包含uv-磷光体的放电灯的制作方法

专利名称：包含uv-磷光体的放电灯的制作方法
技术领域：
本发明涉及包含透光放电管(discharge vessel)的放电灯，所述放电管 以密封方式封装具有气体填充物的放电空间。所述气体填充物在维持放 电组合物中包含至少 一种维持放电组分。至少部分的所述放电管的壁具 有至少 一 层包含UV-磷光体(phosphor)的发光材料(luminescent material),用于将放电产生的高能VUV辐射转换为UV-B或UV-C辐射。 UV-B辐射是UV辐射在280 320 nm的中波长范围的部分。这种UV-B 辐射在例如医疗和美容目的方面是有用的。UV-C辐射是指200 280 nm 波长范围的部分且对于杀菌目的和光化学过程特别有用。
本发明特別地涉及具有特殊类型的发光材料以发射对UV-B光疗 (phototherapy)有用的窄带(narrow-band)UV-B辐射的放电灯。使用UV-B 辐射的光疗由将人皮肤暴露于UV-B辐射组成。其被发现对于例如牛皮 痺(psoriasis)、白癜风(vitiligo)、湿渗和其他皮肤病的特定皮肤病症的治 疗非常有效。
背景技术：
为了提高UV-B辐射的治疗效果，大部分可用于光疗的荧光灯被设 计为具有窄带UV-B光谱且，因此，主要发射在310纳米到315纳米范 围内的窄带UV-B辐射。最大波长在这个部分的紫外光谱中的辐射已被 证明对治疗牛皮癣是特别有效的。进一步的，导致晒伤(sunbum)的那部 分紫外辐射不存在于窄带UV-B光谙中。因此，可以延长对病人的治疗 而不引起皮肤的晒伤。
由于其在185和254nm激发下的高效率，在大部分的常规光疗灯中 用于产生窄带UV-B光的发光材料包含在GB 1536 637中公开的UV-B-磷光体LaB306:Bi,Gd。其在约310到313nm具有最大发射峰和半峰宽 (half-value width)小于10nm。
和任何高输出的基于磷光体的设备一样，包含LaB3〇6:Bi,Gd作为 UV-B磷光体的窄带UV-B灯容易因为短波紫外辐射的作用而出现磷光 体退化。静态高强度操作，如在UV-B光疗中所使用的那样，是对磷光体导致损害的因素，导致在使用寿命期内的电-光效率的降低。
而且，在放电灯内部，其中所述气体填充物包含汞，汞离子和电子 在磷光体表面上的再结合或被激发的汞原子和电子入射到磷光体层上 随时间？ I起磷光体发射率的降低。
减少紫外光输出下降的广泛应用的方法包含Al203(alon-c)纳米粒子 保护层的加入，其中1-8%的alon-c被加入到发光材料中。
更好的解决方法是采用更不易于退化的窄带UV-磷光体代替 LaB306:Bi,Gd。

发明内容
本发明的目标是提供特别是用于光疗和杀菌目的的放电灯，其具有 更高的UV-B或UV-C输出，更长的寿命和改善的流明保持性。
根据本发明，这个目标通过具有气体放电管的气体放电灯实现，该 气体放电管包含具有维持放电组合物的气体填充物，至少部分的该放电 管的壁具有发光材料，该发光材料包含作为第一 UV-磷光体的式 La^MgAlnCh9丄nx的镧系元素活化的镧4^铝酸盐，其中所述镧系元素 Ln选自Ce(III)、 Pr(III)、 Nd(III)禾口 Gd(III),且0.001 ￡ x ^ 0.5, it方文电》丁 进一步具有用于产生和维持放电的装置。
本发明是基于以下认识是在LaB306:Bi,Gd主晶格中用作敏化剂的 铋倾向于与杂质或主体晶体结构(host，s crystalline structure )中的缺陷 反应。再加上静态长时间使用，叙、的这种反应会迅速地降^f氐UV-B灯的 光输出。
根据本发明的磷光体包含在主晶格中的镧。镧在光发射中也具有敏 化功能，但与铋相比对晶体缺陷和氧化还原反应的敏感度要低得多。
