本申请涉及含有环状内酰胺基团的化合物。所述化合物适合用于电子器件中。在本申请的上下文中，电子器件应理解为是指所谓的有机电子器件，所述有机电子器件包含有机半导体材料作为功能材料。更特别地，电子器件应理解为是指oled(有机电致发光器件)。术语oled应理解为是指具有一个或多个包含有机化合物的层且在施加电压时发光的电子器件。oled的结构和一般作用原理是本领域技术人员已知的。在电子器件、尤其是oled中，对改善性能数据，尤其是寿命、效率、工作电压和色纯度有很大的兴趣。在这些方面，尚未找到任何完全令人满意的解决方案。还需要用于电子器件，尤其是oled中的新型替代化合物。发光层，尤其是磷光发光层，并且非常尤其是红色磷光发光层对电子器件的性能数据具有很大的影响。还在寻找用于这些层的新型化合物，尤其是可以在发光层中用作基质材料，尤其是用于红色或绿色磷光发光体的基质材料的化合物。更特别地，人们在寻找具有高玻璃化转变温度tg和高氧化和热稳定性并且当用于oled时导致器件的高效率的化合物。现有技术公开了用作磷光发光层的基质材料的多种杂芳族化合物，例如咔唑衍生物和喹唑啉衍生物。然而，仍然需要适用于电子器件的替代化合物，尤其是具有一种或多种上述有利性质的化合物。当化合物用于电子器件时，仍然需要改善所获得的性能数据，尤其是在器件的寿命、工作电压、效率和色纯度方面。已经发现，含有环状内酰胺基团的特定化合物非常适合用于电子器件，尤其是用于oled，更尤其是在其中用作磷光发光体、尤其是红色或绿色磷光发光体的基质材料。所述化合物导致器件的高寿命、高效率、低工作电压和高色纯度。还优选地，所述化合物具有高玻璃化转变温度tg和高氧化稳定性和热稳定性。所述化合物符合式(i)其中出现的变量如下：g在每种情况下相同或不同且选自经由虚线键连接的式(g-1)的基团：其中，在式(g-1)中，w在每种情况下相同或不同且为cr2或n；或者来自任何两个相邻w基团的一个或多个单元在每种情况下相同或不同且选自式(w-1)至(w-2)的单元其中虚线键表示键合到式(g-1)的其余部分的键；其中u在每种情况下相同或不同且选自o、s、nr3和c(r3)2；并且其中，在式(w-1)至(w-2)中，v在每种情况下相同或不同且为cr2或n；或者来自任何两个相邻v基团的一个或多个单元在每种情况下相同或不同且选自式(v-1)至(v-2)的单元其中虚线键表示键合到式(w-1)至(w-2)的其余部分的键；其中z在每种情况下相同或不同且为cr2或n；x：当没有g或t键合到x上时，x在每种情况下相同或不同，且为n或cr1；而当g或t键合到x上时，x为c；t为连接所讨论的x基团的单键；r1在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cl，br，i，c(＝o)r4，cn，si(r4)3，n(r4)2，p(＝o)(r4)2，or4，s(＝o)r4，s(＝o)2r4，具有1至20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个r1基团可以彼此连接并且可以形成环；其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代；并且其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个ch2基团可以被-r4c＝cr4-、-c≡c-、si(r4)2、c＝o、c＝nr4、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr4-、nr4、p(＝o)(r4)、-o-、-s-、so或so2代替；r2在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cl，br，i，c(＝o)r4，cn，si(r4)3，n(r4)2，p(＝o)(r4)2，or4，s(＝o)r4，s(＝o)2r4，具有1至20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个r2基团可以彼此连接并且可以形成环；其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代；并且其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个ch2基团可以被-r4c＝cr4-、-c≡c-、si(r4)2、c＝o、c＝nr4、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr4-、nr4、p(＝o)(r4)、-o-、-s-、so或so2代替；r3在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cl，br，i，cn，si(r4)3，n(r4)2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个r3基团可以彼此连接并且可以形成环；其中所提及的烷基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代；r4在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cl，br，i，c(＝o)r5，cn，si(r5)3，n(r5)2，p(＝o)(r5)2，or5，s(＝o)r5，s(＝o)2r5，具有1至20个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个r4基团可以彼此连接并且可以形成环；其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被r5基团取代；并且其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个ch2基团可以被-r5c＝cr5-、-c≡c-、si(r5)2、c＝o、c＝nr5、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr5-、nr5、p(＝o)(r5)、-o-、-s-、so或so2代替；r5在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cl，br，i，cn，具有1至20个碳原子的烷基或烷氧基基团，具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个r5基团可以彼此连接并且可以形成环；并且其中所提及的烷基、烷氧基、烯基和炔基基团、芳族环系和杂芳族环系可以被一个或多个选自f和cn的基团取代；k为0或1，其中当k为0时，t不存在，并且所讨论的x基团彼此不键合；m、n、o在每种情况下相同或不同，且选自0和1，其中标记m、n和o中的至少一个必须是1；其中在至少一个与g基团键合的环中的至少一个x基团为n。画在环内的圆是指所讨论的环具有芳香性，优选由于三个离域双键而具有芳香性。以下定义适用于本申请中使用的化学基团。它们适用于没有给出任何更特定定义的情况。