用于有机发光器件的发光含四齿配体金(III)化合物及其制备

文档序号:26100538发布日期:2021-07-30 18:11阅读:164来源:国知局
用于有机发光器件的发光含四齿配体金(III)化合物及其制备
本文描述了发光含环金属化四齿配体金(iii)化合物以及这些化合物的合成。这些化合物能用作磷光有机发光器件(pholeds)中的发光材料。在特定实施方式中,化合物具有良好的操作稳定性,在100cdm-2下的半衰期超过29700小时。
背景技术
:具有成本低、重量轻、功耗低、亮度高、颜色可调性极好、可高达180度的宽视角以及易于在柔性基材上构建等优点,有机发光器件(oleds)被认为是平板显示器和固态照明系统中极具吸引力的候选器件。与纯有机配合物相比,由于重金属中心的存在,过渡金属配合物在过去三十年中得到了广泛的研究,它能有效地导致强自旋-轨道耦合,从而促进系统间的有效交叉以获得产生磷光的三重态激子。理论上,由于收集了所有三重态和单重态激子,这可以导致oleds内量子效率(iqe)的4倍增强,达到100%。通常,oled由夹在两个电极之间的数个半导体层组成。阴极由通过真空蒸发沉积的低功函金属或金属合金组成,而阳极是例如氧化铟锡(ito)的透明导体。当施加dc电压时,通过ito阳极注入的空穴和通过金属阴极注入的电子将重新组合形成激子。随后,激子的后续驰豫将导致生成电致发光(el)。1965年,在浸泡于液体电解质中的蒽晶体中首次发现了来自有机材料的el[helfruch,w.;schneider.w.g.phys.rev.lett.14,229(1965)]。尽管通过使用固体电极的薄蒽层能够实现较低的操作电压,这些单层器件遭遇了极低的效率。同时,在20世纪70年代首次报道了来自有机聚合物的el[kaneto,k.;yoshino,k.;koa,k.;inuishi,y.jpn.j.appl.phys.13,1023(1974)],其中在施加脉冲电压时观察到了来自聚对苯二甲酸乙二醇酯的绿色发射。导致该领域的指数级增长以及首个商业化产品的突破可追踪至两次成功的演示。tang和vanslyke提出了使用真空沉积小分子膜的双层结构,其中三(8-羟基喹啉)铝(alq3)用作发光层和电子传输层二者[tang,c.w.;vanslyke,s.a.appl.phys.lett.51,913(1987)]。后来,burroughs等人在1990开发了首个聚合物发光器件[burroughs,j.h.;bradley,d.d.c.;brown,a.r.;marks,n.;friend,r.h.;burn,p.l.;holmes,a.b.nature347,539(1990)],其中实现了来自聚(对苯撑乙炔)(ppv)的黄绿色el。自那时起,已经研究了多种具有改进发光性质的新的电致发光小分子和聚合物发光材料。使用聚合物作为发光材料的关键优势在于其在大部分常见有机溶剂中的高溶解度,因此可以通过使用低成本和高效的湿法处理技术(如旋涂、筛网印刷或喷墨印刷)来容易地构建oleds[burrows,p.e.;forrest,s.r.;thompson,m.e.curr.opin.solidstatemat.sci.2,236(1997)]。1998年,baldo等人通过使用铂(ii)2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21h,23h-卟啉(ptoep)作为掺杂剂验证了具有高iqe的高效pholed[baldo,m.a.;o’brien,d.f.;you,y.;shoustikow,a.;sibley,s.;thompson,m.e.;forrest,s.r.nature395,151(1998);o’brien,d.f.;baldo,m.a.;thompson,m.e.;forrest,s.r.appl.phys.lett.74,442(1999)]。此类多层器件包括用ptoep掺杂的alq3发射层,并且在650nm处显示源自ptoep的三重态激子的强发射。自那时起,验证了大量金属配合物具有优异的光物理性质。特别是,环金属化铱(iii)化合物是最广泛研究的金属配合物类别之一。大多数环金属化铱(iii)配合物显示强磷光,并且已被深入研究用于构建高效oleds。特别关注的是开发具有2-苯基吡啶配体的铱(iii)配合物。1999年,thompson,forrest及合作者验证了基于掺杂在4,4′-n,n′-二咔唑-联苯(cbp)主体中作为磷光发射材料的fac-三(2-苯基吡啶)铱(iii)[ir(ppy)3]的更有效的pholeds[baldo,m.a.;lamansky,s.;burrows,p.e.;thompson.m.e.;forrest,s.r.appl.phys.lett.75,4(1999)]。另一种成功的铱(iii)配合物是发射天蓝色的二[2-(4′,6′-二氟苯基)吡啶-n,c2]-吡啶甲酸铱(iii)[fir(pic)],当被掺杂到高三重态能量主体中时,其在溶液中显示约60%的较高光致发光量子产率(plqy),并且在固态薄膜中显示近100%的光致发光量子产率(plqy)[rausch,a.f.;thompson,m.e.;yersin,h.inorg.chem.48,1928(2009);adachi,c;kwong,r.c.;djurovich,p.i.;adamovich,v.;baldo,m.a.;thompson,m.e.;forrest,s.r.appl.phys.lett.79,2082(2001);kawamura,y.;goushi,k.;brooks,j.;brown,j.j.;sasabe,h.;adachi,c.appl.phys.lett.86,071104(2005)]。近来验证了基于铱(iii)系统的具有高达30%的外部量子效率(eqes)的高效oleds[kim,s.-y.;jeong,w.-i.;mayr,c.;park,y.-s.;kim,k.-h.;lee,j.-h.;moon,c.-k.;brütting,w.;kim,j.-j.adv.funct.mater.23,3829(2013);udagawa,k.;sasabe,h.;igarashi,f.;kido,j.adv.opt.mater.4,86(2015)]。除了具有d6电子构型和八面体几何结构的铱(iii)系统之外,已发现具有方形平面结构的d8过渡金属配合物的不饱和配位特性提供了与这些金属中心显示非共价金属-金属相互作用的独特趋势有关的有趣的光谱和发光性质。特别关注的是铂(ii)化合物,因为它们具有丰富的发光性质,这与它们形成pt-pt和π-π相互作用的强烈倾向相关。显然,与铱(iii)系统的情况不同,使用二齿环金属化配体将不会在合成或升华期间导致异构化。而且,通过使用三齿和四齿配体以得到高鲁棒性金属配合物系统可以实现这些铂(ii)配合物的进一步稳定。时至今日,已经实现了具有高达126lmw–1的功率效率和高达26.5%的eqes的高效oleds[cheng,g.;kui,s.c.-f.;ang,w.-h.;ko,m.-y.;chow,p.-k.;kwong,c.-l.;kwok,c.-c.;ma,c.;guan,x.;low,k.-h.;su,s.-j.;che,c.-m.chem.sci.5,4819(2014)]。相比于等电子铂(ii)化合物,发光金(iii)配合物的研究相对较少,这可能是因为存在低能d-d配体场(lf)状态和金(iii)金属中心的亲电子性。难以通过连续的c-h活化将环金属化四齿配体与金(iii)金属中心配位,这与等电子铂(ii)配合物的情况不同,在后者中,环金属化四齿配体可以通过一锅法反应容易地加入到铂(ii)中心。因此,有需要提供具有更强化的光物理性质并且在合成中包含更少步骤的金(iii)配合物。