半导体检查用的耐热性粘合片的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种半导体检查用的耐热性粘合片。
【背景技术】
[0002] 半导体晶圆在形成电路之后贴合粘合片，然后进行切割（dicing)成元件小片、 清洗、干燥、粘合片的延展（expanding)、自粘合片的元件小片的剥离（pickup)、安装 (mounting)等各个工序。在运些工序中所使用的粘合片（dicingtape)，理想的是对切割工 序至干燥工序为止的被切割为元件小片具有充分的粘着力，并且在拾取工序中粘着力可减 少至粘着剂不会残留的程度。
[0003] 作为粘合片，有在对紫外线及/或电子束等的活性光线具有透明度的基材上涂布 藉由紫外线等进行聚合硬化反应的粘着剂层者。此粘合片是采用于切割工序后W紫外线等 照射粘着剂层，使粘着剂层聚合硬化、粘着力降低之后，拾取被切断的忍片的方法。
[0004] 作为此种粘合片，专利文献1 W及专利文献2中掲示了例如在基材面上涂布由在 分子内含有光聚合性不饱和双键的化合物（多官能低聚物）所构成的粘着剂，所述粘着剂 会藉由活性光线而Ξ维网状化。 阳0化][专利文献1]日本特开2009-245989号公报
[0006][专利文献2]日本特开2012-248640号公报
[0007] 半导体的制造工序中，按W下顺序进行加工W及性能检查。
[0008] ?半导体晶圆的切割
[0009] ?性能检查（常溫）
[0010] ?封装 柳川 ?性能检查（高溫W及常溫）
[0012] 在上述的工序中，到封装后的性能测试为止前都无法判断出在高溫状态下是否有 异常的忍片。因此，高溫状态下有异常的所有忍片也都必须进行封装，因而增加封装成本。
[0013] 若切割后的性能测试可在高溫下进行，就能降低封装成本，但是，性能检查是在半 导体忍片贴附于切割胶带等的粘合片的状态下进行，因此，一旦对半导体忍片进行加热，贝U 会导致粘合片变形或粘合片过度紧贴等问题。
[0014] 粘合片一旦变形，则形成于晶圆上的电极焊点与检测用探针就无法自动对位，需 要较长的检查时间。此外，当变形严重时，可能会导致无法使晶圆接触检测用探针。另外， 当半导体忍片的间隔较狭窄时，可能会导致忍片互相接触，造成忍片的破损或强度降低。
[0015]另外，一旦粘合片与半导体忍片过度紧贴，则即使照射紫外线等使粘着剂层硬化， 粘着剂层的粘着力也不会充分降低，会造成拾取困难、粘着剂残留等的不良情况。
【发明内容】
[0016] 本发明的发明人发现，加热所造成的粘合片的变形是起因于基材的热收缩率W及 线膨胀系数，而加热所造成的粘着剂层的软化则是起因于粘着剂所含有的增粘树脂的软 化。
[0017]基于此发现，本发明提供一种使用低热收缩率及低线膨胀系数的基材的粘合片。
[0018]本发明的半导体检查用的耐热性粘合片，为在加热半导体忍片的同时进行性能检 查的工序中所使用的粘合片，所述粘合片为在基材上设有粘着剂层而成，所述基材在150°C 下加热30分钟后的热收缩率低于1%，且60°C~150°C下的线膨胀系数为5.OX10W 下，且所述粘合片的所述粘着剂层包含（甲基）丙締酸共聚物、光聚合性化合物、多官能异 氯酸醋硬化剂W及光聚合起始剂；对100重量的所述（甲基）丙締酸共聚物，所述光聚合性 化合物为5~200质量份，所述多官能异氯酸醋硬化剂为0. 5~20质量份，所述光聚合起 始剂为0. 1~20质量份，且所述粘着剂层不包含增粘树脂。
[0019]优选地，所述粘合片的粘着剂层包含硅氧烷类接枝共聚物。
[0020] 优选地，所述多官能异氯酸醋硬化剂具有3个W上的异氯酸醋基。
[0021]优选地，所述光聚合起始剂Wl〇°C/分钟的升溫速度从23°C开始升溫，其质量减 少率成为1〇%时的溫度为250°(：^上。
[0022] 优选地，所述粘合片使用于半导体的制造方法中，而所述半导体的制造方法包 括：（a)贴附工序，将粘合片贴附于半导体忍片；化）吸附工序，吸附并固定贴附有粘合片的 半导体忍片，使其W粘合片接触载置台的方式承载于60~15(TC的载置台上；（C)检查工 序，将载置台加热至60~150°C的同时检查半导体忍片的性能；（d)紫外线照射工序，对粘 合片照射紫外线；W及（e)拾取工序，自粘合片拾取半导体忍片。