在本发明的上下文中，芳基基团应理解为是指单个芳族环，即苯，或稠合的芳族多环，例如萘、菲或蒽。在本申请的上下文中，稠合的芳族多环由两个或更多个彼此稠合的单个芳族环组成。这里，环之间的稠合应理解为是指环彼此共用至少一个边。在本发明的上下文中，芳基基团含有6至40个芳族环原子，这些芳族环原子中没有一个是杂原子。在本发明的上下文中，杂芳基基团应理解为是指单个杂芳族环，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或稠合的杂芳族多环，例如喹啉或咔唑。在本申请的上下文中，稠合的杂芳族多环由两个或更多个彼此稠合的单个芳族或杂芳族环组成，其中所述芳族和杂芳族环中的至少一个是杂芳族环。这里，环之间的稠合应理解为是指环彼此共用至少一个边。在本发明的上下文中，杂芳基基团含有5至40个芳族环原子，这些芳族环原子中的至少一个是杂原子。杂芳基基团的杂原子优选选自n、o和s。各自可以被上述基团取代的芳基或杂芳基基团尤其应理解为是指衍生自以下物质的基团：苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、苣、苝、联三苯叉、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、异唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。在本发明的上下文中，芳族环系是不必仅含有芳基基团，而是可以另外含有一个或多个与至少一个芳基基团稠合的非芳族环的体系。这些非芳族环仅含有碳原子作为环原子。这种定义所涵盖的基团的实例是四氢萘、芴和螺二芴。另外，术语“芳族环系”包括由两个或更多个经由单键彼此连接的芳族环系组成的体系，例如联苯、三联苯、7-苯基-2-芴基、四联苯和3,5-二苯基-1-苯基。在本发明的上下文中，芳族环系在环系中含有6至40个碳原子且不含杂原子。“芳族环系”的定义不包括杂芳基基团。杂芳族环系符合芳族环系的上述定义，不同之处在于杂芳族环系必须含有至少一个杂原子作为环原子。如对于芳族环系的情况，杂芳族环系不必仅含有芳基基团和杂芳基基团，而是可以另外含有一个或多个与至少一个芳基或杂芳基基团稠合的非芳族环。非芳族环可以仅含有碳原子作为环原子，或者其可以另外含有一个或多个杂原子，其中所述杂原子优选选自n、o和s。这种杂芳族环系的一个实例是苯并吡喃基。另外，术语“杂芳族环系”应理解为是指由两个或更多个芳族或杂芳族环系组成的体系，所述芳族或杂芳族环系经由单键彼此键合，例如4,6-二苯基-2-三嗪基。在本发明的上下文中，杂芳族环系含有5至40个选自碳和杂原子的环原子，其中至少一个环原子为杂原子。杂芳族环系的杂原子优选选自n、o和s。因此，本申请中所定义的术语“杂芳族环系”和“芳族环系”彼此不同之处在于芳族环系不能具有杂原子作为环原子，而杂芳族环系必须具有至少一个杂原子作为环原子。这种杂原子可以作为非芳族杂环的环原子存在，或作为芳族杂环的环原子存在。根据上述定义，任何芳基基团都被术语“芳族环系”涵盖，并且任何杂芳基基团都被术语“杂芳族环系”涵盖。具有6至40个芳族环原子的芳族环系或具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系尤其是指衍生自以下物质的基团：上文在芳基基团和杂芳基基团下提及的基团，和联苯、三联苯、四联苯、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、茚并咔唑，或这些基团的组合。在本发明的上下文中，其中个别氢原子或ch2基团也可以被上文在基团的定义下提及的基团取代的具有1至20个碳原子的直链烷基基团和具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团和具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，优选是指甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基基团。其中个别氢原子或ch2基团也可以被上文在基团的定义下提及的基团代替的具有1至20个碳原子的烷氧基或硫代烷基基团，优选是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基、环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。在本申请的上下文中，两个或更多个基团一起可以形成环的措辞应理解为尤其是指两个基团通过化学键彼此连接。然而，另外，上述措辞还应理解为是指，如果这两个基团中的一个为氢，则第二个基团键合到氢原子所键合的位置，从而形成环。优选地，式(i)中的一个、两个、三个或四个x基团为n，更优选两个或三个，最优选两个x基团为n。优选地，在式(i)中含有x基团的三个环中的一个中，两个x基团为n。优选地，在g基团所键合的环中，恰好一个或两个，更优选两个x基团为n。优选地，在g基团所键合的环中，与键合到g的键相邻的一个或两个x基团为n。更优选地，在g基团所键合的环中，两个x基团与键合到g的键相邻，并且两者都为n。优选地，k为0。优选地，标记m、n和o的总和为1，使得式(i)中恰好存在一个g基团。更优选地，标记m和n中的至少一个为1；最优选地，标记m和n中的一个为1，并且标记m和n中的另一个为0。还优选的是，标记o为0。优选的是，在式(i)中g基团所键合的环中，r1基团不为h或d，且至少一个x基团为n；特别地，两个x基团为n。优选地，在式(i)中g基团所键合的环中，所有r1基团选自f、cn、si(r4)3、具有1至20个碳原子的直链烷基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系，其中所提及的烷基基团、所提及的芳族环系和所提及的杂芳族环系各自被r4基团取代，且至少一个x基团为n；特别地，两个x基团为n。更优选地，在式(i)中g基团所键合的环中，所有r1基团选自具有6至40个芳族环原子且被一个或多个r4基团取代的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子且被一个或多个r4基团取代的杂芳族环系，且至少一个x基团为n；特别地，两个x基团为n。还优选的是，所述优选实施方式与以下优选实施方式组合出现：其中在g基团所键合的环中，与键合到g的键相邻的一个或两个x基团为n；特别地，与键合到g的键相邻的两个x基团为n。优选地，r1在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cn，si(r4)3，具有1至20个碳原子的直链烷基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中所提及的烷基基团、所提及的芳族环系和所提及的杂芳族环系各自被r4基团取代；并且其中所提及的烷基基团中的一个或多个ch2基团可以被-c≡c-、-r4c＝cr4-、si(r4)2、c＝o、c＝nr4、-nr4-、-o-、-s-、-c(＝o)o-或-c(＝o)nr4-代替。