却到-10到-15℃。然后将得到的溶液慢慢地加入到重氮溶液中，立即形成浓稠的深红色沉淀物，温度升高到约0℃。然后在0-5℃进一步搅拌反应混合物2小时，用500毫升水稀释并抽滤。抽滤物质用4升水洗涤，并在60℃/103帕条件下干燥24小时，得到78g下式所示的红褐色产品 1H-NMR[ppm]8.87(s，Ha)；6.46(s，Hb)；6.49/6.52(d，Hc)；7.71/7.74(d，Hd)。
实施例32将25g实施例31的化合物引入到100毫升二甲基乙酰胺中并在23℃下搅拌，然后加入12.7g的乙酸钴(II)四水合物。两种起始原料慢慢地溶解并形成几乎呈黑色的溶液，该溶液在室温下搅拌3小时。之后，形成深红色沉淀物，通过Büchner过滤器抽滤该沉淀物并用20毫升二甲基乙酰胺洗涤。搅拌下将抽滤物质悬浮在1.2升甲醇中。加入10g乙酸钠(无水)后，将反应混合物加热到60-65℃并在该温度过滤使变澄清。使用旋转蒸发器将滤液浓缩到200毫升，并冷却到5-10℃，开始结晶。沉淀物经过抽滤并用50毫升0-5℃甲醇洗涤，在50-55℃/103帕条件下干燥，得到15g几乎呈黑色的下式所示的产品
1H-NMR[ppm]7.99(s，Ha)；5.32(s，Hb)；6.22/6.25(d，Hc)；7.81/7.85(d，Hd)。
实施例33将1.5g实施例32的化合物溶于98.5g的1-甲氧基-2-丙醇中并用0.2微米孔径的聚四氟乙烯过滤器过滤，然后以250转/分钟的速率将染料溶液施用于1.2mm厚的平坦聚碳酸酯盘(直径为120mm)上，将转速增加到1200转/分钟以将过量溶液抛出，形成均一的固体层。干燥后，固体层的光学密度在547纳米为0.64。使用光学测量系统(ETA-RT，STEAG ETA-Optik)测量层厚度和复合折射率。在658纳米染料层的厚度为47.7纳米，折射率n为2.49，消光系数k为0.072。
图1表示折射率n作为波长的函数。图2表示消光系数k作为波长的函数。
实施例35与实施例34的过程类似，但使用了下式所示的着色剂，
实施例36与实施例34的过程类似，但使用了下式所示的着色剂，
实施例37-42与实施例34的过程类似，但使用了实施例34、35、36的化合物的混合物
实施例43将2.2g实施例32的化合物溶于100毫升的1-甲氧基-2-丙醇中并用孔径为0.2微米的聚四氟乙烯过滤器过滤，然后以250转/分钟的速率将染料溶液施用于0.6mm厚、直径为120mm的带凹槽的聚碳酸酯盘(槽深164纳米，槽宽380纳米，道间距0.74毫米)表面上。过量溶液通过增加转速抛出。当蒸除溶剂时，染料保留为均一的无定形固体层的形式。干燥在70℃的循环空气烘箱中进行(20分钟)。固体层在534nm波长的光学密度为0.57。然后在真空涂布设备(Twister，Balzers Unaxis)中，通过雾化法将120纳米厚的银层施用于记录层上。然后通过悬涂向其施用紫外可固化光敏聚合物(LMD2277TM，Vantico/Huntsman)粘合层，并对其粘附第二聚碳酸酯盘。记录裁体的反射率在658纳米为46％。在市售测试设备(DDU-1000，Pulstec Japan)上，使用波长为658纳米的激光二极管以3.5m·s-1的速度(1×)和14m·s-1的速度(4×)将标记写入活性层。然后在市售测试设备(DVD Pro，Audio Dev)上，测量以下动力学参数数据对时钟的抖动，R14H，114/114H，不对称性。在常规优化写入策略后，获得特别低的DC抖动值。
实施例44与实施例6到10类似，通过悬涂将约50-100纳米厚的记录层施用于平玻璃盘基材上并干燥。然后通过溅射向其施用约100-150纳米厚的银反射层。以反射层向下的方式将盘放置到具有抛光铬钢表面的调整后的加热台上，并且该台的表面温度为30℃。使用纤维分光光度计，在整个玻璃基材的上方测量该盘的反射光谱相对于仅含有银层的参比盘的反射光谱。然后以5℃/分钟的速率持续增加加热台的温度到300℃并以1分钟为间隔测量反射光谱。在阈温T0以上，T0表征为所考察的记录层的特征，观察到在λ≈600纳米的最小反射值反射区域内的反射持续增加，即相应吸收带的吸收减小。在特征温度T1/2，吸收带减小了50％，在T1的情况中，减小了100％，在T0到和T1之间测量的吸收光谱通常与在T0和T1处的吸收光谱的线性组合符合得很好。各试验已经表明了盘的记录和重放性的最佳温度范围为T0≥200℃，T1/2≈250℃，T1＜300℃。测量了以下数据
实施例45-91与实施例6-10类似，测量了记录层的n值和k值(使用Steag ETA-Optik)和光稳定性(在用校准氙灯/Hanau照射90小时后吸收-D90的相对降低，和在照射24小时后吸收-D24的相对降低)，使用了以下化合物
实施例92-95与实施例75的过程类似，但使用了下列阳离子K+、Li+、Cs+和 代替了钠阳离子。
实施例96与实施例18的过程类似，但是用了下式所示化合物， 实施例97与实施例96的过程类似，使用了比例为50∶50的下式的混合物，
