本发明涉及一种临时固定用树脂组合物、临时固定用树脂膜及临时固定用片、以及半导体装置的制造方法。
背景技术：
：：随着智能手机(smartphone)、平板电脑(tabletpc)等电子设备的多功能化，通过层叠多层半导体元件来实现高容量化的堆叠式多芯片封装(multichippackage，mcp)正在普及。在半导体元件的安装中，作为晶粒接合(diebonding)用黏合剂而广泛使用膜状黏合剂。但是，现行的使用打线接合的半导体元件的连接方式在数据的处理速度方面存在极限，因此有电子设备的运作变慢的倾向。并且，由于欲将消耗电力抑制得较低，不进行充电而使用更长时间的需求不断提高，因此也要求省电化。从这种观点出发，近年来，以进一步高速化及省电化为目的，也开发了通过贯穿电极而非打线接合来连接半导体元件彼此的新结构的电子设备装置。虽然如上所述开发了新结构的电子设备装置，但依然要求高容量化，从而正在进行能够与封装结构无关地层叠更多层半导体元件的技术的开发。但是，为了在有限的空间内层叠更多的半导体元件，半导体元件的稳定薄型化必不可少。例如，目前，在将半导体晶圆从背面侧加以薄型化的磨削工序中，将被称为所谓的背面研磨带(backgrindtape，bg带)的带贴附于半导体元件上，在支持半导体晶圆的状态下实施磨削工序的情况成为主流。但是，供于磨削工序的半导体晶圆在表面侧形成有电路，因其影响，当通过磨削来加以薄型化时容易产生翘曲。bg带为容易应变的带材料，因此无法充分支持经薄型化的半导体晶圆，在半导体晶圆中容易产生翘曲。根据这种背景，提出了将作为比bg带硬的材料的硅晶圆或玻璃用作支撑体，由此对半导体晶圆进行薄型化的工艺。而且，提出了一种介于半导体晶圆与支撑体(硅晶圆或玻璃)之间来使两者压敏黏合的压敏黏合剂(pressure-sensitiveadhesive)。关于这种压敏黏合剂，作为重要的特性而要求能够在不损伤研削后的半导体元件的情况下从支撑体剥离。因此，对用于满足这些特性的剥离方法进行了研究。作为剥离方法，例如可列举：通过溶剂使压敏黏合剂溶解的方法；通过加热使胶黏性(adhesiveness)降低的方法；通过激光照射使压敏黏合剂改质或消失的方法(专利文献1及2)。以往技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4565804号说明书专利文献2：日本专利第4936667号说明书技术实现要素：发明要解决的技术课题但是，通过溶剂使压敏黏合剂溶解的方法花费时间，因此生产率容易降低。并且，关于通过加热使胶黏性降低的方法，担心因加热而对半导体元件造成影响，并且从耐热性的观点出发，无法适用于形成贯穿电极等的工艺用途。另一方面，通过激光照射而使压敏黏合剂改质或消失的方法必须导入高价的激光设备，应用这种工艺必需相当大的投资。如上所述，从操作性及高额的设备投资的必要性的方面出发，现有的压敏黏合剂有进一步改善的余地。尤其这种压敏黏合剂大部分为液状，通过旋涂等涂布于半导体晶圆或支撑体上并通过加热、紫外线(uv)照射等进行成膜来使用。但是，这种情况下存在如下问题：因涂布时的压敏黏合剂的不均，在各个半导体晶圆中，加工后的半导体晶圆的厚度容易产生不均，并且，在旋涂中，需要废弃因涂布时的旋转而飞散的材料等。并且，加工的电子部件并不限于平滑性高的部件，在电路面具备焊球，表面具有超过80μm的凹凸的晶圆为加工对象的情况也有增加倾向。在如上所述具有大的凹凸的部件为加工对象的情况下，若设为在凹凸中充分埋入压敏黏合剂的状态，则难以从具有凹凸的表面剥离压敏黏合剂。并且，在焊球的黏合强度不充分的情况下，当进行压敏黏合剂的剥离时，有焊球脱落等的担忧。进而，在电子部件的制造工艺中，例如有焊球搭载时的回流(reflow)工序、或再配线层的形成工序等超过200℃的工艺，压敏黏合剂需要在这些工序中牢固地保持电子部件，且经过工艺后可简单地剥离。进而，在使用通过光、热等外部能量的照射而固化的材料的情况下，在作为通常的使用环境的洁净室(uv截止(uvcut)，25℃)下的保存稳定性(有时称为“贮藏寿命(shelflife)”)也重要。由于要求优异的台阶埋入性，因此若贮藏寿命不充分，则会发生埋入不足，从而对生产率带来大的影响，因此不优选。本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种可良好地进行电子部件的加工的临时固定用树脂组合物。并且，本发明的目的在于提供一种使用了上述临时固定用树脂组合物的临时固定用树脂膜及临时固定用片、以及半导体装置的制造方法。用于解决技术课题的手段本发明所涉及的临时固定用树脂组合物在半导体晶圆的加工方法中用于形成临时固定材料，所述半导体晶圆的加工方法包括：临时固定工序，经由临时固定材料将半导体晶圆临时固定于支撑体；加工工序，对临时固定于支撑体的半导体晶圆进行加工；以及分离工序，将加工后的半导体晶圆从临时固定材料分离，所述临时固定用树脂组合物包括：(a)热塑性树脂、(b)热固性树脂、以及(c)硅酮化合物，所述临时固定用树脂组合物在120℃下的剪切粘度为4000pa·s以下，且在25℃的环境下放置7天之后的剪切粘度的变化率为30％以内。本发明的临时固定用树脂组合物还可以包含(d)固化促进剂。通过临时固定用树脂组合物在120℃下的剪切粘度为4000pa·s以下(优选为100～3000pa·s)，即使在加工对象的半导体晶圆的表面具有凹凸，也可使台阶埋入性及加工后的剥离性这两者成为充分高的水平。由此，根据本发明，可良好地对半导体晶圆进行加工，由此能够以高生产率制造电子部件。从膜形成性的观点出发，临时固定用树脂组合物中的(b)热固性树脂的含量相对于(a)热塑性树脂100质量份例如为10～500质量份。(b)热固性树脂可以包含环氧树脂及酚醛树脂中的至少一种。作为(a)热塑性树脂，例如为包含具有反应性基团的(甲基)丙烯酸(酯)类单体作为共聚成分的含反应性基团的(甲基)丙烯酸(酯)类共聚物。作为该含反应性基团的(甲基)丙烯酸(酯)类共聚物的具体例，可列举以共聚成分总量为基准而包含1.0～10质量％的具有环氧基的(甲基)丙烯酸(酯)类单体的含环氧基的(甲基)丙烯酸(酯)类共聚物。作为(c)硅酮化合物，从与树脂成分的相溶性的观点出发，例如可采用有机基团改质硅酮。本发明提供一种临时固定用树脂膜，其具有单层或多层结构，且包括至少一层由上述临时固定用树脂组合物形成的层(以下，根据情况称为“临时固定用树脂层”)。通过将临时固定用树脂组合物预先形成为厚度充分均匀的膜状，可充分抑制加工后的半导体晶圆中可能产生的厚度的偏差，并且能够有效地加工半导体晶圆。本发明的临时固定用树脂膜可以具有两层临时固定用树脂层。通过临时固定用树脂膜为双层结构，具有能够更高度兼顾台阶埋入性及加工后的剥离性的优点。