更优选地，r1在每种情况下相同或不同，且选自h、具有6至40个芳族环原子且被r4基团取代的芳族环系和具有5至40个芳族环原子且被r4基团取代的杂芳族环系。优选地，在g基团键合的环中的r1选自f、cn、si(r4)3、具有1至20个碳原子的直链烷基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系，其中所提及的烷基基团、所提及的芳族环系和所提及的杂芳族环系各自被r4基团取代。更优选地，在g基团所键合的环中的r1选自具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系，所述芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代。优选地，r2在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cn，si(r4)3，具有1至20个碳原子的直链烷基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中所提及的烷基基团、所提及的芳族环系和所提及的杂芳族环系各自被r4基团取代；并且其中所提及的烷基基团中的一个或多个ch2基团可以被-c≡c-、-r4c＝cr4-、si(r4)2、c＝o、c＝nr4、-nr4-、-o-、-s-、-c(＝o)o-或-c(＝o)nr4-代替。更优选地，r2在每种情况下相同或不同，且选自h、具有6至40个芳族环原子且被r4基团取代的芳族环系和具有5至40个芳族环原子且被r4基团取代的杂芳族环系。甚至更优选地，r2为h。优选地，r3在每种情况下相同或不同，且选自h，具有1至20个碳原子的直链烷基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个r3基团可以彼此连接并且可以形成环；其中所提及的烷基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代。最优选地，r3在每种情况下相同或不同，且选自具有1至20个碳原子的直链烷基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个r3基团可以彼此连接并且可以形成环；其中所提及的烷基基团以及所提及的芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代。在两个r3基团连接形成环的情况下，优选这两个基团是u基团c(r3)2的组成部分，以形成螺环体系。在这种情况下，这两个r3基团优选选自具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系，所述芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代，更优选选自各自被r4基团取代的苯基基团，以形成螺二芴单元。优选地，r4在每种情况下相同或不同，且选自h，d，f，cn，si(r5)3，具有1至20个碳原子的直链烷基基团，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中所提及的烷基基团、所提及的芳族环系和所提及的杂芳族环系各自被r5基团取代；并且其中所提及的烷基基团中的一个或多个ch2基团可以被-c≡c-、-r5c＝cr5-、si(r5)2、c＝o、c＝nr5、-nr5-、-o-、-s-、-c(＝o)o-或-c(＝o)nr5-代替。更优选地，r4在每种情况下相同或不同，且选自h、具有6至40个芳族环原子且被r5基团取代的芳族环系和具有5至40个芳族环原子且被r5基团取代的杂芳族环系。甚至更优选地，r4为h。优选地，在式(g-1)中，一个由任何两个相邻w基团组成的单元选自式(w-1)和(w-2)，优选(w-2)的单元，并且其余w基团在每种情况下相同或不同且为n或cr2，优选cr2。在一个替代的同样优选的实施方式中，在式(g-1)中，所有w基团都相同或不同且选自n和cr2，优选cr2。在这种情况下，优选的是r2基团中的一个或多个为咔唑，优选c-键合的咔唑，在每种情况下被r4基团取代，或含有咔唑单元，在每种情况下被r4基团取代。c-键合的咔唑应理解为是指通过其碳原子之一键合的咔唑。在一个替代的同样优选的实施方式中，在式(g-1)中，两个由任何两个相邻w基团组成的单元选自式(w-1)至(w-2)的单元，并且其余w基团在每种情况下相同或不同且为n或cr2，优选cr2。在这个实施方式中，特别优选的是，在这两个由任何两个相邻w基团组成的单元中，一个单元符合式(w-1)，其中v优选为cr2，且另一个单元符合式(w-2)，其中v优选为cr2。优选地，在式(w-1)中，一个由两个相邻v基团组成的单元选自式(v-1)和(v-2)的单元，并且其余v基团在每种情况下相同或不同且为n或cr2，优选cr2。在一个替代的同样优选的实施方式中，在式(w-1)中，所有v基团都相同或不同且选自n和cr2，优选cr2。优选地，在式(w-2)中，一个由两个相邻v基团组成的单元选自式(v-1)和(v-2)的单元，并且其余v基团在每种情况下相同或不同且为n或cr2，优选cr2。在一个替代的同样优选的实施方式中，在式(w-2)中，所有v基团都相同或不同且选自n和cr2，优选cr2。优选地，z为cr2。优选的式(g-1)的基团符合下式之一：-其中，在式(g-1-1)中，w如上文定义，且w优选为cr2或n，更优选cr2；并且其中在式(g-1-1)中显示为未取代的位置被r4基团取代；-其中，在式(g-1-2)中，w1-w1单元选自下方的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-2)的其余部分的键，并且其中其余的w1基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中w如上文定义，且优选为cr2或n，更优选cr2；并且其中u如上文定义，且优选选自o、nr3和c(r3)2，更优选选自nr3；并且其中v如上文定义，且优选为n或cr2，更优选cr2；-其中，在式(g-1-3)中，w1-w1单元选自中间的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-3)的其余部分的键，并且其中其余的w1基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中w如上文定义，且w优选为cr2或n，更优选cr2；并且其中，在式(g-1-3)中，v-v单元选自下方的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-3)的其余部分的键，并且其中其余的v基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中u如上文定义，且优选选自o、nr3和c(r3)2；并且其中z如上文定义且优选为cr2；-其中，在式(g-1-4)中，w1-w1单元选自中间的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-4)的其余部分的键，并且其中其