一种长余辉红色荧光材料及其制备方法_2

文档序号:9702648阅读:来源:国知局
压制,保压时间设定为20min。将步制得的圆片状材料放入微波烧结炉中,煅烧温度为1320°C,保温lOOmin,随炉冷却至室温,充分研磨得到荧光粉。
[0041]参见附图2-1,它是本实施例技术方案制备样品的X射线粉末衍射图谱,测试结果显示,图中无其它杂质峰出现,与标准的roF卡片70-2113Ba2Si04相比,衍射峰的位置和相对强度均和标准卡片一致,所制备的材料主相为正交晶系的B a 2 S i 0 4,说明本实例所制备的样品是纯物相的,结晶性良好。
[0042]参见附图2-2,它是按本实例技术方案制备的样品的扫描电子显微镜图片,从图中可以看出,所得样品结晶性好,颗粒分散均匀,其平均粒径为4.67微米。
[0043]参见附图2-3,它是按本实例技术方案制备的样品在600纳米的光监测下的激发光谱图,由图可知,该材料可以被波长在360-430纳米范围内的光很好的激发。
[0044]参见附图2-4,它是按本实例技术方案制备的样品在395纳米的光激发下得到的发光光谱图,由图可知,该材料可以发射出596纳米和616纳米附近的红光。
[0045]参见附图2-5,它是按本实例技术方案制备的样品在激发波长为395纳米,监测波长为616纳米的发光衰减曲线,由图可知,余辉时间约1200毫秒。
[0046]实施利3
[°°47] 采用Ba⑶3作为钡源,纳米SiC作为娃源,其中,纳米碳化娃粒径为30nm,氧化铕作为铕源,按照化学式为Ba2—Q.Q9Si04:(0.09EU)进行称量配比,将各称量好的原料倒入刚玉研钵中,加入适量的无水乙醇,顺时针逆时针交替充分研磨,研磨30-60min,放入恒温干燥箱,设定温度80°C,干燥200min,得到混合物。将制得的混合物装入直径为15mm的模具中,采用压片机在220MPa条件下压制,保压时间设定为30min。将步制得的圆片状材料放入微波烧结炉中,煅烧温度为1350°C,保温150min,随炉冷却至室温,充分研磨得到荧光粉。
[0048]参见附图3-1,它是本实施例技术方案制备样品的X射线粉末衍射图谱,测试结果显示,图中无其它杂质峰出现,与标准的H)F卡片70-2113Ba2Si04相比,衍射峰的位置和相对强度均和标准卡片一致,所制备的材料主相为正交晶系的B a 2 S i 0 4,说明本实例所制备的样品是纯物相的,结晶性良好。
[0049]参见附图3-2,它是按本实例技术方案制备的样品的扫描电子显微镜图片,从图中可以看出,所得样品结晶性好,颗粒分散均匀,其平均粒径为5.69微米。
[0050]参见附图3-3,它是按本实例技术方案制备的样品在600纳米的光监测下的激发光谱图,由图可知,该材料可以被波长在360-430纳米范围内的光很好的激发。
[0051]参见附图3-4,它是按本实例技术方案制备的样品在395纳米的光激发下得到的发光光谱图,由图可知,该材料可以发射出596纳米和616纳米附近的红光。
[0052]参见附图3-5,它是按本实例技术方案制备的样品在激发波长为395纳米,监测波长为616纳米的发光衰减曲线,由图可知,余辉时间约1400毫秒。
[0053]实施利4
[0054]采用Ba(N03)2作为钡源,纳米SiC作为娃源,其中,纳米碳化娃粒径为30nm,氧化铕作为铕源,按照化学式为Ba2—Q.nSi04:(0.11EU)进行称量配比,将各称量好的原料倒入刚玉研钵中,加入适量的无水乙醇,顺时针逆时针交替充分研磨,研磨30-60min,放入恒温干燥箱,设定温度80°C,干燥200min,得到混合物。将制得的混合物装入直径为15mm的模具中,采用压片机在180MPa条件下压制,保压时间设定为20min。将步制得的圆片状材料放入微波烧结炉中,煅烧温度为1320°C,保温lOOmin,随炉冷却至室温,充分研磨得到荧光粉。
[0055]参见附图4-1,它是本实施例技术方案制备样品的X射线粉末衍射图谱,测试结果显示,图中无其它杂质峰出现,与标准的H)F卡片70-2113Ba2Si04相比,衍射峰的位置和相对强度均和标准卡片一致,所制备的材料主相为正交晶系的B a 2 S i 0 4,说明本实例所制备的样品是纯物相的,结晶性良好。
[0056 ]参见附图4-2,它是按本实例技术方案制备的样品的扫描电子显微镜图片,从图中可以看出,所得样品结晶性好,颗粒分散均匀,其平均粒径为4.10微米。
[0057]参见附图4-3,它是按本实例技术方案制备的样品在600纳米的光监测下的激发光谱图,由图可知,该材料可以被波长在360-430纳米范围内的光很好的激发。
[0058]参见附图4-4,它是按本实例技术方案制备的样品在395纳米的光激发下得到的发光光谱图,由图可知,该材料可以发射出596纳米和616纳米附近的红光。
[0059]参见附图4-5,它是按本实例技术方案制备的样品在激发波长为395纳米,监测波长为616纳米的发光衰减曲线,由图可知,余辉时间约2000毫秒。
【主权项】
1.一种制备长余辉红色荧光材料的方法,其特征是,采用碳化硅作为硅源,在空气气氛下制备出长余辉红色荧光材料。2.如权利要求1所述的一种烧制长余辉红色荧光材料的方法,其特征是,所述的碳化硅是小于100纳米的碳化娃,其粒径在10_100纳米。3.如权利要求1所述的在空气气氛条件下制备长余辉红色荧光材料的方法,其特征是,采用微波烧结炉进行煅烧。4.如权利要求3所述的一种采用微波烧结炉制备红色长余辉荧光材料的方法,其特征是,煅烧温度为1000-1500°C。
【专利摘要】本发明提供一种在非还原气氛烧制工艺,烧制出具有优异红色发光性能的长余辉荧光材料。其特征是,采用纳米碳化硅作为硅源,在非还原性气氛中采用微波烧结制备出具有长余辉红色荧光材料的方法,其化学式为Ba2-xSiO4:(xEu),其中,0.005≤x≤0.11。本发明提供的技术方案的优点之一,化学性质稳定和发光性能优异,可被波长在360-430纳米范围内的光很好的激发,发射出596纳米和616纳米附近的红光,余辉时间可达2000毫秒,可用于白光LED器件;之二,提供的制备工艺简单易控,并且制备成本低和环境友好。
【IPC分类】C09K11/59
【公开号】CN105462579
【申请号】CN201510891615
【发明人】朱聪旭, 赵红晓, 铁伟伟, 韩洋洋, 郑直
【申请人】许昌学院
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月4日
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