在临时固定用树脂膜中，一个临时固定用树脂层和另一临时固定用树脂层可以直接接触。在该情况下，两个层可以一体化来形成单层结构，也可以在两个层之间存在界面而维持双层结构。如上所述，这些临时固定树脂膜介于支撑体与半导体晶圆之间，可用于半导体晶圆相对于支撑体的临时固定。本发明提供一种临时固定用片，其具备上述临时固定树脂膜、以及设置于该临时固定树脂膜的至少一个面上的支撑膜。支撑膜中的与临时固定树脂膜接触的面优选具有脱模性。本发明提供一种使用了上述临时固定用树脂组合物的半导体装置的制造方法。具体而言，本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括：临时固定工序，经由由临时固定用树脂组合物形成的临时固定材料将半导体晶圆临时固定于支撑体；加工工序，对临时固定于支撑体的半导体晶圆进行加工；以及分离工序，将加工后的半导体晶圆从临时固定材料分离。发明效果根据本发明，能够提供一种可良好地进行电子部件的加工的临时固定用树脂组合物。并且，根据本发明，能够提供一种使用了上述临时固定用树脂组合物的临时固定用树脂膜及临时固定用片、以及半导体装置的制造方法。附图说明图1(a)是表示临时固定用片的一实施方式的俯视图，图1(b)是沿着图1(a)的i-i线剖切的示意剖视图。图2(a)是表示具有两层的临时固定用树脂层的临时固定用片的一实施方式的俯视图，图2(b)是沿着图2(a)的ii-ii线剖切的示意剖视图。图3(a)是表示本发明所涉及的临时固定用片的另一实施方式的俯视图，图3(b)是沿着图3(a)的iii-iii线剖切的示意剖视图。图4(a)是表示本发明所涉及的临时固定用片的另一实施方式的俯视图，图4(b)是沿着图4(a)的iv-iv线剖切的示意剖视图。图5(a)～图5(c)是用于说明半导体晶圆的加工方法的一实施方式的示意剖视图，图5(d)是表示加工后的半导体晶圆的背面的俯视图。图6(a)～图6(d)是用于说明半导体晶圆的加工方法的一实施方式的示意剖视图。图7(a)是示意性地表示经由本发明所涉及的加工方法而制造的半导体元件的一例的剖视图，图7(b)是示意性地表示层叠有多个半导体元件的电子设备装置的一例的剖视图。具体实施方式以下，一边参考附图一边对本发明的实施方式进行详细说明。另外，附图中，对相同或相当部分标注相同符号，并省略重复说明。并且，附图的尺寸比率并不限于图示的比率。但本发明并不限定于以下实施方式。在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸或甲基丙烯酸。[临时固定用树脂组合物]本实施方式所涉及的临时固定材料树脂组合物包含(a)热塑性树脂、(b)热固性树脂、以及(c)硅酮化合物，在120℃下的剪切粘度为4000pa·s以下，且在25℃的环境下放置7天之后的剪切粘度的变化率为30％以内。通过将该临时固定材料树脂组合物用作临时固定材料(临时固定用树脂层)，可良好地对半导体晶圆进行加工，由此能够以高生产率制造电子部件。如上所述，临时固定用树脂组合物在120℃下的剪切粘度为4000pa·s以下，优选在100～3000pa·s的范围内，也可以为300～2500pa·s或500～2000pa·s。通过临时固定用树脂组合物在120℃下的剪切粘度为4000pa·s以下，即使在加工对象的半导体晶圆的表面具有凹凸，也可实现优异的台阶埋入性，并且在由临时固定用树脂组合物形成的层埋入凹凸之后，也可实现从具有凹凸的面的优异的剥离性。通过临时固定用树脂组合物在120℃下的剪切粘度为100pa·s以上，能够在半导体晶圆的加工后的加热时维持膜的状态。如上所述，将临时固定材料树脂组合物在25℃的环境下放置7天之后的剪切粘度的变化率为30％以内，优选在0～25％的范围内，也可以为0～20％或0～15％。通过该变化率为30％以内，临时固定材料树脂组合物的保存稳定性优异，由此能够以高生产率制造电子部件。另外，剪切粘度的变化率是用下式算出的值。剪切粘度的变化率(％)＝[(在25℃的环境下放置7天之后的120℃下的剪切粘度)-(在25℃的环境下放置7天之前的120℃下的剪切粘度)]/(在25℃的环境下放置7天之前的120℃下的剪切粘度)×100另外，“在25℃的环境下放置7天之前的120℃下的剪切粘度”优选将尽量未暴露于外部环境的临时固定材料树脂组合物作为试样来进行测定，例如，优选对制备后或开封后5小时以内的试样进行测定。并且，放置7天的环境的相对湿度为55％左右即可。放置7天之前及放置7天之后的临时固定材料树脂组合物的剪切粘度是指下述情况下的测定值：使用ares(rheometricscientific公司制造)，一边对临时固定用树脂膜赋予5％的应变，一边以20℃/分的升温速度升温同时进行测定。固化后的临时固定材料树脂组合物的储能模量在25℃下优选为20mpa以上，更优选为50mpa以上。若该储能模量为20mpa以上，则存在将电子部件加以薄化时能够充分固定电子部件和支撑体的倾向。该储能模量的上限值例如为6000mpa以下。固化后的临时固定材料树脂组合物的储能模量是指下述情况下的测定值：使用动态粘弹性测定装置(ubm股份有限公司制造)，一边以3℃/分的升温速度升温一边进行测定。＜(a)热塑性树脂＞作为(a)热塑性树脂，只要为至少在膜层压于电子部件或支撑体之前具有热塑性的树脂，则可无特别限制地使用。热塑性树脂也可以为通过加热等而形成交联结构的树脂。(a)热塑性树脂可使用具有交联性官能团的聚合物。作为具有交联性官能团的聚合物，可列举热塑性聚酰亚胺树脂、具有交联性官能团的(甲基)丙烯酸(酯)类共聚物、氨基甲酸酯树脂、聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、改性聚苯醚树脂等。这些之中，优选具有交联性官能团的(甲基)丙烯酸(酯)类共聚物。上述树脂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。具有交联性官能团的(甲基)丙烯酸(酯)类共聚物可以使用通过珠状聚合、溶液聚合等聚合方法得到的共聚物，或者也可以使用市售品。具有交联性官能团的聚合物可以在聚合物链中具有交联性官能团，也可以在聚合物链末端具有交联性官能团。作为交联性官能团的具体例，可列举环氧基、醇性羟基、酚性羟基、羧基等。交联性官能团中，优选羧基。羧基能够通过使用丙烯酸而导入到聚合物链中。(a)热塑性树脂的玻璃化转变温度(以下，有时也表述为“tg”)优选为-50℃～50℃，更优选为-40℃～20℃。若tg在这种范围内，则能够抑制粘性力变得过高而操作性劣化的情况，同时能够获得更充分的流动性，进而能够进一步降低固化后的弹性模量，因此能够进一步抑制剥离强度变得过高。