余的w1基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中w2-w2单元选自下方的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-4)的其余部分的键，并且其中其余的w2基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中v如上文定义，且v优选相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中u如上文定义，且优选选自o、nr3和c(r3)2；-其中，在式(g-1-5)中，w如上文定义，且w优选为cr2或n，更优选cr2；并且其中u如上文定义，且优选选自s；并且其中v如上文定义，且优选为n或cr2，更优选cr2；-其中，在式(g-1-6)中，w1-w1单元选自中间的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-6)的其余部分的键，并且其中其余的w1基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中w如上文定义，且w优选为cr2或n，更优选cr2；并且其中，在式(g-1-6)中，v-v单元选自下方的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-6)的其余部分的键，并且其中其余的v基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中u如上文定义，且优选选自c(r3)2；并且其中z如上文定义且优选为cr2；-其中，在式(g-1-7)中，w1-w1单元选自中间的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-7)的其余部分的键，并且其中其余的w1基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中，在式(g-1-7)中，w2-w2单元选自下方的式，其中虚线是连接所述单元与式(g-1-7)的其余部分的键，并且其中其余的w2基团相同或不同且选自cr2和n，且优选为cr2；并且其中u如上文定义，且优选为c(r3)2；并且其中v如上文定义，且优选在每种情况下相同或不同且为cr2或n，更优选cr2。在式(g-1-1)至(g-1-7)中，优选的是式(g-1-1)至(g-1-5)，特别优选式(g-1-1)。式(g-1-1)优选符合下式(g-1-1-1)：其中显示为未取代的位置被r4基团取代，并且其中w选自n和cr2且优选为cr2。式(g-1-2)优选符合下式之一：其中w、u和v如上文定义，并且其中w优选在每种情况下相同或不同，且为cr2或n且更优选cr2；并且其中u优选为c(r3)2，并且其中v优选在每种情况下相同或不同，且为cr2或n且更优选为cr2。式(g-1-3)优选符合下式：其中w、u、v和z如上文定义，并且其中w优选在每种情况下相同或不同，且为cr2或n且更优选cr2；并且其中u优选为c(r3)2，并且其中v优选在每种情况下相同或不同，且为cr2或n且更优选为cr2；并且其中z优选为cr2。式(g-1-4)优选符合下式：其中u和v如上文定义，并且其中v优选在每种情况下相同或不同，且为cr2或n且更优选为cr2；并且其中u优选为c(r3)2。式(g-1-5)优选符合下式：其中u如上文定义且优选为s。式(g-1-6)的一个优选的实施方式对应于下式：其中u如上文定义且优选为c(r3)2。式(g-1-7)的一个优选的实施方式对应于下式：其中u如上文定义且优选为c(r3)2。式(i)的优选实施方式符合下式：其中出现的符号如上文定义，并且其中，在g基团所键合的环中，至少一个x为n。更优选地，g选自上述优选的实施方式。还优选的是，在g基团所键合的环中，两个x基团为n。还优选的是，如果有两个x基团与键合到g基团的键相邻，则它们中的至少一个为n，更优选它们中的两个都是n。还优选的是，如果只有一个x基团与键合到g基团的键相邻，则所述x基团为n。式(i-1)和(i-2)的优选实施方式符合下式，其中g基团选自式(g-1-1)至(g-1-7)：式基本式g基团的式(i-1-1)(i-1)(g-1-1)(i-1-2)(i-1)(g-1-2)(i-1-3)(i-1)(g-1-3)(i-1-4)(i-1)(g-1-4)(i-1-5)(i-1)(g-1-5)(i-1-6)(i-1)(g-1-6)(i-1-7)(i-1)(g-1-7)(i-2-1)(i-2)(g-1-1)(i-2-2)(i-2)(g-1-2)(i-2-3)(i-2)(g-1-3)(i-2-4)(i-2)(g-1-4)(i-2-5)(i-2)(g-1-5)(i-2-6)(i-2)(g-1-6)(i-2-7)(i-2)(g-1-7)式(i-1)和(i-2)的优选实施方式符合以下所示的式：其中出现的符号如上文定义，并且其中r1-1如上文对r1所定义。优选地，g选自上述优选的实施方式。优选地，r1-1选自f、cn、si(r4)3、具有1至20个碳原子的直链烷基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中所提及的烷基基团、所提及的芳族环系和所提及的杂芳族环系各自被r4基团取代。更优选地，r1-1选自具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系，所述芳族环系和杂芳族环系各自被r4基团取代。在一个优选的实施方式中，上式中的x基团之一为n。在一个替代的优选实施方式中，上式中的所有x基团都是cr1。式(i-1-a)、(i-1-b)、(i-2-a)和(i-2-b)的优选实施方式符合下式，其中g基团选自式(g-1-1-1)至(g-1-7-1)：优选的式(i)化合物如下所描绘：在用于制备本发明化合物的一种优选方法中，首先制备环状内酰胺基本骨架，然后在进一步的反应步骤中使其进一步转化为本发明化合物。在用于制备内酰胺基本骨架的第一优选方法(方案1a)中，从一个具有处于邻位的酯基团和卤素原子的芳族单元和另一个具有处于邻位的氨基基团和硼酸基团的芳族单元开始，通过suzuki偶联和闭环得到内酰胺，从而制备环状内酰胺基本骨架。这两个芳族单元中的一个具有与芳族环键合的烷基硫醚基团，优选甲基硫醚基团。所述卤素原子优选选自cl、br和i，且更优选为cl。方案1ahal＝卤素，优选cl、br、i环中的n：所述环可以具有一个或多个氮原子作为环成员。在第二优选的方法(方案1b)中，从一个具有处于邻位的羧酸基团和硼酸基团的芳族单元和另一个具有处于邻位的氨基基团和卤素原子的芳族单元开始，通过suzuki偶联和闭环得到内酰胺，从而制备环状内酰胺基本骨架。这两个芳族单元中的一个具有与芳族环键合的烷基硫醚基团，优选甲基硫醚基团。所述卤素原子优选选自cl、br和i，且更优选为cl。方案1bhal＝卤素，优选cl、br、i环中的n：所述环可以具有一个或多个氮原子作为环成员。方案1a或1b中获得的化合物随后通过ullmann偶联在内酰胺的nh上进一步转化。