专利名称：导电性粘接带的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种导电性粘接带。
背景技术：
以往，各种电气设备的连接端子间的连接使用同时具有导电性和粘接性的导电性粘接带。例如，提出有如下的导电性粘接带(例如参照JP实公昭63-46980号公报)由导电性带基材和设于其表面的粘接剂层构成，在导电性带基材的粘接剂层侧具备端子部，该端子部贯通粘接剂层且其前端稍微被覆粘接剂层的表面。在JP实公昭63-46980号公报中，通过使粘接剂层与连接端子粘接，并且使端子部与连接端子接触，而实现导电性粘接带和连接端子间的导通。但是，在JP实公昭63-46980号公报的导电性粘接带中，端子部与连接端子直接接触，因此它们的接合强度较弱，从而存在无法长期维持导电性的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种导电性和耐久性优秀的导电性粘接带。本发明的导电性粘接带的特征在于，包括导体层以及在上述导体层的表面形成的粘接层，在上述粘接层形成在厚度方向贯通的粘接层贯通孔，上述导体层包括形成于上述粘接层贯通孔的导体层插通部，在上述导体层插通部中至上述粘接层的表面的端面，设置有低熔点金属层。此外，在本发明的导电性粘接带中优选，上述导体层插通部以不封闭上述粘接层贯通孔的方式沿着上述粘接层贯通孔的内周面形成。此外，在本发明的导电性粘接带中优选，在上述导体层插通部中至上述粘接层的表面的端部，设置有沿着上述粘接层的表面折返的导体层折返部。此外，在本发明的导电性粘接带中优选，上述低熔点金属层设置在从上述粘接层露出的上述导体层折返部的外面。此外，在本发明的导电性粘接带中优选，上述低熔点金属层设置在包括与上述粘接层密接的上述导体层插通部和上述导体层折返部的上述导体层的内面。此外，在本发明的导电性粘接带中优选，形成上述低熔点金属层的低熔点金属的熔点为180°C以下。此外，在本发明的导电性粘接带中优选，形成上述低熔点金属层的低熔点金属含有30 80质量％的铋。根据本发明的导电性粘接带，在与导通对象连接时，只要以低温加热导电性粘接带，就能够使在导体层插通部中至粘接层的表面的端面设置的低熔点金属层熔解，因此可以经由该低熔点金属层来提高导体层插通部和导通对象的接合强度。因此，可以切实地电连接导体层插通部和导通对象。
结果，可以在确保导体层插通部中的优秀的导电性的同时，长期维持该导电性。
图I表示本发明的导电性粘接带的一个实施方式的俯视图。图2表示图I所示的导电性粘接带的端子部的放大俯视图。图3表示沿图2所示的端子部的A-A线的剖视图。图4是用于说明图I所示的导电性粘接带的制造方法的工序图，其中(a)表示分别准备粘接层和导体层的工序，(b)表示粘贴粘接层和导体层的工序，(C)表示形成突出部的工序，(d)表示形成导体层折返部的工序，(e)表示冲压加工导电性粘接带的工序。图5表示穿孔装置的概要立体图。图6表示突出部的放大立体图。图7表示本发明的导电性粘接带的另一实施方式(导体层插通部和导体层折返部形成为截面大致J字状的方式)的剖视图。图8表示本发明的导电性粘接带的另一实施方式(导体层插通部封闭粘接层贯通孔的方式)的剖视图。图9表示用于实施例的评价(耐久实验)的耐久评价用样品的俯视图。图10表示实施例的评价(耐久实验)中的温度的曲线图(从第一循环到第二循环)。