和 实施例98与实施例97的过程类似，但各组分的比例为30∶70。
实施例99与实施例97的过程类似，但各组分的比例为70∶30。
实施例100与实施例96的过程类似，但使用了另外包括30％的下式化合物的混合物，
权利要求
1.包括基材、反射层和记录层的光学记录介质，其中记录层包括式[L1Mr-4L2]o[Am-]p[Zn+]q(I)、[L1Mr-3L3]o[Am-]p[Zn+]q(II)或[L3Mr- 2L4]o[Am-]p[Zn+]q(III)的化合物，式(I)、(II)或(III)的化合物也可为内消旋形式或者互变异构形式，其中L1和L2各自独立地为 和L3和L4各自独立地为 M分别是指式(I)、(II)或(III)中Mr-4、Mr-3或Mr-3的位置； 是 或 Q1为CR1或N，Q2为O、S、NR10或Q5＝Q8，Q3是CR3或N，Q4是O、S、NR10或Q7＝Q8，Q5是CR5或N，Q6是CR6或N、Q7是CR7或N，Q8是CR8或N，并且Q9是O、S、NR10或Q6＝Q8，优选要么Q1是CR1且Q3是CR3，要么Q1和Q3都是N，和/或Q8在Q5＝Q8、Q6＝Q8或Q7＝Q8中相对于 的氮原子位于β位，并且在互变异构体的情况下，Q1也可是NR1和/或Q3也可是NR3；R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为H、卤素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)；C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13和/或SO3R9；或C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9杂芳基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代R10、卤素、OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13、NR10CN、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR9R12R13+、NO2、CN、CO2-、COOR9、SO3-、CONR12R13、SO2R10、SO2NR12R13、SO3R9、PO3-、PO(OR10)(OR11)、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；R2是OR9、SR9、NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN；R9各自独立地为R15、COR15、COOR15、CONR12R13、CN或负电荷，优选为H或负电荷；R10、R11和R14各自独立地为氢、C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、[C2-C8亚烷基-O-]k-R16、[C2-C8亚烷基-NR17-]k-R16或C7-C12芳烷基，对于NR10R15、NR10COR11、NR10COOR9、NR10CONR12R13或NR10CN中的R10可能另外为可离域的负电荷；R12、R13和R15各自独立地为H；C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、OR10、SR10、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR10、SO3-、CONR11R14、SO2NR11R14、SO2R10、NR11R14和/或SO3R10；或C7-C12芳烷基、C6-C12芳基或C5-C9杂芳基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代R10、卤素、OR10、SR10、NR10COR11、NR10COOR11、NR10CONR11R14、OSiR10R11R14、COR10、CR10OR11OR14、NR10R11R14+、NO2、CN、CO2-、COOR14、SO3-、CONR11R14、SO2R10、SO2NR11R14、SO3R10、PO3-、PO(OR10)(OR11)、NR11R14、SiR10R11R14和/或SiOR10OR11OR14；或NR12R13、NR11R14或NR10R15是5元或6元杂环，其可含有另外的N或O原子，并且其可以被C1-C8烷基单取代或多取代；R16和R17各自独立地为单取代或多取代的C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基、C3-C12杂环烷基、C7-C12芳烷基、C6-C10芳基或C5-C9杂芳基；Mr是具有r个正电荷的过渡金