然后，在进一步的反应中，烷基硫醚基团被氯原子代替。相应的反应类型描述在ham等人，tetrahedronletters(四面体快报)2010，51(35)，4609-4611中。随后，在亲核芳族取代中，在所述氯原子处引入n-键合的咔唑衍生物(方案2)。方案2ar＝芳族或杂芳族环系上述方案中所示的化合物在显示为未取代的位置可以被任何有机基团取代。因此，本申请还提供了一种制备式(i)化合物的方法，其特征在于它包括以下步骤：i)通过suzuki偶联和酰胺形成，由两个芳族单元制备环状内酰胺；ii)芳族单元与环状内酰胺的内酰胺基团的氮原子的ullmann偶联；iii)用咔唑衍生物的咔唑氮原子来亲核取代内酰胺基本骨架中的卤素原子。步骤i)至iii)优选以指定的顺序进行。还优选的是，环状内酰胺首先具有烷基硫醚基团，其在随后的步骤中与卤素原子，优选cl进行交换，其中亲核取代反应在所提及的卤素原子上进行。在上述合成的上下文中，术语“芳族单元”涵盖杂芳族体系和纯芳族体系两者。本发明的上述化合物，尤其是被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯取代的化合物可以用作生产相应低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。合适的反应性离去基团例如是溴，碘，氯，硼酸，硼酸酯，胺，具有末端c-c双键或c-c三键的烯基或炔基基团，环氧乙烷，氧杂环丁烷，进入环加成如1,3-偶极环加成的基团、例如二烯或叠氮化物，羧酸衍生物，醇和硅烷。因此，本发明还提供含有一种或多种式(i)化合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子连接的一个或多个键可以位于式(i)中被r1、r2或r3取代的任何所需位置。根据式(i)化合物的连键，所述化合物是低聚物或聚合物的侧链的一部分或主链的一部分。在本发明的上下文中，低聚物应理解为是指由至少三个单体单元形成的化合物。在本发明的上下文中，聚合物应理解为是指由至少十个单体单元形成的化合物。本发明的聚合物、低聚物或树枝状大分子可以是共轭的、部分共轭的或非共轭的。本发明的低聚物或聚合物可以是线性的、支化的或树枝状的。在具有线性连键的结构中，式(i)的单元可以彼此直接连接，或者其可以经由二价基团，例如经由取代或未取代的烷亚基基团，经由杂原子或经由二价芳族或杂芳族基团彼此连接。在支化和树枝状结构中，例如，式(i)的三个或更多个单元可以经由三价或更高价基团，例如经由三价或更高价芳族或杂芳族基团连接，从而得到支化或树枝状低聚物或聚合物。对于低聚物、树枝状大分子和聚合物中的式(i)的重复单元，上文对于式(i)化合物所述的优选项同样适用。为了制备低聚物或聚合物，使本发明的单体均聚或与其它单体共聚。合适且优选的共聚单体选自芴、螺二芴、对苯亚基、咔唑、噻吩、二氢菲、顺式和反式茚并芴、酮、菲或这些单元中的两种或更多种。聚合物、低聚物和树枝状大分子通常还含有其它单元，例如发光(荧光或磷光)单元，例如乙烯基三芳基胺或磷光金属络合物和/或电荷传输单元，尤其是基于三芳基胺的那些电荷传输单元。本发明的聚合物、低聚物和树枝状大分子具有有利的性质，尤其是长寿命、高效率和良好的色坐标。本发明的聚合物和低聚物通常通过一种或多种单体类型的聚合来制备，其中至少一种单体在聚合物中产生式(i)的重复单元。合适的聚合反应是本领域技术人员已知的并且在文献中描述。产生c-c或c-n偶联的特别合适且优选的聚合反应如下：(a)suzuki聚合；(b)yamamoto聚合；(c)stille聚合；以及(d)hartwig-buchwald聚合。如何可以通过这些方法进行聚合以及如何可以从反应介质中分离并纯化聚合物是本领域技术人员已知的，并且在文献中详细描述。为了从液相中例如通过旋涂或印刷方法加工本发明的化合物，需要本发明的化合物的制剂。这些制剂可以是例如溶液、分散体或乳液。为此目的，可以优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如是甲苯，苯甲醚，邻-、间-或对-二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，四氢化萘，藜芦醚，thf，甲基-thf，thp，氯苯，二烷，苯氧基甲苯、尤其是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，苯甲酸甲酯，nmp，对伞花烃，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄基醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇单丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-异丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，或这些溶剂的混合物。因此，本发明还提供一种制剂，尤其是溶液、分散体或乳液，所述制剂包含至少一种式(i)化合物或至少一种含有至少一种式(i)单元的聚合物、低聚物或树枝状大分子和至少一种溶剂，优选有机溶剂。可以制备这样的溶液的方法是本领域技术人员已知的。在本发明的一个优选的实施方式中，除了含有本申请的化合物之外，所述制剂还含有至少一种其它基质材料和至少一种磷光发光体。所述至少一种其它基质材料和所述至少一种磷光发光体选自在下文中在每种情况下指定为优选的实施方式。施加制剂并从制剂中蒸发溶剂从而留下材料的混合物作为具有混合基质的磷光发光层。本申请的化合物适用于电子器件，尤其是有机电致发光器件(oled)。取决于取代，化合物用于不同的功能和层中。因此，本发明还提供本申请的化合物在电子器件中的用途。这些电子器件优选选自有机集成电路(oic)、有机场效应晶体管(ofet)、有机薄膜晶体管(otft)、有机发光晶体管(olet)、有机太阳能电池(osc)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(ofqd)、有机发光电化学电池(olec)、有机激光二极管(o-激光器)，且更优选为有机电致发光器件(oled)。如上所述，本发明还提供一种电子器件，所述电子器件包含至少一种如上文定义的化合物。所述电子器件优选选自上述器件。更优选的是一种包括阳极、阴极和至少一个发光层的有机电致发光器件(oled)，其特征在于至少一个有机层包含至少一种如上文定义的化合物，所述有机层优选选自发光层、电子传输层和空穴阻挡层，并且其更优选选自发光层，非常特别为磷光发光层。除了阴极、阳极和至少一个发光层之外，有机电致发光器件还可以包括其它层。在每种情况下，这些层例如选自一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、激子阻挡层、中间层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。所述有机电致发光器件中的层序列优选为：阳极/空穴注入层/空穴传输层/一个或多个任选的其它空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/一个或多个任选的其它电子传输层/电子注入层/阴极。