疏水疏油涂层及其制备方法

专利名称：疏水疏油涂层及其制备方法
疏水疏油涂层及其制备方法相关申请的交叉引用本申请要求于2006年10月3日提交的美国临时申请第60/849，233号的优先权 权益，该申请的内容以引用的方式全部引入。
背景技术：
许多聚合物/塑料材料具有理想的整体特性，例如低密度、低成本、良好的强度和 易处理性，这使得它们可以成为许多生活消费品和消费设备的整体构件。不过，对于特定用 途而言，具有理想整体特性的许多塑料品在表面特性诸如例如耐磨损性和润湿性等方面有 所欠缺。因此，理想的是在聚合物/塑料上进行涂层以修饰其表面，从而使其有利的整体特 性能够用于各种用途。在许多情况中，许多设备被设计为防止水进入该设备的内部从而维持适当的功能 性。制造商常常设计用于如下环境的设备，即水或其它液体材料可能会与设备和设备构件 相接触。设备和设备构件可具有各种防护罩以保护设备和构件的内部。防护罩往往由多个 部分构成，结果造成各种接缝和开口，这些接缝和开口可能会使得内部受到液体的损害。许 多设备还需要在防护罩内有小的开口或空隙，从而允许空气或其它气体在设备的内部和外 部间自由流动，同时防止液体穿过该防护罩。例如，用于为电子装置供电的电池容易受到水 分的损害，但又需要外部氧源来工作。另外，设备可能含有液体材料，所述液体材料需要在 该设备内容纳一段较长时间，直至该液体被分配。例如，喷墨墨盒常常含有在该墨盒中容纳 较长时间的液体墨水溶液。

发明内容
根据至少一个实施方式，一种方法可包括将第一硅烷沉积到表面上和将第二硅烷 沉积到第一硅烷上，所述第一硅烷包括官能性连接基团和硅烷基团，且所述第二硅烷包括 疏水性脂族基团和硅烷基团。在特定实施方式中，一种组合物可包括下述物质的反应产物包括羟基基团的基 材、包括官能性连接基团和硅烷基团的第一硅烷、以及包括疏水性脂族基团和硅烷基团的
第二硅烷。在各种实施方式中，一种涂层组合物可包括与表面结合的第一硅烷和通过硅氧烷 键与第一硅烷结合的第二硅烷，所述第一硅烷包括硅烷基团，且所述第二硅烷包括疏水性 脂族基团。在特定实施方式中，一种制品可包括具有表面的第一部分、与第一部分的表面结 合的第一硅烷、以及通过硅氧烷键与第一硅烷结合的第二硅烷，所述第一硅烷包括硅烷基 团，且所述第二硅烷包括疏水性脂族基团。在其它实施方式中，一种助听装置可包括具有表面部分的第一构件和与该第一构 件的表面部分结合的涂层组合物，所述涂层组合物包括与第一构件的表面部分结合的粘附 层和与粘附层结合的疏水层。
在至少一个实施方式中，一种方法可包括将粘附促进化合物(adhesion promoting compound)沉积到表面上，所述粘附促进化合物包括官能性连接基团和硅烷官 能团与锗官能团中的至少一种。该方法还可包括将疏水层形成化合物(hydrophobic layer forming compound)沉积到粘附促进化合物上，所述疏水层形成化合物包括疏水性脂族基 团和硅烷官能团与锗官能团中的至少一种。在各种实施方式中，一种组合物可包括下述物质的反应产物包括羟基基团的基 材、包括粘附促进化合物的粘附促进组合物和包括疏水层形成化合物的疏水层形成组合 物，所述粘附促进化合物包括官能性连接基团和硅烷官能团与锗官能团中的至少一种，且 所述疏水层形成化合物包括疏水性脂族基团和硅烷官能团与锗官能团中的至少一种。上述实施方式的特征可根据本文所描述的一般原理而彼此组合使用。当阅读下述 详细描述及所附附图和权利要求时，将会更充分地理解这些和其它实施方式、特征及优点。