具体实施例方式图I表示本发明的导电性粘接带的一个实施方式的俯视图，图2表示图I所示的导电性粘接带的端子部的放大俯视图，图3表示沿图2所示的端子部的A-A线的剖视图，图 4是用于说明图I所示的导电性粘接带的制造方法的工序图，图5表示穿孔装置的概要立体图，图6表示突出部的放大立体图。另外，在图I、图2和图6中，为了明确表示后述的导体层插通部5和导体层折返部 7的相对配置，而省略了后述的低熔点金属层6。此外，在图6中，为了明确表示导体层插通部5和导体层折返部7的相对配置，而省略了后述的脱模片8。在图I和图3中，该导电性粘接带I包括导体层2和形成在导体层2表面的粘接层3。导体层2是沿长度方向延伸的长条状的片(带)，作为形成导体层2的导体材料， 例如选自铜、铝、镍、银、铁、铅或其合金等。其中，从导电性、成本、加工性方面考虑选自铜、 铝，更优选为铜。导体层2的厚度例如为10 100 μ m，优选为20 80 μ m，更优选为30 60 μ m。粘接层3形成在导体层2的整个表面或表面的一部分上，作为形成粘接层3的粘接材料并无特别限定，例如选自压敏性粘接剂(粘结剂)、热固型粘接剂、热熔型粘接剂等各种粘接材料，可适当选择这些粘接材料。作为这种粘接材料，具体选自丙烯酸类粘接剂(具体为丙烯酸类压敏粘接剂、即丙烯酸类粘结剂)、橡胶类粘接剂、聚烯烃类粘接剂、环氧类粘接剂、聚酰亚胺类粘接剂、苯酚类粘接剂、尿素类粘接剂、三聚氰胺类粘接剂、不饱和聚酯类粘接剂、邻苯二甲酸二烯丙酯类粘接剂、硅酮类粘接剂、聚氨酯类粘接剂等。作为粘接材料，从粘接作业的简便性考虑优选压敏性粘接剂(粘结剂)，从粘接可靠性或耐久性考虑更优选丙烯酸类压敏粘接剂(丙烯酸类粘结剂)。丙烯酸类压敏粘接剂例如作为主成分含有丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物通过聚合以下单体而获得该单体例如作为主成分含有(甲基)丙烯酸烷基酯(甲基丙烯酸烷基酯和/或丙烯酸烷基酯)，作为副成分含有能够与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的共聚性单体。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如选自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、 (甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸 2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基) 丙稀酸奏酷等、烧基部分的碳数为I 10的(甲基)丙稀酸烧基酷等。优选选自烷基部分的碳数为2 6的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为(甲基) 丙烯酸正丁酯。(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用或并用2种以上。(甲基)丙烯酸烷基酯的配合比例相对于单体总量例如为70 99质量％，优选为 90 98质量％。作为共聚性单体，例如选自含极性基团单体、多官能性单体(例如聚链烷醇聚丙烯酸酯)等。作为含极性基团单体，例如选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体(包括马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基团的单体)，进而，例如选自含羟基单体、含酰胺基单体、含氨基单体、含缩水甘油基单体、含氰基单体、含杂环的乙烯基类单体、 含烷氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、含马来酰亚胺基单体、含异氰酸酯基单体等。作为共聚性单体，优选选自含极性基团单体，更优选选自含羧基单体，尤其优选为 (甲基)丙烯酸。共聚性单体的配合比例相对于单体总量例如为I 30质量％，优选为2 10质量％。作为单体的聚合方法选自公知的方法，例如选自溶液聚合、如花聚合、块状聚合等。