tg是使用差示扫描量热法((differentialscanningcalorimeter，dsc)，例如rigakucorporation制造的“thermoplus2”)对热塑性树脂进行测定时的中间点玻璃化转变温度值。具体而言，上述tg是在升温速度10℃/分、测定温度：-80～80℃的条件下测定热量变化，通过依据jisk7121：1987的方法所算出的中间点玻璃化转变温度。(a)热塑性树脂的重均分子量并无特别限定，优选为10万～120万，更优选为20万～100万。若热塑性树脂的重均分子量在这种范围内，则容易确保成膜性和流动性。重均分子量是利用凝胶渗透色谱法(gelpermeationchromatography，gpc)且使用基于标准聚苯乙烯的校准曲线而得的聚苯乙烯换算值。＜(b)热固性树脂＞作为(b)热固性树脂，例如可列举环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、热固化型聚酰亚胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂，这些可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。环氧树脂，只要是固化而具有耐热作用的环氧树脂，则并无特别限定。环氧树脂能够使用双酚a型环氧等二官能环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂等。并且，环氧树脂能够应用多官能环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂、脂环式环氧树脂等普遍已知的树脂。作为双酚a型环氧树脂，可列举mitsubishichemicalcorporation制造的jer(注册商标)系列(epikote807、epikote815、epikote825、epikote827、epikote828、epikote834、epikote1001、epikote1004、epikote1007、epikote1009，“epikote”是注册商标)；thedowchemicalcompany制造的der-330、der-301、der-361；及nipponsteelchemical&materialco.,ltd.制造的yd8125、ydf8170等。作为苯酚酚醛清漆型环氧树脂，可列举jer股份有限公司制造的epikote152、epikote154；nipponkayakuco.,ltd.制造的eppn-201；thedowchemicalcompany制造的den-438等。作为邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂，可列举nipponkayakuco.,ltd.制造的eocn-102s、eocn-103s、eocn-104s、eocn-1012、eocn-1025、eocn-1027(“eocn”是注册商标)；nipponsteelchemical&materialco.,ltd.制造的ydcn701、ydcn702、ydcn703、ydcn704等。作为多官能环氧树脂，可列举jer股份有限公司制造的epon1031s；huntsmanjapan股份有限公司制造的araldite0163；nagasechemtexcorporation制造的denacolex-611、ex-614、ex-614b、ex-622、ex-512、ex-521、ex-421、ex-411、ex-321等(“araldite”、“denacol”是注册商标)。作为胺型环氧树脂，可列举jer股份有限公司制造的epikote604、nipponsteelchemical&materialco.,ltd.制造的yh-434、mitsubishigaschemicalcompany,inc.制造的tetrad-x及tetrad-c(“tetrad”是注册商标)、sumitomochemicalco.,ltd.制造的elm-120等。作为含杂环的环氧树脂，可列举cibaspecialtychemicals公司制造的aralditept810；ucc公司制造的erl4234、erl4299、erl4221、erl4206等。这些环氧树脂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。在将环氧树脂用作热固性树脂的情况下，优选一起使用环氧树脂固化剂。(b)环氧树脂固化剂可以使用通常使用的公知的固化剂。以下，将环氧树脂固化剂和固化剂统称为“热固化性成分”。作为环氧树脂固化剂，例如可列举胺类；聚酰胺；酸酐；多硫化物；三氟化硼；双酚a、双酚f、双酚s等在一分子中具有两个以上酚性羟基的双酚类；苯酚酚醛清漆树脂、双酚a酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂等酚醛树脂等。尤其，从吸湿时的耐电蚀性优异的观点出发，环氧树脂固化剂优选苯酚酚醛清漆树脂、双酚a酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂等酚醛树脂。作为酚醛树脂(作为上述环氧树脂固化剂)中的优选酚醛树脂例如可列举diccorporation制造的商品名：phenolitelf2882、phenolitelf2822、phenolitetd-2090、phenolitetd-2149、phenolitevh-4150、phenolitevh4170、meiwaplasticindustries,ltd.制造的商品名：h-1、jer股份有限公司制造的商品名：jercuremp402fpy、epicureyl6065、epicureylh129b65及mitsuichemicals,inc.制造的商品名：milexxl、milexxlc、milexrn、milexrs、milexvr(“phenolite”、“epicure”、“milex”是注册商标)。临时固定用树脂组合物中的(b)热固性树脂的含量相对于(a)热塑性树脂100质量份优选10～500质量份，更优选20～300质量份。若固化性成分的调配量在上述范围内，则临时固定用树脂膜可兼具充分的低温贴附性、耐热性、固化性及剥离性。若(b)热固性树脂的含量为10质量份以上，则贴附性及耐热性提高，并且背面研磨时的保持性也提高，趋于晶圆不易破裂。另一方面，若(b)热固性树脂的含量为500质量份以下，则固化前的粘度不易变得过低，能够以比较短的时间进行固化，并且趋于可兼顾电子部件在支撑体上的保持性与从支撑体的剥离性。