附图描述了许多示例性实施方式并构成说明书的一部分。这些附图与下述说明共 同证明并解释了本发明公开内容的各种原理。图1是根据至少一个实施方式的包括涂层的示例性制品的一部分的截面图；图2是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图3是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图4是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图5是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图6是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图7是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图8是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图9是根据另外的实施方式的用于在表面上形成涂层的示例性方法的流程图；图10A是根据另外的实施方式的在其一部分上形成有涂层的示例性助听装置；图10B是根据另外的实施方式的在其一部分上形成有涂层的示例性助听装置；图10C是根据另外的实施方式的在其一部分上形成有涂层的示例性助听装置；图10D是根据另外的实施方式的在其一部分上形成有涂层的示例性助听装置；图11是根据另外的实施方式的在其一部分上形成有涂层的示例性硅基 (silicon-based)制品。在全部附图中，相同的附图标记和描述表示类似的、但不一定完全相同的构件。本 文中描述的示例性实施方式允许有各种修饰和变化方式，具体的实施方式已经由附图中的 例子显示，并将在本文中进行详细描述。然而，本文中描述的示例性实施方式并非意图限制 于所公开的特定形式。相反，本发明的公开内容涵盖了所有落入所附权利要求范围内的修 饰、等价物和替代物。
具体实施例方式本发明的公开内容中所表述的硅烷组合物可被沉积在制品上以使该制品具有各 种特性。在本发明的公开内容中也表述了将组合物施用于各种制品上的方法。本文中讨论的组合物和方法还可提供各种其它特征和优点。图1是包括基材22和涂层沈的示例性制品20。如该图所描述般，基材22可包括 表面M。另外，涂层沈可包括粘附促进层观和疏水层30。制品20可包括任何合适的具 有表面部分的制品或装置。制品20的例子可包括但不限于电子设备、硅晶片、硅芯片、喷墨 墨盒、塑料膜、电池、电池触点、可充电电池、网状遮盖物、耳机及前述制品的构件。制品20 还可包括成型为任何形状、尺寸、质地或构造的表面，包括例如平面、曲面、粗糙表面、平滑 表面和/或不规则表面。另外，制品20可包括各种助听装置、构件和/或附件，包括例如壳 体构件、盖子、耳内穹隆物(例如用于助听产品)、麦克风套(例如织物网状套)、音量控制 器、开关、按钮、麦克风端口、接收端口、管子、耳挂、声阻尼元件、电池盒盖(battery door), 电池、电池触点、管口、DAI连接器、水分和/或蜡防护物、面板元件、耳模(例如用于标准耳 模和定制耳模)以及任何其它助听装置或构件。基材22可包括任何适于沉积下述硅烷化合物的材料或材料组合。适于形成基材 22的材料的例子包括但不限于聚合物材料、金属材料、复合材料、硅基材料、半导体材料、绝 缘材料或前述材料的组合。基材22的表面M可包括基材22和/或制品20的外部和/或 内部。涂层沈可形成于完成的制品组件、制品的分组件(sub-assembliy)、单独的制品、 装置构件和/或壳体构件的部分上。涂层沈可具有相对于表面M而言基本一致的厚度。 作为选择，涂层26也可间歇地、和/或以某些模式地来施用于表面M。另外，涂层沈可仅 施用于表面M的所需部分，例如，与限定在表面M中或者邻接于表面M的接缝、孔、空隙 或其它开口相接触或位于它们紧邻的表面M的部分。涂层26可使表面M具有各种特性， 包括，例如，提高的疏水性、提高的疏油性、提高的耐磨损性、提高的防染色性和/或提高的 防变色性。涂层沈还可为表面M和/或基材22的部分提供透气性，同时为表面M提供 液体不渗透性。另外，涂层26可包括超薄透明层，这能够使要在表面M上形成的涂层沈 对制品20的功能性或美观没有或几乎没有影响。粘附促进层观可以形成于表面M上。在某些实施方式中，粘附促进层观可与表 面对结合。粘附促进层观可用作将其它化合物结合并稳固(ensure)在基材M上的粘附 促进剂。粘附促进层观可包括具有至少两个反应性基团的第一硅烷。