优选选自溶液聚合。在溶液聚合中，将公知的聚合引发剂、溶剂等以适当的比例配合到单体中。作为聚合引发剂，例如选自偶氮类聚合引发剂(具体为2，2’-偶氮二异丁腈等)、 过氧化物类聚合弓I发剂等油溶性聚合弓I发剂。优选选自偶氮类聚合引发剂。聚合引发剂可单独使用或并用2种以上。作为溶剂，选自例如酯(乙酸乙酯等)、例如芳香族烃(甲苯等)、脂肪族烃(正己烷)、脂环族烃(环己烷等)、酮(甲基乙基酮等)等有机溶剂。优选选自芳香族烃。溶剂可以单独使用或并用两种以上。配合上述的单体、聚合引发剂和溶剂而调制单体溶液，并对调制的单体溶液例如加热到50 70°C，而将单体聚合，从而获得丙烯酸聚合物。
此外，也可以对聚合后的丙烯酸聚合物配合交联剂。通过对丙烯酸聚合物配合交联剂，而交联丙烯酸聚合物，从而可以提高粘接材料的凝聚力。作为交联剂，例如选自异氰酸酯类交联剂(例如甲苯二异氰酸酯的三羟甲基丙烷附加物等)、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂。优选选自异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂，更优选选自异氰酸酯类交联剂。交联剂的配合比例例如相对于丙烯酸聚合物100质量份,例如为O. I质量份以上 5质量份以下，优选为3质量份以下。根据需要可以在粘接材料中以适当的比例添加交联促进剂、粘接赋予树脂、防老化剂、填充剂、着色剂、紫外线吸收剂、防氧化剂、增塑剂、软化剂、表面活性剂、带电防止剂等公知的添加剂。粘接剂3可以如下形成将上述粘接材料涂敷到公知的脱模片8 (参照图4的虚拟线)的表面，之后通过加热除去根据需要配合的溶剂，而形成到脱模片8的表面后，转印到导体层2。或者，也可以如下形成将上述粘接材料直接涂敷到导体层2的表面，然后除去根据需要配合的溶剂。此外，脱模片8例如通过硅等进行表面处理。这样形成的粘接层3的厚度例如为10 100 μ m，优选为20 80 μ m，更优选为 30 60 μ rn。在该导电性粘接带I上设置有端子部9。端子部9在导电性粘接带I的长度方向和宽度方向(与长度方向正交的方向)隔开间隔配置有多个。如图2和图3所不，在端子部9中，在粘接层3上形成在厚度方向贯通的粘接层贯通孔4，此外在导体层2上设置有形成于粘接层贯通孔4的导体层插通部5。粘接层贯通孔4与各端子部9相对应地形成，在俯视下形成为大致三角形(具体为大致等腰三角形)。导体层插通部5与各粘接层贯通孔相对应地设置，并以不封闭粘接层贯通孔4的方式，沿着粘接层3的粘接层贯通孔4的4边(4面)中配置于长度方向一侧且在宽度方向上彼此相邻的两个内周面13而连续设置两个。在各导体层插通部5的至粘接层3的表面的表侧端部22，形成沿着粘接层3的表面折返的导体层折返部7。各导体层折返部7形成为从各导体层插通部5的表侧端部22向长度方向一侧折返，通过后述的折返工序(参照图4(d))而由突出部24(后述)形成。此外，各导体层折返部7分别形成为从各导体层插通部5的表侧端部朝向长度方向一侧倾斜宽度方向两外侧突出成俯视大致三角形。导体层插通部5和导体层折返部7形成为截面大致L字状，从形成于粘接层3的背面的导体层2连续时，形成为截面大致口字状。并且，在该导电性粘接带I中，在导体层2的背面20和表面21设置有低熔点金属层6。具体地说，在导体层2的背面20设置低熔点金属层6，在端子部9中，在导体层5 的外侧面19 (面向粘接层导通孔4的面)、导体层插通部5中至粘接层3的表面的表侧端面16和导体层折返部7中从粘接层3露出的外面17，连续设置低熔点金属层6。进而，在导体层2的表面21设置低熔点金属层6，在端子部9中，低熔点金属层6 连续形成于与粘接层3密接的导体层插通部5的内面18、以及与粘接层3密接的导体层折返部7的内面18。