所述磷光体显示出高保持性，也就是说在vuv辐射下在操作时间
期间产率和色点(colorlocus)的保持性。此外，所述磷光体显示出具有4艮 少或没有可见光范围内的发射的窄带UV-发射，其就放电灯的效率而言
是最优的。
由于发光材料的高光化学稳定性，根据本发明的灯可用于其中磷光 体的光退化或热淬灭限制了仪器性能的紫外辐射所有应用领域中，例如 在高负荷的荧光灯中。
根据本发明的优选的实施方案，所述放电灯在维持放电组合物中包含汞。根据本发明的放电灯看起来可以非常良好地耐受在操作中在低气 压汞蒸气放电灯的放电管中普遍的汞-稀有气体气氛的作用，该放电灯包 含发光材料，该发光材料包含作为第一 UV-磷光体的式
LakMgAlnCh9丄nx的镧系元素活化的镧镁铝酸盐，其中所述镧系元素 Ln选自Ce(III)、 Pr(III)、 Nd(III)和Gd(III)，且0.001 ^ x ￡ 0.5。因此，由 于汞和UV-磷光体之间的相互作用所致的发黑被减少，导致保持性的改 善。在放电灯的使用寿命期间，更少量的汞被从所述放电中提取出来， 从而此外，实现放电灯的汞消耗的减少并且在低压汞蒸气放电灯的生产 中更小的汞剂量就可以满足要求。
根据本发明的另一个进一步优选的实施方案，所述放电灯的维持放 电组合物包含受激准分子形成物(excimer former)例如氛。近年来，发射 受激准分子辐射的放电灯逐渐被了解。受激准分子是在正常条件下具有 未束缚(unbound )或弱束缚(weakly bound)基态的分子的不稳定的被激发 的复合物(complexes)。所述受激准分子复合物只在激发态存在并且在小 于l微秒的时间内分解。在其衰变过程中它们以窄带辐射的形式释放它 们的结合能(bonding energy)。
由于它们的窄带隙，当被由受激准分子-形成组合物提供的窄带辐 射激发时，根据本发明的磷光体特别有用。
也可以优选所述发光材料包含第二 UV-磷光体以调整灯的光谱。此 类UV-磷光体可以选自SrAl12019:Ce, (La^Gd^PCV.Ce或它们的混合物。
也可以优选所述发光材料进一步包含选自Al203、MgO、MgAl204和 Y203的添加剂以减少在磷光体和放电管的玻璃壁上的溅射。
根据本发明的放电灯可以优选的用于医疗目的，也可以用于美容和 杀菌目的以及光化学过程。
根据本发明的第二方面，提供了 UV-磷光体，该UV-磷光体是式 La^MgAluCh9丄nx的镧系元素活化的镧镁铝酸盐，其中所述镧系元素 Ln选自Ce(III)、 Pr(m)、 Nd(III)和Gd(III),且0.001 ^ x S 0.5。
在主晶格中包含铈、镨、钕或钆作为活化剂和镧(ni)作为敏化剂的 uv-磷光体是非常明亮的结晶磷光体，即此发射uv辐射的磷光体结合
了在VUV范围内很好的吸收和高于80%的很高的发射量子产率。与其 他的uv-磷光体不同，其几乎不被vuv辐射退化。尽管其不含铋、，但
是其具有较长的使用寿命和改进的发光。特别有用的UV-磷光体是LakMgAluO!9:Cex, La^MgAlnO^Prx, La!國xMgAlnCh9:Ndx , La^xMgAluOi9:Gdx , Lai-xMgAlnOi9:(Ce,Gd)x , La!.xMgAlnO!9:(Pr,Gd)x, LaLxMgAluOw:(Nd,Gd)x,其中0.001^x^0.5。
已经发现通过选自Ce(III)、 Pr(III)、 Nd(III)和Gd(III)的镧系元素活 化镧镁铝酸盐，产生了非常有效的发光物质，其可以被短波真空紫外辐 射以及阴极射线和X射线激发。根据本发明的发光屏(luminescent screens)具有发光铝酸盐在电磁谱的可见光范围内有很少或没有发射带 的优点。