属阳离子；Am-是无机、有机或有机金属阴离子，或其混合物；Zm+是质子、金属、铵或鏻阳离子、带正电的有机或有机金属发色团、或其混合物；相同或不同配体L1、L2、L3和/或L4的基团，所述基团各自选自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R14、R15和R16，可能一次或多次地成对地彼此以直接键合或-O-、-S-或-N(R17)-桥的方式连接，和/或对于0到p个阴离子Am-和/或O到q个阳离子Zn+，各自将与相同或不同配体L1、L2、L3和/或L4的任何基团R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16或R17或与Mr以直接键合或-O-、-S-或-N(R17)-桥的方式连接；k是1-6的整数；m、n和r各自独立地为1-4的整数；优选m和n为1或2，且r是2或3；和o、p和q各自为0-4的数字，o、p和q彼此之间的比，根据有关子结构的电荷，使得在式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷；并且进一步的前提条件是当R1、R3、R4、R5、R7和R8全部为H，R2是OH，R6是NO2，M是Co且r是3时，[Zn+]q不能为下式， 或 其中R18和R28各自独立地为氢；C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR35CONR35R36、OR35、SR35、COO-、COOH、COOR35、CHO、CR37OR35OR36、COR35、SO2R35、SO3-、SO3H、SO3R35或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C4-C12杂芳基，它们各自未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR35R36、NR35R36R37+、NR35COR36、NR37CONR35R36、R35、OR35、SR35、CHO、CR37OR35OR36、COR35、SO2R35、SO3-、SO3R35、SO2NR35R36、COO-、COOR35、CONR35R36、PO3-、PO(OR35)(OR36)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；但是R18和R28不同时为氢；R19、R20、R26和R27各自独立地为C1-C12烷基，其未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、OR37、SR37、NO2、CN、NR40R41、COO-、COOH、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R37，R19和R20和/或R26和R27和/或R31和R32和/或R33和R34有可能彼此成对地以直接键合或-O-、-S-或-NR42-桥的方式连接在一起形成5-12元环；R21和R25各自独立地为C1-C3亚烷基或C1-C3亚烯基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、R42、OR42、SR42、NO2、CN、NR43R44、COO-、COOH、COOR42、SO3-、SO3H或SO3R42；R22、R24、R29和R30各自独立地为氢、卤素、OR45、SR45、NO2、NR45R46；或C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C3-C12杂环烷基或C7-C18芳烷基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、OR45、SR45、NO2、CN或NR45R46；R23是氢；(CH2)kCOO-、(CH2)kCOOR47、C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基或C3-C24环烯基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NR47R48或OR48；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR47R48、SO3-、SO3R47、SO2NR47R48、COO-、(CH2)kOR47、(CH2)kOCOR47、COOR47、CONR47R48、OR47、SR47、PO3-、PO(OR47)(OR48)或SiR37R38R39；R31、R32、R33和R34各自独立地为C1-C12烷基，其未被取代或被以下的基团单取代或多取代卤素、OR35、SR35、NO2、CN、NR40R41、COOR37、SO3-、SO3H或SO3R35；R35、R36、