低熔点金属层6的厚度例如为O. 5 30 μ m，优选为3 20 μ m。作为形成低熔点金属层6的低熔点金属，例如选自从锡、铋和铟选择的至少两种金属的合金。作为低熔点金属，优选选自锡-铋合金、锡-铟合金，更优选为锡-铋合金。锡-铋合金中的铋浓度例如为30 80质量％，优选为45 70质量％。铋浓度为上述范围之外时，存在低熔点金属层6的熔点变高的情况。此外，铋浓度超出上述范围时，除了上述情况之外，还存在低熔点金属变脆而在低熔点金属层6发生断裂(裂开)的情况。此外，锡-铟合金中的铟浓度例如为40 65质量％。低熔点金属的熔点比构成合金的各金属的熔点低，具体地说，为180°C以下，例如为110 180°C，优选为120 150°C。低熔点金属的熔点通过DSC(差示扫描热量测定， Differential scanning calorimetry)测定。低熔点金属的熔点超过上述温度时，无法通过将导体层插通部5和导通对象接合时的低温的加热使低熔点金属熔融，因此存在难以经由低熔点金属层6接合导体层插通部 5和导通对象的情况。接下来参照图4说明制造该导电性粘接带I的方法。在该方法中，如图4(a)所示分别准备导体层2和粘接层3。在导体层2的表面21和背面20形成有低熔点金属层6。为了准备这种导体层2，例如在由上述导体材料构成的导体层2的表面21和背面 20，通过镀敷等层积低熔点金属层6。另外，也可以直接使用预先在导体层2的表面21和背面20层积有低熔点金属层 6的市售的层积体。在粘接层3的表面(与导体层2相对的背面的相反侧面)层积有上述脱模片8。接下来，如图4(b)所示，粘贴导体层2和粘接层3。具体地说，将形成于导体层2的表面21的低熔点金属层6粘接到粘接层3的背面。 由此制作由低熔点金属层6、导体层2、低熔点金属层6、粘接层3和脱模片8构成的层积体 23。接下来，如图4(c)和图4(d)所示，在层积体23上形成端子部9。为了在层积体23形成端子部9，首先如图4(c)所示，在与端子部9对应的位置上形成贯通孔26，并且形成朝向层积体23的厚度方向一侧(表侧、脱模片8侧)突出的突出部(飞边)24(突出部形成工序)。为了形成贯通孔26和突出部24，使用公知的穿孔方法。具体地说，如图5所示，使用如下的穿孔装置28，该穿孔装置28具备形成有销30 的阳辊10和形成有凹部29的阴辊11。在穿孔装置28中，阳辊10设置成可旋转，且形成为在表面有多个销30突出。各销30在阳辊10的旋转方向和轴方向上隔开间隔配置有多个，并形成为顶点被倒角的大致四角锥状。阴辊11与阳辊10邻接配置，被设置成能够伴随阳辊10的驱动旋转而从动。凹部 29与阳辊10的各销30对应地形成多个，具体地说，形成为与销30相嵌，并形成为朝向内侧凹陷的大致圆柱状。作为各销的尺寸，旋转方向长度c例如为O. 5 3mm,优选为O. 5 2mm,轴方向长度d例如为O. 5 3mm，优选为O. 5 2mm，连续的两个底边所成的角度e例如为30 120 度，优选为40 100度。此外，销30的高度(突出方向高度)f例如为O. 5 3mm，优选为 I 2mm。另外，倒角部分的宽度g例如为O. 01 O. 5mm,优选为O. 02 O. 4mm。此外，在旋转方向上相邻的各销30的间距i例如为I 5mm，优选为I. 5 4mm， 在轴方向上相邻的各销30的间距h例如为I 4mm,优选为2 3mm。作为各凹部29的尺寸，内径j为O. 5 3mm,深度k为O. 5 3mm。各凹部29的间距与上述各销30的间距相同。在穿孔装置28中，伴随阳辊10的驱动旋转，阴辊11从动，从而各销30依次与各凹部29嵌合。在该穿孔方法中，如图5的箭头所示，将层积体23插入到阳辊10和阴辊11之间。 