用于有机光电元件的发光材料、有机光电元件及显示元件的制作方法
【技术领域】
[0001] 揭露用于有机光电元件的发光材料、有机光电元件以及显示元件。
【背景技术】
[0002] 有机光电元件是将电能转换成光能的元件，反之亦然。
[0003] 可根据驱动原理将有机光电元件分类如下：一种是电子元件，其中由光能产生的 激子（exciton)被分成电子和空穴（hole)，且电子和空穴被分别传输到不同的电极而产生 电能；另一种则是发光元件，通过对电极提供电压或电流而从电能产生光能。
[0004] 有机光电元件实例包括有机光电（photoelectric)元件、有机发光二极管、有机 太阳能电池、有机光导鼓（photo-conductordrum)及其相似物。
[0005] 其中，由于对平板显示器的需求增加，有机发光二极管（0LED)于近日引起了关 注。通过对有机发光材料施加电流，有机发光二极管将电能转换为光能，且有机发光二极 管具有将有机层夹于阳极与阴极之间的结构。本文的有机层可包括发射层以及可选的辅助 层。辅助层可包括选自以下至少一层：例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输 层、电子注入层以及空穴阻挡层，以提高有机发光二极管的效率及/或稳定性。
[0006] 有机发光二极管的性能会受到有机层特性的影响，并且其中主要会受到有机层的 有机材料特性的影响。
[0007] 特别地，需要开发一种能够提高空穴迀移率与电子迀移率并同时提高电化学稳定 性的有机材料，以使有机发光二极管可应用于大尺寸的平板显示器。
【发明内容】
[0008] 技术问题
[0009] -实施例提供一种用于有机光电元件的发光材料，其能够实现具有高效率及长寿 命的有机光电元件。
[0010] 另一实施例提供一种有机光电元件，其包括上述用于有机光电元件的发光材料。
[0011] 又另一实施例提供一种显示元件，其包括上述有机光电元件。
[0012] 技术方案
[0013] 根据一实施例，提供一种由化学式1表不的用于有机光电元件的发光材料。
[0014]
[化学式U
[0015]
[0016] 化学式1中，
[0017] Z各自独立地为N或CRa，
[0018] 至少一Z为N，
[0019] R1至Rw以及1^各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代 或未经取代的C6至C12芳基或其组合，
[0020] L是经取代或未经取代的伸苯基（phenylene)、经取代或未经取代的伸联苯基 (biphenylene)或经取代或未经取代的伸三联苯基（terphenylene)，
[0021] nl至n3各自独立地为0或1，且
[0022] nl+n2+n3 ^ 1〇
[0023] 根据另一实施例，有机光电元件包括彼此面对的阳极与阴极，以及位于阳极与阴 极之间的发射层，且发射层包括用于有机光电元件的发光材料。
[0024] 根据又另一实施例，提供一种包括有机光电元件的显示元件。有益效果
[0025] 根据本实施例的用于有机光电元件的发光材料为具有双极性的有机化合物，其 包括具有能够良好地接受电子的电子特性的取代基以及能够良好地接受空穴的联伸三苯 (triphenylene)基。上述有机化合物可良好地接受电子与空穴，故上述有机化合物可直接 用于发光且易于将电子与空穴传输至掺质。因此，当将根据本实施例的发光材料用于有机 光电元件的发射层时，其可实现高性能。
【附图说明】
[0026] 图1与图2是根据一实施例的各有机发光二极管的剖面图。
【具体实施方式】
[0027] 在下文中，详细说明本发明的实施例。然而，这些实施例为示例性的，而本揭露并 不限于此。
[0028] 如本文所用，当未作另外定义时，术语"经取代"是指取代基或化合物中的至少一 个氢经下列基团所取代：氘、卤素、羟基、氨基（aminogroup)、经取代或未经取代的C1至 C30胺基（aminegroup)、硝基、经取代或未经取代的C1至C40娃烷基（silylgroup)、C1 至C30烷基、Cl至C10烷基硅烷基（silylgroup)、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、 C6至C30芳基、C6至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基（例如三氟 甲基及其相似物）或氰基。
[0029] 此外，下列基团的两个相邻取代基可彼此稠合成环：经取代的卤素、羟基、氨基、经 取代或未经取代的C1至C20胺基、硝基、经取代或未经取代的C3至C40硅烷基、C1至C30 烷基、Cl至CIO烷基硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C6至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基（例如三氟甲基及其相似物）。举 例而言，经取代的C6至C30芳基可与另一个相邻经取代的C6至C30芳基稠合（fused)，以 形成经取代或未经取代的莽环（fluorenering)。
[0030] 本说明书中，当未另外提供明确定义时，术语"杂"是指于一化合物或取代基中包 括1至3个选自N、0、S、P与Si的杂原子以及其余碳。