另外，第一硅烷和/ 或粘附促进层观可包括各种硅烷化合物的混合物。粘附促进层观还可包括除了第一硅烷 之外的其它化合物。粘附促进层观中的其它化合物可为粘附促进层观赋予各种理想特性 (例如，抗微生物性)，而不会妨碍粘附促进层观和/或第一硅烷用作粘附促进剂。在某些实施方式中，除硅烷化合物(例如，第一硅烷)之外或作为其替代，粘附促 进层观可包括锗基化合物(germanium based compound) 0锗基化合物可以以与类似的硅 化合物相似的方式用作粘附促进剂。因此，以下列出作为第一硅烷的例子的硅化合物可由 类似的锗化合物取代或替换。第一硅烷能够形成包括硅氧烷(Si-O-Si)键的聚合物。在至少一个实施方式中， 第一硅烷可不受限制地包括下述基团中的至少一种异氰酸酯基团、酰氯基团、环氧化物基 团、缩水甘油基基团、氨基基团、甲酯基团、异硫氰酸根基团、羧基基团、活化羧基基团、烷基 氯基团、烷基溴基团、烷基碘基团、苄基氯基团、苄基溴基团、氯硅烷基团(如-SiCl3)、甲氧 基硅烷基团(例如，-Si (OCH3) 3)、乙氧基硅烷基团(例如，"Si (OCH2CH3) 3)和/或任何其它合适的反应性官能团。第一硅烷还可包括至少一个硅烷基团。在一个示例性实施方式中，第一硅烷上的 硅烷基团可由式⑴表示
R1(I)
-SiR2
I3
R3其中，R1、R2和R3各自独立地是F、Cl.Br, I、H、OH、甲氧基、乙氧基、异丙氧基、烷氧
基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、 单烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。在至少一个实施方式中，第一硅烷可由式(II)表示
1
2 (11) X-(CH2)n-Si-R2
I3
R3其中，X可为但不限于异氰酸酯基团、酰氯基团、环氧化物基团、缩水甘油基基 团、氨基基团、甲酯基团、异硫氰酸根基团、羧基基团、活化羧基基团、烷基氯基团、烷基溴基 团、烷基碘基团、苄基氯基团、苄基溴基团、氯硅烷基团(如-SiCl3)、甲氧基硅烷基团(例 如，-Si (OCH3) 3)、乙氧基硅烷基团(例如，-Si(OCH2CH3)3)和/或任何其它合适的反应性官 能团。在式(II)中，η可为0 32的整数。在另外的实施方式中，η可为1 18的整数。 在至少一个实施方式中，η可为3 4的整数。另外，在式(II)中，R1、! 2和R3可如上式⑴ 中所定义。第一硅烷的代表性例子包括但不限于3-异氰酸丙酯基三乙氧基硅烷、3-异氰 酸丙酯基三甲氧基硅烷、4-异氰酸丁酯基三乙氧基硅烷、4-异氰酸丁酯基三甲氧基硅烷、 3-异氰酸丙酯基二甲基氯硅烷、(异氰酸甲酯基)甲基二甲氧基硅烷、3-硫氰酸丙酯基三 乙氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基 硅烷、4-氨基丁基三甲氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基-三甲氧基硅烷、N-(2-氨 基乙基)-3-氨基异丁基-甲基二甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨 基丙基三乙氧基硅烷、N-甲基氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基甲基二乙氧基 硅烷、N-乙基氨基异丁基三甲氧基硅烷、(N，N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N， N- 二乙基-3-氨基丙基)三乙氧基硅烷、正丁基氨基丙基三甲氧基硅烷、11-氨基i^一烷 基三乙氧基硅烷、11-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨基 丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二甲基乙氧基硅烷、3-氨基丙基二甲基甲氧基硅烷、 