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48各自独立地为氢；C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C3-C12杂环烷基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、OR37、SR37、COO-、COOH、COOR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO3H、SO3R37或OSiR37R38R39；或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基，它们各自未被取代或为以下的基团单取代或多取代卤素、NO2、CN、NR37R38、NR37R38R39+、NR37COR38、NR37CONR38R39、R37、OR37、SR37、CHO、CR37OR38OR39、COR37、SO2R37、SO3-、SO2NR37R38、COO-、COOR39、CONR37R38、PO3-、PO(OR37)(OR38)、SiR37R38R39、OSiR37R38R39或SiOR37OR38OR39；或NR35R36、NR40R41、NR43R44、NR45R46或NR47R48为5或6元杂环，其可含有另外的N或O原子并且其可被C1-C8烷基单取代或多取代；R37、R38和R39各自独立地为氢、C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基或C7-C18芳烷基，R37和R38有可能彼此以直接键合或-O-、-S-或-NC1-C8烷基-桥的方式连接在一起形成5或6元环；选自R18、R19、R21、R22、R22、R24、R25、R26、R28、R29、R30、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47和R48的1-4个基团有可能彼此成对地以直接键合或-O-、-S-或-N(G)-桥的方式连接或只与Am-和/或Zn+连接，其中G是单取代或多取代的C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C3-C12杂环烷基、C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基。
2.权利要求1的光学记录介质，其中R2和R4为羟基、O-、巯基或S-，R6或R7为硝基或氰基；Zn+为呫吨；和/或R10为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、3-戊基、正戊基、叔戊基、新戊基、2，2-二甲基-丁-4-基、2，2，4-三甲基-戊-5-基、环丙基、环丙基甲基、环丁基、环丁基甲基、环戊基、环戊基甲基、环己基、环己基甲基、环己-4-烯基-甲基、5-甲基-环己-4-烯基-甲基或2-乙基己基，它们各自未被取代或被氟单取代或多取代。
3.权利要求1或2的光学记录介质，其中Mr+为Co2+、Co3+、Cu+、Cu2+、Zn2+、Cr3+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Al3+、Ce2+、Ce3+、Mn2+、Mn3+、Si4+、Ti4+、V3+、V5+或Zr4+.
4.权利要求1、2或3的光学记录介质，另外包括花青或呫吨阳离子，优选benzoindocarbocyanine或若丹明阳离子。
5.信息的光学记录、存储或重放的方法，其中使用了权利要求1、2、3或4的记录介质。
6.权利要求5的方法，其中记录和/或重放在600-700纳米，优选630-690纳米，更特别在640-680纳米，最特别在650-670纳米，尤其是在658±5nm的波长范围下进行。
7.光学记录介质的生产方法，其中将权利要求1、2或3的式(I)、(II)或(III)的化合物在有机溶剂中的溶液施用到具有凹陷的基材上。
8.信息的光学记录、存储或重放的方法，其中使用了权利要求1、2或3的记录介质。
9.权利要求8的方法，其中记录和/或重放在600-700纳米的波长范围下进行。
10.权利要求1、2或3的式(II)或(III)的化合物或其互变异构形式或内消旋形式，其中R2为O-、S-、N-COR11、N-COOR9、N-CONR12R13或N-CN。
全文摘要
本发明涉及了包括基材、反射层和记录层的光学记录介质，其中记录层包括式[L
文档编号C09B45/00GK1771546SQ200480009400
公开日2006年5月10日 申请日期2004年2月25日 优先权日2003年4月4日
发明者J·-M·亚当, P·埃施利曼, J·－P·巴赫尔, J·-L·布德里, U·莱曼, C·莫尔顿, B·施密德哈尔特, H·施帕尼 申请人:西巴特殊化学品控股有限公司