才艮据本发明的优选的实施方案，UV-磷光体具有1 |Lim < d < 20 |Lim 的颗粒尺寸。
包含具有在l.iiim < d < 20 pm的范围内的颗粒尺寸d的UV-磷光 体的磷光体层形成非常密实的层，其可以满意地保护磷光体免受汞等离 子体损害。此外，这个非常密实的层使得在磷光体层表面上的汞离子和 电子的再结合被减少。
根据后面所描述的实施方案，本发明的这些和其他方面将是显而易 见的并且可以一皮阐明。
具体实施例方式
虽然预期本发明的磷光体可以用于通常的美容、医疗和杀菌目的， 例如供水设备和污水处理厂的灭菌、不同类型的气体和液体的灭菌，以 及用于例如漆的产品的生产、加工和处理的光化学过程，本发明特别关 于用于光疗目的的低压放电灯进行描述并且发现在用于光疗目的的低 压放电灯中具有特定应用，其中需要具有更高数量的窄带UV发射的光 谱。
典型的，紫外灯是低压汞蒸气放电灯。这些紫外灯的发光原理和其 他已知的荧光灯的原理完全相同。所述紫外灯与典型的焚光灯的不同仅
仅在于其使用uv-磷光体膜和在于其放电管是由具有良好的紫外辐射透
光率的玻璃或熔凝石英制成。在此类紫外辐射灯中，被激发的汞原子发
射被所述UV-磷光体转换为UV-B和或UV-C辐射的远紫外射线。
大多数现有已知的和商业上可见的紫外灯是所述低压汞蒸气放电 灯型。但是因为汞是高度有毒的物质，近来发展了许多新型的灯。 一种 有希望取代充汞灯的候选是介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)灯。除了消除汞以外，其还提供寿命长和可忽略的预热时间的优 点。
DBD灯的操作原理基于在可离子化放电介质中的气体放电。
此外，介质阻挡放电灯需要至少一个所谓的介质阻挡电极。介质阻 挡电极通过电介质而与放电空间隔离。该电介质可以，例如，设计为覆 盖所述电极的电介质层，或者当所述电极被设置在放电管的壁的外侧 时，其可以由灯自身的放电管形成。
DBD灯的可离子化的放电介质典型地包含受激准分子形成物，其通 常由例如氙气的惰性气体或气体混合物组成。在气体放电过程中，其优 选的通过脉沖操作方法操作，形成受激准分子。受激准分子是被激发的 分子，例如Xe^，当它们返回通常的未束绰的基态时其发射电磁辐射。 所述受激准分子的电磁辐射被发光材料通过与在充汞焚光灯中发生的 相似的物理过程转换为更长波长的辐射。
图1是根据本发明的介质阻挡放电灯1的图示的截面图。以真空密 封方式密封的放电管2由玻璃制成并且在放电空间3中包含形成受激准 分子的气体混合物。玻璃管2的平行壁(4, 5)具有2 mm的壁厚并且在 远离放电空间(3)的表面(6, 7)上提供有平面电极(8, 9)。电极(8)由对所产 生的辐射透明的金属栅(metal grid)组成(例如金栅电极(gold grid electrode);栅距1.5mm)。电极(9)是蒸气沉积的镜面铝电极(mirroring aluminium electrode)。壁(4, 5)的内表面(10, 1 l)之间的间隔是放电距离 (striking distance)d 。与》文电距离d相比壁(4 , 5)线性尺寸(linear dimenstions)大。内表面(10, 1 l)提供有包含发光材料(12, 13)的层。
示于图1的扁平设计特别适合于皮肤疾病的光疗治疗。
在一个优选的实施方案中，根据本发明的DBD灯填充有氙气，典 型的具有在50-200mbar之间的填充压力，优选在100-150mbar之间。在 气体混合物中由辉光放电产生的受激准分子辐射依赖于在放电空间中 的气体的组成而变化。包含少于30vol.Q/。氙气的气体混合物基本上发射 147nm的共振辐射(resonance radiation)。包含超过30vol.%的氮气的优 选的气体混合物发射172nm的受激准分子辐射。
