液晶化合物及包含该化合物的液晶介质的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于液晶化合物及其应用领域，具体涉及一种液晶化合物以及包含该化合 物的液晶介质，此种液晶介质适用于无源或有源驱动液晶显示技术。
【背景技术】
[0002] 目前，液晶化合物的应用范围拓展的越来越广，其可应用于多种类型的显示器、电 光器件、传感器等中。用于上述显示领域的液晶化合物的种类繁多，其中向列相液晶应用最 为广泛。向列相液晶已经应用在无源TN、STN矩阵显示器和具有TFT有源矩阵的系统中。
[0003] 对于薄膜晶体管技术（TFT-IXD)应用领域，近年来市场虽然已经非常巨大，技术 也逐渐成熟，但人们对显示技术的要求也在不断的提高，尤其是在实现快速响应，降低驱动 电压以降低功耗等方面。液晶材料作为液晶显示器重要的光电子材料之一，对改善液晶显 示器的性能发挥重要的作用。
[0004] 目前TFT-IXD已经广泛地应用于工业领域和家庭消费领域，几乎完全替代了传统 的CRT显示器市场。根据液晶显示方式的不同，液晶显示元件可以分为扭曲向列相（TN)模 式、超扭曲向列相（STN)模式、共面（IPS)模式、垂直配向（VA)模式等多种模式。
[0005] 当前的液晶显示元件多为扭曲向列相（TN)模式，但其存在对比度低、视野角窄的 缺点，而垂直配向（VA)模式的显示以其宽视野角、高对比度和无须摩擦配向等优势，已经 得到广泛应用，并成为大尺寸TV用TFT-IXD的常见显示模式，另外，VA模式显示的对比度 对液晶的双折射率、液晶层的厚度和入射光的波长依赖度较小，因此，VA模式成为了现在极 具前景的液晶显示技术。
[0006] 对于VA模式等的显示方式所用的液晶材料，要求低电压驱动、快速响应、宽的温 度范围和良好的低温稳定性。换言之，也就要求我们开发负介电各向异性绝对值大、低黏 度、大的K33值和高清亮点的化合物。
【发明内容】
[0007] 本发明需要解决的技术问题是提供一种新型负介电各向异性液晶化合物以及包 含此化合物的液晶介质，该液晶化合物具有大的K值，适当的负介电各向异性，较低的旋转 粘度；包含该化合物的液晶介质具有低的旋转粘度、较快的响应时间和适当的负介电各向 异性，以及高陡度。
[0008] 本发明所提供的式I所示化合物正是因为此优点而被用来做VA模式显示方式的 液晶介质。
[0009] 本发明所提供的式I所示化合由于两个烯键及端基环戊基或环丁基的引入，极大 地提高了其K值，尤其是K 33，同时旋转粘度也较低。非常适用于VA显示模式，尤其是高路 数VA显示，和快速响应的VA-TFT模式、VA-IPS模式。
[0010] 为达到上述技术效果，本发明所采取的技术方案是：
[0011] 本发明提供了式I所示液晶化合物
[0012]
【主权项】
1. 式I所示液晶化合物
I 其中，A表示环丁基或环戊基；&表示碳原子数为1-10的直链烯基。
2. 式Ia至式I1所示液晶化合物
3. 液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或多种权利要求1中式I所示液晶 化合物。
4. 液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或多种权利要求2中式Ia至I1所 示的液晶化合物。
5. 根据权利要求3或4所述的液晶介质，其特征在于，所述液晶介质还包含一种或多种 式II所示化合物
II 其中，R2、R3各自独立地表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为2-10的链烯基；其 中另外的，所述r2、r3中含有-ch2-的基团中的任意的-ch2-被-ch2o-、-och2-、-C=C-取 代或去取代?所抹R"、1^"中仵音的被-F取代成去取代，
)-各自独立地表示如下基 团：
m、n、o各自独立的表示0或1 ; Zi、Z2、冗3各自独立的表示单键、-C2H4-、-CH=CH-、= 、-C00-、-OOC-、-CH2〇-、-〇CH2 -、-CF2〇-、-〇CF2-，其中另外的，-C2H4-、-CH=CH-中任意-H可被-F取代或未取代。
6. 根据权利要求5所述的液晶介质，其特征在于，所述
.中至少有一个选自
7. 根据权利要求5或6所述的液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或多种下 列IIa至II〇所示化合物：
所述式IIa至式II〇中， 各式中R2、R3可相同或不同，各自独立地表示碳原子数为1-10的烷基或碳 原子数为2-10的链烯基；其中另外的，所述R2、R3中含有-CH2-的基团中的任意 的-CH2-被-CH2〇-、-〇CH2-、-C=C-取代或未取代，所述R2、馬中任意的-H被-F取代或未 取代； -卜、 \__f、
〇
8.根据权利要求3至7中任一所述液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或多 种式III所示化合物
其中，&、1?5表示碳原于数为1-10的烷基或碳原于数为2-10的链烯基，其中另外的，所 述R4、R5中含有-CH2-的基团中的任意的-CH2-被-CH2〇-、-〇CH2-、-C=C-取代或未取代， 所述R2、馬中任意的-H被-F取代或未取代；
P，q、r各自独立的表示0或1 ; 24、25、26各自独立的表示单键、-(： 2114-、-01 = 01-、^ -、、-C00-、-00C-、-CH20-、-0CH2_、-CF2〇-、-〇CF2-，所述-C2H4-、-CH=CH-中任意-H被-F取代或未取代。
9.根据权利要求8所述液晶介质，其特征在于，所述液晶介质包含一种或多种式IIIa至 式IIIp所示化合物
所述式IIIa至式IIIp中，R2、R3、R4、R5各自独立地表示下列①-③所示基团中的任意一 种： ① 碳原子数为1-7的直链烷基或碳原子数为1-7的直链烷氧基； ② 所述①所示基团中含有-ch2-的基团中的一个或多 个-CH2-被-0-、-COO-、-00C-或-CH=CH-取代所形成的基团； ③ 所述①所示基团中一个或多个-H被-F、-Cl、-CH= 012或-CH=CH-CH3取代所形 成的基团。
【专利摘要】本发明涉及结构式(Ⅰ)的新型负介电液晶化合物，其中A，R1具有在权利要求中给出的意义，和涉及包括结构式(Ⅰ)的至少一种化合物的液晶介质，和涉及含有这一类型的液晶介质的电光学显示器。此类化合物具有适当的负介电、较大的K值，较低的旋转粘度，适用于高陡度、快速响应VA液晶。
【IPC分类】C09K19-46, C09K19-30, C09K19-44
【公开号】CN104610978
【申请号】CN201510066236
【发明人】孟劲松, 员国良, 张芳苗, 吕文海, 邓佳, 李明, 赵磊
【申请人】石家庄诚志永华显示材料有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年2月9日