[0023]优选地，所述粘合片使用于半导体的制造方法中，而所述半导体的制造方法包 括：（a)贴附工序，将粘合片贴附于半导体晶圆或基板；化）切割工序，切割半导体晶圆或基 板，使其成为半导体忍片；（C)吸附工序，吸附并固定贴附有粘合片的半导体忍片，使其W 粘合片接触载置台的方式承载于60~15(TC的载置台上；（d)检查工序，将载置台加热至 60~150°C的同时检查半导体忍片的性能；（e)紫外线照射工序，对粘合片照射紫外线；W 及（f)拾取工序，自粘合片拾取半导体忍片。
[0024]另外，本发明还提供一种电子元件的制造方法，所述制造方法包括W 60~150°C对贴附有粘合片的电子元件进行加热的工序。作为所述粘合片，为在低热收缩率及低线膨 胀系数的基材上层积光硬化型粘着剂层而制成的粘合片，光硬化型粘着剂包含（甲基）丙 締酸共聚物、光聚合性化合物、多官能异氯酸醋硬化剂W及光聚合起始剂，且所述粘着剂层 不包含增粘树脂。
[0025]在此，于"增粘树脂"中包含为了提高丙締酸类粘着剂的粘着性的常规配制的树 月旨，例如松香类树脂、祗締类树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、氨化石油树脂、苯并 巧喃-巧树脂、苯乙締类树脂、二甲苯树脂W及运些树脂的混合物等。
[0026]发明的效果
[0027]根据本发明，提供一种在加热时不会轻易发生粘合片变形或粘着剂层软化的粘合 片，能在加热半导体晶圆的状态下进行检查。传统的在加热状态下的晶圆检查是在半导体 的封装工序后进行，但是，根据本发明，在加热状态下的晶圆检查能在封装工序前进行。意 即，依据本发明，能在封装工序前判别加热状态下的不良忍片，因此，所述不良忍片不会进 行封装，因而可降低封装成本。
【具体实施方式】
[002引 W下，说明本发明的优选实施形态。此外，W下说明的实施形态仅为本发明的代表 性实施形态的一例，对本发明的范围的解释并不会因此而狭窄。
[0029] 1.粘合片
[0030] (1)基材
[0031] (2)光硬化型粘着剂
[0032] (2-1)不包含增粘树脂
[0033] (2-2)(甲基）丙締酸共聚物
[0034] (2-3)光聚合性化合物
[0035] (2-4)多官能异氯酸醋硬化剂
[0036] (2-5)光聚合起始剂
[0037] 2.电子元件的制造方法 阳03引 （1)贴附工序
[0039] 似加热工序W40] 0)切割工序
[0041] (4)紫外线照射工序 阳0创 妨拾取工序 柳43] 1.粘合片
[0044] 本发明的粘合片，是在低热收缩率及低线膨胀系数的基材上层积光硬化型粘着剂 层（W下，单纯称为"粘着剂层"）而成，其特征在于在粘着剂层中不包含增粘树脂。本发明 的粘合片在被加热的情况下也不会产生变形。另外，本发明的粘合片不会产生起因于增粘 树脂软化的粘着剂层的软化，故不会过度地粘着于半导体晶圆等。因此，本发明的粘合片， 可防止粘合片的变形所造成较长的检查时间及半导体忍片的破损。并且，可藉由紫外线等 照射充分降低粘着剂层的粘着力，且可W防止拾取不良及粘着剂残留。 W45] (1)基材
[0046] 作为基材的材料，优选W150°C加热30分钟后的热收缩率为1%W下。热收缩率 一旦大于1%，则可能会产生在加热时基材收缩导致粘合片变形的情况。在此，热收缩率为 根据下式求出的值。
[0047] 〇i)-Ll)/LOX100(% ) W4引L0:加热前的基材长度（10cm) W例 L1:W150°C加热30分钟，冷却至室溫后的基材长度
[0050] 另夕F，基材的线膨胀系数优选为5.0X10W下。线膨胀系数一旦大于 5. 0X10 ^Κ，则贴附粘合片的环状框架与被测物的半导体晶圆和忍片之间的线膨胀系数差 会变大，可能会造成粘合片变形。作为运种基材，可列举聚糞二甲酸乙二醋（PEN)、聚苯硫酸 (PPS)、聚酸酸酬（PEEK)、聚酷胺酷亚胺（PAI)、聚酷亚胺（PI)等的塑料基材、和纸及高质量 纸、玻璃纸、皱纹纸等的纸基材。另外，也可为利用乳胶等对纸基材进行浸溃、填充处理者。
[0051] 基材可为由上述材料构成的单层或多层的薄膜或者薄片，也可为层积不同材料构 成的薄膜等而形成。基材的厚度为50~200μm，优选为70~150μm。
[0052] 对于基材，优选施行抗静电处理。作为抗静电处理，有向基材添加抗静电剂的处 理、向基材表面涂布抗静电剂的处理、藉由电晕放电的处理。