另外地，可以在oled中存在其它层。优选的是，装置的至少一个空穴传输性层是p型掺杂的，即含有至少一种p型掺杂剂。p型掺杂剂优选选自电子受体化合物。特别优选的p型掺杂剂选自醌二甲烷化合物，氮杂茚并芴二酮，氮杂莒，氮杂联三苯叉，i2，金属卤化物，优选过渡金属卤化物，金属氧化物，优选含有至少一种过渡金属或第3主族金属的金属氧化物，和过渡金属络合物，优选cu、co、ni、pd和pt与含有至少一个氧原子作为结合位点的配体的络合物。还优选的是过渡金属氧化物作为掺杂剂，优选铼、钼和钨的氧化物，更优选re2o7、moo3、wo3和reo3。还优选铋络合物，尤其是bi(iii)络合物，尤其是具有苯甲酸衍生物作为络合物配体的铋络合物。本发明的有机电致发光器件可以包括两个或更多个发光层。更优选地，这些发光层总共具有在380nm和750nm之间的若干个发光峰值，使得总体结果是白色发光；换句话说，在发光层中使用可以发荧光或磷光并且发射蓝光、绿光、黄光、橙光或红光的多种发光化合物。尤其优选的是三层体系，即具有三个发光层的体系，其中在每种情况下这三个层之一显示蓝色发光，在每种情况下这三个层之一显示绿色发光，并且在每种情况下这三个层之一显示橙色或红色发光。本发明的化合物优选存在于发光层中。为了产生白光，单独使用在宽波长范围内发光的发光体化合物而不是多种发颜色光的发光体化合物，也可以是合适的。根据本发明，优选的是所述化合物用于在发光层中包含一种或多种磷光发光化合物的电子器件中。所述化合物优选与磷光发光化合物组合，更优选以与至少一种其它基质材料的混合物形式存在于发光层中。所述至少一种其它基质材料优选选自空穴传导基质材料、电子传导基质材料和具有空穴传导性质和电子传导性质两者的基质材料(双极性基质材料)，更优选选自电子传导基质材料和双极性基质材料，最优选选自电子传导基质材料。术语“磷光发光化合物”优选涵盖以下化合物：其中光的发射是通过自旋禁止跃迁，例如从激发三重态或具有更高自旋量子数的态如五重态的跃迁来实现。在本发明的一个优选的实施方式中，式(i)化合物作为基质材料与一种或多种磷光发光化合物组合用于发光层中。所述磷光发光化合物优选为红色或绿色磷光发光体。在这种情况下，磷光发光层中所有基质材料的总比例为50.0体积％至99.9体积％，优选80.0体积％至99.5体积％，且更优选85.0体积％至97.0体积％。相应地，磷光发光化合物的比例为0.1体积％至50.0体积％，优选0.5体积％至20.0体积％，且更优选3.0体积％至15.0体积％。有机电致发光器件的发光层优选包含两种或更多种基质材料(混合基质体系)。混合基质体系优选包含两种或三种不同的基质材料，更优选两种不同的基质材料。在一个优选的实施方式中，这两种基质材料中的一种实现空穴传输性材料的功能，而这两种基质材料中的另一种实现电子传输性材料的功能。更优选地，式(i)化合物在此为电子传输性材料，并且在发光层中与式(i)化合物混合存在的其它化合物为空穴传输性材料。在本发明的另一个优选的实施方式中，这两种材料中的一种为宽带隙材料，并且一种或两种其它基质材料存在于发光层中，所述其它基质材料实现混合基质的电子传输性功能和/或空穴传输性功能。在一个优选的实施方式中，这可以通过在发光层中不仅存在宽带隙材料而且存在具有电子传输性性质的其它基质材料、并且在发光层中还存在具有空穴传输性性质的其它基质材料来实现。替代地且更优选地，这可以通过在发光层中不仅存在宽带隙材料而且存在具有电子传输性性质和空穴传输性性质两者的单一其它基质材料来实现。这样的基质材料也称为双极性基质材料。在另一个替代实施方式中，除了存在宽带隙基质材料之外，在发光层中可以仅存在具有主要空穴传输性性质或主要电子传输性性质的单一其它基质材料。在发光层中存在两种不同基质材料的优选情况下，这些基质材料可以以1:50至1:1，优选1:20至1:1，更优选1:10至1:1且最优选1:4至1:1的体积比存在。优选地，式(i)化合物以与其它基质化合物相同的比例存在，或其以比其它基质化合物更高的比例存在。在用作磷光发光层中的基质材料的情况下，发光层的混合物中式(i)化合物的绝对比例优选为10体积％至85体积％，更优选20体积％至85体积％，甚至更优选30体积％至80体积％，非常尤其优选20体积％至60体积％，且最优选30体积％至50体积％。在这种情况下，第二基质化合物的绝对比例优选为15体积％至90体积％，更优选15体积％至80体积％，甚至更优选20体积％至70体积％，非常尤其优选40体积％至80体积％，且最优选50体积％至70体积％。为了制造混合基质类型的磷光发光层，在本发明的一个优选的实施方式中，可以制造包含磷光发光体和两种或更多种基质材料的溶液。这可以借助于旋涂、印刷方法或其它方法来施加。在这种情况下，溶剂的蒸发留下混合基质类型的磷光发光层。在本发明的一个替代的更优选实施方式中，混合基质类型的磷光发光层通过气相沉积制造。为此，有两种方式可以施加所述层。第一，首先可以将至少两种不同基质材料中的每一种装入材料源中，随后从两种或更多种不同材料源同时蒸发(“共蒸发”)。第二，可以将至少两种基质材料预混合，并且首先可以将获得的混合物装入最终从其蒸发的单个材料源中。后一种方法称为预混方法。因此，本申请还提供一种混合物，所述混合物包含上文规定的式的化合物和至少一种选自基质化合物的其它化合物。在这方面，关于在本申请中规定的基质化合物的比例及其化学结构的优选实施方式同样被认为是优选的。在本发明的一个替代的优选实施方式中，所述化合物用作电子传输性材料。当所述化合物含有至少一个选自缺电子杂芳基基团时，尤其如此，所述缺电子杂芳基基团优选吖嗪基团，尤其是三嗪基团，嘧啶基团和吡啶基团，和苯并咪唑基团。当所述化合物用作电子传输性材料时，其优选用于空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层中。在一个优选的实施方式中，在这种情况下，包含式(i)化合物的层是n型掺杂的，或者其与其它电子传输性化合物混合。式(i)化合物可以替代地作为纯材料存在于层中，所述层选自空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。在本发明上下文中，n型掺杂剂应理解为是指能够释放电子的有机或无机化合物(电子供体)，即充当还原剂的化合物。用于n型掺杂的化合物可以前体形式使用，在这种情况下，这些前体化合物通过活化释放n型掺杂剂。优选地，n型掺杂剂选自：富电子的金属络合物；p＝n化合物；n-杂环化合物，更优选萘亚基碳二亚胺、吡啶、吖啶和吩嗪；芴和自由基化合物。以下列出电子器件中的不同功能材料的优选实施方式。优选的荧光发光化合物选自芳基胺类。在本发明的上下文中，芳基胺或芳族胺应理解为是指含有三个直接键合到氮的取代或未取代的芳族或杂芳族环系的化合物。优选地，这些芳族或杂芳族环系中的至少一个优选是稠合环系，更优选具有至少14个芳族环原子的稠合环系。这些的优选实例为芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族苣胺或芳族苣二胺。芳族蒽胺被理解为是指其中一个二芳基氨基基团直接与蒽基团键合、优选在9位键合的化合物。