与发射紫外辐射的低压汞放电灯相比DBD灯的优点是灯几何形 状的自由设计(弯曲的、平的、管状的等)，长灯寿命，没有在200-800 nm 波长范围中的不期望的降低性能的发射，高效率和无污染。所述发光材料一旦被所述放电的初级辐射激发就发射UV-B辐射和 /或UV-C辐射并且包含式La^MgAluO^丄nx的镧系元素活化的镧镁铝 酸盐，其中所述镧系元素Ln选自Ce(III)、 Pr(m)、 Nd(III)和Gd(III),且 0.001 Sx^0.5。
通过采用已知的发光材料与根据本发明的uv-磷光体混合可以容 易地得到不同的紫外波谱能量分布，因此产生不同的辐射强度，以提供 产生用于通常目的所期望的光谱的涂层。
特别的，SrAl12019:Ce和(La^Gdx)P04:Ce是熟知的用于产生宽带 UV-B辐射的磷光体材料，而SrB407:Eu,或LaMgAln019:Ce则用于产 生UV-A辐射。
这些熟知的产生紫外辐射的荧光磷光体材料可以以不同的比例混 合以产生所期望的紫外辐射比率和强度，且因此提供预定的光疗或杀菌 强度。可替代的，所述磷光体涂层可以由在气体放电管的内壁上的双磷 光体层组成，该磷光体层在一层中包含根据本发明的UV-磷光体和在第 二层中包含第二 UV-磷光体。
本发明的第二方面集中于由式La^MgAlnCh9丄nx的镧系元素活化 的镧镁铝酸盐组成的UV-磷光体，其中所述镧系元素Ln选自Ce(III)、 Pr(III)、卿II)和Gd(III),且0.001 ^ x ^ 0.5。
根据本发明的UV-磷光体包含镧镁铝酸盐LaMgAluO^作为基本主 晶格(basic host lattice)。
镧镁铝酸盐LaMgAh!019具有特有的六方晶型结构(hexagonal crystal structure),该结构在^皮选自Ce(III)、 Pr(III)、 Nd(III)和Gd(III)或它 们的混合物活化的情况下也基本被保持。
这种六方晶型结构显示了与矿物》兹4g石(mineral magnetoplumbite) 或P-氧化铝的结晶结构的巨大类似之处。这两种六方结构是密切相关 的。
因为其光带隙(optical band gap)是约180nm ， 所以主晶格 LaMgAl 019非常适合吸收高于180nm的VUV光子(图2)，且其在 200-400nm范围是高度反射性的。由于该大的带隙，所述主晶格不能吸 收从活化剂发射的辐射。且所述主晶格是比较刚性的，因此不容易激发 导致非辐射弛豫(其降低效率)的晶格振动。
在镧镁铝酸盐LaMgAlnCh9的三维网络结构中，活化剂离子被引入并取代部分的镧。Ce(ni)、 Pr(m)、 Nd(m)和Gd(III)活化剂离子可以以一 种金属或两种或更多种金属的混合物存在。
根据本发明的磷光体的激发带被发现是从120到200nm的宽带。因 此，4艮明显该磷光体可以被185nm(Hg)以及172nm(Xe)波长的辐射有效 地激发。这样，所述发光材料具有用于转换汞弧光放电或氙受激准分子 放电的VUV辐射为UV-B或UV-C辐射的理想特性。
通过选择合适的活化剂或活化剂的组合，可以给予放电灯所发射的 辐射在UV-B或UV-C范围内的任何所期望的波长。例如，如附于本专 利的附3和图4所示，所述材料被发现对高Pr(III)浓度可以发射具 有250nm范围峰值的窄带并且对高Gd(III)浓度则可以发射具有310nm 范围峰值的窄带。
特别的，钆是出色的活化剂，因为其基态和激发态都位于主晶格带 隙的约6eV之内。