3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、 N- (2-氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、 (氨基乙基氨基甲基)苯乙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基异丁基甲基二甲氧基硅烷、N- (2-氨基乙基)-3-氨基异丁基甲基二乙氧基硅烷、N- (2-氨基乙基)-3-氨基异 丁基二甲基甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基异丁基二甲基乙氧基硅烷、(3-缩水甘 油氧基丙基)三甲氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丙基)三乙氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丙 基)甲基二甲氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丙基)甲基二乙氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丙 基)二甲基乙氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丁基)三甲氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丁基) 三乙氧基硅烷、SiCl4, Si (CH3) Cl3、Si (CH3) 2C12、Si (OCH3) 4、Si (CH3) (OCH3) 3、Si (CH3) 2 (OCH3) 2、 Si (OCH2CH3)4^ Si (CH3) (OCH2CH3)3^ Si (CH3)2(OCH2CH3)2^ Si (N(CH3)2)4> SiH (N (CH3) 2) 3 和 Si (CH3) (N (CH3) 2) 3、SiCl (N (CH3) 2) 3、Si (CH3) H (N (CH3) 2) 2。能够通过例如硅氧烷键或其它端基键与表面M结合的第一硅烷的其它例子包括 但不限于双(二甲基氨基二甲基甲硅烷基)乙烷、双(二甲基氨基)乙烯基甲基硅烷、 3-巯基丙基三乙氧基硅烷、乙酰氧基乙基三甲氧基硅烷、双(氯甲基)二氯硅烷、双(氯甲 基)甲基氯硅烷、双(二氯甲硅烷基)甲烷、双(甲基二氯甲硅烷基)乙烷、双(三氯甲硅烷 基)己烷、双(三氯甲硅烷基)甲烷、双(三氯甲硅烷基)辛烷、1，3_双(三氯甲硅烷基) 丙烷、双(乙氧基甲硅烷基)乙烷、2-溴乙基三氯硅烷、1-氯乙基三氯硅烷、六氯二硅烷、甲 基三氯硅烷、十六烷基三氯硅烷、四溴硅烷、三氯甲基三氯硅烷、三(三氯甲硅烷基乙基)甲 基硅烷和三(对-三氯甲硅烷基丙基苯基)胺、双(甲基二氯甲硅烷基)丁烷。疏水层30可形成于粘附促进层观上。在某些实施方式中，疏水层30可与粘附促 进层观结合。疏水层30可用作疏水和/或疏油层。另外，第二硅烷可用作疏水和/或疏 油化合物。疏水层30可包括具有至少一个全氟化脂族基团和至少一个硅烷基团的第二硅 烷。除第二硅烷之外，疏水层30还可以包括另外的化合物。疏水层30中的另外的化合物 可为疏水层30赋予各种理想特性(例如，抗微生物性)，而不会妨碍疏水层30和/或第二 硅烷用作疏水和/或疏油的层或化合物。为对涂层沈赋予疏水性，第二硅烷可包括长的烷基链、部分氟化的烷基链和/或 具有全氟化区域的烷基链，上述任何链可为直链或支链的。例如，第二硅烷可包括具有通式 CF3 (CF2) n (CF2) JiR1R2R3和 / 或 CF2H (CF2) n (CF2) JiR1R2R3 的烷基链，其中 η和 m为整数(η 彡 0， m > 0)。另外，第二硅烷和/或疏水层30可包括烷基、全氟烷基或部分氟化的烷基链的混 合物。第二硅烷能够通过例如硅氧烷(Si-O-Si)键而与第一硅烷结合。另外，第二硅烷 能够形成含有硅氧烷键的聚合物。在一个示例性实施方式中，第二硅烷上的硅烷基团可由 式(III)表示