芳族蒽二胺应理解为是指其中两个二芳基氨基基团直接与蒽基团键合、优选在9,10位键合的化合物。以与此类似的方式定义芳族芘胺、芘二胺、苣胺和苣二胺，其中所述二芳基氨基基团优选与芘在1位或1,6位键合。其他优选的发光化合物是茚并芴胺或茚并芴二胺、苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺、和二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺以及具有稠合芳基基团的茚并芴衍生物。同样优选的是芘芳基胺。同样优选的是苯并茚并芴胺、苯并芴胺、扩展的苯并茚并芴、吩嗪和与呋喃单元或与噻吩单元连接的芴衍生物。用于荧光发光体的优选基质材料选自以下类别：低聚芳亚基(例如2,2‘,7,7‘-四苯基螺二芴)，尤其是含有稠合芳族基团的低聚芳亚基，低聚芳亚基乙烯亚基，多足金属金属络合物，空穴传导化合物，电子传导化合物，尤其是酮、氧化膦和亚砜；阻转异构体，硼酸衍生物或苯并蒽。特别优选的基质材料选自以下类别：低聚芳亚基，包括萘、蒽、苯并蒽和/或芘或这些化合物的阻转异构体，低聚芳亚基乙烯亚基，酮，氧化膦和亚砜。非常特别优选的基质材料选自低聚芳亚基类别，包括蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘或这些化合物的阻转异构体。在本发明的上下文中，低聚芳亚基应理解为是指其中至少三个芳基或芳亚基基团彼此键合的化合物。合适的磷光发光化合物(＝三重态发光体)尤其是这样的化合物：其在适当激发下优选发射在可见光区的光并且还含有至少一个原子序数大于20，优选大于38且小于84，更优选大于56且小于80的原子。优选的是使用含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱、铂或铜的化合物作为磷光发光化合物。在本发明的上下文中，所有发光的铱、铂或铜络合物都被认为是磷光发光化合物。通常，根据现有技术用于磷光oled并且为有机电致发光器件领域中的技术人员已知的所有磷光络合物都是合适的。特别合适的络合物的具体实例示于下表中：除了本申请的化合物外，用于磷光发光体的优选基质材料是芳族酮、芳族氧化膦或芳族亚砜或砜、三芳基胺、咔唑衍生物如cbp(n,n-双咔唑基联苯)或咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、茚并咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物、双极性基质材料、硅烷、硼氮杂环戊熳或硼酸酯、三嗪衍生物、锌络合物、硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物、磷二氮杂环戊熳衍生物、桥联咔唑衍生物、联三苯叉衍生物或内酰胺。更优选地，式(i)化合物与磷光发光体和其它基质材料组合用于发光层，所述其它基质材料优选选自上述优选的基质材料，且更优选选自咔唑化合物、双咔唑化合物、吲哚并咔唑化合物和茚并咔唑化合物。可用于本发明的电子器件的空穴注入或空穴传输层或电子阻挡层或电子传输层中的合适的电荷传输材料例如是公开在y.shirota等人，chem.rev.(化学综述)2007,107(4),953～1010中的化合物，或根据现有技术在这些层中使用的其它材料。用于器件的电子传输性层的合适材料尤其是铝络合物，例如alq3；锆络合物，例如zrq4；锂络合物，例如liq；苯并咪唑衍生物；三嗪衍生物；嘧啶衍生物；吡啶衍生物；吡嗪衍生物；喹喔啉衍生物；喹啉衍生物；二唑衍生物；芳族酮；内酰胺；硼烷；磷二氮杂环戊熳衍生物和氧化膦衍生物。用于电子传输性层的特别优选的化合物示于下表中：用于oled的空穴传输性层的材料可以优选是茚并芴胺衍生物、胺衍生物、六氮杂联三苯叉衍生物、具有稠合芳族体系的胺衍生物、单苯并茚并芴胺、二苯并茚并芴胺、螺二芴胺、芴胺、螺二苯并吡喃胺、二氢吖啶衍生物、螺二苯并呋喃和螺二苯并噻吩、菲二芳基胺、螺三苯并环庚三烯酚酮、具有间苯基二胺基团的螺二芴、螺二吖啶、呫吨二芳基胺和具有二芳基氨基基团的9,10-二氢蒽螺环化合物。更特别地，下列化合物适合于此目的：所述电子器件的优选阴极为具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，所述金属合金或多层结构由多种金属如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如，ca、ba、mg、al、in、mg、yb、sm等)构成。另外合适的是由碱金属或碱土金属和银构成的合金，例如由镁和银构成的合金。在多层结构的情况下，除了所提及的金属之外，还可以使用具有相对高逸出功的其它金属，例如ag或al，在这种情况下，通常使用例如所述金属的组合，诸如ca/ag、mg/ag或ba/ag。还可以优选的是在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。用于此目的的有用材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如，lif、li2o、baf2、mgo、naf、csf、cs2co3等)。为此目的，还可以使用喹啉锂(liq)。所述层的层厚度优选在0.5nm与5nm之间。优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地，阳极具有相对于真空大于4.5ev的逸出功。首先，具有高氧化还原电位的金属适合此目的，例如ag、pt或au。其次，金属/金属氧化物电极(例如，al/ni/niox、al/ptox)也可以是优选的。对于一些应用，至少一个电极必须是透明的或部分透明的，以便能够实现有机材料的照射(有机太阳能电池)或发光(oled、o-激光器)。在此，优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选的是氧化锡铟(ito)或氧化铟锌(izo)。另外优选的是导电的掺杂有机材料，尤其是导电的掺杂聚合物。另外，阳极也可以由两个或更多个层组成，例如由ito的内层和金属氧化物的外层组成，所述金属氧化物优选氧化钨、氧化钼或氧化钒。所述器件适当地构造(根据应用)，设置接触连接并最终密封，以排除水和空气的损坏作用。在一个优选的实施方式中，电子器件的特征在于通过升华工艺涂覆一个或多个层。在这种情况下，在真空升华系统中在小于10-5毫巴，优选小于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积施加材料。然而，在这种情况下，初始压力也可以甚至更低，例如小于10-7毫巴。同样优选的是一种电子器件，其特征在于通过ovpd(有机气相沉积)方法或借助于载气升华涂覆一个或多个层。在这种情况下，在10-5毫巴和1巴之间的压力下施加材料。所述方法的一个特例是ovjp(有机蒸气喷射印刷)方法，其中材料通过喷嘴直接施加并由此被结构化(例如m.s.arnold等人，appl.phys.lett.(应用物理快报)2008,92,053301)。