钆通过4f-5df跃迁，即涉及f-轨道能级的电子跃迁吸收和发射辐射。 虽然f-f跃迁是量子力学禁阻的，导致很弱的发射强度，但已知例如 Gd(III)的某些稀土离子通过所允许的4f-5df跃迁(通过d轨道/f轨道杂化) 强烈地吸收辐射且因此在电磁波谱的UV-B范围内产生高发射强度。
因此，掺杂Gd(III)的LaMgAlnO^可以被用于Xe受激准分子放电 灯而不需进行任何进一 步的敏化，因为主晶格从放电有效地吸收入射的 紫外光子并且此后将所述能量转移至Gd(III)活化剂。
主晶格+ hv ~> (主晶格)*
主晶格+Gd(III)—(主晶格)+ Gd3—
Gd3+* — Gd3+ + hv(310-312nm)
但是，如果被应用于汞放电灯中，Gd(III)活化的发光材料的额外敏 化是必须的，因为该活化剂不具备任何达到70,000cm-1高于4f排布的 8S基态能级的电荷转移或4f5d态。因此，其不能吸收来自低压汞放电 的254nm辐射。相反，化学稳定的Ce(III), Pr(III)和Nd(III)是用于本目 的的合适的敏化剂。由于4f15(11排布的能量位置高于4f排布的基态 (3H4),他们可被用作敏化剂。例如，对于游离Pr(m)离子，这两个状态 之间的能隙是相当于160nm的62,000cm-1 。由于电子云扩大效应(nephelauxetic effect )(共价)和5d轨道的晶体场裂分在结晶环境中该能 隙被降低。
因此，部分地，本发明的这个方面在于发现了当一起被引入到主体 材料中时钆被Ce(III), Pr(III)和Nd(III)有效敏化。这种额外敏化作用增 加了 Gd(III)活化的镧4美铝盐在254nm的吸收强度和在172nm的吸收强 度。敏化方案可以描述如下
Me3++hv — Me3+* (Me = Ce, Pr， Nd)
Me3+* + Gd3+ — Me3+ + Gd3+* Gd3+* — Gd3+ + hv(310-312 —
包含钆作为活化剂和镨作为敏化剂的UV-B磷光体的发射光谱与包 含钆作为活化剂和铋作为敏化剂的UV-B磷光体的发射光镨类似，即由 于Gd(III)的4f-4f跃迁其显示出在311nm的窄发射带和小于20nm的半峰宽。
根据本发明的特别有用的窄带UV-B磷光体是La^MgAlnCh9:Cex, Lai-xMgAlu019:Prx, Lai-xMgAluOi9:Ndx, 1^—xMgAlu019:Gdx , La!-xMgAluO!9:(Ce,Gd)x, Lai—xMgAl 019:(Pr,Gd)x, LakMgAluCh9:(Nd,Gd)x, 其中0.001 $x^0.5。
优选的，所述uv-磷光体相对于主晶格中镧阳离子包含数量为
0.001-50 moP/o的活化剂和相对于主晶格中镧阳离子包含数量为0.001-2 molQ/。的敏化剂。
这些UV-磷光体优选以具有l-20^m平均颗粒尺寸的尺寸分布使用。 所述颗粒尺寸由所述磷光体吸收紫外辐射和吸收以及散射可见辐射的 性能决定，但是也由形成很好地粘接在玻璃壁上的磷光体涂层的需要决 定。后一个要求只能由很小的颗粒达到，但是它的光输出比稍大颗粒的 光输出小。
被三价铈、镨、钕、钆或它们的混合物活化的镧镁铝酸盐通常可以 由起始混合物在高温下的固态反应制备，该起始混合物包含数量适于形 成的所期望的组成的所需元素的氧化物或产生氧化物的前体化合物。当 镨一皮用作活化剂时，这个反应应该在弱还原气氛中进行(例如，包含I-IO vol%氢气或一氧化碳的氮气)。已经发现反应温度对所期望的铝酸盐相的形成很重要。该温度应当位于IIO(TC和MOO。C之间。进一步的，熔 盐或熔剂(melting salt or flux)的使用(例如，以氟化镁的形式的使用部分 所需要的镁)是推荐的。
