实施例5
[0034]按照Li4Sr0.9Zn0.999 (Si204Ns/3):0.1Eu2+, 0.001Nd3+称取 Li 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Nd 203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.9:0.999:2/3:0.05:0.0005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于C0气氛下在1450°C焙烧7小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0035]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3201,0.3514)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为6ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为10ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的85%。
[0036]实施例6
[0037]按照Li4Sr0.9Zn0.99 (Si204N8/3):0.1Eu2+, 0.01Pr3+称取 Li 2C03、SrC03、Zn0、Si3N4、Eu203和Pr203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.9:0.99:2/3:0.05:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于C0气氛下在1400°C焙烧5小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0038]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3401,0.3414)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为7ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为11ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的86%。
[0039]实施例7
[0040]按照Li4Sr0.9Zn0.99 (Si204N8/3):0.1Eu2+, 0.01Dy3+称取 Li 2C03、SrC03、Zn0、Si3N4、Eu203和Dy203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.9:0.99:2/3:0.005:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于C0气氛下在1300°C焙烧3小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0041]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3421,0.3434)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为15ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为20ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的85%。
[0042]实施例8
[0043]按照Li4Sr0.99Zn0.99 (Si204Ns/3):0.01Eu2+, 0.01Sm3+称取 Li 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Sm203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.99:0.99:2/3:0.005:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于C0气氛下在1400°C焙烧5小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0044]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3431,0.3414)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为20ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为24ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0045]实施例9
[0046]按照Li4Sr0.99Zn0.99 (Si204Ns/3):0.01Eu2+, 0.01Gd3+称取 Li 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Gd 203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.99:0.99:2/3:0.005:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于C0气氛下在1400°C焙烧5小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0047]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带蓝光发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3501,0.3414)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为30ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为44ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0048]实施例10
[0049]按照Li4Sr0.99Zn0.99 (Si204Ns/3):0.01Eu2+, 0.01Ho3+称取 Li 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和H0203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.99:0.99:2/3:0.005:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于C0气氛下在1400°C焙烧5小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0050]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3201,0.3454)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为35ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为50ms，且该焚光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0051]实施例11
[0052]按照Na4Sr0.9Zn0.999 (Si204Ns/3):0.1Eu2+, 0.001Nd3+称取 Na 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Nd 203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.9:0.999:2/3:0.05:0.0005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积比)的氮氢混合气氛下在1450°C焙烧7小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0053]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3501,0.3414)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发