＜(c)硅酮化合物＞作为(c)硅酮化合物，只要具有聚硅氧烷结构，则可无特别限制地使用。例如可列举硅酮改质树脂、纯硅油(straightsiliconeoil)、非反应性的改质硅油、反应性的改质硅油等。硅酮化合物可以单独使用一种或组合使用两种以上。通过临时固定用树脂组合物含有硅酮化合物，当将由临时固定用树脂组合物形成的膜状的临时固定材料从半导体芯片及密封体以及支撑体剥离时，即使在100℃以下的低温下也可以不使用溶剂而容易剥离。在本实施方式中使用的硅酮化合物为硅酮改质树脂的情况下，只要为用硅酮改质的树脂则无特别限制。作为硅酮改质树脂，优选硅酮改质醇酸树脂。通过含有硅酮改质醇酸树脂，当将临时固定用树脂膜从电子部件剥离时，可以不使用溶剂而更容易剥离。在本实施方式中使用的硅酮化合物为改质硅油的情况下，优选聚醚改质硅酮、烷基改质硅酮、环氧改质硅酮。作为如上所述的硅酮，只要与高分子量体相溶，则可无特别限定地使用。作为硅酮，可列举dowcorningtorayco.,ltd.制造的sh3773m、l-7001、sh-550、sh-710，shin-etsuchemicalco.,ltd.制造的x-22-163、kf-105、x-22-163b、x-22-163c，byk公司制造的byk-uv3500等。临时固定用树脂组合物中的(c)硅酮化合物的含量相对于(a)热塑性树脂100质量份优选0～100质量份，更优选0.01～80质量份。若(c)硅酮化合物的含量在上述范围内，则可以以更高的水平兼顾电子部件加工时的黏合性和加工后的剥离性。＜(d)固化促进剂＞临时固定用树脂组合物还可以包含(d)固化促进剂。作为(d)固化促进剂，例如可列举咪唑类、二氰二胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基硼酸四苯基磷、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸盐、1,8-二氮杂双环[5,4,0]十一烯-7-四苯基硼酸盐等。这些可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。在(a)热塑性树脂包含具有环氧基的(甲基)丙烯酸(酯)类共聚物的情况下，优选含有促进该丙烯酸(酯)类共聚物中所包含的环氧基的固化的固化促进剂。临时固定用树脂组合物中的(d)固化促进剂的含量相对于(a)热塑性树脂100质量份优选0.01～5.0质量份。若相对于(a)热塑性树脂100质量份，(c)固化促进剂的含量为0.01质量份以上，则在半导体元件的制造工序内的热过程中可使临时固定用树脂组合物充分固化，因此能够更可靠地固定电子部件和支撑体。若相对于(a)热塑性树脂100质量份，(d)固化促进剂的含量为5.0质量份以下，则临时固定用树脂膜的熔融粘度不易因制造工序中的加热而上升，趋于膜的保存稳定性变得更良好。＜其他成分＞临时固定用树脂组合物中，作为上述成分以外的成分，可以包含填料(无机填料和/或有机填料)、以及硅烷偶合剂等。作为无机填料，例如可列举银粉、金粉、铜粉等金属填料；二氧化硅(silica)、氧化铝(alumina)、氮化硼、二氧化钛(titania)、玻璃、氧化铁、陶瓷等非金属无机填料等。无机填料可根据所期望的功能而进行选择。金属填料可以以对膜赋予触变性(thixotropy)为目的来添加。非金属无机填料可以以对膜赋予低热膨胀性及低吸湿性为目的来添加。无机填料可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。无机填料优选在表面具有有机基团。通过无机填料的表面被有机基团改质，容易提高制备用于形成膜的树脂组合物时在有机溶剂中的分散性、以及膜的密合性及耐热性。表面上具有有机基团的无机填料例如可以通过混合由下述通式(b-1)表示的硅烷偶合剂和无机填料，并以30℃以上的温度进行搅拌来获得。无机填料的表面被有机基团改质可以利用uv(紫外线)测定、ir(红外线)测定、xps(x射线光电子能谱)测定等来进行确认。式(b-1)中，x表示选自由苯基、环氧丙氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、乙烯基、异氰酸酯基及甲基丙烯酰氧基组成的组中的有机基团，s表示0或1～10的整数，r11、r12及r13分别独立地表示碳原子数1～10的烷基。作为碳原子数1～10的烷基，例如可列举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、异丙基、异丁基。从容易获取的观点出发，碳原子数1～10的烷基优选甲基、乙基及戊基。从耐热性的观点出发，x优选氨基、环氧丙氧基、巯基及异氰酸酯基，更优选环氧丙氧基及巯基。从抑制高温时的膜流动性并提高耐热性的观点出发，式(b-1)中的s优选为0～5，更优选为0～4。优选的硅烷偶合剂例如可列举：三甲氧基苯基硅烷、二甲基二甲氧基苯基硅烷、三乙氧基苯基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-脲基丙基三乙氧基硅烷、n-(1,3-二甲基亚丁基)-3-(三乙氧基硅烷基)-1-丙胺、n,n'-双(3-(三甲氧基硅烷基)丙基)乙二胺、聚氧乙烯丙基三烷氧基硅烷、聚乙氧基二甲基硅氧烷。这些中，优选3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷，更优选三甲氧基苯基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷。硅烷偶合剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。从实现提高耐热性的效果与保存稳定性之间的平衡的观点出发，上述硅烷偶合剂的使用量相对于无机填料100质量份，优选0.01～50质量份，更优选0.05质量份～20质量份，从提高耐热性的观点出发，进一步优选0.5～10质量份。从提高b阶段状态下的临时固定用树脂膜的操作性及提高低热膨胀性的观点出发，无机填料的含量相对于(a)热塑性树脂100质量份，优选300质量份以下，更优选200质量份以下，进一步优选100质量份以下。无机填料的含量的下限并无特别限制，相对于热塑性树脂100质量份，优选为5质量份以上。通过将无机填料的含量设为上述范围，趋于能够充分确保黏合性，同时赋予所期望的功能。作为有机填料，例如可列举：碳、橡胶系填料、硅酮系微粒子、聚酰胺微粒子、聚酰亚胺微粒子等。相对于(a)热塑性树脂100质量份，有机填料的含量优选300质量份以下，更优选200质量份以下，进一步优选100质量份以下。