具体地说，以使形成于导体层2的背面20的低熔点金属层6与阳辊10相对、形成于粘接层 3的表面的脱模片8与阴辊11相对的方式，将层积体23插入到阳辊10和阴辊11之间。这样一来，层积体23在凹部29中被销30刺破。从而，如图6所示，层积体23形成朝向表侧(脱模片8侧)突出的突出部(飞边)24，并且形成贯通孔26。贯通孔26在俯视下形成为与上述粘接层3的粘接层贯通孔4实质上相同的形状， 具体地说，形成为俯视大致四边形(具体为大致菱形)。突出部24形成4个，其与销30的面形状对应，具体形成为大致三角形，并从贯通孔26的各边的周端部向上方突出。在突出部形成工序之后，如图4(c)的假想线箭头所示，将脱模片8从粘接层3剥下。然后，如图4(d)所示，使四个突出部24中长度方向另一侧的两个突出部24返回， 同时沿着粘接层3的表面将长度方向一侧的两个突出部24折返(折返工序)。具体地说,如图4(d)的箭头所示,例如使刮板(squeegee) 27沿着粘接层3的表面滑动。刮板27形成为沿着宽度方向延伸，形成为截面大致刀刃状，并且配置成前端能够相对于粘接层3的表面滑动。使刮板27的前端滑动以沿着粘接层3的表面从长度方向另一侧向一侧经过突出部24。刮板27相对于粘接层3的相对速度例如为I 20m/分。另外，刮板27和粘接层3 的表面(从与刮板27的接触部分向滑动方向下游侧的粘接层3的表面)所成的角度α例如为10 80度，优选为15 75度。刮板27在粘接层3的表面滑动，从而滑动方向上游侧的两个突出部24的自由端部沿着滑动方向下游侧折返(即，返回到原来的位置(被销30刺破前的位置))。然后，滑动方向下游侧的剩余的两个突出部24(的自由端部)以导体层插通部5 的表侧端部22为支点向滑动方向下游侧折返。从而，沿着粘接层3的表面形成导体层折返部7。另外，在导体层折返部7中形成于从粘接层3露出的外面17的低熔点金属层6的表面与粘接层3的表面相比形成在表侧。即，导体层折返部7形成为从粘接层3的表面向表侧突出。从而，在层积体23形成端子部9。之后，如图4(e)所示，对层积体23进行冲压加工。冲压加工例如经由公知的隔离层(未图示)对层积体23的粘接层3的表面实施。冲压加工的条件为，压力例如为O. 05 2MPa。此外，也可以根据需要进行加热冲压，此时的加热温度例如为20 80°C。从而，导体层折返部7被埋设于粘接层3，形成于导体层折返部7的外面17的低熔点金属层6的表面和粘接层3的表面在厚度方向上实质上形成在同一面上(即平滑状)。由此获得导电性粘接带I。这样获得的导电性粘接带I中的各端子部9的表面积、即在各导体层插通部5的表侧端面16和两个导体层折返部7的外面17形成的低熔点金属层6的总面积，例如为 O. 05 O. 5mm2,每30mm2导电性粘接带I，例如为O. 15 5. 0mm2。这种导电性粘接带I被用于隔开间隔配置的部件(导通对象)25(参照图3)的电导通等。更具体地说，例如用于打印配线基板的接地、电子设备的外装屏蔽盒的接地、防静电用的接地、电源装置或电子设备(例如液晶显示装置、有机EL(电致发光)显示装置、 rop(等离子显示面板)、电子纸等的显示装置、太阳能电池等)等的内部配线。使用该导电性粘接带I来电导通上述部件25时，首先如图3的假想线所示将上述导电性粘接带I的粘接层3粘贴到上述部件25。即，将粘接层3的表面压接到两个部件 25(图3中仅用一个假想线图示)的表面。之后，将导电性粘接带I例如加热到上述低熔点金属层6的熔点或其以上的温度。 加热温度例如为HO 1800C O从而，低熔点金属层6熔解，然后导体层插通部5和导体层折返部7经由低熔点金属层6与上述部件25接合，它们被电连接。由此，各部件25经由导电性粘接带I而电导通。