[0031] 如本文所用，当未另外提供定义时，术语"其组合"是指至少两个取代基通过连接 基彼此结合，或至少两个取代基彼此缩合（condense)。
[0032] 如本文所用，当未另外提供定义时，术语"烷基"可以指脂肪族烃基。烷基可以指 没有任何双键或三键的"饱和烷基"。
[0033] 烷基可为C1至C30烷基。更具体而目，烷基可为C1至C20烷基或C1至C10烷基。 举例而言，C1至C4烷基在烷基链中包括1至4个碳，且其可选自于甲基、乙基、丙基、异丙 基、正丁基、异丁基、第二丁基以及第三丁基（t-butyl)。
[0034] 烷基的具体实例可为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、第三丁基、戊基、己 基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基及其相似物。
[0035] 如本文所用，术语"芳基"是指包括具有形成共辄的p轨域的环的所有元素的取代 基，且其可为单环、多环或稠合环多环（即共享相邻碳原子对的环）官能基。
[0036] 如本文所用，术语"杂芳基"可以指在一官能基中包括1至3个选自N、0、S、P与 Si的杂原子以及其余碳的芳基。杂芳基可为稠合环，其中各环可包括1至3个杂原子。
[0037] 更具体而言，经取代或未经取代的C6至C30芳基及/或经取代或未经取代 的C2至C30杂芳基可为以下基团：经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘 基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的菲基、经取代或未经取代的稠四苯基 (naphthacenylgroup)、经取代或未经取代的花基（pyrenylgroup)、经取代或未经取代的 联苯基（biphenylgroup)、经取代或未经取代的对三联苯基（p-terphenylgroup)、经取 代或未经取代的间三联苯基（m-terphenylgroup)、经取代或未经取代的屈基（chrysenyl group)、经取代或未经取代的联三伸苯基（triphenylenylgroup)、经取代或未经取代的花 基（perylenylgroup)、经取代或未经取代的讳基（indenylgroup)、经取代或未经取代的 咲喃基（furanylgroup)、经取代或未经取代的苯硫基（thiophenylgroup)、经取代或未 经取代的吡略基（pyrrolylgroup)、经取代或未经取代的吡唑基（pyrazolylgroup)、经 取代或未经取代的咪唑基（imidazolylgroup)、经取代或未经取代的三唑基（triazolyl group)、经取代或未经取代的恶唑基（oxazolylgroup)、经取代或未经取代的噻唑基 (thiazolylgroup)、经取代或未经取代的恶二唑基（oxadiazolylgroup)、经取代或未经 取代的噻二唑基（thiadiazolylgroup)、经取代或未经取代的吡啶基（pyridylgroup)、经 取代或未经取代的啼啶基（pyrimidinylgroup)、经取代或未经取代的吡嗪基（pyrazinyl group)、经取代或未经取代的三嗪基（triazinylgroup)、经取代或未经取代的苯并咲喃 基（benzofuranylgroup)、经取代或未经取代的苯并苯硫基（benzothiophenylgroup)、 经取代或未经取代的苯并咪唑基（benzimidazolylgroup)、经取代或未经取代的吲噪 基（indolylgroup)、经取代或未经取代的喹啉基（quinolinylgroup)、经取代或未经取 代的异喹啉基（isoquinolinylgroup)、经取代或未经取代的喹唑啉基（quinazolinyl group)、经取代或未经取代的喹恶啉基（quinoxalinylgroup)、经取代或未经取代的萘啶 基（naphthyridinylgroup)、经取代或未经取代的苯并恶嗪基（benzoxazinylgroup)、 经取代或未经取代的苯并噻嗪基（benzthiazinylgroup)、经取代或未经取代的P丫啶基 (acridinylgroup)、经取代或未经取代的啡嗪基（phenazinylgroup)、经取代或未经取 代的啡噻嗪基（phenothiazinylgroup)、经取代或未经取代的啡恶嗪基（phenoxazinyl group)、经取代或未经取代的莽基（fluorenylgroup)、经取代或未经取代的二苯并咲喃 基（dibenzofuranylgroup)、经取代或未经取代的二苯并苯硫基（dibenzothiopheneyl group)、经取代或未经取代的味唑基（carbazolylgroup)或其组合，但不限于此。
[0038] 本说明书中，空穴特性是指当施加电场时能够给予电子以形成空穴的特性，以及 由于根据HOMO能阶的导电特性而使于阳极所形成的空穴易于注入发射层并于发射层中传 输的特性。
[0039] 此外，电子特性是指当施加电场时能够接受电子的特性，以及由于根据LUM0能阶 的导电特性而使于阴极所形成的电子易于注入发射层并于发射层中传输的特性。
[0040] 于下文说明根据一