有机填料的含量的下限并无特别限制，相对于热塑性树脂100质量份，优选为5质量份以上。[临时固定用树脂膜及包括其的临时固定用片]在本实施方式所涉及的临时固定用树脂组合物为临时固定用树脂膜的情况下，由于是膜状的压敏黏合剂，因此更容易控制膜厚，能够减轻各个电子部件之间的厚度偏差。并且，本实施方式所涉及的临时固定用树脂膜能够通过层压等简便的方法贴合于电子部件或支撑体上，操作性也优异。临时固定用树脂膜的厚度并无特别限定，从充分固定电子部件和搬送用的支撑体的观点出发，优选为10～350μm。若厚度为10μm以上，则涂布时的厚度的不均变少，并且，厚度充分，因此膜或膜的固化物的强度变得良好，能够更充分地固定电子部件和搬送用的支撑体。若厚度为350μm以下，则不易产生临时固定用树脂膜的厚度不均，并且，容易通过充分的干燥来减少膜中的残留溶剂量，能够进一步减少对膜的固化物进行加热时的发泡。图1(a)是表示临时固定用片的一实施方式的俯视图，图1(b)是沿着图1(a)的i-i线剖切的示意剖视图。这些图所示的临时固定用片10依次具备支撑膜1、由临时固定用树脂组合物形成的临时固定用树脂膜2a、以及保护膜3。作为支撑膜1并无特别限制，例如可列举：聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺。从柔软性及韧性优异的观点出发，支撑膜1优选为聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚酰胺或聚酰亚胺。并且，从提高与树脂膜(树脂层)的剥离性的观点出发，优选将由硅酮系化合物、氟系化合物等实施了脱模处理的膜用作支撑膜。支撑膜1的厚度可根据目标柔软性而适当改变，优选为3～350μm。若厚度为3μm以上，则膜强度充分，若为350μm以下，则趋于可获得充分的柔软性。从这种观点出发，支撑膜1的厚度更优选为5～200μm，进一步优选为7～150μm。作为保护膜3并无特别限制，例如可列举：聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯。从柔软性及韧性的观点出发，保护膜3优选聚对苯二甲酸乙二酯、聚乙烯或聚丙烯。并且，从提高与临时固定用树脂膜(树脂层)的剥离性的观点出发，优选将由硅酮系化合物、氟系化合物等实施了脱模处理的膜用作保护膜3。保护膜3的厚度可根据目标柔软性而适当设定，例如，优选为10～350μm。若厚度为10μm以上，则膜强度变得更良好，若为350μm以下，则可进一步获得柔软性。从这种观点出发，保护膜3的厚度更优选为15～200μm，进一步优选为20～150μm。临时固定用树脂膜2a可以通过如下方法来形成：在有机溶剂中混合及混练上述成分来制备清漆，将所制作的清漆涂布于支撑膜1上并使其干燥。有机溶剂并无特别限定，可以根据沸点考虑制膜时的挥发性等来决定。具体而言，从在制膜时不易使膜进一步固化的观点出发，优选甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基乙基酮、丙酮、甲基异丁基酮、甲苯、二甲苯等沸点较低的溶剂。并且，出于提高制膜性等目的，例如优选使用二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮、环己酮等沸点较高的溶剂。这些溶剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。清漆中的固体成分浓度优选为10～80质量％。混合及混练使用通常的搅拌机、擂溃机、三辊机、珠磨机等，可以适当组合这些来进行。上述加热干燥只要为所使用的溶剂充分挥发的条件则无特别限制，通常可在60℃～200℃下加热0.1～90分钟来进行。通过加热干燥在支撑膜1上形成临时固定用树脂膜2a。然后，通过以覆盖临时固定用树脂膜2a的方式贴合保护膜3来获得临时固定用片10。如此获得的临时固定用片10例如可通过卷取成卷状来容易保存。并且，也可以在将卷状的临时固定用片10切成适宜的尺寸的状态下保存。图2(a)是表示具有两层临时固定用树脂层的临时固定用片的一实施方式的俯视图，图2(b)是沿着图2(a)的ii-ii线剖切的示意剖视图。这些图所示的临时固定用片20依次具备支撑膜1a、由第一树脂层2a及第二树脂层2b构成的临时固定用树脂膜2b、以及支撑膜1b。由第一树脂层2a及第二树脂层2b构成的临时固定用树脂膜2b满足关于剪切粘度的上述条件。第一树脂层2a及第二树脂层2b可以由相同的组合物构成，也可以由互不相同的组合物构成。在第一树脂层2a及第二树脂层2b由不同的组合物构成的情况下，例如，若将第二树脂层2b设为与半导体晶圆的具有凹凸的面相接的一侧，则可以如下方式进行设计：第二树脂层2b具有优异的台阶埋入性及相对于具有台阶的面的优异的剥离性(参考图6(b))，另一方面，第一树脂层2a具有相对于在加工前所贴附的支撑体(参考图5(a)的支撑体50)的优异的剥离性。临时固定用树脂膜2b可以通过贴合在有机溶剂中混合及混练上述成分来制备清漆，将其涂布于支撑膜1a上并使其干燥来制作的层叠体和将与此相同或另行制备的清漆涂布于支撑膜1b上并使其干燥来制作的层叠体来形成。在第一树脂层2a及第二树脂层2b由相同的清漆形成的情况下，具有即使形成较厚的临时固定用树脂膜，也容易充分减少有机溶剂的残留量的优点。第一树脂层2a及第二树脂层2b可以一体化来形成单层结构，也可以在两个层之间存在界面来维持双层结构。临时固定用树脂膜2a、2b相对于支撑体(例如硅镜面晶圆(siliconmirrorwafer))的90°剥离强度(剥离速度：300mm/分)在25℃下优选为5～200n/m，更优选为6～180n/m。若90°剥离强度在上述范围内，则可充分抑制在加工后的半导体晶圆中产生残胶，可以将加工后的半导体晶圆从支撑体良好地剥离。即，若90°剥离强度为5n/m以上，则能够在磨削加工工序中更牢固地固定电子部件与支撑体，若为200n/m以下，则从支撑体剥离临时固定用树脂膜时，能够充分减少与支撑体之间的残胶，能够进一步降低在支撑体上残留膜的可能性。90°剥离强度可以如下测定。将厚度625μm的硅镜面晶圆(6英寸)置于真空层压机(npcincorporated制造，lm-50x50-s)的平台上，将本实施方式所涉及的临时固定用树脂膜设置成第二层贴附于硅镜面晶圆侧。在15mbar的条件下以120℃的温度、0.1mpa的压力对其进行2分钟加热加压，并进行真空层压而制成测定用样品。将所获得的测定用样品固化，切成10mm宽度。通过将剥离角度设定为90°的剥离试验机，以300mm/分的速度对其实施剥离试验，将此时的剥离强度设为90°剥离强度。