为了将所述磷光体施加到气体放电管的壁上，通常使用流涂过程。 用于流涂过程的涂料悬浮液包含水或例如乙酸丁酯的有机化合物作为 溶剂。所述悬浮液通过添加例如纤维素衍生物、聚曱基丙烯酸或聚氧化 丙烯的助剂来稳定并且影响其流变性质。通常地，使用进一步的添加剂 例如分散剂、消泡剂和粉末调节剂，如氧化铝、氮氧化铝或硼酸。所述 磷光体悬浮液通过浇注、沖洗(flushing)和喷涂作为薄层提供在气体放电 管的内侧。所述涂层随后通过热空气干燥并在约60(TC下煅烧。所述层 通常具有l-50pm范围之内的厚度。
具体实施方案1 a丄aMgAlnOi9:4。/。Pr的合成
为了制备UV-C磷光体LaMgAluCh9:4o/。Pr,原料2.047 g (6.282 mmol) La203, 0.422 g (10.470 mmol) MgO, 0.163 g (2.618 mmol) MgF2, 7.339 g (71.982 mmol)Al203和0.0891 g (0.0872 mmol) Pr6Ou在100。C下干燥， 碾碎，并且随后在1000。C在CO气氛中退火lh。在经过充分研磨步骤后， 所述粉末在间歇的研磨下在140(TC下在CO气氛中4h退火两次。
最后，再次碾碎粉末，在6(TC下用650ml水洗涤几小时，并且在 100。C下干燥。所述LaMgAluO^:4。/。Pr是晶体并且具有3-4微米的平均 颗粒尺寸。
图3示出了 LaMgAl 019:4%Pr的发射、激发和反射光谱。 b.包含LaMgAlu019:4%Pr的UV-C灯
制备包含LaMgAlnCh9:4。/。Pr和1% alon-c的基于乙酸丁酯的磷光体 悬浮液并用36)im的筛过滤。采用流涂相关工艺，所述悬浮液被施加到 290( )玻璃管的内壁上。调整悬浮液的粘度使得所得到的磷光体层具有 0.5-3.0 mg/cm2的层重( screen weight》
在所述涂覆过程之后，有机残留物(粘结剂等)通过550-600。C的退火 步骤除去。所述灯随后充入少许(afew)毫巴的氩气和l-50mgHg。最后， 将电极连接到灯上并且密封所述管。具体实施方案2
a丄aMgAluOw:15。/。Gd的合成
为了制备UV-B磷光体LaMgAlnCh9:15。/。Gd,原料1.785 g (5.478 mmol) La203, 0.421 g (10.433 mmol) MgO, 0.163 g (2.608 mmol) MgF2, 7.314 g (71.731 mmol) A1203和0.378 g (1.043 mmol) 0(1203在玛瑙研钵 中充分混合。所得到的粉末被干燥、碾碎并且随后在间歇研磨下在 140(TC下在空气气氛中数小时退火两次。随后，再次研磨并在空气中在 140(TC下退火2小时。最后，再次碾-争粉末，在60。C下用650ml水洗涤 几小时，并且在100。C下干燥。所述LaMgAlnCh9:15。/oGd是晶体并且具 有3微米的平均颗粒尺寸。
图4示出了 LaMgAl 019:15%Gd的发射、激发和反射光谱。
b.包含LaMgAlnO!9:15。/oGd的UV-B灯
制备包含LaMgAlnO^:15。/。Gd和1% alon-c的基于乙酸丁酯的磷光 体悬浮液并用36pm的筛子过滤。采用流涂相关工艺，所述悬浮液被施 加到290( )玻璃管的内壁上。调整悬浮液的粘度使得所得到的磷光体 层具有0.5-3.0 mg/cm2的层重。
在所述涂覆过程之后，有机残留物(粘结剂等)通过550-600。C的退火 步骤除去。所述灯随后充入少数毫巴的氩气和l-50mgHg。最后，将电 极连接到灯上并且密封所述管。
