含有环丙基的负介电各向异性液晶介质及其应用
【技术领域】
[0001] 本发明属于液晶材料领域，涉及一种含有环丙基的负介电各向异性的极性化合物 的液晶介质及其在显示器中的应用。
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管液晶显示器（TFT-IXD)经历了漫长的基础研究阶段，在实现大生产、 商业化之后，以其轻薄、环保、高性能等优点已经成为LCD应用中的主流产品：无论是小尺 寸的手机屏、还是大尺寸的笔记本电脑（NotebookPC)或监视器（Monitor)，以及大型化的 液晶电视（LCD-TV)，到处可见TFT-LCD的应用。
[0003] 早期商用的TFT-LCD产品基本采用了TN显示模式，其最大问题是视角窄。随着产 品尺寸的增加，特别是在TV领域的应用，具有广视野角特点的IPS显示模式、VA显示模式 依次被开发出来并加以应用，尤其是基于VA显示模式的改进，分别先后在各大公司得到了 突破性的发展，这主要取决于VA模式本身所具有的宽视野角、高对比度和无需摩擦配向等 优势，再有就是，VA模式显示的对比度对液晶的光学各向异性（An)、液晶盒的厚度（d)和 入射光的波长（A)依赖度较小，必将使得VA这种模式成为极具前景的显示技术。
[0004] 但是，VA模式等的有源矩阵寻址方式的显示元件所用的液晶介质，本身并不完美， 例如残像水平要明显差于正介电各向异性的显示元件，响应时间比较慢，驱动电压比较高 等缺点，此时，一些新型的VA显示技术悄然而生：像PSVA技术即实现了MVA/PVA类似的广 视野角显示模式，也简化了CF工艺，从而降低CF成本的同时，提高了开口率，还可以获得更 高的亮度，进而获得更高的对比度，此外，由于整面的液晶都有预倾角，没有多米诺延迟现 象，在保持同样的驱动电压下还可以获得更快的响应时间，残像水平也不会受到影响，但是 由于像素中FineSlit密集分布电极，故如果电极宽度不能均匀分布，很容易出现显示不均 的问题。像UV2A技术，在保持PSVA技术优势的基础上，由于在TFT侧没有Slit结构，出现 像素电极宽度不均引起的显示不均问题还得到了改进。虽然显示器件在不断的发展，但是 另一方面人们还要一直致力于研究新的液晶化合物，得以使液晶介质及其应用于显示器件 的性能不断的向前发展。
[0005] 前期我司发明了末端基团含窄
【主权项】
1. 一种液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一第一成分、一第二成分W及一第H 成分，且该液晶介质的介电各向异性为负，其中该第一成分选自负介电各向异性的通式I 所示的化合物族群中的至少一种化合物，该第二成分选自负介电各向异性的通式II所示的 化合物族群中的至少一种化合物，该第H成分选自介电各向异性中性的通式III所示的化合 物族群中的至少一种化合物
其中， 0表示〇、1、2或3，b和P各自独立地表示1、2或3，a和n各自独立地表示0、1或2，且 a+b《4 ; 环A和环B各自独立地表示下列基团中的任一基团：
且当P > 1时，环A可W相同或不同，当n > 1时，环B可W相同或不同； 环C表示下列基团中的任一基团：
且当b > 1时，环E可W相同 或不同； L1和L2各自独立地表示氨或团素； Z、Zi和Z 2各自独立地表示单键、-CH厂、-邸2邸2-、-邸2〇-、-〇)〇-或-0邸2-中任意一种； Ri、R3和Rs各自独立地表示碳原子数为1-7的直链焼基或;"^CH2h<| >其中该些基团中 一个或多个-邸2-可被-0-、-CH = CH-取代； R2表示碳原子数为1-7的直链焼基、碳原子数为2-5的直链帰基； R4表示碳原子数为1-7的直链焼基、碳原子数为2-5的直链帰基，其中该些基团中的末 端基团-細3可被^取代。
2. 根据权利要求1所述液晶介质，其特征在于，所述Ri、R3和Rg各自独立地表示碳原子 数为1-7的直链焼基或焼氧基；R4表示碳原子数为1-7的直链焼基或碳原子数为2-5的直
链帰基。
3. 根据权利要求1和2所述液晶介质，其特征在于，所述环A和环B各自独立地表示下 列基团中的任一基团 Z和Zi各自独立地表示单 J 键、-C&CH厂或-C&O-中任意一种；Z2表示单键、-C00-、-CH2CH2-或-C&O-中任意一种；L1 和L2各自独立地表示氨或氣。
4. 根据权利要求1至3所述液晶介质，其特征在于，所述通式I所示的化合物选自式 I -1至I -18所示的介电负性化合物中的一种或几种；
所述通式II所示的化合物选自式II -1至II -16所示的介电负性化合物中的一种或几 种；
所述通式III所示的化合物选自式III -1至III -15所示的介电中性化合物中的一种或几 种；
5.根据权利要求1所述的液晶介质，其特征在于；所述的液晶介质包含重量百分含量 1?50%的通式I所示的介电负性化合物、重量百分含量1?75%的通式II所示的介电负 性化合物和重量百分含量10?60%的通式III所示的介电中性化合物。
6. 根据权利要求5所述的液晶介质，其特征在于，所述的液晶介质包含重量百分含量 1% -45%的通式I所示的介电负性化合物、重量百分含量1?50%的通式II所示的介电负 性化合物和重量百分含量20?55%的通式III所示的介电中性化合物。
7. 根据权利要求1至6所述的液晶介质，其特征在于，所述液晶介质还包含一种或多种 通式IV所示的可聚合化合物，所述一种或多种通式IV所示的可聚合化合物的总重量百分含 量大于0%且小于或等于5% ;
其中， 环F和环E各自独立地选自苯基、甲基代的亚苯基、二甲基代的亚苯基、氣代的亚苯基 和/或二氣代的亚苯基中的至少一种； 1和m各自独立地表示1或2。
8. 根据权利要求1至7所述液晶介质，其特征在于所述的液晶介质的光学各向异性在 0. 080?0. 150范围内。
9. 根据权利要求1至8中任一所述液晶介质，其特征在于，所述液晶介质另外包含W下 一种或几种添加剂：UV稳定剂、抗氧化剂、手征向惨杂剂、聚合起始剂，所述添加剂组分浓 度在0.01% -0.5%之间。
10. 权利要求1至9中任一所述液晶介质在有源矩阵显示元件中应用，如F!^S或IPS、 MVA、PVA、PSVA、UV2A等基于VA效应的有源矩阵显示器中的应用。
【专利摘要】本发明涉及一种负介电各向异性的液晶组合物。所述液晶组合物包含第一成分选自负介电各向异性的通式Ⅰ所示的化合物族群中的至少一种化合物，第二成分选自负介电各向异性的通式Ⅱ所示的化合物族群中的至少一种化合物，第三成分选自介电各向异性中性的通式Ⅲ所示的化合物族群中的至少一种化合物。此液晶组合物具有良好的常温低温互溶性和光稳定性、热稳定性，适用于液晶显示器件，尤其适用于FFS或IPS、MVA、PVA、PSVA、UV2A等基于VA效应的有源矩阵显示器中的应用。
【IPC分类】C09K19-44, G02F1-1333, C09K19-46
【公开号】CN104593011
【申请号】CN201510082505
【发明人】高红茹, 孙轩非, 丰景义, 熊会茹, 翟媛媛, 宰亚孟
【申请人】石家庄诚志永华显示材料有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月15日