根据该导电性粘接带I，与上述部件25电连接时，以低温加热导电性粘接带1，使设于导体层插通部5的表侧端面16的低熔点金属层6熔解，能够经由该低熔点金属层6而提高导体层插通部5和上述部件25的接合强度。进而，根据该导电性粘接带1，在导体层折返部7的外面17也形成低熔点金属层 6，因此能够确保导体层折返部7的外面17及导体层插通部5的表侧端面16与部件25之间的接触面积较大，进而，通过形成于导体层折返部7的外面17的低熔点金属层6，能够提高导体层折返部17和上述部件25的接合强度，获得更好的导电性和耐久性。因此，能够切实地将导体层插通部5及导体层折返部7与上述部件25电连接。结果，能够在确保各部件25间的优秀的导电性的同时，长期维持该导电性。另外，在上述说明中，利用具备阳辊10和阴辊11的穿孔装置28来实施突出部形成工序和折返工序。但是，虽然未图示，例如也可以通过具备形成有销30的阳板和形成有凹部29的阴板的穿孔装置28来实施。具体地说，将层积体23配置在阳板和阴板之间，由此以使销30和凹部29嵌合的方式对层积体23进行冲压。
此外，在上述说明中，实施了图4(e)的冲压工序，但不实施该工序也可以获得导电性粘接带I。图7表示本发明的导电性粘接带的另一实施方式(导体层插通部和导体层折返部形成为截面大致J字状的方式)的剖视图，图8表示本发明的导电性粘接带的另一实施方式(导体层插通部封闭粘接层贯通孔的方式)的剖视图。另外，在图7和图8中，对于与上述各部对应的部件标以相同的参照标号，而省略其详细说明。在上述图3、图4(d)和图4(e)的说明中，导体层插通部5和导体层折返部7形成为截面大致L字状，但其形状并不特别限定，也可以根据突出部形成工序的条件，而例如如图7所示形成为截面大致J字状。导体层插通部5例如形成为向长度方向一侧打开的截面大致C字状。此外，在上述说明中，以不封闭粘接层贯通孔4的方式沿着粘接层贯通孔4的内周面13设置导体层插通部5，但例如也可以如图8所示，设置成封闭粘接层贯通孔4。在图8中，导体层插通部5形成为，无间隙地填充到粘接层贯通孔4内，并从导体层2的表面向表侧突出。优选的是，如图3所示，使导体层插通部5以不封闭粘接层贯通孔4的方式沿着粘接层贯通孔4的内周面设置。这种导体层插通部5与图8的导体层插通部5相比，通过更简单的突出部形成工序形成。因此可以简化制造工序。此外，在上述说明中，形成导体层折返部7，进而在其外面17形成有低熔点金属层 6，但是，虽然未图示，也可以不形成导体层折返部7地形成端子部9。此时，仅经由形成于导体层插通部5的表侧端面16的低熔点金属层6，使导体层插通部5与上述部件25接合。优选的是，如图3所示，形成导体层折返部7，进而在其外面17形成低熔点金属层 6。此外，在上述说明中，将低熔点金属层6设置在与粘接层3密接的内面18，但例如也可以不设置在与粘接层3密接的内面18，而使导体层2和粘接层3直接接触。优选将低熔点金属层6设置在导体层2中的与粘接层3密接的内面18。从而，低熔点金属层6介于导体层2和粘接层3之间，因此在粘接层3由单体中作为副成分含有含极性基团单体的丙烯酸聚合物构成时，能够通过低熔点金属层6来有效防止导体层2因丙烯酸聚合物中残留的含极性基团单体而腐蚀或变色。此外，在上述图2的说明中，将粘接层贯通孔4形成为俯视大致三角形，但其形状并无特别限定，也可以形成为圆形等适当的形状，此外，关于图8，导体层插通部5的俯视下的形状也无特别限定，可以形成为俯视大致多边形(例如包含大致四边形等)或圆形等适当的形状。实施例以下示出实施例和比较例，对本发明进一步具体说明，但本发明并不限于此。实施例I(丙烯酸类压敏粘接剂的制造)将97质量份丙烯酸正丁酯、3质量份丙烯酸、O. 2质量份2，2’ -偶氮二异丁腈、以及27质量份甲苯投入到可拆式烧瓶中，导入氮气的同时搅拌I小时。