权利要求
1.一种方法，其包括(a)将第一硅烷沉积到表面上，所述第一硅烷包括官能性连接基团和硅烷基团；(b)将第二硅烷沉积在所述第一硅烷上，所述第二硅烷包括疏水性脂族基团和硅烷基团。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷的官能性连接基团包括下述基团中的 至少一种异氰酸酯基团； 酰卤基团； 环氧化物基团； 缩水甘油基基团； 氨基基团； 甲酯基团； 异硫氰酸根基团； 羧基基团； 活化羧基基团； 烷基卤基团； 苄基卤基团； 氯硅烷基团； 甲氧基硅烷基团； 乙氧基硅烷基团。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷包括由下式表示的结构
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基团包括下述链中的至 少一种烷基链；部分氟化的烷基链；全氟烷基链。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷包括由下式表示的结构
8.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括聚合物基材的表面。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括硅基基材的表面。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括羟基基团。
11.如权利要求10所述的方法，其中(a)包括通过将所述第一硅烷与所述表面的羟基 基团反应而使所述第一硅烷与所述表面结合。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括含有硅烷醇基团的硅基基材的表面。
13.如权利要求12所述的方法，其中(a)包括通过使所述第一硅烷的硅烷基团与所述 硅基基材的硅烷醇基团反应形成硅氧烷键而使所述第一硅烷与所述表面结合。
14.如权利要求1所述的方法，其还包括在(a)之前的(C)将所述表面的一部分氧化。
15.如权利要求14所述的方法，其中(c)包括使所述表面与下述中的至少一种相接触等离子体； 氧化剂；紫外光。
16.如权利要求1所述的方法，其还包括在(b)之前的(d)将所述第一硅烷水解。
17.如权利要求16所述的方法，其中(d)包括将所述第一硅烷上的硅烷基团水解形成硅烷醇基团。
18.如权利要求17所述的方法，其中(b)包括通过使所述第二硅烷的硅烷基团与所述 第一硅烷的硅烷醇基团反应形成硅氧烷键而使所述第二硅烷与所述第一硅烷结合。
19.如权利要求16所述的方法，其中(d)包括将所述第一硅烷与水分相接触。
20.如权利要求1所述的方法，其还包括在(a)之前的(e)将所述第一硅烷蒸发形成汽化的第一硅烷。
21.如权利要求20所述的方法，其中(a)包括使所述基材与所述汽化的第一硅烷相接触。
22.如权利要求1所述的方法，其还包括在(b)之前的(f)将所述第二硅烷蒸发形成汽化的第二硅烷。
23.如权利要求22所述的方法，其中(b)包括使所述第一硅烷与所述汽化的第二硅烷 相接触。
24.如权利要求1所述的方法，其还包括(g)将下述物质中的至少一种交联 所述第一硅烷；所述第二硅烷。
25.如权利要求1所述的方法，其还包括(h)将下述物质中的至少一种固化所述第一硅烷； 所述第二硅烷。
26.一种组合物，其包括下述物质的反应产物 包括羟基基团的基材；包括官能性连接基团和硅烷基团的第一硅烷； 包括疏水性脂族基团和硅烷基团的第二硅烷。
27.如权利要求沈所述的组合物，其中所述官能性连接基团包括下述基团中的至少一种异氰酸酯基团； 酰卤基团； 环氧化物基团； 缩水甘油基基团；氨基基团； 甲酯基团； 异硫氰酸根基团； 羧基基团； 活化羧基基团； 烷基卤基团； 苄基卤基团； 氯硅烷基团； 甲氧基硅烷基团； 乙氧基硅烷基团。