[临时固定用片的其他实施方式]图3(a)是表示临时固定用片的另一实施方式的俯视图，图3(b)是沿着图3(a)的iii-iii线剖切的示意剖视图。图3(a)所示的临时固定用片30除根据临时固定的部件(例如半导体晶圆)的形状预先裁切临时固定用树脂膜2a及保护膜3以外，具有与临时固定用片10相同的结构。图4(a)是表示临时固定用片的另一实施方式的俯视图，图4(b)是沿着图4(a)的iv-iv线剖切的示意剖视图。图4(a)所示的临时固定用片40除根据临时固定的部件(例如半导体晶圆)的形状预先裁切支撑膜1b、保护膜3及临时固定用树脂膜2b以外，具有与临时固定用片10相同的结构。另外，在图3(a)及图4(a)所示的方式中，例示了将保护膜3、支撑膜1b及临时固定用树脂膜2a、2b裁切为圆形的方式，但也可根据临时固定的部件的形状在这些部件中设置切口、或者残留外缘部。[半导体晶圆的加工方法]使用了临时固定用树脂组合物的半导体晶圆的加工方法大致区为以下四个工序。(a)临时固定工序，经由由临时固定用树脂组合物形成的临时固定材料将半导体晶圆临时固定于支撑体。(b)加工工序，对临时固定于支撑体的半导体晶圆进行加工。(c)分离工序，将加工后的半导体晶圆从支撑体及临时固定材料分离。(d)清洗工序，在半导体晶圆中存在残渣的情况下，对半导体晶圆进行清洗。图5(a)～图5(c)是用于说明半导体晶圆的加工方法的一实施方式的示意剖视图，图5(d)是表示加工后的半导体晶圆的俯视图。另外，在图5(a)～图5(c)中图示了临时固定材料(临时固定用树脂层)为图2(b)或图4(b)所示的双层结构的临时固定用树脂膜2b的情况，但临时固定材料的结构并不限定于此。＜(a)临时固定工序＞临时固定工序是使临时固定材料介于支撑体50与半导体晶圆w之间，将半导体晶圆w临时固定于支撑体50的工序(图5(a))。半导体晶圆w的厚度并无特别限制，可以设为300～800μm。在半导体晶圆w的临时固定用树脂膜2b侧的面wa中形成有电路(未图示)，且形成有多个连接端子wt。从半导体晶圆w的面wa至连接端子wt的头顶部为止的距离(连接端子wt的高度)例如为1～200μm，也可以为5～150μm或10～100μm。(a-1)在支撑体50上形成临时固定材料如图5(a)所示，在使用双层结构的临时固定用树脂膜2b的情况下，可使用辊式层压机及真空层压机等，在支撑体50上形成临时固定材料。另外，也可以代替双层结构的临时固定用树脂膜来使用单层的临时固定用树脂膜2a。在使用液状的临时固定用树脂组合物的情况下，通过旋涂、印刷及分配等方法，在支撑体50上形成临时固定材料。支撑体50的材质并无特别限制，可使用硅晶圆、玻璃晶圆、石英晶圆、sus(不锈钢)板等基板。也可以对支撑体50进行剥离处理，可以通过对支撑体50表面的全部或一部分进行剥离处理来形成剥离层52(参考图5(a))。剥离处理中使用的剥离剂并无特别限定，例如具有氟元素的表面改质剂、聚烯烃系蜡及硅油、含有反应性基团的硅油、硅酮改质醇酸树脂的剥离性优异，因此优选。(a-2)半导体晶圆w的贴附将具有支撑体50以及形成于其表面上的临时固定材料的层叠体设置于晶圆接合装置或真空层压机上。相对于临时固定材料按压并贴附半导体晶圆w(参考图5(a))。作为晶圆接合装置，例如可列举evg公司制造的真空压制机evg520is(商品名)。在使用该装置的情况下，在气压1hpa以下、压接压力1mpa、压接温度60℃～200℃、保持时间100秒～300秒下，经由临时固定材料将半导体晶圆w与支撑体50临时固定即可。作为真空层压机，例如可列举npcincorporated制造的真空层压机lm-50x50-s(商品名)及nichigo-mortonco.,ltd.制造的真空层压机v130(商品名)。在气压1hpa以下、压接温度40℃～180℃(优选为60℃～150℃)、层压压力0.01～0.5mpa(优选为0.1～0.5mpa)、保持时间1秒～600秒(优选为30秒～300秒)的按压条件下，经由临时固定材料将半导体晶圆w与支撑体50临时固定即可。(a-3)临时固定用树脂膜的固化将半导体晶圆w临时固定于支撑体50后进行临时固定材料的固化。固化方法并无特别限制，具有通过热或放射线照射的方法。作为固化方法，其中优选通过热的固化。在通过热进行固化的情况下，固化条件优选在100～200℃下、10～300分钟(更优选为20～210分钟)的固化。若温度为100℃以上，则临时固定材料充分固化而不易在加工工序中引起问题，若为200℃以下，则在临时固定材料的固化中不易产生脱气，能够进一步抑制临时固定材料的剥离。并且，若固化时间为10分钟以上，则不易在加工工序中引起问题，若为300分钟以下，则作业效率不易变差。图5(b)中的临时固定用树脂膜2c表示临时固定用树脂膜2b的固化体。＜(b)加工工序＞加工工序包括以晶圆级而使用的磨削、电极形成、金属配线形成、保护膜形成等。磨削方式并无特别限制，可以利用公知的磨削方式。优选一边对半导体晶圆w与磨石(金刚石(diamond)等)喷洒水以将其冷却，一边进行磨削。例如，如图5(b)所示，利用研磨机(grinder)g对半导体晶圆w的背面wb进行磨削，例如将700μm左右的厚度薄化至100μm以下。作为进行磨削加工的装置，例如可列举discocorporation制造的dgp-8761(商品名)等，切削条件可根据所期望的半导体晶圆w的厚度及研削状态来任意选择。具体而言，其他工序可列举：用于形成电极等的金属溅镀、对金属溅镀层进行蚀刻的湿式蚀刻、用于在形成金属配线时进行遮掩的抗蚀剂的涂布、利用曝光及显影的图案形成、抗蚀剂的剥离、干式蚀刻、金属镀层的形成、用于形成tsv(硅穿孔)的硅蚀刻、硅表面的氧化膜形成等公知的工艺。图5(c)示出在经薄化的半导体晶圆w的背面侧进行干式离子蚀刻或波希工艺(boschprocess)等加工，形成贯穿孔后，进行镀铜等处理，从而形成贯穿电极et的例子。图5(d)是表示加工后的半导体晶圆w的背面wb侧的俯视图。另外，如后所述，半导体晶圆w经由切割工序而被单片化为半导体元件，所述切割工序是沿着图5(d)中由虚线表示的切割线l进行切割。＜(c)分离工序＞图6(a)～图6(d)是表示从图5(c)所示的状态起之后的工序的示意剖视图。分离工序包括将半导体晶圆w与临时固定用树脂膜一起从支撑体50剥离的第一剥离工序(参考图6(a))、以及从半导体晶圆w剥离临时固定材料的第二剥离工序(参考图6(b))。另外，也可以不实施第一剥离工序而从临时固定用树脂膜剥离半导体晶圆w。作为剥离方法，可列举水平地固定半导体晶圆w或支撑体50中的一个，并从水平方向以一定角度倾斜地抬起另一个的方法；及在电子部件的磨削面上贴附保护膜，以掀开方式将电子部件和保护膜从支撑体50剥离的方法等。