之后，升温到63°C使其反应(溶液聚合)10小时，进而添加甲苯来调整浓度，获得固体含量30质量％的丙烯酸聚合物的甲苯溶液。然后，在丙烯酸聚合物的甲苯溶液中，相对于100质量份丙烯酸聚合物，添加2质量份(固体量换算)的异氰酸酯类交联剂(商品名口木一卜L”，甲苯二异氰酸酯的三羟甲基丙烷附加物，日本U> 夕 >工業公司制造)，从而制造出丙烯酸类压敏粘接剂(的甲苯溶液)。(层积体的制作)在由硅进行了表面处理的长条状的剥离片的表面，涂敷丙烯酸类压敏粘接剂的甲苯溶液以使干燥后的厚度为45 μ m，使其在130°C用烘箱干燥3分钟，形成粘接层。另行准备由铜构成的厚度35μπι的长条状的导体层，其在表面和背面层积有由锡-铋合金(铋浓度57±5质量％、熔点139°C)构成的厚度IOym的低熔点金属层(参照图 4(a))。然后，粘贴上述导体层和粘接层，从而制作出由低熔点金属层、导体层、低熔点金属层、粘接层和脱模片构成的层积体(参照图4(b))。将该层积体卷绕到卷绕辊上。(突出部的形成)从卷绕辊将层积体传送到上述具备阳辊和阴辊的穿孔装置，通过该穿孔装置形成关出部(飞边)。另外，在该穿孔装置中，销在阳辊的旋转方向和轴方向上隔开间隔配置，形成为顶面被倒角的四角锥状，凹部形成为朝向内侧凹陷的圆柱状。作为销的尺寸，旋转方向长度c为I. 0427mm，轴方向长度d为I. 8061mm，连续的两个底边所成的角度e为60度，高度f为I. 2mm，倒角部分的宽度g为O. 1mm。在旋转方向上相邻的各销的间距i为I. 5mm，在轴方向上相邻的各销的间距h为2. 598mm。此外，凹部的内径j为I. 6_，深度k为I. 4mm。具体地说，将层积体插入到阳辊和阴辊之间，从而打穿层积体，形成突出部(飞边)，并且形成贯通孔(参照图4(c))。之后，将脱模片从粘接层剥下(参照图4(c)的箭头)。(折返部的形成)使刮板沿着粘接层的表面滑动。具体地说，使刮板沿着粘接层的表面相对滑动以从长度方向另一侧朝向一侧经过突出部。刮板相对于粘接层的相对速度为Im/分，此外，刮板和粘接层的表面(从与刮板的接触部分向滑动方向下游侧的粘接层的表面)所成的角度α为20度。从而，滑动方向上游侧的两个突出部的自由端部从基端部向滑动方向下游侧折返 (折回)，并且滑动方向下游侧的剩余的两个突出部也沿着滑动方向下游侧折返。从而，形成两个由滑动方向下游侧的突出部构成的导体层折返部(参照图4(d))。(冲压加工)然后对层积体进行冲压加工。具体地说，首先在粘接层的表面配置隔离层，之后对它们进行冲压加工(参照图 4(e))。冲压加工的条件为，温度25°C、压力O. 5MPa。
从而，导体层折返部被埋设于粘接层，形成于导体层折返部的外面的低熔点金属层的表面和粘接层的表面变得平滑。从而获得导电性粘接带(参照图I和图2)。实施例2在导体层折返部的形成中，除了将刮板和粘接层的表面的角度α变更为70度之外，通过与实施例I相同地处理，获得导电性粘接带。比较例I在层积体的制作中，代替低熔点金属层，在导体层的表面和背面层积由锡(熔点 2320C )构成的厚度10 μ m的镀层，除此之外与实施例I同样地处理，从而获得导电性粘接带。(评价)I、端子部的尺寸(表面积)将在实施例1、2和比较例I中获得的导电性粘接带剪切为5mmX6mm的大小(面积为30mm2)，将隔离层剥离，而将其作为样品。对样品的表侧(粘接层侧)，使用数字显微镜(型号“VHX-600”，々一二 > >公司制造)以200倍的测定倍率(透镜VH-Z20)观察端子部的图像。然后，在测量模式下，对所观察的图像中的端子部的表面积、即在各导体层插通部的表侧端面和两个导体层折返部的外面形成的低熔点金属层的总面积进行测量。此外，与上述同样地测定处于样品中的所有端子部的表面积，对其进行合算，从而计算出每30mm2样品所存在的端子部的总面积。