28.如权利要求26所述的组合物，其中所述第一硅烷通过下述键中的至少一种与所述 基材结合氨基甲酸酯键； 酯键； 醚键； Si-O-C 键； 酰胺键； 亚胺键； 离子键； 硅氧烷键。
29.如权利要求26所述的组合物，其中所述第一硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团
30.如权利要求26所述的组合物，其中所述第一硅烷包括由下式表示的结构
31.如权利要求沈所述的组合物，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基团包括下述链中 的至少一种烷基链；部分氟化的烷基链；全氟烷基链。
32.如权利要求沈所述的组合物，其中所述第二硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团
33.如权利要求沈所述的组合物，其中所述第二硅烷包括由下式表示的结构
34.如权利要求沈所述的组合物，其中所述基材包括聚合物基材。
35.如权利要求沈所述的组合物，其中所述基材包括硅基基材。
36.如权利要求沈所述的组合物，其中所述第一硅烷包括含有硅氧烷键的交联部分。
37.如权利要求沈所述的组合物，其中所述第二硅烷包括含有硅氧烷键的交联部分。
38.一种制品，其包括 具有表面的第一部分；与所述第一部分的表面结合的涂层组合物，所述涂层组合物包括与所述第一部分的表面结合的第一硅烷，所述第一硅烷包括硅烷基团；通过硅氧烷键与所述第一硅烷结合的第二硅烷，所述第二硅烷包括疏水性脂族基团。
39.如权利要求38所述的制品，其中所述第一硅烷通过下述键中的至少一种与所述第 一部分的表面结合氨基甲酸酯键； 酯键； 醚键； Si-O-C 键； 酰胺键； 亚胺键； 离子键； 硅氧烷键。
40.如权利要求38所述的制品，其中所述第一硅烷包括由下式表示的硅烷基团
41.如权利要求38所述的制品，其中所述第一硅烷包括由下式表示的结构
42.如权利要求38所述的制品，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基团包括下述链中的 至少一种烷基链；部分氟化的烷基链；全氟烷基链。
43.如权利要求38所述的制品，其中所述第二硅烷包括由下式表示硅烷基团
44.如权利要求38所述的制品，其中所述第二硅烷包括由下式表示的结构
45.如权利要求38所述的制品，其还包括限定在所述第一部分的表面中的开口。
46.如权利要求45所述的制品，其中所述涂层组合物与所述第一部分的表面在与所述 限定在所述第一部分的表面中的开口邻接的区域处结合。
47.如权利要求45所述的制品，其中所述开口具有限定延伸通过所述制品的一部分的 所述开口的一部分的开口表面，且其中所述涂层组合物与所述开口表面结合。
48.如权利要求45所述的制品，其中所述涂层组合物能够防止液体穿过所述开口。
49.如权利要求38所述的制品，其中所述第一部分的表面包括网状表面，所述网状表 面包括限定在所述网状表面中的开口。
50.如权利要求38所述的制品，其还包括具有表面的第二部分，其中开口限定在所述 第一部分的表面与所述第二部分的表面之间。
51.一种设备，其包括助听装置，所述助听装置包括 第一构件，所述第一构件具有表面部分；与所述第一构件的表面部分结合的涂层组合物，所述涂层组合物包括 与所述第一构件的表面部分结合的粘附层； 与所述粘附层结合的疏水层。
52.如权利要求51所述的设备，其中所述疏水层包括疏水性脂族基团，所述疏水性脂 族基团包括下述链中的至少一种烷基链；部分氟化的烷基链；全氟烷基链。
53.如权利要求51所述的设备，其中所述粘附层通过下述键中的至少一种与所述第一 构件的表面部分结合氨基甲酸酯键； 酯键； 醚键； Si-O-C 键； 酰胺键； 亚胺键； 离子键； 硅氧烷键。
54.如权利要求51所述的设备，其中所述疏水层通过下述键中的至少一种与所述粘附 层结合硅氧烷键； Si-O-Ge 键； Ge-O-Ge 键。