本领域技术人员从前面的描述将意识到本发明的广泛教导可以用 多种形式来实施。因此，虽然以就其特定实施方案描述本发明，但是本 发明的真实的范围不应当被限制于此，因为通过研究附图、说明书和下 列的权利要求，其他的修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的。


在附图中
图1图示地和以截面方式示出了根据本发明的介质阻挡放电灯。 图2示出了 LaMgAlnOw的反射图。
图3示出了 LaMgAln019:4%Pr的发射、激发和反射光谱。 图4示出了 LaMgAlnCh9:15。/oGd的发射、激发和反射光谱。
权利要求
1. 具有气体放电管的放电灯，该气体放电管包含具有维持放电组合物的气体填充物，至少部分的所述放电管的壁具有发光材料，该发光材料包含作为第一UV-磷光体的式La1-xMgAl11O19:Lnx的镧系元素活化的镧镁铝酸盐，其中所述镧系元素Ln选自Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)和Gd(III)，且0.001≤x≤0.5，该放电灯进一步具有产生和维持气体放电的装置。
2. 如权利要求1所述的放电灯，其中所述维持放电组合物包含汞。
3. 如权利要求1所述的放电灯，其中所述维持放电组合物包含受激 准分子形成物。
4. 如权利要去1所述的放电灯，其中所述发光材料还包含第二UV_磷光体0
5. 如权利要求4所述的放电灯，其中所述第二 UV-磷光体选自 SrAl12019:Ce, (LaLxGdx)P04:Ce或其混合物。
6. 如权利要求1所述的放电灯，其中所述发光材料进一步包含选自 A1203, MgO, MgAl204和丫203的添加剂。
7. 如权利要求1所述的放电灯用于美容、医疗和杀菌目的和用于光 化学过程的用途。
8. UV-磷光体，由式La^MgAluCh9丄nx的镧系元素活化的镧镁铝 酸盐组成，其中所述镧系元素Ln选自Ce(III)、 Pr(m)、 Nd(III)和Gd(III), 且0週SxS0.5。
9. 根据权利要求8的UV-磷光体，由选自La^MgAlnCh9:Cex, La!—xMgAl"Ch9:Prx ,Lai-xMgAlu019:Ndx ,La^xMgAluO^Gdx , La卜xMgAluO丄9:(Ce,Gd)x,LakMgAluO!9:(Pr,Gd)x, Lai-xMgAl 019:(Nd,Gd)x 的镧系元素活化的镧4美铝酸盐组成，其中0.001^x^0.5。
10. 如权利要求9所述的UV-磷光体，具有1 nm〈d〈20iLim的尺寸。
全文摘要
本发明涉及具有气体放电管的放电灯，该气体放电管包含具有维持放电组合物的气体填充物，至少部分的所述放电管的壁具有发光材料，该发光材料包含作为第一UV-磷光体的式La_1-xMgAl₁₁O₁₉:Ln_x的镧系元素活化的镧镁铝酸盐，其中所述镧系元素Ln选自Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)和Gd(III)，且0.001≤x≤0.5，该放电灯进一步具有产生和维持气体放电的装置。如果其包含钆作为活化剂，则此类灯对于窄带UV-B光疗尤其有用。本发明也涉及式La_1-xMgAl₁₁O₁₉:Ln_x的镧系元素活化的镧镁铝酸盐形式的UV-磷光体，其中所述镧系金属Ln选自Ce(III)、Pr(III)，Nd(III)和Gd(III)，且0.001≤x≤0.5。
文档编号C09K11/77GK101421374SQ200780013330
公开日2009年4月29日 申请日期2007年3月28日 优先权日2006年4月11日
发明者D·U·韦彻特, P·休帕茨, T·拉特, T·朱斯特尔 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司