在第二剥离工序中，例如，如图6(b)所示，将被剥离的半导体晶圆w及临时固定材料移至切割带90上并水平地固定半导体晶圆w，从水平方向以一定的角度倾斜地抬起临时固定材料的端部，由此可获得剥离了临时固定材料的半导体晶圆w(参考图6(c))。通过使用本实施方式所涉及的临时固定用树脂膜来形成临时固定材料，可容易获得充分减少了残胶等残渣的加工完毕的半导体晶圆w。这些剥离方法通常在室温下实施，但也可以在40～100℃左右的不对电子部件造成损伤的温度下实施。在进行机械分解时，例如使用剥离器(debonder)(sussmicrotecgroup制造，db12t)、de-bonding装置(evg公司制造，evg805ezd)等。在第二剥离工序中，例如，如图5(b)所示，水平地固定电子部件80，从水平方向以一定角度倾斜地抬起膜状的临时固定材料70的端部，由此可获得临时固定材料被剥离的电子部件80，且可回收支撑体。＜(d)清洗工序＞半导体晶圆w的电路形成面(面wa)容易残留临时固定材料的一部分。在半导体晶圆w的电路形成面上残留一部分临时固定材料的情况下，可设置用于去除该一部分临时固定材料的清洗工序。临时固定材料的去除例如可通过清洗半导体晶圆w来进行。关于清洗液，只要为可去除一部分残留的临时固定材料的清洗液，则并无特别限制。作为这种清洗液，例如可列举可用于稀释临时固定用树脂组合物的上述有机溶剂。这些有机溶剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。并且，在难以去除残留的临时固定材料的情况下，也可以在有机溶剂中添加碱类、酸类。作为碱类的例子，可使用乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、氨等胺类；四甲基氢氧化铵等铵盐类。酸类可使用乙酸、草酸、苯磺酸、十二烷基苯磺酸等有机酸。添加量以清洗液中浓度计，优选0.01～10质量％。并且，为了提高残留物的去除性，也可以在清洗液中添加现有的表面活性剂。清洗方法并无特别限制，例如可列举：使用上述清洗液在搅拌下进行清洗的方法、利用喷雾器喷雾的清洗方法、浸渍于清洗液槽中的方法。温度适宜为10～80℃、优选为15～65℃，最终进行水洗或醇清洗，进行干燥处理，获得薄型的半导体晶圆w。另外，如上所述，根据本实施方式所涉及的临时固定用树脂组合物，可充分减少残胶等残渣，因此可省略清洗工序。对于形成有贯穿电极et的半导体晶圆w，进一步通过沿着切割线l的切割而单片化为半导体元件(参考图6(d))。另外，图6(d)所示的多个半导体元件100通过切割带90的扩展而彼此分离。图7(a)是示意性地表示经由上述工序来制造的半导体元件100的剖视图。图7(b)是示意性地表示层叠有多个半导体元件100的电子设备装置的一例的剖视图。将多个半导体元件100层叠于配线基板110上，并且在半导体元件100上进一步配置半导体元件100并进行电连接，由此可获得电子设备装置120。以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明未必限定于上述实施方式，也可以在不脱离其主旨的范围内适当地进行变更。例如，本发明所涉及的临时固定用树脂组合物、临时固定用树脂膜及临时固定用片、以及半导体装置的制造方法不限定于半导体晶圆的加工，可应用于各种电子部件的加工，以利用于电子设备装置的制造方法中。实施例以下，通过实施例及比较例更具体地说明本发明，但本发明并不限定于以下实施例。[丙烯酸酯橡胶k-1的合成]在具备搅拌机、温度计、氮置换装置(氮流入管)及带有接水器的回流冷凝器的500cc可分离式烧瓶内调配以下成分。·去离子水200g·丙烯酸丁酯60g·甲基丙烯酸甲酯10g·甲基丙烯酸2-羟基乙酯10g·甲基丙烯酸缩水甘油酯20g·1.8％聚乙烯醇水溶液1.94g·月桂基过氧化物0.2g·正辛硫醇0.08g接着，历时60分钟将n2气体吹入烧瓶中来去除系统内的空气后，将系统内温度升温至65℃，进行了5小时聚合。进而，将系统内温度升温至90℃并持续搅拌2小时，完成了聚合。通过过滤分离由聚合反应获得的透明珠，用去离子水清洗之后，利用真空干燥机在50℃下干燥6小时，从而获得丙烯酸酯橡胶k-1。利用gpc测定丙烯酸酯橡胶k-1的结果，丙烯酸酯橡胶k-1的重均分子量以聚苯乙烯换算为30万。丙烯酸酯橡胶k-1的tg为-20℃。[丙烯酸酯橡胶k-2的合成]在具备搅拌机、温度计、氮置换装置(氮流入管)及带有接水器的回流冷凝器的500cc可分离式烧瓶内调配以下成分。·去离子水200g·丙烯酸丁酯70g·甲基丙烯酸甲酯10g·甲基丙烯酸2-羟基乙酯10g·甲基丙烯酸缩水甘油酯10g·1.8％聚乙烯醇水溶液1.94g·月桂基过氧化物0.2g·正辛硫醇0.06g接着，历时60分钟将n2气体吹入烧瓶中来去除系统内的空气后，将系统内温度升温至65℃，进行了5小时聚合。进而，将系统内温度升温至90℃并持续搅拌2小时，完成了聚合。通过过滤分离由聚合反应获得的透明珠，用去离子水清洗之后，利用真空干燥机在50℃下干燥6小时，从而获得丙烯酸酯橡胶k-2。利用gpc测定丙烯酸酯橡胶k-2的结果，丙烯酸酯橡胶k-2的重均分子量以聚苯乙烯换算为40万。丙烯酸酯橡胶k-2的tg为-28℃。(实施例1～5、比较例1～8)[临时固定用树脂膜的制备]以表1～3所示的质量份的组成分别制备了实施例及比较例的清漆。将所制备的清漆涂布于经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯膜(teijinfilmsolutionslimited制造，a31，厚度为38μm)的脱模处理面上，在90℃下加热干燥5分钟及在140℃下加热干燥5分钟，由此形成第一树脂层。使用相同的清漆形成第二树脂层，并通过第一树脂层及第二树脂层获得临时固定用树脂膜。然后，在临时固定用树脂膜上贴合保护膜，获得带有保护膜及支撑膜的临时固定用树脂膜。[表1][表2][表3]表1～3中记载的各成分的详细内容如下。·丙烯酸酯橡胶k-1：利用gpc测定的重均分子量30万、甲基丙烯酸缩水甘油酯20质量％、tg-20℃的丙烯酸酯橡胶·丙烯酸酯橡胶k-2：利用gpc测定的重均分子量40万、甲基丙烯酸缩水甘油酯10质量％、tg-28℃的丙烯酸酯橡胶·htr-860p-3csp：利用gpc测定的重均分子量80万、甲基丙烯酸缩水甘油酯3质量％、tg12℃的丙烯酸酯橡胶(nagasechemtexcorporation制造)·ydcn-700-10：甲酚酚醛清漆型多官能环氧树脂(nipponsteelchemical&materialco.,ltd.