55.如权利要求51所述的设备，其中所述涂层组合物的多个部分是交联的。
56.如权利要求51所述的设备，其中所述第一构件包括限定在所述第一构件的表面部 分中的开口。
57.如权利要求56所述的设备，其中所述涂层组合物与所述第一构件的表面部分在与 所述限定在所述第一构件的表面部分中的开口邻接的区域处结合。
58.如权利要求56所述的设备，其中所述开口具有限定延伸通过所述第一构件的一部 分的所述开口的一部分的开口表面，且其中所述涂层组合物与所述开口表面结合。
59.如权利要求51所述的设备，其还包括具有表面部分的第二构件。
60.如权利要求59所述的设备，其还包括与所述第二构件的表面部分结合的涂层组合 物，所述涂层组合物包括与所述第二构件的表面部分结合的粘附层； 与所述粘附层结合的疏水层。
61.如权利要求59所述的设备，其中所述第一构件的表面部分位于所述第二构件的表 面部分附近；且其中开口限定在所述第一构件的表面部分与所述第二构件的表面部分之间。
62.如权利要求61所述的设备，其中所述涂层组合物以足以防止液体穿过所述开口的 量与所述第一部分的表面结合。
63.如权利要求62所述的设备，其中所述涂层组合物以足以允许气体穿过所述开口的 量与所述第一部分的表面结合。
64.如权利要求51所述的设备，其中所述助听装置包括下述构件中的至少一种 壳体构件；音量控制器； 电池盒盖； 麦克风套。
65.如权利要求51所述的设备，其中所述助听装置包括助听器附件，所述助听器附件 包括下述构件中的至少一种电池； 电池触点。
66.一种方法，其包括(a)将第一硅烷沉积到助听装置的表面部分上，所述第一硅烷包括官能性连接基团和 硅烷基团；(b)将第二硅烷沉积到所述第一硅烷上，所述第二硅烷包括疏水性脂族基团和硅烷基团。
67.如权利要求66所述的方法，其中所述第一硅烷的官能性连接基团包括下述基团中 的至少一种异氰酸酯基团； 酰卤基团； 环氧化物基团； 缩水甘油基基团； 氨基基团； 甲酯基团； 异硫氰酸根基团； 羧基基团； 活化羧基基团； 烷基卤基团； 苄基卤基团； 氯硅烷基团； 甲氧基硅烷基团； 乙氧基硅烷基团。
68.如权利要求66所述的方法，其中所述第一硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团
69.如权利要求66所述的方法，其中所述第一硅烷包括由下式表示的结构
70.如权利要求66所述的方法，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基团包括下述链中的 至少一种烷基链；部分氟化的烷基链；全氟烷基链。
71.如权利要求66所述的方法，其中所述第二硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团
72.如权利要求66所述的方法，其中所述第二硅烷包括由下式表示的结构
73.如权利要求66所述的方法，其还包括在(a)之前的 (c)将所述表面的一部分氧化。
74.如权利要求66所述的方法，其中所述助听装置包括下述构件中的至少一种 壳体构件；音量控制器； 电池盒盖； 麦克风套。
75.如权利要求66所述的方法，其中所述助听装置包括助听器附件，所述助听器附件 包括下述构件中的至少一种电池； 电池触点。
76.一种方法，其包括(a)将粘附促进化合物沉积到表面上，所述粘附促进化合物包括官能性连接基团和下 述基团中的至少一种硅烷官能团； 锗官能团；(b)将疏水层形成化合物沉积到所述粘附促进化合物上，所述疏水层形成化合物包括 疏水性脂族基团和下述基团中的至少一种硅烷官能团； 锗官能团。
77.如权利要求76所述的方法，其中所述粘附促进化合物的官能性连接基团包括下述 基团中的至少一种异氰酸酯基团； 酰卤基团； 环氧化物基团； 缩水甘油基基团； 氨基基团； 甲酯基团； 异硫氰酸根基团； 羧基基团； 活化羧基基团； 烷基卤基团； 苄基卤基团； 氯硅烷基团； 甲氧基硅烷基团； 乙氧基硅烷基团。