技术实现要素:本公开提供了一种具有通式(i)中所示化学结构的发光金(iii)化合物:其中:(a)z独立选自b、c、n、o、si、p、s、se;(b)环a和b上的配位原子是碳;其中a和b独立为取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团及其的环状结构衍生物;(c)环c上的配位原子是氮;其中c独立为以下的环状结构衍生物:取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的异喹啉基团、取代或未取代的吡嗪基团、取代或未取代的嘧啶基团、取代或未取代的哒嗪基团、取代或未取代的三嗪基团、取代或未取代的咔啉基团、取代或未取代的咪唑基团、取代或未取代的苯并咪唑基团、取代或未取代的吡唑基团、取代或未取代的杂芳基基团、及其取代或未取代的衍生物;(d)其中每个d独立为环状结构衍生物、无环结构、或其混合物,其中环状结构可以为取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的环烷基基团、或取代或未取代的多环基团,无环结构可以为取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基炔基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷基芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的并苯、取代或未取代的杂并苯(heteroacene)、及其取代或未取代的衍生物,其中每个d基团可以相同或不同;(e)其中e独立为环状结构衍生物、无环结构、或其混合物,其中环状结构可以为取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的吡咯基团、取代或未取代的噻吩基团、取代或未取代的呋喃基团、取代或未取代的吡唑基团、取代或未取代的噁唑(oxazole)基团、取代或未取代的咪唑基团、取代或未取代的吡嗪基团、取代或未取代的嘧啶基团、取代或未取代的哒嗪基团、取代或未取代的哌嗪基团、取代或未取代的噁嗪(oxazine)基团、取代或未取代的吗啉基团、取代或未取代的三嗪基团、取代或未取代的哌啶基团,无环结构可以为取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基炔基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷基芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的硫醇盐、取代或未取代的芳基硫醇盐、取代或未取代的磷化物、取代或未取代的芳基磷化物、取代或未取代的硼化物、取代或未取代的芳基硼化物、取代或未取代的并苯、取代或未取代的杂并苯、及其取代或未取代的衍生物;(f)其中每个x和y独立为非配位位点,并且可以为crr′、c=o、nr、o、pr、p(=o)r、br、s、so、so2、sirr′、se、asr、ch=ch、cr=cr′,其中r和r′独立选自氢、卤素、芳基、烷基、杂芳基、硝基、三氟甲基、氰基、芳基醚、烷基醚、杂芳基醚、二芳基胺、二烷基胺、二杂芳基胺、二芳基硼烷、三芳基硅烷、三烷基硅烷(trialkylsilane)、烯基、烷基芳基、环烷基、卤代甲酰基、羟基、醛、甲酰胺、胺、氨基、烷氧基、偶氮基、苄基、碳酸酯、羧酸酯、羧基、氯胺酮、异氰酸酯、异氰化物、异硫氰酸酯、腈、硝基、亚硝基、膦、磷酸盐、膦酰基、吡啶基、磺酰基、磺基、亚磺酰基、巯基、卤代、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、杂环基团及其衍生物;(g)其中p、q、r和s各自独立为0-3;和(h)n是0、正整数或负整数。在某些实施方式中,金(iii)化合物作为薄层沉积在基材层上。在某些实施方式中,金(iii)化合物包含通过真空沉积、旋涂或喷墨印刷制成的薄层。在某些实施方式中,金(iii)化合物在约380-1050nm范围内具有光致发光性质。在某些实施方式中,金(iii)化合物响应于电流通过或响应于强电场发射光。在某些实施方式中,金(iii)化合物用于构建oled。在某些实施方式中,金(iii)化合物用作oled的发光层。在某些实施方式中,金(iii)化合物用作oled的发光层或发射层中的掺杂剂。本文公开了用于制备具有环金属化四齿配体的发光化合物的方法,该方法包括以下反应:其中:(a)x和y独立选自c和n,其中x和y不相同;(b)r1、r2、r3、r4和r5基团各自独立选自,但不限于,烷基、烯基、炔基、烷基芳基、芳基和环烷基,上述基团具有一个或多个烷基、烯基、炔基、烷基芳基、环烷基、or、nr2、sr、c(o)r、c(o)or、c(o)nr2、cn、cf3、no2、so2、sor、so3r、卤代、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基或杂环基团,其中r独立为烷基、炔基、烷基芳基、芳基或环烷基;和(c)n是0、正整数或负整数。在某些实施方式中,制备了发光化合物。在某些实施方式中,金(iii)金属中心构成发光器件的发光层。在某些实施方式中,金(iii)金属基团构成发光器件的层。在某些实施方式中,金(iii)金属化合物是包含在发光器件的发光层或发射层中的掺杂剂。在某些实施方式中,金(iii)金属化合物是包含在发光器件中的掺杂剂。本公开提供了一种具有有序结构的发光器件,其包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,其中发光层包含具有以下通式(i)所示化学结构的金(iii)化合物,其中:(a)z独立选自b、c、n、o、si、p、s、se;(b)环a和b上的配位原子是碳;其中a和b独立为取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团及其的环状结构衍生物;(c)环c上的配位原子是氮;其中c独立为取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的异喹啉基团、取代或未取代的吡嗪基团、取代或未取代的嘧啶基团、取代或未取代的哒嗪基团、取代或未取代的三嗪基团、取代或未取代的咔啉基团、取代或未取代的咪唑基团、取代或未取代的苯并咪唑基团、取代或未取代的吡唑基团、取代或未取代的杂芳基基团、及其取代或未取代的衍生物的环状结构衍生物;(d)其中每个d独立为环状结构衍生物、无环结构、或其混合物,其中环状结构可以为取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的环烷基基团、或取代或未取代的多环基团,无环结构可以为取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基炔基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷基芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的并苯、取代或未取代的杂并苯、及其取代或未取代的衍生物,其中每个d基团可以相同或不同;(e)其中e独立为环状结构衍生物、无环结构、或其混合物,其中环状结构可以为取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的吡咯基团、取代或未取代的噻吩基团、取代或未取代的呋喃基团、取代或未取代的吡唑基团、取代或未取代的噁唑基团、取代或未取代的咪唑基团、取代或未取代的吡嗪基团、取代或未取代的嘧啶基团、取代或未取代的哒嗪基团、取代或未取代的哌嗪基团、取代或未取代的噁嗪基团、取代或未取代的吗啉基团、取代或未取代的三嗪基团、取代或未取代的哌啶基团,无环结构可以为取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基炔基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷基芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的硫醇盐、取代或未取代的芳基硫醇盐、取代或未取代的磷化物、取代或未取代的芳基磷化物、取代或未取代的硼化物、取代或未取代的芳基硼化物、取代或未取代的并苯(acene)、取代或未取代的杂并苯(heteroacene)、及其取代或未取代的衍生物;(f)其中每个x和y独立为非配位位点,并且可以为crr′、c=o、nr、o、pr、p(=o)r、br、s、so、so2、sirr′、se、asr、ch=ch、cr=cr′,其中r和r′独立选自氢、卤素、芳基、烷基、杂芳基、硝基、三氟甲基、氰基、芳基醚、烷基醚、杂芳基醚、二芳基胺、二烷基胺、二杂芳基胺、二芳基硼烷、三芳基硅烷、三烷基硅烷、烯基、烷基芳基、环烷基、卤代甲酰基、羟基、醛、甲酰胺、胺、氨基、烷氧基、偶氮基、苄基、碳酸酯、羧酸酯、羧基、氯胺酮、异氰酸酯、异氰化物、异硫氰酸酯、腈、硝基、亚硝基、膦、磷酸盐、膦酰基、吡啶基、磺酰基、磺基、亚磺酰基、巯基、卤代、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、杂环基团及其衍生物;(g)其中p、q、r和s各自独立为0-3;和(h)n是0、正整数或负整数。