制造)·exa-830crp：双酚f型环氧树脂(diccorporation制造)·he100-30：苯酚芳烷基树脂(airwaterinc.制造)·sh3773m：聚醚改质硅酮化合物(dowcorningtorayco.,ltd.制造)·ta31-209e：硅酮改质醇酸树脂(hitachikaseico.,ltd.制造)·2pz-cn：咪唑系固化促进剂(shikokuchemicalscorporation制造)·2phz-pw：咪唑系固化促进剂(shikokuchemicalscorporation制造)·sc2050-hlg：环氧硅烷表面处理二氧化硅填料(admatechscompanylimited制造)对于所制备的实施例及比较例的临时固定用树脂膜，按照以下所示的方法评价120℃下的剪切粘度、台阶埋入性、250℃下的耐热性评价、固化后的弹性模量(25℃下的储能模量)、临时固定用树脂膜相对于支撑体的90°剥离强度及工艺性评价。在25℃的环境下放置7天之前(无经时)及放置7天之后(有经时)的评价结果示于表4～6。[剪切粘度测定]利用下述方法评价临时固定用树脂膜的剪切粘度。以80℃层压8片厚度调整为30μm的膜制成240μm，并使用旋转式粘弹性测定装置(tainstrumentsjapaninc.制造，ares)测定了剪切粘度。在测定方法为“parallplate(平行板)”、测定夹具为直径8mm的圆形夹具、测定模式为“dynamictemperatureramp(动态温度斜坡)”、频率为1hz的条件下进行，一边赋予5％的应变一边以20℃/分的升温速度从35℃升温至200℃，测定达到120℃时的粘度。[台阶埋入性]利用下述方法评价临时固定用树脂膜的台阶埋入性。在厚度为625μm的硅镜面晶圆(6英寸)表面，在80℃下通过辊式层压贴合临时固定用树脂膜，获得带有临时固定用树脂膜的晶圆。接着，在厚度为625μm的硅镜面晶圆(6英寸)表面，通过刀片切割(bladedicing)以100μm间隔制作了宽40μm、深40μm的沟槽。将如此制作的带有台阶的硅镜面晶圆以台阶成为上面的方式置于真空层压机(npcincorporated制造，lm-50x50-s)的平台上，将上述中制作的带有临时固定用树脂膜的晶圆设置成使临时固定用树脂膜面朝下地贴附于带有台阶的硅镜面晶圆侧。在15mbar的条件下以120℃的温度、0.1mpa的压力对其进行2分钟加热加压，并进行了真空层压。然后，使用超声波显微镜(扫描声学显微镜(scanningacousticmicroscope，sam)，insightinc.制造，insight-300)确认临时固定用树脂膜的状态。埋入性的评价基准如下。a：空隙的比例小于5％。b：空隙的比例为5％以上。[250℃下的耐热性评价]利用下述方法评价临时固定用树脂膜的250℃下的耐热性。通过刀片切割对厚度为625μm的硅镜面晶圆(6英寸)进行小片化而成为25mm见方。在80℃下，将临时固定用树脂膜辊式层压于经小片化的硅镜面晶圆表面。接着，在80℃下，将厚度为0.1～0.2mm且大小为约18mm见方的载玻片辊式层压于临时固定用树脂膜上，从而制作临时固定用树脂膜由硅晶圆及载玻片夹持的层叠体样品。对所获得的样品在130℃下加热30分钟，接着在170℃下加热2小时，使临时固定用树脂膜固化，然后，在200℃下加热30分钟。然后，进一步在250℃下加热30分钟。从载玻片面观察如此获得的试样，并利用phtoshop(注册商标)等软件对图像进行分析，根据空隙在临时固定用树脂膜整体的面积中所占的比例来评价250℃下的耐热性。评价基准如下。a：空隙的比例小于5％。b：空隙的比例为5％以上。[25℃下的储能模量]对于临时固定用树脂膜，利用下述方法评价固化后的储能模量。以80℃层压8片厚度调整为30μm的膜制成240μm，对其在130℃下加热30分钟，接着在170℃下加热2小时，使临时固定用树脂膜固化，然后，在200℃下加热30分钟。然后，切成厚度方向上为4mm宽、长33mm。将切出的膜设置于动态粘弹性装置(商品名：rheogel-e4000，ubm股份有限公司制造)并施加拉伸负荷，以频率10hz、升温速度3℃/分进行测定，从而测定出25℃下的储能模量。[90°剥离强度]利用下述方法评价硅镜面晶圆及临时固定用树脂膜之间的90°剥离强度。将厚度为625μm的硅镜面晶圆(6英寸)置于真空层压机(npcincorporated制造，lm-50x50-s)的平台上，将临时固定用树脂膜设置成贴附于硅镜面晶圆侧，在15mbar的条件下以120℃的温度、0.1mpa的压力加热加压2分钟，进行真空层压。对所获得的试样在130℃下加热30分钟，接着在170℃下加热2小时使其固化，对其进一步在200℃下加热30分钟后，切成10mm宽度来制成测定用膜。通过将剥离角度设定为90°的剥离试验机，以300mm/分的速度对测定用膜实施剥离试验，将此时的剥离强度设为90°剥离强度。[工艺性评价]利用下述方法评价临时固定用树脂膜的通过剥离装置的剥离性。在作为支撑体的硅镜面晶圆上，在80℃下通过辊式层压来贴附临时固定用树脂膜，由此获得带有临时固定用树脂膜的支撑体。接着，在厚度为725μm的硅镜面晶圆(8英寸)表面，通过刀片切割以100μm间隔制作宽40μm、深40μm的沟槽，准备在表面具有台阶的硅晶圆。以带有临时固定用树脂膜的支撑体的临时固定用树脂膜接触该硅晶圆的台阶侧的方式进行贴合，利用真空接合装置(ayumiindustryco.,ltd.制造的ve07-14)，在5mbar的条件下，以120℃的温度、0.1mpa的压力加热加压2分钟，获得层叠体。对如此获得的层叠体在130℃下加热30分钟，接着在170℃下加热1小时，由此使临时固定用树脂膜固化。然后，对其在200℃下加热30分钟后，在硅晶圆的台阶侧与临时固定用树脂膜之间插入前端尖锐的镊子，沿着外缘移动镊子。将硅晶圆及支撑体可不破裂地剥离的设为a，将无法剥离的或可见损伤的设为b。[表4][表5][表6]产业上的可利用性根据本发明，能够提供一种可良好地进行电子部件的加工的临时固定用树脂组合物。并且，根据本发明，能够提供一种使用了上述临时固定用树脂组合物的临时固定用树脂膜及临时固定用片、以及半导体装置的制造方法。符号说明1、1a、1b-支撑膜，2a、2b-临时固定材料(临时固定用树脂组合物、临时固定用树脂层、临时固定用树脂膜)，2c-临时固定材料(临时固定用树脂组合物的固化体)，2a-第一树脂层(临时固定用树脂层)，2b-第二树脂层(临时固定用树脂层)，3-保护膜，10、20、30、40-临时固定用片，50-支撑体，100-半导体元件，120-半导体装置，et-贯穿电极，w-半导体晶圆，wt-连接端子。当前第1页12当前第1页12