78.如权利要求76所述的方法，其中所述表面包括羟基基团。
79.如权利要求78所述的方法，其中(a)包括通过使所述粘附促进化合物的官能性连 接基团与所述表面的羟基基团反应而使所述粘附促进化合物与该表面结合。
80.如权利要求76所述的方法，其还包括在(a)之前的(c)将所述表面的一部分氧化。
81.如权利要求76所述的方法，其还包括在(b)之前的(d)将所述粘附促进化合物水解。
82.如权利要求76所述的方法，其还包括在(a)之前的(e)使所述粘附促进化合物蒸发形成汽化的粘附促进化合物。
83.如权利要求76所述的方法，其还包括在(b)之前的(f)使所述疏水层形成化合物蒸发形成汽化的疏水层形成化合物。
84.如权利要求76所述的方法，其还包括(g)将下述物质中的至少一种交联 所述粘附促进化合物；所述疏水层形成化合物。
85.—种组合物，其包括下述物质的反应产物 包括羟基基团的基材；包括粘附促进化合物的粘附促进组合物，所述粘附促进化合物包括官能性连接基团和 下述基团中的至少一种 硅烷官能团； 锗官能团；包括疏水层形成化合物的疏水层形成组合物，所述疏水层形成化合物包括疏水性脂族 基团和下述基团中的至少一种 硅烷官能团； 锗官能团。
86.如权利要求85所述的组合物，其中所述粘附促进组合物和所述疏水层形成组合物 中的至少一种包括具有硅烷官能团的化合物；且其中所述粘附促进组合物和所述疏水层形成组合物中的至少一种包括具有锗官能团 的化合物。
87.如权利要求85所述的组合物，其中所述粘附促进化合物的官能性连接基团包括下 述基团中的至少一种异氰酸酯基团； 酰卤基团； 环氧化物基团； 缩水甘油基基团； 氨基基团； 甲酯基团； 异硫氰酸根基团； 羧基基团；活化羧基基团； 烷基卤基团； 苄基卤基团； 氯硅烷基团； 甲氧基硅烷基团； 乙氧基硅烷基团。
88.如权利要求85所述的组合物，其中所述粘附促进化合物通过下述键中的至少一种 与所述基材结合氨基甲酸酯键； 酯键； 醚键； Si-O-C 键； 酰胺键； 亚胺键； 离子键； 硅氧烷键。
89.如权利要求85所述的组合物，其中所述粘附促进化合物包括由下式表示的基团
90.如权利要求85所述的组合物，其中所述粘附促进化合物包括由下式表示的结构
91.如权利要求85所述的组合物，其中所述疏水层形成化合物的疏水性脂族基团包括 下述链中的至少一种烷基链；部分氟化的烷基链；全氟烷基链。
92.如权利要求85所述的组合物，其中所述疏水层形成化合物包括由下式表示的基团
93.如权利要求85所述的组合物，其中所述疏水层形成化合物包括由下式表示的结构
94.如权利要求85所述的组合物，其中所述粘附促进化合物包括由下式表示的基团
95.如权利要求85所述的组合物，其中所述粘附促进化合物包括由下式表示的基团
96.如权利要求85所述的组合物，其中所述疏水层形成化合物包括由下式表示的基团 其中，R10、R11和R12各自独立地是F、Cl、Br、I、H、0H、甲氧基、乙氧基、异丙氧基、烷氧 基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、 单烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。
97.如权利要求85所述的组合物，其中所述疏水层形成化合物包括由下式表示的结构
98.如权利要求85所述的组合物，其中所述基材包括聚合物基材。
99.如权利要求85所述的组合物，其中所述基材包括硅基基材。
全文摘要
本发明公开了方法(100)，该方法包括将第一硅烷沉积到表面(106)上和将第二硅烷沉积到第一硅烷(114)上，所述第一硅烷包括官能性连接基团和硅烷基团，且所述第二硅烷包括疏水性脂族基团和硅烷基团。本发明还公开了基于上述方法的组合物和助听装置。
文档编号B05D5/00GK102137722SQ200780044753
公开日2011年7月27日 申请日期2007年10月3日 优先权日2006年10月3日
发明者马修·林福德, 高拉夫·塞尼 申请人:杨百翰大学