在某些实施方式中,发光层或发射层使用真空沉积或溶液处理技术制备。本公开提供了一种设备,其包括:本文公开的化合物,其中该设备选自电视、复印机、打印机、液晶显示器、测量仪器、显示板、信号灯、静电摄影感光体、光电变换器、太阳能电池或图像传感器,使得该设备包含该化合物用于发光目的。在一个或多个实施方式中,提供了一类新的具有四齿配体的金(iii)配合物,其可以从简单的一锅法反应得到。特别是,所要求的化合物可以通过使金(iii)前体配合物和前体配体进行suzuki-miyaura交叉偶联,随后进行buchwald-hartwig交叉偶联来制备,其中同步发生分子内环化以通过一锅法生成具有四齿配体的金(iii)配合物。这可以显著增加制备的容易性和减少了用于合成和纯化的步骤数,并且改善了产品产率。这无疑将对显示器和固态照明公司大有裨益。更刚性的四齿配体骨架可以有效地使分子刚性化,并且减少非放射性衰变,由此改善所要求的金(iii)配合物的化学和热稳定性,如同它们350-500℃的高分解温度所例示的。此外,可以通过改变环金属化四齿配体上的n-供体原子来有效地调整四齿金(iii)配合物的发射颜色。这开启了通过真空沉积或溶剂处理技术(如旋涂和喷墨印刷)构建器件的可能性。已验证了分别具有5-30%和2-20%的eqes的高性能的真空沉积和可溶液处理的oleds。更重要地,此类真空沉积的器件显示出令人满意的长期操作稳定性,在100cdm–2下具有5000-30000小时的半衰期。附图说明在附图的图示中说明了本公开,该附图是示例性而非限制性的,其中类似的附图标记旨在表示类似或相应的部分,其中:图1是根据本文中的一个或多个实施方式的有机el器件的基本结构的示意图。图2显示了根据本文中的一个或多个实施方式的化合物1,3和4在甲苯中在298k下的紫外-可见光吸收光谱。图3显示了根据本文中的一个或多个实施方式的化合物1,3和4在甲苯中在298k下的归一化光致发光(pl)光谱。图4显示了根据本文中的一个或多个实施方式的以10wt%掺杂在1,3-二(咔唑-9-基)苯(mcp)中的化合物1,3,4和7的薄膜在298k下的归一化pl光谱。图5显示了根据本文中的一个或多个实施方式的以5,10,15和20wt%掺杂在mcp中的化合物1在298k下的固态薄膜发射光谱。图6显示了根据本文中的一个或多个实施方式的化合物1的热重分析(tga)跟踪。图7显示了根据本文中的一个或多个实施方式的化合物2的tga跟踪。图8显示了根据本文中的一个或多个实施方式的化合物3的tga跟踪。图9显示了根据本文中的一个或多个实施方式的化合物4的tga跟踪。图10显示了用化合物1制造的可溶液处理的器件的归一化el光谱。图11显示了用化合物1制造的可溶液处理的器件的eqes。图12显示了用化合物3制造的可溶液处理的器件的归一化el光谱。图13显示了用化合物3制造的可溶液处理的器件的eqes。图14显示了用化合物4制造的可溶液处理的器件的归一化el光谱。图15显示了用化合物4制造的可溶液处理的器件的eqes。图16显示了用化合物1制造的真空沉积的器件的eqes。图17显示了用化合物2制造的真空沉积的器件的eqes。图18显示了用化合物3制造的真空沉积的器件的eqes。图19显示了用化合物4制造的真空沉积的器件的eqes。图20显示了用化合物1和4制造的器件的相对发光度随时间的变化。图21显示了掺杂到3,3′-二(9h-咔唑-9-基)-1,1′-联苯(m-cbp)薄膜中的1,3和4的p-偏振光的角相关pl强度。图22显示了用1,3和4掺杂的mcbp薄膜的发射光谱对角度的二维分布。具体实施方式4.1.定义在本公开中使用以下术语。本文所用的术语“卤代”或“卤素”或“卤化物”包括氟、氯、溴和碘。本文所用的术语“假卤化物”包括,但不限于,氰酸酯、硫氰酸酯和氰化物。本文所用的术语“烷基”包括直链和支链的烷基基团,以及带有具有环状结构的烷基基团的环烷基基团。优选的烷基基团是包含一至八个碳原子的那些,并且包括甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,异丁基,叔丁基,和其他类似化合物。此外,烷基基团可以任选地被选自以下的一个或多个取代基取代:氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“烯基”包括直链和支链的烯烃基二者。优选的烯基基团是包含二至八个碳原子的那些。此外,烯基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“炔基”包括直链和支链的炔烃基二者。优选的炔基基团包含二至八个碳原子的那些。此外,炔基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“烷基芳基”包括具有烷基作为取代基的芳基基团。此外,烷基芳基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“烯基芳基”包括具有烯基基团作为取代基的芳基基团。此外,烯基芳基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“炔基芳基”包括具有炔基基团作为取代基的芳基基团。此外,炔基芳基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“烷基烯基”包括具有炔基基团作为取代基的烯基基团。此外,烷基烯基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“芳基烯基”包括芳基基团作为取代基的烯基基团。此外,芳基烯基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“炔基烯基”包括具有炔基基团作为取代基的烯基基团。此外,炔基烯基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“烷基炔基”包括具有烷基基团作为取代基的炔基基团。此外,烷基炔基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“芳基炔基”包括具有芳基基团作为取代基的炔基基团。此外,芳基炔基基团可以任选地被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“环烷基”包括环状烷基基团。环烷基基团可以包含3-7个或更多个碳原子,并且包括环丙基,环戊基,环己基等。环烷基基团可以是未取代的或被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。本文所用的术语“烷氧基”包括1-18个或更多个碳原子的直链或支链的烷氧基基团,其可以是未取代的或者被包括以下的一个或多个取代基取代:烷基,烯基,炔基,烷基芳基,环烷基,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环,nrr',sr,c(o)r,coor,c(o)nr,sor,sor,brr"及其衍生物;以及r和r'独立选自氢原子,氘原子,甲醛,氰基,烷基炔基,取代烷基炔基,芳基炔基,取代芳基炔基,杂芳基炔基,取代杂芳基炔基,缩合多环,取代缩合多环,芳基,烷基,杂芳基,硝基,三氟甲烷,氰基,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环及其衍生物。