另外优选的是一种电子器件，其特征在于通过以下方法来制造一个或多个层：从溶液中例如通过旋涂，或通过任何印刷方法如丝网印刷、柔版印刷、喷嘴印刷或平板印刷制造，但是更优选通过liti(光诱导热成像、热转移印刷)或喷墨印刷。为此目的，需要可溶性化合物。通过适当取代化合物可以实现高溶解度。还优选的是通过从溶液施加一个或多个层并通过升华方法施加一个或多个层来制造本发明的电子器件。包含一种或多种如上文定义的化合物的电子器件优选用于显示器，作为照明应用中的光源和作为医疗和/或美容应用(例如，光疗法)中的光源。实施例a)合成例除非另有说明，否则下面的合成在保护气氛下在干燥的溶剂中进行。本发明的化合物可以借助于本领域技术人员已知的合成方法制备。a)5-溴-2-甲硫基嘧啶-4-甲酸甲酯首先将7.4g(30mmol)的5-溴-2-甲硫基嘧啶-4-甲酸装入100ml的ch2cl2中。向此溶液中滴加2.9ml(33mmol)的草酰氯和两滴dmf，且将混合物在室温下搅拌过夜。将混合物减压浓缩，且与50mlmeoh一起加热回流两小时。然后浓缩混合物，且通过色谱法(ea:庚烷，2:8)纯化。产量：3.2g(12.1mmol)；理论的42％；纯度：根据hplc，97％。以下化合物可以类似方式制备：b)3-甲硫基-6h-嘧啶并[4,5-c]喹啉-5-酮将15.2g(58mmol)5-溴-2-甲硫基嘧啶-4-甲酸甲酯和10g(58mmol)2-氨基苯基硼酸盐酸盐溶解在100mldmf中，且将混合物用n2饱和。添加19g(230mmol)乙酸钠和2.1g(2.9mmol)1,1’-双(二苯基膦)二茂铁氯化钯(ii)，且将混合物加热至沸腾持续18小时。将混合物添加到300ml的饱和nacl溶液中，且用ch2cl2提取。在减压浓缩后，将残余物从甲苯/正庚烷中重结晶。产量：2.8g(4.1mmol)；理论的20％；纯度：根据hplc，95％。以下化合物可以类似方式制备：c)3-甲硫基-6-(3-苯基苯基)嘧啶并[4,5]喹啉-5-酮将6g(25mmol，1.00当量)3-甲硫基-6h-嘧啶并[4,5-c]喹啉-5-酮、21.3ml(128mmol，5.2当量)3-溴联苯和7.20g碳酸钾(52.1mmol，2.10当量)在220ml无水dmf中的初始装料用氩气惰化处理。随后，添加0.62g(2.7mmol，0.11当量)1,3-二(2-吡啶基)丙烷-1,3-二酮和0.52g(2.7mmol，0.11当量)碘化铜(i)且将混合物在140℃下加热三天。反应结束之后，将混合物在旋转蒸发器上小心地浓缩，并且抽滤出沉淀的固体，且用水和乙醇洗涤。粗产物借助于热提取器(甲苯/庚烷1:1)纯化两次，并且使获得的固体从甲苯中重结晶。升华后，获得3.9g(810.1mmol,42％)所需目标化合物。以下化合物可以类似方式制备：d)2-甲硫基-4,5-二苯基嘧啶并[5,4-c]异喹啉-6-酮向2-甲硫基-5-苯基嘧啶并[5,4-c]异喹啉-6-酮(7.9g，25mmol，1.0当量)在125ml二氯甲烷中的溶液中添加0.1ml三氟乙酸(25mmol，1.0当量)。然后添加37.5mmol苯基硼酸和75ml水。然后添加溶解在50ml水中的8.5g(5mmol)硝酸银(i)。最后，添加k2s2o8(0.2g，75mmol)且将混合物在室温下剧烈搅拌4小时。随后，再次添加与前述步骤中相同量的硝酸银和过硫酸钾，且将混合物再搅拌24小时。然后向混合物中添加300ml二氯甲烷和200ml2mnaoh溶液，且分离有机相。粗产物通过柱色谱法使用规定的洗脱剂纯化。产物的类别和纯度通过gc-ms、1hnmr和13cnmr证实。产量：8.8g(20mmol)；理论的90％；纯度：根据hplc，98％。以下化合物可以类似方式制备：e)3-氯-6-(3-苯基苯基)嘧啶并[4,5-c]喹啉-5-酮10g(26mmol)3-甲硫基-6-(3-苯基苯基)嘧啶并[4,5-c]喹啉-5-酮和34g(88mmol)koh溶解在50mletoh中且加热至沸腾持续1小时。冷却后，将混合物减压浓缩，且添加hcl溶液直至ph达到4。随后，向混合物中添加30mlpocl3和30ml亚硫酰氯，将其在回流下加热2小时。然后通过蒸馏去除溶剂，且将产物从甲苯中重结晶。产量：8.9g(23mmol)；理论的92％；纯度：根据nmr，95％。以下化合物可以类似方式制备：f)亲核取代在保护性气氛下，将16.5g(61mmol)14h-13-硫代-14-氮杂苯并[c]茚并[2,1-a]芴溶解在300ml二甲基甲酰胺中，且添加3g在矿物质油中的nah(60％，75mmol)。在室温下1小时后，滴加24g(63mmol)3-氯-6-(3-苯基苯基)嘧啶并[4,5-c]喹啉-5-酮在150ml二甲基甲酰胺中的溶液。然后将反应混合物在室温下搅拌12小时。然后，将反应混合物倒在冰上且用二氯甲烷提取三次。将合并的有机相用na2so4干燥，并浓缩。残余物用甲苯重结晶，且最后分级升华两次(p为约10-6毫巴，t＝395～420℃)。产量：22g(40mmol)；理论的80％；纯度：根据hplc，99.9％。以下化合物可以类似方式制备：b)器件实施例以下实施例e1至e6(见表1)提供本发明的材料在oled中的用途。在涂覆之前对用厚度为50nm的结构化ito(氧化锡铟)涂覆的玻璃板进行处理，首先用氧等离子体处理，然后用氩等离子体处理。这些经等离子体处理的玻璃板形成向其施加oled的基底。oled具有以下层结构：基底/空穴注入层(hil)/空穴传输层(htl)/电子阻挡层(ebl)/发光层(eml)/空穴阻挡层(hbl)/电子传输层(etl)/电子注入层(eil)，且最后是阴极。阴极由厚度为100nm的铝层形成。oled的精确结构可在表1a和1b中见到。oled的数据列于表2a和2b中。制造oled所需的材料示于表3中。所有材料都通过在真空室中热气相沉积施加。在这种情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成，所述发光掺杂剂通过共蒸发以特定体积比例添加到一种或多种基质材料中。以诸如eg1:ic2:teg1(45％:45％:10％)的形式给出的细节在此是指材料eg1以45％的比例、ic2以45％的比例且teg1以10％的比例存在于层中。类似地，电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。以标准方式表征oled。为此目的，确定电致发光光谱、工作电压和外量子效率(eqe，以％计量)，其作为亮度的函数，由呈现郎伯发光特征的电流-电压-亮度特性进行计算。电致发光光谱在1000cd/m2的亮度下确定，并由此计算cie1931x和y色坐标。表3中的参数u1000是指亮度为1000cd/m2所需的电压。eqe1000表示在1000cd/m2处获得的外量子效率。本发明的材料eg1和eg2在实施例e1和e2中用作绿色磷光oled的发光层中的基质材料。本发明的两种化合物对外量子效率都给出非常好的结果。本发明的材料eg1和eg3至eg5在实施例e3至e6中用作红色磷光oled的发光层中的基质材料。表1b：oled的结构本发明的所有四种化合物对外量子效率都给出非常好的结果。表2：用于oled的材料的结构式当前第1页12