射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为90ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为100ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0054]实施例12
[0055]按照Na4Sr0.9Zn0.99 (Si204N8/3):0.1Eu2+, 0.01Pr3+称取 Na 2C03、SrC03、Zn0、Si3N4、Eu203和Pr203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.9:0.99:2/3:0.05:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积比)的氮氢混合气氛下在1400°C焙烧5小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0056]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3551,0.3514)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为120ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为130ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0057]实施例13
[0058]按照Na4SrQ.999ZnQ.999 (Si204Ns/3):0.001Eu2+，0.001Dy3+称取 Na 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Dy 203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.999:0.999:2/3:0.0005:0.0005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积比)的氮氢混合气氛下在1300°C焙烧3小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0059]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3701,0.3314)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为125ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为150ms，且该焚光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0060]实施例14
[0061]按照Na4Sr0.999Zn0.99 (Si204Ns/3):0.001Eu2+, 0.01Sm3+称取 Na 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Sm203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.999:0.99:2/3:0.0005:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积比)的氮氢混合气氛下在1450°C焙烧3小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0062]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3201,0.3314)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为200ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为240ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0063]实施例15
[0064]按照Na4Sr0.99Zn0.99 (Si204Ns/3):0.01Eu2+, 0.01Gd3+称取 Na 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Gd 203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.99:0.99:2/3:0.005:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积比)的氮氢混合气氛下在1300°C焙烧7小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0065]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3351,0.3414)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为270ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为320ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0066]实施例16
[0067]按照Na4Sr0.99Zn0.99 (Si204Ns/3):0.01Eu2+, 0.01Ho3+称取 Na 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和H0203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.99:0.99:2/3:0.005:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积比)的氮氢混合气氛下在1400°C焙烧5小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0068]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3401,0.3214)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为210ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为250ms，且该荧光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0069]实施例17
[0070]按照K4Sra9Zna 999 (Si204Ns/3):0.1Eu2+, 0.001Nd3+称取 K 2C03、SrC03、Zn0、Si3N4、Eu203和Nd203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.9:0.999:2/3:0.05:0.0005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积比)的氮氢混合气氛下在1450°C焙烧7小时，后冷却到室温，得到白光长余辉荧光粉材料。
[0071]本实施例的荧光材料XRD图谱显示产物的d值和相对强度变化趋势与标准卡片(JCPDF =830763) 一致，说明本实施例合成的荧光材料纯度较高。当发射光谱的激发波长为360nm，本实施例的荧光粉的发射为二价铕的宽带发射，发射峰位于430nm和570nm附近，色坐标为(0.3301,0.3514)在白光区域。本实施例的荧光材料激发谱为一宽谱，覆盖了紫外和紫光区域，激发峰分别位于340nm(监控波长430nm)和400nm(监控波长570nm)附近。430nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为500ms，570nm的发射余辉衰减到初始强度的10%的时间约为610ms，且该焚光材料发射在白光区域，可作为白光发射的长余辉材料。化学稳定性好，150摄氏度的发光强度，是室温时发光强度的87%。
[0072]实施例18
[0073]按照K4Sr0.9Zn0.99 (Si204Ns/3):0.1Eu2+, 0.01Pr3+称取 K 2C03、SrC03、ZnO、Si3N4、Eu203和Pr203，它们之间的化学计量比(摩尔比)为2:0.9:0.99:2/3:0.05:0.005，充分研磨混合均匀后，放置刚玉坩祸中，再放入高温炉中于5 % H2+95 % N2 (体积