单独或组合的术语“芳基”包括碳环芳族体系。该体系可以包含一个、两个或三个环,其中每个环可以以侧链的方式附接在一起,或者可以是稠合的。例如,该环可以是5-或6-元环。芳基基团包括,但不限于,以下的未取代的或取代的衍生物:苯,萘,芘,蒽,并五苯,苯并[a]芘,晕苯(coronene),心环烯(corannulene),并四苯,菲,三亚苯(triphenyklene),卵苯(ovalene),苯并菲,苝,苯并[g,h,i]苝,二苯并苝(antanthrene),戊芬,苉,二苯并[3,4:9,10]芘,苯并[3,4]芘,二苯并[3,4:8,9]芘,二苯并[3,4:6,7]芘,二苯并[1,2:3,4]芘,和萘并[2,3;3,4]芘;其中附接和取代的位置可以在基团上不会在空间上抑制式(i)化合物形成的任何碳处,如本领域技术人员可以理解的。单独或组合的术语“杂芳基”包括杂环芳族体系。该体系可以包含一个、两个或三个环,其中每个环可以以侧链的方式附接在一起,或者可以是稠合的。例如,环可以是5-或6-元环。杂环的和杂环是指包含至少一个杂原子的3至7-元环。杂芳基基团包括,但不限于,以下的未取代的或取代的衍生物:吡啶,噻吩,呋喃,吡唑,咪唑,噁唑,异噁唑,噻唑,异噻唑,吡咯,吡嗪,哒嗪,嘧啶,苯并咪唑,苯并呋喃,苯并噻唑,苯并吡咯里嗪并吩嗪(benzopyrrolizinophenoxazine),吲哚并咔唑,噁二唑,噻二唑,吲哚,三唑,四唑,吡喃,噻喃,噁二唑,三嗪,四嗪,咔唑,二苯并噻吩,二苯并呋喃,异吲哚,喹啉,异喹啉,色烯,异色烯和非芳环哌嗪,哌啶,吡咯烷及其;其中附接或取代的位置可以在基团上不会在空间上抑制式(i)化合物形成的任何碳处,如本领域技术人员可以理解的。术语“杂环的”和“杂环”是指包含至少一个杂原子的3至7-元环。这包括芳环,包括,但不限于,吡啶,噻吩,呋喃,吡唑,咪唑,噁唑,异噁唑,噻唑,异噻唑,吡咯,吡嗪,哒嗪,嘧啶,苯并咪唑,苯并呋喃,苯并噻唑,吲哚,萘,三唑,四唑,吡喃,噻喃,噁二唑,三嗪,四嗪,咔唑,二苯并噻吩,二苯并呋喃,芴(fluorine),和非芳环,包括,但不限于,哌嗪,哌啶,和吡咯烷。本公开的基团可以是取代或未取代的。优选的取代基包括,但不限于,烷基,烷氧基,芳基。本文所用的术语“杂原子”包括s,o,n,p,se,te,as,sb,bi,b,si,ge,sn和pb。术语“取代”是指任何水平的取代,尽管优选单-,二-和三-取代。包括以下在内的取代基是容易制备的:氢,卤素,芳基,烷基,杂芳基,硝基基团,三氟甲烷基团,氰基基团,芳基醚,烷基醚,杂芳基醚,二芳基胺,二烷基胺,二杂芳基胺,二芳基硼烷,三芳基硅烷,三烷基硅烷,烯基,烷基芳基,环烷基,卤代甲酰基,羟基,醛,甲酰胺,胺,氨基,烷氧基,偶氮基,苄基,碳酸酯,羧酸酯,羧基,氯胺酮,异氰酸酯,异氰化物,异硫氰酸酯,腈,硝基,亚硝基,噁二唑,噻二唑,膦,磷酸盐,膦酰基,吡啶基,磺酰基,磺基,亚磺酰基,巯基,卤代,芳基,取代芳基,杂芳基,取代杂芳基,杂环基团及其。苯包括取代或未取代的苯。吡啶包括取代或未取代的吡啶。噻吩包括取代或未取代的噻吩。呋喃包括取代或未取代的呋喃。吡唑包括取代或未取代的吡唑。咪唑包括取代或未取代的咪唑。噁唑包括取代或未取代的噁唑。异噁唑包括取代或未取代的异噁唑。噻唑包括取代或未取代的噻唑。异噻唑包括取代或未取代的异噻唑。吡咯包括取代或未取代的吡咯。吡嗪包括取代或未取代的吡嗪。哒嗪包括取代或未取代的哒嗪。嘧啶包括取代或未取代的嘧啶。苯并咪唑包括取代或未取代的苯并咪唑。苯并呋喃包括取代或未取代的苯并呋喃。苯并噻唑包括取代或未取代的苯并噻唑。吲哚包括取代或未取代的吲哚。萘包括取代或未取代的萘。三唑包括取代或未取代的三唑。四唑包括取代或未取代的四唑。吡喃包括取代或未取代的吡喃。噻喃包括取代或未取代的噻喃。噁二唑包括取代或未取代的噁二唑。三嗪包括取代或未取代的三嗪。四嗪包括取代或未取代的四嗪。咔唑包括取代或未取代的咔唑。二苯并噻吩包括取代或未取代的二苯并噻吩。二苯并呋喃包括取代或未取代的二苯并呋喃。哌嗪包括取代或未取代的哌嗪。哌啶包括取代或未取代的哌啶。吡咯烷包括取代或未取代的吡咯烷。吲哚并咔唑包括取代或未取代的吲哚并咔唑。苯并吡咯里嗪并吩嗪(benzopyrrolizinophenoxazine)包括取代或未取代的苯并吡咯里嗪并吩嗪。噻二唑包括取代或未取代的噻二唑。具体实施方式本文所述主题的实施方式涉及热稳定的含高刚性四齿配体的金(iii)化合物。本文所述主题的其他实施方式涉及发光含四齿配体金(iii)化合物的修饰。发光金(iii)化合物包含四齿配体,该四齿配体含有与金(iii)金属中心配位的四个连接位点。连接位点由配位原子组成,该配位原子可以是例如氮,碳,或σ-供体基团,例如,芳基基团。发光含四齿配体金(iii)化合物包含:至少一个金金属中心,其具有+3氧化态和四个配位位点;四齿配体,其带有配位原子或官能团作为配位到金中心的连接位点;并且配位位点直接或经由芳族体系或间隔子连接以形成具有四个配位位点的刚性四齿配体。本发明的发光金(iii)化合物在固态薄膜中表现出5-80%的高plqy,并且已被证实在可溶液处理和真空沉积的oleds的构建中用作磷光掺杂剂。当本文公开的金(iii)化合物实施在高性能的可溶液处理的oled中时,其以10-80cda–1的高电流效率和2-20%的高eqes产生优异的el。这一eqe值相对于其他基于金(iii)配合物的其他可溶液处理的oleds所报告的值有所改进。本文公开的化合物产生了与基于铱(iii)配合物和热激活延迟荧光(tadf)材料的最先进的可溶液处理的oleds相当的结果。以此方式,本发明提供了用于oled显示和固态照明工业的新型磷光体,其可以通过使用低成本和高效的溶液处理技术构建以获得基于磷光的oleds。本文所述的新类型金(iii)化合物还显示了在光激发时经由三重态激发状态产生的强光致发光,或在施加dc电压时经由三重态激子产生的el。根据本文中的一个或多个实施方式,这些金(iii)化合物高度可溶于常用有机溶剂,例如二氯甲烷、氯仿和甲苯。可替代地,可以将化合物掺杂到主体基质中以便通过旋涂或喷墨印刷或其他已知构建方法用于薄膜沉积。在一个或多个实施方式中,化合物可以用于构建oleds,作为磷光发射体或掺杂剂以产生el。尽管本文描述的金(iii)化合物被描述用于oleds,但是如本领域技术人员将会理解的,该化合物具有其他用途。本文所述的金(iii)化合物具有强烈的光发射和光吸收性质,这使得它们适合用于包含在希望进行光发射或吸收的常用设备中。例如,金(iii)化合物可以用作,但不限于,壁挂式电视,复印机,打印机,液晶显示器,测量仪器,显示板,信号灯,静电摄影感光体,光电变换器,太阳能电池和图像传感器的平板显示器的背光。发光含四齿配体金(iii)化合物具有通式(i)中所示的化学结构,其中:(a)z独立选自b、c、n、o、si、p、s、se。(b)环a和b上的配位原子是碳。a和b独立为取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团及其的环状结构衍生物;(c)环c上的配位原子是氮。