本发明涉及一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法。
背景技术：
刻蚀工艺是将玻璃或硅片等衬底上的材料使用化学反应或物理撞击作用移除的技术，此过程是在玻璃或硅片衬底上形成图案的重要也是关键步骤之一，现广泛应用于薄膜液晶显示器(tft-lcd)、有机电激光显示(oled)、大规模集成电路(ic)、半导体等微电子工业领域，金属银作为一种过渡元素理化性质较为稳定，且具有极好的的导电性、反射率高等特性先被越来越多的使用于取代金属钼、铝制程中。但磁控溅射后的银膜层极易与环境中的硫化学物发生反应生产硫化银及银黑，为防止银膜的硫化产生现工艺改进为使用一定膜厚的铟锡氧化物(ito)上下保护银膜层。但现有的刻蚀工艺为三步刻蚀法，上下ito膜层使用草酸或ito刻蚀液、银膜层使用银复合膜刻蚀剂，此方法首先工艺繁琐，再者由于在经过ito刻蚀液的产品发现图案表面会出现大量银盐析出，此银盐会附着与图案表面，对产品特性影响极大。为改进以上问题现发明一种一步刻蚀ito/ag/ito膜层的刻蚀剂。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供一种一种银复合膜层刻蚀剂，该刻蚀剂可解决传统ito/ag/ito复合膜刻蚀工艺繁琐、图案表面银盐附着问题。
本发明银复合膜层刻蚀剂是通过以下技术方案来实现的：包括磷酸、硝酸、醋酸以及缓冲剂。
作为优选的技术方案，以重量百分比为计，磷酸为30-60％、硝酸为2-20％、醋酸为12-40％、缓冲剂为0.01-10％和去离子水5-50％。
作为优选的技术方案，缓冲剂优选自四丁基硫酸氢铵和草酸。
一种银复合膜层刻蚀剂制备方法，其制备方法如下：按质量百分比混合硝酸、磷酸、醋酸及水，通过0.1um过滤器过滤后得到银复合膜刻蚀剂。
本发明的有益效果是：本发明可以将金属银及其氧化物转化为可溶于水的盐，反应稳定性性高、对同一衬底上的金属银及其氧化的刻蚀速率基本一致、刻蚀速率可控性高、对小颗粒银残留问题得到根本改善、反应稳定性性高，避免沉淀附着影响刻蚀效率及表面平整度；在使用过程中无特殊限制，可采用侵泡式、喷淋式或侵泡喷淋组合式；可实现复合膜层一步刻蚀、刻蚀稳定性高、改善银盐附着现象明显。
具体实施方式
通过以下具体实施例进一步说明本发明，但本发明的保护范围不仅仅局限于以下实施例：
表1实施例银复合膜刻蚀剂的组分及含量
实施方法
为了进一步考察刻蚀银复合膜刻蚀剂的刻蚀效果，本发明采用实施方法：在基板玻璃上溅射ito
从以上表格的实施例中可看出，本发明的银复合膜刻蚀剂具有高的刻蚀稳定性、刻蚀可控性高、刻蚀cd表现良好。具有实施范围广、控制性高等特点。最主要的是可实现一步刻蚀工艺大大缩短工艺时间及工艺过程。从配方角度，实施例与对比例可以看出，对比例中硝酸含量极高，刻蚀稳定性差、刻蚀过程不易控制。从工艺角度出发，实施例和对比例中可以看出，对比例中复合膜层样片需要经过三步刻蚀，首先使用ito刻蚀液刻蚀表层ito、再使用银刻刻蚀剂刻蚀银膜、再使用ito刻蚀剂刻蚀底层ito，这样极大的加大了工艺时间、工艺过程繁琐，且刻蚀后的银再次经过ito刻蚀液时会与ito刻蚀液发生络合反应，络合物会附着于基板图案表面或走线之间，此络合物经过清洗、氮气吹干工艺仍然存在，高度大于4um，严重影响后端工艺制成，造成产品性能缺陷。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
1.一种银复合膜层刻蚀剂，其特征在于：包括磷酸、硝酸、醋酸以及缓冲剂。
2.根据权利要求1所述的银复合膜层刻蚀剂，其特征在于：以重量百分比为计，磷酸为30-60％、硝酸为2-20％、醋酸为12-40％、缓冲剂为0.01-10％和去离子水5-50％。
3.根据权利要求1所述的银复合膜层刻蚀剂，其特征在于：缓冲剂优选自四丁基硫酸氢铵和草酸。
4.一种银复合膜层刻蚀剂的制备方法，其制备方法如下：按质量百分比混合硝酸、磷酸、醋酸及水，通过0.1um过滤器过滤后得到银复合膜刻蚀剂。