一种磁环涂覆用无卤阻燃环氧树脂粉末涂料的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及磁环生产领域，涉及一种磁环涂覆封装用涂料，尤其是一种磁环涂覆 用无卤阻燃环氧树脂粉末涂料及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 磁环，也称环形磁芯，广泛用于电力、电子、数据通讯设备等领域，是重要的功能元 件，因为电绝缘与耐电击穿的要求，需要在表面涂装一层保护涂层，起机械保护和电绝缘作 用。
[0003]目前，行业内广泛采用的磁环涂覆材料有溶剂型绝缘漆以及普通粉末涂料，前者 存在生产效率低、有V0C排放，不满足当前追求环保的诉求，后者不具有阻燃功能，不满足 电子行业要求的UL94V-0级标准，使用中存在较大的火灾安全隐患。
[0004] 发明人在申请号为201310023904. 1的发明专利中公开了一种基于环氧树脂的粉 末涂料，具有阻燃效果好、电绝缘性能好的优点。
[0005] 然而，上述发明基于溴系阻燃体系，有研究者提出了颇具争议的质疑，认为使用 溴系阻燃体系的产品废弃后焚烧处理时会产生致癌性物质二噁英，因此，国际电工委员会 (IEC)标准IEC61249-22中对覆铜板提出了低卤化的要求：Br彡900ppm，Br+Cl彡1500ppm。 出于对自身品牌形象考量以及对中国或不发达国家设置技术与环保壁垒的需要，欧盟与日 本企业纷纷启动了无卤素阻燃要求，提出更苛刻的标准，对于无卤化的要求延伸至电子元 件、绝缘封装材料、结构材料以及外壳材料等。
【发明内容】
[0006] 本发明目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种环保型磁环涂覆用无卤阻燃 环氧树脂粉末涂料。
[0007] -种磁环涂覆用无卤阻燃环氧树脂粉末涂料，其特征在于，包括如下组分及重量 份数：
【主权项】
1. 一种磁环涂覆用无卤阻燃环氧树脂粉末涂料，其特征在于，包括如下组分及重量份 数： 环氧树脂 40-70份 有机磷化合物 2-10汾 酚树脂类固化剂 10-50份 _化促进剂 0. 1-2份 颜填料 30-相份 阻燃协效剂 i0-30份 抗结块助剂 0.3-2份。
2. 根据权利要求1所述的粉末涂料，其特征在于：所述有机磷化合物可以是磷酸三 苯酯、10-(2, 5-二羟基苯基）-1〇-氢-9-氧杂-10-憐杂菲-10-氧化物、聚憐臆阻燃剂、 9, 10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的一种或其混合物。
3. 根据权利要求1或2所述的粉末涂料，其特征在于：所述的环氧树脂的环氧当量范 围 195-1000g/eg，软化点范围 60-100°C，150°C时锥板粘度彡 4000mPa. s。
4. 根据权利要求1或2所述的粉末涂料，其特征在于：所述环氧树脂包括双酚A环氧 树脂、邻甲酚醛环氧树脂、酚醛环氧树脂、双酚A酚醛环氧树脂的一种或其混合物。
5. 根据权利要求1所述的粉末涂料，其特征在于：所述酚树脂类固化剂特征为羟基当 量介于200-500g/eg之间，软化点范围65-120°C。
6. 根据权利要求1所述的粉末涂料，其特征在于：所述固化促进剂为咪唑、2-甲基咪唑 或2-苯基咪唑的一种或几种。
7. 根据权利要求1所述的粉末涂料，其特征在于：所述阻燃协效剂为氢氧化铝或氢氧 化镁。
8. 根据权利要求1所述的粉末涂料，其特征在于：将所述组分制成粉末后，在粉末中加 入抗结块助剂。
9. 根据权利要求8所述的粉末涂料，其特征在于：所述抗结块助剂的添加量为粉末的 l_5wt%。，其比表面积 >100m2/g。
10. -种制备权利要求1-9任一项所述的粉末涂料的方法，其特征在于，包括以下步 骤： (1) 称取所需原料，在高速混合机中混合均匀； (2) 将混合均匀的物料加到单螺杆挤出机或双螺杆挤出机中熔融挤出，出料温度要求 100°C _145°C，停留时间介于20秒-60秒之间； (3) 经过熔融挤出的物料经过压片并冷却破碎，然后粉碎分级，要求体积平均直径D50 为50 μ m-70 μ m，即为粉末； (4) 在粉末中物理共混抗结块助剂。
【专利摘要】一种磁环涂覆用无卤阻燃环氧树脂粉末涂料，包括环氧树脂40-70份；有机磷化合物2-10份；酚树脂类固化剂10-50份；固化促进剂0.1-2份；颜填料30-40份；阻燃协效剂10-30份；抗结块助剂0.3-2份；本发明制备的磁环涂覆用环氧树脂粉末涂料首次引入磷系无卤阻燃剂，实现了无卤阻燃，具有固化速度快、阻燃效果好、绿色环保、制备方法简单等优点，既保证了涂料的阻燃性能，又不降低涂料的电绝缘性能，非常适合电子等行业使用。
【IPC分类】C09D5-03, C09D5-25, C09D5-18, C09D163-00, C09D163-02, C09D163-04, C09D7-12
【公开号】CN104745048
【申请号】CN201310756488
【发明人】高卫国
【申请人】天津市凯华绝缘材料有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月31日