c独立为以下的环状结构衍生物:取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的异喹啉基团、取代或未取代的吡嗪基团、取代或未取代的嘧啶基团、取代或未取代的哒嗪基团、取代或未取代的三嗪基团、取代或未取代的咔啉基团、取代或未取代的咪唑基团、取代或未取代的苯并咪唑基团、取代或未取代的吡唑基团、取代或未取代的杂芳基基团、及其取代或未取代的衍生物;(d)每个d独立为环状结构衍生物、无环结构、或其混合物,其中环状结构可以为取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的环烷基基团、或取代或未取代的多环基团,无环结构可以为取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基炔基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷基芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的并苯、取代或未取代的杂并苯、及其取代或未取代的衍生物,其中每个d基团可以相同或不同;(e)e独立为环状结构衍生物、无环结构、或其混合物,其中环状结构可以为取代或未取代的吡啶基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的吡咯基团、取代或未取代的噻吩基团、取代或未取代的呋喃基团、取代或未取代的吡唑基团、取代或未取代的噁唑基团、取代或未取代的咪唑基团、取代或未取代的吡嗪基团、取代或未取代的嘧啶基团、取代或未取代的哒嗪基团、取代或未取代的哌嗪基团、取代或未取代的噁嗪基团、取代或未取代的吗啉基团、取代或未取代的噻嗪基团、取代或未取代的哌啶基团,以及无环结构可以为取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基炔基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷基芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的硫醇盐、取代或未取代的芳基硫醇盐、取代或未取代的磷化物、取代或未取代的芳基磷化物、取代或未取代的硼化物、取代或未取代的芳基硼化物、取代或未取代的并苯、取代或未取代的杂并苯、及其取代或未取代的衍生物;(f)每个x和y独立为非配位位点,并且可以为crr′、c=o、nr、o、pr、p(=o)r、br、s、so、so2、sirr′、se、asr、ch=ch、cr=cr′,其中r和r′独立选自氢、卤素、芳基、烷基、杂芳基、硝基、三氟甲基、氰基、芳基醚、烷基醚、杂芳基醚、二芳基胺、二烷基胺、二杂芳基胺、二芳基硼烷、三芳基硅烷、三烷基硅烷、烯基、烷基芳基、环烷基、卤代甲酰基、羟基、醛、甲酰胺、胺、氨基、烷氧基、偶氮基、苄基、碳酸酯、羧酸酯、羧基、氯胺酮、异氰酸酯、异氰化物、异硫氰酸酯、腈、硝基、亚硝基、膦、磷酸盐、膦酰基、吡啶基、磺酰基、磺基、亚磺酰基、巯基、卤代、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、杂环基团及其衍生物;和(g)p、q、r和s各自独立为0-3。(h)n是0、正整数或负整数。式(i)的发光含四齿配体金(iii)化合物的具体示例包括以下:在本文所述主题的一些实施方式中,制备了式(i)的发光含四齿配体金(iii)化合物。化合物在全文中以其单体结构表示。如本领域技术人员公知的,化合物也可以作为二聚物,三聚物,寡聚物或树枝状聚合物存在。发光含四齿配体金(iii)化合物可以用于通过旋涂,真空沉积或其他已知构建方法形成薄膜并且应用于oleds中。现在参考图1,如本文中的一个或多个实施方式中的金(iii)化合物可以被构建到oled结构100中。oled结构100包括阴极110,电子传输层120(“etl”),发光层130(或“发射层”),空穴传输层140(“htl”),阳极150,和基材160。发光层130包括如本文所述的发光金(iii)化合物。尽管在图1中未示出,但是在一个或多个实施方式中,oled100还包括空穴阻挡层和/或载流子限制层以改善器件性能。还可以使用具有包含各种载流子阻挡层、载流子注入层和中间层的改动的器件结构来改善器件性能。阴极110和阳极150是将这些多个半导体层夹在中间的一对电极,当对oled100施加电压时,这些半导体层导致el。阴极110用作透射电子注入体,当阴极处于负偏压时,其将电子注入有机发射层130中。阴极包含氟化物薄层(可省略)和金属或金属合金,优选地具有小于4ev的功函。阴极110可以由合适材料制成,如,例如,mg:ag,ca,li:al,al,或ba。当阳极处于正偏压时,阳极150将空穴注入到发射层中。阳极150包含导电层和任选的透射层。在一个或多个实施方式中,理想的是发射层130透过基材160可见,并且阳极是透明的。在其他实施方式中,发射层130通过顶部电极可见,阳极150的透射特性不重要,因此可以使用任何合适的材料,包括具有大于4.1ev的功函的金属或金属化合物。例如,合适的金属包括银,金,铱,镍,钼,钯,和铂。在一个或多个实施方式中,阳极150是透射的,合适的材料是金属氧化物,包括氧化铟-锡,铝-或铟-掺杂的氧化锌,氧化锡,氧化镁-铟,氧化镍-钨,和氧化镉-锡。优选的金属和金属氧化物可以通过以下方法沉积:蒸发,溅射,激光烧蚀,和化学蒸汽沉积。阴极110和阳极150的厚度可以为100-200nm。在一个或多个实施方式中,阳极150层定位于基材160顶部。基材160是电绝缘的,并且用于发射由oled100产生的光,其中,其通常由透明材料制成。例如,基材160可以由玻璃、塑料箔或透明聚合物制成。在一个或多个替代性实施方式中,基材是不透明的,并且包含一种或多种半导体材料或陶瓷。在本文所述主题的一个实施方式中,发射层130透过基材160可见,或透过器件的两侧可见,并且基材包括透明玻璃基材或塑料箔。在其他实施方式中,发射层130仅透过顶部电极可见,基材160包含不透明半导体或陶瓷片。etl120为oled100提供了高电子亲和力和高电子迁移率,以使电子流过各oled层。为此,电子传输层120包括具有高电离电位和宽光学带隙的材料或材料混合物。在一个或多个实施方式中,etl120的厚度为30-80nm。在一个或多个实施方式中,向etl120添加其他电子传输材料以促进电子注入。用于etl120的材料选择为使oled效率最大化。作为一些非限制性示例,合适的电子传输材料包括,但不限于,1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑基)-苯(tpbi),1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(tmpypb),浴铜灵(bathocuproine,bcp),红菲绕啉(bphen)和二(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(联苯酚)铝(balq),三-[2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基]硼烷(3tpymb),和1,3-二[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(bmpyphb)。在一个实施方式中,通过由溶液热蒸发、旋涂、喷墨印刷或者其他已知构建技术制备作为有机膜的电子传输层120。通过将磷光金(iii)金属配合物作为掺杂剂掺杂到主体材料中形成图1中的发光层或发射层130。合适的主体材料应当选择为使得三重态激子可以有效地从主体材料转移到磷光掺杂剂材料。合适的主体材料包括,但不限于,某些芳基胺,三唑和咔唑化合物。理想的主体的示例包括,但不限于,cbp,mcp,tcta,3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,丁基苯基-1,2,4-三唑(taz),ugh2,和pvk。在某些实施方式中,可以将化合物1-220中的任何一种掺杂到由cbp,mcp,tcta,taz,ugh2,pvk或其组合的非限制性示例组成的混合主体中。通常,发射层130被夹在空穴传输层140和电子传输层120之间。为确保主体材料和掺杂剂材料之间的有效的放热能量传递,主体材料的三重态能量必需大于掺杂剂材料的三重态能量。此外,主体材料的电离电位和电子亲和性二者均应大于掺杂剂材料的电离电位和电子亲和性以实现从主体到掺杂剂的有效的能量传递。为将三重态激子限制在发射层中,空穴传输材料和电子传输材料的三重态能量应大于掺杂剂材料的三重态能量。htl140被层叠在阳极150顶部,并且在调节电子/空穴注入中起作用以在oled100的发射层130中获得电荷载流子的传输平衡。