此外，数出样品中的粘接层贯通孔的个数，用每30mm2样品所存在的端子部的总面积除以该粘接层贯通孔的个数，从而计算出每一个端子部的平均面积。在表I中示出其结果。2、耐久实验如图9所示，准备耐久评价与用的端子基板45。端子基板45包括由玻璃-环氧树脂构成的基板43和在其上形成为预定图案的端子44。端子44在左右方向隔开间隔设置四个，各端子44(第I端子46、第2端子47、第3 端子48和第4端子49)在前后方向延伸。另外，第I端子46、第2端子47、第3端子48和第4端子49从左侧向右侧依次配置。另行将在实施例1、2和比较例I中获得的导电性粘接带剪切为5mmX50mm的大
小，将隔离层剥离，并将其作为样品50。连接各端子44的后端部和样品50。详细地说，首先使样品50的粘接层3、导体层插通部5的表侧端面16及导体层折返部7的外面17与端子44接触，之后在150°C、2MPa 下加热压接5分钟，从而将样品50和端子44连接以及粘接。此外，第2端子47及第4端子49的前端部经由配线37与恒流电源36连接，并且第I端子46和第2端子47的前端部经由配线37与电位计38连接，从而形成电路。由此制作耐久评价用样品。对该耐久评价用样品，使2A的电流流入电路，测定耐久评价用样品的电阻值。然后，在图10所示的耐久(热循环)条件、即在-40°C和85°C之间往复200次的加热循环条件下，对耐久评价用样品实施了耐久实验。之后，测定耐久评价用样品的电阻值。在表I中示出耐久评价用样品的耐久实验前后的电阻值。[表 I]
权利要求
1.一种导电性粘接带，其特征在于，包括导体层以及在上述导体层的表面形成的粘接层，在上述粘接层形成在厚度方向贯通的粘接层贯通孔，上述导体层包括形成于上述粘接层贯通孔的导体层插通部，在上述导体层插通部中至上述粘接层的表面的端面，设置有低熔点金属层。
2.根据权利要求I所述的导电性粘接带，其特征在于，上述导体层插通部以不封闭上述粘接层贯通孔的方式沿着上述粘接层贯通孔的内周面形成。
3.根据权利要求I或2所述的导电性粘接带，其特征在于，在上述导体层插通部中至上述粘接层的表面的端部，设置有沿着上述粘接层的表面折返的导体层折返部。
4.根据权利要求3所述的导电性粘接带，其特征在于，上述低熔点金属层设置在从上述粘接层露出的上述导体层折返部的外面。
5.根据权利要求3所述的导电性粘接带，其特征在于，上述低熔点金属层设置在包括与上述粘接层密接的导体层插通部和上述导体层折返部的上述导体层的内面。
6.根据权利要求I或2所述的导电性粘接带，其特征在于，形成上述低熔点金属层的低熔点金属的熔点为180°C以下。
7.根据权利要求I或2所述的导电性粘接带，其特征在于，形成上述低熔点金属层的低熔点金属含有30 80质量％的铋。
8.根据权利要求4所述的导电性粘接带，其特征在于，上述低熔点金属层设置在包括与上述粘接层密接的导体层插通部和上述导体层折返部的上述导体层的内面。
9.根据权利要求3所述的导电性粘接带，其特征在于，形成上述低熔点金属层的低熔点金属的熔点为180°C以下。
10.根据权利要求4或5所述的导电性粘接带，其特征在于，形成上述低熔点金属层的低熔点金属的熔点为180°C以下。
全文摘要
本发明提供一种导电性粘接带，其包括导体层以及在导体层的表面形成的粘接层。在粘接层形成在厚度方向贯通的粘接层贯通孔。导体层包括形成于粘接层贯通孔的导体层插通部。在导体层插通部中至粘接层的表面的端面，设置有低熔点金属层。
文档编号C09J7/02GK102585719SQ201110432158
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月21日 优先权日2010年12月22日
发明者中尾航大, 大学纪二, 山崎博司, 村上亚衣, 野中崇弘 申请人:日东电工株式会社