在一个或多个实施方式中,htl140的厚度为30-80nm.用于htl140的材料选择为使oled效率最大化。作为一些非限制性示例,htl140可以包括,但不限于,多环芳族化合物,例如,4,4’-二[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(npb),4,4’-二[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]联苯(tpd),4,4’,4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯基胺(mtdata),和二-[4-(n,n-二-甲苯基-氨基)苯基]环己烷(tapc)。此外,可以使用聚合物空穴传输材料,包括pvk,聚噻吩,聚吡咯,聚苯胺,和共聚物,包括聚(3,4-乙基二氧基噻吩):聚(苯乙烯-磺酸酯)(pedot:pss)。在本文所述主题的一些实施方式中,发光金(iii)化合物是器件中的主要发光材料或次要发光材料,如图1所示。在本文所述主题的一些实施方式中,含四齿配体金(iii)化合物在具有高达20.6%的eqe的多层oled中用作电致磷光掺杂剂。有利地,可以通过旋涂,筛网印刷,喷墨印刷和真空沉积将含四齿配体金(iii)化合物沉积在oleds中。此外,加入电子传输氧化膦部分或其类似物有助于提高整体器件性能。发光含四齿配体金(iii)化合物在各种有机溶剂中的高溶解度允许大面积显示器的简单和经济制造和构图。在本文所述主题的一些实施方式中,以高纯度制造式(i)的发光含四齿配体金(iii)化合物。合成方法涉及从环金属化金(iii)前体化合物或其等价物提供式(i)的发光含四齿配体金(iii)化合物。可以通过本领域技术人员已知的任何方法制备金(iii)前体化合物,例如,但不限于,以下中所述的方法:f.synthesis1(1976);wong,k.h.;cheung,k.k.;chan,m.c.;che,c.m.organometallics,17,5305(1998);yam,vw.-w.;wong,k.m.-c.;hung,l.-l.;zhu,n.angew.chem.int.ed.4,3107(205);au,v.k.-m.;wong,k.m.-c.;zhu,n.;yam,vw.-w.chem.eur.j.17,130(2011);roca,d.-a.;smith,d.a.;bochmann,m.chem.commun.48,7247(2012);david,b.;monkowius,u.;rust,j.;lehmann,c.w.;hyzak,l.;mohr,f.daltontrans.43,11059(2014);maity,a.;sulicz,a.n.;deligonul,n.;zeler,m.;hunter,a.d.;gray,t.g.chem.sci.6,981(2015);kumar,r.;linden,a.;nevado,c.angew.chem.int.ed.54,14287(2015)。在本文所述主题的一些部分中,还可以通过向含四齿配体金(iii)化合物加入取代基来进一步修饰含四齿配体金(iii)化合物。在本文所述主题的一些部分中,可以通过任何方法或方法组合实施纯化,包括色谱、萃取、结晶、升华或其任何组合。在一个或多个实施方式中,本文公开的发光金(iii)化合物作为薄层沉积在基材层上。在一个或多个实施方式中,沉积的金(iii)化合物的厚度为10-20nm,21–30nm,31–40nm,41–50nm,51–60nm,61–70nm,71–80nm,81–90nm,或91–100nm。将通过以下非限制性示例更具体地说明本文所述的本主题,应理解可以在不偏离下文所要求的公开的范围和精神的情况下对其进行更改和变化。还应理解关于本公开为何有效的各种理论并非旨在限制。实施例以下是说明用于实施本文所述公开内容的实施方式的实施例。这些实施例不应被解释为限制性的。实施例1如方案1中所述,根据以下方法制备化合物1-7。所有含四齿配体金(iii)化合物均通过以下方式合成:在催化量的钯催化剂存在下,在碱(base)和有机溶剂中,以一锅法使环金属化金(iii)前体化合物或其等价物与相应的杂环反应。例如,通过以下方式合成化合物1:将[au{c^(4-c6h5)c^nbr-6}cl](276mg,0.45mmol)与3,6-二-叔丁基-1-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9h-咔唑(138mg,0.45mmol),钯催化剂和碱的混合物在脱气溶剂中在回流温度下搅拌过夜(方案1)。在去除溶剂之后,通过将粗产物溶解在二氯甲烷中并且伴以乙醚的缓慢扩散来对其进行纯化。随后将固体过滤并真空干燥,得到黄色固体(102mg)。在brukeravance500或600(500mhz,600mhz)傅里叶变换nmr光谱仪上记录nmr光谱,报告相对于四甲基硅烷(δ0ppm)的化学位移。分析结果确认了所有化合物的高纯度。方案1其中:化合物1–7的特征光谱性质如下:化合物1:产率:102mg,89%.1hnmr(500mhz,cd2cl2,298k,δ/ppm):δ8.42(s,1h),8.35(d,j=8.5hz,1h),8.22(s,1h),8.16(s,1h),7.94(m,1h),7.85(d,j=8.0hz,1h),7.80(d,j=8.0hz,1h),7.66(d,j=8.0hz,1h),7.51–7.31(m,9h),7.23–7.18(m,1h),7.00(t,j=7.5hz,1h),1.53(s,18h)。正esi-ms:m/z778.26[m]+.化合物2:产率:76mg,68%.1hnmr(500mhz,dmso-d6,298k,δ/ppm):δ8.86(d,j=8.5hz,1h),8.55(d,j=8.0hz,1h),8.50-8.42(m,3h),8.29(d,j=7.5hz,1h),8.20(s,1h),7.98(s,1h),7.91(d,j=7.5hz,2h),7.86(d,j=8.0hz,1h),7.83–7.79(m,2h),7.58–7.53(m,2h),7.48–7.35(m,3h),7.30(t,j=7.5hz,1h),7.22(t,j=7.5hz,1h),7.07(t,j=7.5hz,1h)。化合物3:产率:54mg,77%.1hnmr(500mhz,thf-d8,298k,δ/ppm):δ8.65(d,j=8.5hz,1h),8.37(d,j=7.5hz,1h),8.30(d,j=8.0hz,1h),8.24–8.17(m,2h),8.11(d,j=7.5hz,1h),8.01–7.96(m,2h),7.82(s,1h),7.68(s,1h),7.64(d,j=7.5hz,2h),7.52–7.47(m,3h),7.36–7.31(m,1h),7.30-7.25(m,2h),7.19–7.15(m,1h),1.40(s,9h)1.27(s,9h)。化合物4:产率:72mg,81%.1hnmr(500mhz,thf-d8,298k,δ/ppm):δ8.64(d,j=8.0hz,1h),8.51(d,j=1.6hz,1h),8.30(s,1h),8.27(d,j=1.6hz,1h),8.25–8.19(m,1h),8.09(d,j=8.0hz,1h),8.00(d,j=1.6hz,1h),7.89(d,j=8.4hz,1h),7.84(s,1h),7.70-7.62(m,3h),7.55–7.47(m,4h),7.29(dd,j=8.0和1.6hz,1h),1.62(s,9h),1.54(s,9h),1.43(s,9h),1.31(s,9h)。正esi-ms:m/z890.38[m]+.化合物5:产率:69mg,71%.1hnmr(500mhz,cdcl3,298k,δ/ppm):δ9.87(s,1h),9.06(s,1h),8.52(s,1h),8.34(s,1h),8.22(s,1h),8.04(s,1h),7.99–7.97(d,j=8.6hz,1h),7.69(s,1h),7.61–7.58(m,3h),7.54–7.52(d,j=8.2hz,2h),7.50-7.49(d,j=8.0hz,1h),7.44–7.42(d,j=7.4hz,1h),7.31–7.29(d,j=7.9hz,1h),1.59(s,9h),1.50(s,9h),1.41(s,9h),1.30(s,9h)。化合物6:产率:32mg,59%.1hnmr(500mhz,cdcl3,298k,δ/ppm):δ8.73–8.70(d,j=8.7hz,1h),8.37(s,1h),8.29–8.27(d,j=7.4hz,1h),8.21–8.19(d,j=7.6hz,1h),7.96(s,1h),7.92–7.90(d,j=7.7hz,1h),7.84–7.82(d,j=8.1hz,1h),7.79–7.77(d,j=8.2hz,1h),7.72–7.68(m,2h),7.53–7.49(m,1h),7.41–7.39(m,2h),7.37–7.32(m,4h),7.24–7.21(m,4h),1.40(s,9h),1.20(s,9h)。化合物7:产率:31mg,61%.1hnmr(500mhz,丙酮-d6,298k,δ/ppm):δ9.37–9.35(d,j=5.4hz,1h),8.43–8.41(d,j=7.9hz,1h),8.31–8.27(m,4h),8.17(s,1h),7.88–7.86(d,j=11.1hz,2h),7.81–7.79(m,2h),7.68–7.66(t,j=6.4hz,1h),7.45–7.43(dd,j=8.5和1.5hz,1h),1.56(s,9h),1.51(s,9h),1.47(s,9h),1.47(s,9h)。实施例2紫外-可见光吸收性质化合物1,3和4在甲苯溶液中在298k下的紫外-可见光吸收光谱的特征在于在约280-350nm下的中等强度的振动结构吸收带,消光系数(ε)在104dm3mol–1cm–1量级(图2)。这些吸收带暂定为环金属化配体和咔唑部分的配体内(il)[π→π*]跃迁。另一方面,在约410-530nm处观察到所有配合物的宽且中等强度的无结构吸收带。这些吸收带暂定为具有从芳基环到吡啶单元的一些电荷转移特征的环金属化配体的金属扰动il[π→π*]跃迁和il电荷转移(ilct)[π(咔唑)→π*(吡啶)]跃迁的组合物。由于金(iii)中心的非还原性特质,不太可能实现金属-至-配体电荷转移跃迁(mlct)以达到au(iv)的较高氧化态。化合物1,3和4在甲苯溶液中在298k下的紫外-可见光吸收数据在表1中概述。表1化合物1-4的光物理数据[a][a]化合物2在298k下仅微溶于甲苯。[b]发光量子产率,在室温下使用在乙腈中的[ru(bpy)3cl2]作为参比(激发波长=436nm,φlum=0.06)测量。[c]在320nm波长下激发的掺杂到10%mcp中的金(iii)化合物的φfilm。[d]在320nm波长下激发的掺杂到10%mcbp中的金(iii)化合物的φfilm。实施例3发射性质和热稳定性在辐照后,化合物1,3和4在室温下在溶液和固态薄膜二者中均显示出在约528–554nm下的发光,具有可观的plqys(表1)。化合物1,3和4在脱气甲苯溶液中的发射光谱如图3所示。当在甲苯溶液中在298k在λ=436nm下激发时,对于所有配合物均观察到宽的无结构发射带。这些发射带暂定为3ilct[π(咔唑)→π*(吡啶)]跃迁。图4显示了掺杂在10wt%mcp中的化合物1,3,4和7的薄膜在298k下的归一化发射光谱。这些宽而无结构的发射带的来源暂定为3ilct[π(咔唑)→π*(吡啶)]跃迁,可能与某些激基缔合物发射混合。改变mcp薄膜中的掺杂剂浓度时的发射能可以进一步支持这种暂定。发现掺杂在5wt%至20wt%mcp中的化合物1在298k下的发射带随着掺杂剂浓度增加而红移,这是来源于环金属化四齿配体的π-π堆积的激基缔合物发射的特征(图5和表2)。还对化合物1-4实施tga。它们全部显示了超过350℃的高分解温度(即,材料显示5wt%重量损失的温度)(图6-9)。表2掺杂在mcp薄膜中的化合物1在298k下的光物理数据[a]在320nm波长下激发的金(iii)化合物的φfilm实施例4oled构建和表征以如下方式构造了根据本公开实施方式的可溶液处理的oled:a)将具有30ω/平方片电阻的透明阳极ito-涂覆的硼硅酸盐玻璃基材(38mm×38mm)在市售洗涤剂decon90中超声处理,在电阻率为18.2兆欧的去离子水中漂洗15分钟,随后在120℃的烘箱中干燥一小时。接着,在配有汞栅灯的jelight42-220uvo-清洁器对基材进行15分钟的紫外-臭氧处理,以增加ito-涂覆的玻璃基材的功函,从而更好地将空穴注入有机层中。b)使用laurellws-400ez-6npp-lit2单片旋涂处理器以7000rpm旋涂30秒,将40-nm厚pedot:pss空穴传输层旋涂到步骤(a)的ito-涂覆的玻璃基材上,并且在空气中在110℃下烘烤10分钟。c)使用laurellws-400ez-6npp-lit2单片旋涂处理器以6000rpm旋涂25秒,将30-nm厚的发光层旋涂到步骤(b)的pedot:pss层上,并在空气中在80℃下烘烤10分钟,其中将化合物1以5-20wt%范围内的不同浓度掺杂到发光mcp层中;d)将基材放入真空室,并将真空室从1巴抽至5×10–6毫巴;e)采用热蒸发法在步骤(c)的掺杂mcp发光层上沉积5nm厚的3tpymb空穴阻挡层。f)通过热蒸发在步骤(e)的3tpymb层上沉积5-nm厚的tmpypb电子传输层。g)通过热蒸发在步骤(f)的tmpypb层上沉积0.8-nm厚lif层和80nm厚al层以形成电子注入阴极。3tpymb,tmpypb,lif和al通过穿过钽舟的电流,从钽舟上热蒸发制备。用石英振荡晶体和sigmasqm-242石英晶体卡监测沉积速率,并将有机层和金属层二者的沉积速率均控制在0.1-0.2nms-1。用可编程keithley2400型电源和spectrascanpr-655比色计在环境空气条件下测量有机el器件的电流密度-电压-发光特性。如图10所示,所有器件的el光谱都与其在溶液和固态薄膜中的发射光谱几乎相同,而没有来自相邻载流子传输层或主体材料的任何不理想的发射。随着掺杂剂浓度增加,最大峰值从544nm略微红移到556nm,这是由于环金属化四齿配体π-π堆积的激基缔合物发射,与1在固态薄膜中的发射光谱良好吻合。此外,掺杂有15wt%的化合物1的优化器件显示了6.7%的高eqe,如图11所示。实施例5采用与实施例4中所述相同的材料和处理程序,不同之处在于将化合物3掺杂到mcp中作为发光层。所有器件显示无结构的绿色发射带,最大带宽在520nm处(图12)。显然,与基于1的器件的红移相比(~397cm–1),观察到~290cm–1的较小红移。同时,优化器件显示了高达3.7%的eqes(图13)。实施例6采用与实施例4中所述相同的材料和处理程序,不同之处在于将化合物4掺杂到mcp中作为发光层。所有器件都显示出无结构的绿色发射带,最大带宽在544nm处,当掺杂剂浓度从5wt%增加到20wt%时,el最大值几乎保持不变(图14)。同时,优化器件显示了高达7.4%的eqes(图15)。实施例7以如下方式构建本公开的实施方式的真空沉积的oled:a)将具有30ω/平方片电阻的透明阳极ito-涂覆的硼硅酸盐玻璃基材(38mm×38mm)在市售洗涤剂decon90中超声处理,在电阻率为18.2兆欧的去离子水中漂洗15分钟,随后在120℃的烘箱中干燥一小时。接着,在配有汞栅灯的jelight42-220uvo-清洁器对基材进行15分钟的紫外-臭氧处理,以增加ito-涂覆的玻璃基材的功函,从而更好地将空穴注入有机层中。b)将基材放入真空室中,并且将该室从1巴泵抽到5×10-6毫巴;c)通过热蒸发将40-nm厚n,n’-二(萘-1-基)-n,n’-二(苯基)-2,2’-二甲基联苯胺(α-npd)空穴传输层沉积在步骤(a)的ito-涂覆的玻璃基材上;d)通过热蒸发将5-nm厚tcta载流子限制层沉积到步骤(c)的α-npd上;e)通过热蒸发将20-nm厚发光层沉积到步骤(d)的tcta层上,其中将2,5,8,11和14%的化合物1掺杂到3,3’-二(9h-咔唑-9-基)联苯(mcbp)发光层中;f)通过热蒸发将50-nm厚1,3,5-三(6-(3-(吡啶-3-基)苯基)吡啶-2-基)苯(tm3pyp26pyb)电子传输层沉积在步骤(e)的掺杂的mcbp发光层上。g)通过热蒸发将1-nm厚lif层和150-nm厚al层沉积在步骤(f)的tm3pyp26pyb层上,以形成电子注入阴极。所有材料均通过施加穿过钽舟的电流,从钽舟上热蒸发制备。用石英振荡晶体和sigmasqm-242石英晶体卡监测沉积速率,并将有机层和金属层二者的沉积速率均控制在0.1-0.2nms-1。用可编程keithley2400型电源和spectrascanpr-655比色计在环境空气条件下测量有机el器件的电流密度-电压-发光特性。图14描绘了基于化合物1的真空沉积的器件的eqes。显然,掺杂有8wt%化合物1的优化器件可以实现40.9cda–1的高电流效率和高达13.1%的高eqes(图16)。实施例8采用与实施例7中所述相同的材料和处理程序,不同之处在于将化合物2掺杂到mcbp中作为发光层。掺杂有5wt%的化合物2的优化器件显示了11.5%的高eqes(图17)。实施例9采用与实施例7中所述相同的材料和处理程序,不同之处在于将化合物3掺杂到mcbp中作为发光层。掺杂有29wt%的化合物3的优化器件显示了15.2%的高eqes,(图18)。实施例10采用与实施例7中所述相同的材料和处理程序,不同之处在于将化合物4掺杂到mcbp中作为发光层。掺杂有5wt%的化合物4的优化器件显示了20.6%的高eqes,(图19)。实施例11oled寿命测量以如下方式构建本公开的实施方式的真空沉积的oled:a)将具有30ω/平方片电阻的透明阳极ito-涂覆的硼硅酸盐玻璃基材(38mm×38mm)在市售洗涤剂decon90中超声处理,在电阻率为18.2兆欧的去离子水中漂洗15分钟,随后在120℃的烘箱中干燥一小时。接着,在配有汞栅灯的jelight42-220uvo-清洁器中对基材进行15分钟的紫外-臭氧处理,以增加ito-涂覆的玻璃基材的功函,从而更好地将空穴注入有机层中。b)将基材放入真空室,并将真空室从1巴泵抽至5x10–6毫巴;c)通过热蒸发将10-nm厚二吡嗪并[2,3-f:2’,3’-h]喹噁啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hatcn)空穴注入层沉积到步骤(a)的ito-涂覆的玻璃基材上;d)通过热蒸发将40-nm厚α-npd空穴传输层沉积到步骤(c)的hatcn上;e)通过热蒸发将10-nm厚9,9’,9”-三苯基-9h,9’h,9”h-3,3’:6’,3”-三咔唑(trispcz)载流子限制层沉积到步骤(d)的α-npd上;f)通过热蒸发将40-nm厚发光层沉积到步骤(e)的trispcz层上,其中将11%化合物1掺杂到发光2,6-二(9h-咔唑-9-基)吡啶(pyd-2cz)层中;g)通过热蒸发将10-nm厚2,4,6-三[3-(二苯基氧膦基)苯基]-1,3,5-三嗪(t2t)空穴阻挡层沉积到步骤(f)的掺杂的pyd-2cz层上;h)通过热蒸发将40-nm厚2,7-二(2,2’-联吡啶-5-基)三亚苯(bpytp2)电子传输层沉积在步骤(g)的t2t层上;i)通过热蒸发将1-nm厚lif层和150-nm厚al层沉积在步骤(h)的bpytp2层以形成电子注入阴极。所有材料均通过施加穿过钽舟的电流,从钽舟上热蒸发制备。用石英振荡晶体和sigmasqm-242石英晶体卡监测沉积速率,并将有机层和金属层二者的沉积速率均控制在0.1-0.2nms-1。将器件封装在氮气下的手套箱中。采用mcscienceoled寿命测量系统,在10macm-2的恒定驱动电流密度下,在环境条件下,通过加速寿命测试,测量了真空沉积的器件的工作寿命。实施例12采用与实施例10中所述相同的材料和处理程序,不同之处在于将化合物4掺杂到pyd-2cz中作为发光层。图20显示了器件的相对发光度随时间的变化。显然,基于化合物1的器件显示了更长的寿命。具体地,基于化合物1的器件在lt70时的估计寿命(即发光度下降到其初始值的70%所需的时间)为~11060小时,而基于化合物4的器件的估计寿命为~5250小时。此外,基于1的器件估计半衰期为~29740小时。基于化合物4的器件工作寿命较短,可能是因为形成了不稳定的甲基自由基。在整个说明书中,术语可以具有在上下文中建议或暗示的有细微差别的含义,超出了明确表述的含义。类似地,本文所用的短语“在一个实施方式中”不一定指同一实施方式,并且本文所用的短语“在另一个实施方式中”不一定指不同的实施方式。类似地,本文所用的短语“一个或多个实施方式”不一定指同一实施方式,并且本文所用的短语“至少一个实施方式”不一定指不同的实施例。意图是,例如,所要求保护的主题包括全部或部分示例性实施方式的组合。实施例13通过角相关的pl测量方法研究掺杂在m-cbp中的11v/v%1,3和4的真空沉积薄膜。取向序参数(s)已经用于量化分子取向度,其中s=0与随机分子取向相关,并在s=-0.5(对于完美水平取向)到s=+1.0(对于垂直取向分子)之间变化。图21描绘了归一化pl强度随薄膜发射角的变化,而图22描绘了通过自动旋转台控制的发射光谱相对于薄膜角度的二维分布。向3和4的苯基环上加入tbu-基团分别得到了s=-0.31和s=-0.30的负值,相比之下在1中不存在此类tbu-基团的情况下,s=+0.10为正值。这暗示3和4在薄膜中优先水平取向,并且1在薄膜中稍微垂直取向。假设θ是基材法线和跃迁偶极矩之间的角度,s=-0.31,s=-0.30和s=+0.10分别对应于0.87,0.87和0.60的水平跃迁偶极子(θ)。表3总结了1,3和4的分子取向参数。值得注意的是θ值为0.87代表了磷光发射体和tadf发射体二者的报告文献中的最高值之一,这也加强了我们的分子设计,即四齿配体中咔唑基部分的限制旋转将给出优选的分子取向。因此,了解这类配合物的结构-性质关系,将有助于确定在薄膜中具有高θ的潜在候选物,以提高oled的外耦合效率。表31,3和4的分子取向参数aθ表示基材法线与跃迁偶极子力矩矢量之间的角度,并且通过如下方程计算:其中<...>表示总体均值。bθ表示发射体的水平偶极子与总偶极子之比,并且通过以下方程获得θ:(1-θ)=<sin2θ>:<cos2θ>=h:v.实施例14表2显示了在1000cd/m2下测量的基于化合物1,2和4的真空沉积的oleds的性能数据。表2表3表4实施例15用于合成1g金(ⅲ)配合物1的量分解表5显示了用于合成3.3g前体配体的化学品。表5表6显示了用于合成2.1gau(iii)前体配合物的化学品。化学品用量[1,1':3',1”-三联苯]-5'-基硼酸1.2g2,6-二溴吡啶1g乙酸汞1.4g四氯化金(iii)钾1.3g乙腈10ml二氯乙烷20ml硅胶1.25kg表6表7显示了用于合成1gau(iii)配合物1的化学品。表7以上对具体实施方式的描述将充分揭示本公开的一般特质,使得其他人可以通过应用相关领域技术范围内的知识(包括本文中通过引用引入和并入的文献的内容),在不脱离本发明的一般概念的情况下,容易地针对各种用途修改和/或适配这样的特定实施方式,而无需过多实验。因此,基于本文给出的教导和指导,这些适配和修改意在涵盖在所公开的实施方式的等价的含义和范围内。应当理解,本文中的短语或术语用于描述而非限制的目的,使得本说明书的短语或术语将由本领域技术人员根据本文中呈现的教导和指导,结合相关领域技术人员的知识来解释。虽然本发明的各种实施方式已经在上面描述过,但是应当理解,它们是通过示例而不是限制来呈现的。对于相关领域的技术人员来说,显而易见的是,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。因此,本发明不应受到上述任何示例性实施方式的限制,而应仅根据以下权利要求及其等同物来定义。当前第1页12
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